1.一種遮擋邊框，其特征在于，由在厚度方向上、下設(shè)置的矩形的上框和下框組成，上框的矩形內(nèi)孔尺寸小于下框的矩形內(nèi)孔尺寸，從而在內(nèi)壁上形成臺(tái)階面；所述下框的矩形內(nèi)孔尺寸與待加工薄膜太陽(yáng)能電池的襯底邊緣尺寸相配合；所述上框的矩形內(nèi)孔尺寸與待加工薄膜太陽(yáng)能電池的待鍍膜層的邊緣尺寸相配合。
2.一種采用權(quán)利要求1所述遮擋邊框的超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
a.取一超薄玻璃襯底，玻璃的厚度在0.70mm～0.05mm，對(duì)超薄玻璃進(jìn)行清洗；
b.在超薄玻璃襯底上沉積緩沖層；
c.在緩沖層上繼續(xù)沉積前電極，沉積前電極前，采用上述結(jié)構(gòu)的遮擋邊框覆蓋在超薄玻璃襯底上，遮擋邊框的下框與超薄玻璃襯底邊緣相互配合定位，遮擋邊框的上框?qū)㈦x超薄玻璃襯底邊緣D1距離的區(qū)域遮擋住，然后沉積形成前電極，使被遮擋住的部分不能形成鍍膜；
d.在前電極上繼續(xù)沉積吸收層，沉積前，采用另一種尺寸的遮擋邊框覆蓋，遮擋邊框的下框與超薄玻璃襯底邊緣相互配合定位，遮擋邊框的上框?qū)㈦x超薄玻璃襯底邊緣D2距離的區(qū)域遮擋住，D1大于D2，從而在上框與前電極側(cè)邊之間形成間隙，然后沉積吸收層，使被遮擋部分不能鍍上吸收層，同時(shí)使吸收層材料進(jìn)入上述間隙并包裹住前電極的側(cè)邊；
e.在吸收層上繼續(xù)沉積背電極，沉積背電極前，采用第三種尺寸的遮擋邊框覆蓋，遮擋邊框的下框與超薄玻璃襯底邊緣相互配合定位，遮擋邊框的上框?qū)㈦x超薄玻璃襯底邊緣D3距離的區(qū)域遮擋住，D3大于D2；然后沉積背電極，使被遮擋部分的襯底和吸收層不能鍍上背電極；
f.在上述背電極上引出一個(gè)電極，在前電極上引出相反的電極，再用一層玻璃或透光的高聚物通過(guò)透光的粘接材料將薄膜太陽(yáng)能電池粘結(jié)封裝，形成太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，步驟b中，緩沖層采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法沉積SiOx 20～100nm，采用SiH4和CO2作為反應(yīng)氣體，CO2/SiH4的比例在5～20之間，等離子功率密度在0.03～0.20W/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，步驟c中，前電極為金屬或透明導(dǎo)電氧化物薄膜；優(yōu)選為摻硼氧化鋅薄膜，薄膜厚度1.0～2.0um，可見(jiàn)光透過(guò)率大于80%，方塊電阻為10～20ohm/sq。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，步驟d中，所述吸收層為硅薄膜的PIN結(jié)構(gòu)或者NIP結(jié)構(gòu)、CIGS 薄膜電池、CdTe薄膜電池結(jié)構(gòu)、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜這幾種結(jié)構(gòu)中的一種，或二至三種的串聯(lián)疊層組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，吸收層為非晶硅薄膜的PIN結(jié)構(gòu)，其中包括沉積在前電極上面的P型非晶硅，本征型非晶硅，N型非晶硅，以及這三層之間的過(guò)渡層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，步驟e中，所述背電極為金屬或透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，尺寸D3 > D1 > D2+2mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，背電極為摻硼氧化鋅薄膜，薄膜厚度1.0～2.0um，可見(jiàn)光透過(guò)率大于80%，方塊電阻為10～20ohm/sq。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄襯底薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，步驟f中，所述高聚物為聚碳酸酯（PC）、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）、乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE）之一；所述粘接材料為EVA、PVB、有機(jī)硅之一。