技術(shù)區(qū)域

本發(fā)明涉及對(duì)串聯(lián)連接的多個(gè)二次電池的電池電壓進(jìn)行監(jiān)視的電池電壓監(jiān)視電路。

背景技術(shù)：

近年來，作為二次電池鋰離子電池被用作搭載于電動(dòng)汽車或汽車等車輛的電源。鋰離子電池需要具備電池電壓的監(jiān)視電路。在將多個(gè)鋰離子電池串聯(lián)連接用作一個(gè)電池組(battery pack)時(shí)，在監(jiān)視電路中準(zhǔn)確地測定各個(gè)鋰離子電池的電壓，并將測定結(jié)果通知給外部CPU等上位裝置。

此外，還已知有如下技術(shù)：對(duì)于串聯(lián)連接了多個(gè)二次電池的模塊電池的保護(hù)裝置以及蓄電裝置，當(dāng)檢測二次電池的端子間電壓而該電壓為預(yù)定范圍外時(shí)，通過第一保護(hù)單元輸出用于停止模塊電池的充放電的信號(hào)，當(dāng)檢測模塊電池2的端子間電壓而該電壓為預(yù)定范圍外時(shí)，通過第二保護(hù)單元輸出用于停止模塊電池的充放電的信號(hào)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-177998號(hào)公報(bào)

對(duì)于監(jiān)視電池組的電壓的電池電壓監(jiān)視電路要求較高的可靠性。但是，在將電池組搭載于車輛時(shí)，由于溫度或振動(dòng)等使用環(huán)境嚴(yán)酷的原因，所以可能會(huì)產(chǎn)生故障，可能降低電池電壓監(jiān)視電路的可靠性。

作為提高嚴(yán)酷的使用環(huán)境下電池電壓監(jiān)視電路的可靠性的方法，想到了將搭載于電池組的電池電壓監(jiān)視電路二重化的方法。但是，此時(shí)產(chǎn)生了電池電壓監(jiān)視電路的成本上升為2倍這樣的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于以上問題點(diǎn)而提出的發(fā)明，其目的在于提供一種能夠抑制成本上升并提高可靠性的電池電壓監(jiān)視電路。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的電池電壓監(jiān)視電路，其與串聯(lián)連接了多個(gè)二次電池(Cell1～Cell16)的電池組連接，并監(jiān)視所述多個(gè)二次電池的電池電壓，所述電池電壓監(jiān)視電路具備：

第一邏輯電路部(27)，其根據(jù)從外部供給的控制指令，從所述多個(gè)二次電池中選擇某一個(gè)二次電池；

第一基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部(24)，其產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓；

第一AD轉(zhuǎn)換部(23)，其使用來自所述第一基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部的基準(zhǔn)電壓，對(duì)由所述第一邏輯電路部選擇出的二次電池的兩端電壓進(jìn)行數(shù)字化；

第一通信部(26)，其將由所述第一AD轉(zhuǎn)換部數(shù)字化后的所述二次電池的兩端電壓的數(shù)字信號(hào)發(fā)送到外部；

第二邏輯電路部(37)，其根據(jù)從所述外部供給的控制指令，從所述多個(gè)二次電池中選擇某一個(gè)二次電池；

第二基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部(34)，其產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓；

第二AD轉(zhuǎn)換部(33)，其使用來自所述第二基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部的基準(zhǔn)電壓，對(duì)由所述第二邏輯電路部選擇出的二次電池的兩端電壓進(jìn)行數(shù)字化；以及

第二通信部(36)，其將由所述第二AD轉(zhuǎn)換部數(shù)字化后的所述二次電池的兩端電壓的數(shù)字信號(hào)發(fā)送到外部。

優(yōu)選的是，所述第一邏輯電路部具有保持基準(zhǔn)值的第一保持部(27a)，

所述第一邏輯電路部根據(jù)從所述外部供給的控制指令選擇預(yù)定部的電壓，將由所述第一AD轉(zhuǎn)換部數(shù)字化后的所述預(yù)定部的電壓與所述第一保持部的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，從而診斷是否正常。

優(yōu)選的是，所述第二邏輯電路部具有保持基準(zhǔn)值的第二保持部(37a)，

所述第二邏輯電路部根據(jù)從所述外部供給的控制指令選擇預(yù)定部的電壓，將由所述第二AD轉(zhuǎn)換部數(shù)字化后的所述預(yù)定部的電壓與所述第二保持部的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，從而診斷是否正常。

優(yōu)選的是，所述第一邏輯電路部、所述第一基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部、所述第一AD轉(zhuǎn)換部和所述第一通信部形成于第一半導(dǎo)體芯片(11)上，

所述第二邏輯電路部、所述第二基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部、所述第二AD轉(zhuǎn)換部和所述第二通信部形成于第二半導(dǎo)體芯片(12)上。

優(yōu)選的是，所述第一半導(dǎo)體芯片(11)和所述第二半導(dǎo)體芯片(12)被層疊封裝。

此外，上述括號(hào)內(nèi)的參考符號(hào)是為了便于理解而標(biāo)注的，僅是一個(gè)例子，并不局限于圖示的形態(tài)。

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制成本上升并提高可靠性。

附圖說明

圖1是電池電壓監(jiān)視電路的一個(gè)實(shí)施方式的電路結(jié)構(gòu)圖。

圖2是電池電壓監(jiān)視電路執(zhí)行的處理的流程圖。

圖3是電池電壓監(jiān)視電路的一個(gè)實(shí)施方式的截面圖。

圖4是電池電壓監(jiān)視電路的另一實(shí)施方式的截面圖。

符號(hào)說明

10 電池電壓監(jiān)視電路

11、12 半導(dǎo)體芯片

21 單體平衡控制部

22 電平移動(dòng)緩沖器部

23、33AD 轉(zhuǎn)換器

24、34 帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部

25、35 振蕩部

26、36 串行通信部

27、37 邏輯電路部

27a、37a 非易失性存儲(chǔ)器

28、38 開關(guān)

29、30、31 調(diào)節(jié)器

32 多路復(fù)用器

40 隔離部

41、42、43 熱敏電阻

Cell1～Cell16 電池單體

具體實(shí)施方式

以下根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

<電池電壓監(jiān)視電路的電路結(jié)構(gòu)>

圖1是電池電壓監(jiān)視電路的一個(gè)實(shí)施方式的電路結(jié)構(gòu)圖。圖1中電池電壓監(jiān)視電路10具有半導(dǎo)體芯片11和半導(dǎo)體芯片12。半導(dǎo)體芯片11和半導(dǎo)體芯片12以不同的工藝制成。

在半導(dǎo)體芯片11上形成有單體平衡(cell balance)控制部21、電平移動(dòng)緩沖器部(level shift buffer)22、AD轉(zhuǎn)換器(ADC)23、帶隙(band gap)基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部(BGR)24、振蕩部(OSC)25、串行通信部26、邏輯電路部27、開關(guān)28、調(diào)節(jié)器(regulator)29、30、31、多路復(fù)用器(multiplexor)32。

在半導(dǎo)體芯片12上形成有AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34、振蕩部35、串行通信部36、邏輯電路部37、開關(guān)38。AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34、振蕩部35、串行通信部36、邏輯電路部37、開關(guān)38分別與半導(dǎo)體芯片11的AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24、振蕩部25、串行通信部26、邏輯電路部27、開關(guān)28是相同電路。

單體平衡控制部21根據(jù)來自邏輯電路部27、37的控制信號(hào)從半導(dǎo)體芯片11的外部端子CB1～CB16中的某一個(gè)輸出高電平信號(hào)，由此使n溝道MOS晶體管M1～M16中某一個(gè)導(dǎo)通。當(dāng)MOS晶體管M1～M16中某一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，電池單體Cell1～Cell16中某一個(gè)的兩端間經(jīng)限制電阻R1～R6中介連接，電池單體Cell1～Cell16中某一個(gè)進(jìn)行放電。由此，能夠進(jìn)行使電池單體Cell1～Cell16各自的電壓為一定的單體平衡處理。

此外，串聯(lián)連接的電池單體Cell1～Cell16分別是鋰離子電池。電池單體Cell1的兩端經(jīng)由保護(hù)電阻與半導(dǎo)體芯片11的外部端子V0、V1連接，電池單體Cell2的兩端經(jīng)由保護(hù)電阻與外部端子V1、V2連接，以下同樣地，電池單體Cell16的兩端經(jīng)由保護(hù)電阻與外部端子V15、V16連接。

在來自邏輯電路部27、37的控制信號(hào)指示選擇電池單體Cell1時(shí)，電平移動(dòng)緩沖器部22以將外部端子V0的電壓移動(dòng)到接地電平的狀態(tài)，將外部端子V1的電壓輸出到開關(guān)28、38。此外，在控制信號(hào)指示選擇電池單體Cell2時(shí)，以將外部端子V1的電壓移動(dòng)到接地電平的狀態(tài)，將外部端子V2的電壓輸出到開關(guān)28、38，以下同樣地，在控制信號(hào)指示選擇電池單體Cell16時(shí)，以將外部端子V15的電壓移動(dòng)到接地電平的狀態(tài)，將外部端子V16的電壓輸出到開關(guān)28、38。

在來自邏輯電路部27的控制信號(hào)指示測定電池電壓時(shí)，開關(guān)28將電平移動(dòng)緩沖器部22的輸出電壓供給到AD轉(zhuǎn)換器23，在指示測定溫度或自身診斷時(shí)，將多路復(fù)用器32的輸出電壓供給到AD轉(zhuǎn)換器23。帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24使用帶隙電路產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓并將其供給到AD轉(zhuǎn)換器23。振蕩部25生成時(shí)鐘，并將其供給到AD轉(zhuǎn)換器23、串行通信部26和邏輯電路部27。

AD轉(zhuǎn)換器23將作為電平移動(dòng)緩沖器部22的輸出電壓的電池電壓、或者作為多路復(fù)用器32的輸出電壓的溫度或者試驗(yàn)電壓進(jìn)行數(shù)字化，并供給到邏輯電路部27。

邏輯電路部27從半導(dǎo)體芯片11的外部端子SHDN、ALARM、TEST1、TEST2經(jīng)由隔離部(isolate)40與未圖示的外部CPU連接，對(duì)從外部CPU供給的控制指令進(jìn)行解析并將控制信號(hào)供給到半導(dǎo)體芯片11的各部。此外，邏輯電路部27還經(jīng)由串行通信部26向外部端子CS1供給從外部CPU供給的芯片選擇信號(hào)。邏輯電路部27在測定電池電壓時(shí)將來自AD轉(zhuǎn)換器23的數(shù)字測定電池電壓供給到串行通信部26。邏輯電路部27在溫度測定時(shí)將數(shù)字測定溫度供給到串行通信部26。此外，隔離部40進(jìn)行在電池電壓監(jiān)視電路10與外部CPU之間收發(fā)的信號(hào)的電平移動(dòng)。

此外，在邏輯電路部27上設(shè)有非易失性存儲(chǔ)器27a，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器27a預(yù)先寫入例如正常時(shí)的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24輸出的基準(zhǔn)電壓或自身診斷時(shí)經(jīng)由隔離部40施加到外部端子TC4的試驗(yàn)電壓等的基準(zhǔn)值。邏輯電路部27在自身診斷時(shí)通過將帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24輸出的基準(zhǔn)電壓或施加到外部端子TC4的試驗(yàn)電壓與存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器27a中的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，來判別AD轉(zhuǎn)換器23或帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24是在正常工作還是發(fā)生故障，在發(fā)生故障時(shí)，從外部端子ALARM向外部CPU供給報(bào)警信號(hào)。

串行通信部26將從AD轉(zhuǎn)換器23經(jīng)由邏輯電路部27供給的數(shù)字測定電池電壓或者數(shù)字測定溫度與時(shí)鐘一起從外部端子SD0、SD1、CLK1經(jīng)由隔離部40供給到外部CPU。此外，串行通信部26在從外部CPU經(jīng)由外部端子CS1供給了例如高電平的芯片選擇信號(hào)時(shí)進(jìn)行上述數(shù)字信號(hào)的輸出。

調(diào)節(jié)器29根據(jù)從串聯(lián)連接的電池單體Cell1～Cell6供給的電壓生成例如4.5V的直流電壓，并將其供給到半導(dǎo)體芯片11的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24以及半導(dǎo)體芯片12的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34。調(diào)節(jié)器30根據(jù)例如4.5V的直流電壓生成例如3.3V的直流電壓，并從外部端子TDVDD供給到外部的熱敏電阻41、42、43。

調(diào)節(jié)器31根據(jù)例如4.5V的直流電壓生成例如3.3V的直流電壓，并將其供給到AD轉(zhuǎn)換器23、振蕩部25、串行通信部26、邏輯電路部27、多路復(fù)用器32、以及半導(dǎo)體芯片12的AD轉(zhuǎn)換器33、振蕩部35、串行通信部36、邏輯電路部37。

多路復(fù)用器32根據(jù)來自邏輯電路部27、37的控制信號(hào)，來選擇從外部端子TC1、TC2、TC3供給的熱敏電阻41、42、43的輸出電壓、以及例如從外部CPU供給到外部端子TC4試驗(yàn)電壓、以及從未圖示的外加的多路復(fù)用器供給到外部端子TempIN的電壓中的某一個(gè)，并將其供給到開關(guān)28、38。

在來自邏輯電路部37的控制信號(hào)指示測定電池電壓時(shí)，開關(guān)38將電平移動(dòng)緩沖器部22的輸出電壓供給到AD轉(zhuǎn)換器33，在指示測定溫度或自身診斷時(shí)，將多路復(fù)用器32的輸出電壓供給到AD轉(zhuǎn)換器33。帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34使用帶隙電路產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓并將其供給到AD轉(zhuǎn)換器33。振蕩部35生成時(shí)鐘，并將其供給到AD轉(zhuǎn)換器33、串行通信部36和邏輯電路部37。

AD轉(zhuǎn)換器33將作為電平移動(dòng)緩沖器部22的輸出電壓的電池電壓、或者作為多路復(fù)用器32的輸出電壓的溫度或者試驗(yàn)電壓進(jìn)行數(shù)字化，并供給到邏輯電路部37。

邏輯電路部37從半導(dǎo)體芯片11的外部端子SHDN、ALARM、TEST1、TEST2經(jīng)由隔離部40與未圖示的外部CPU連接，對(duì)從外部CPU供給的控制指令進(jìn)行解析并將控制信號(hào)供給到半導(dǎo)體芯片12的各部。此外，邏輯電路部37還經(jīng)由串行通信部36向外部端子CS1供給從外部CPU供給的芯片選擇信號(hào)。邏輯電路部37在測定電池電壓時(shí)將來自AD轉(zhuǎn)換器33的數(shù)字測定電池電壓供給到串行通信部36。邏輯電路部37在溫度測定時(shí)將數(shù)字測定溫度供給到串行通信部36。

此外，在邏輯電路部37上設(shè)有非易失性存儲(chǔ)器37a，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器37a預(yù)先寫入例如正常時(shí)的帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34輸出的基準(zhǔn)電壓或自身診斷時(shí)經(jīng)由隔離部40施加到外部端子TC4的試驗(yàn)電壓等基準(zhǔn)值。邏輯電路部37在自身診斷時(shí)通過將帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34輸出的基準(zhǔn)電壓或施加到外部端子TC4的試驗(yàn)電壓與存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器37a中的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，來判別AD轉(zhuǎn)換器33或帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34是在正常工作還是發(fā)生故障，在發(fā)生故障時(shí)，從外部端子ALARM向外部CPU供給報(bào)警信號(hào)。

串行通信部36將從AD轉(zhuǎn)換器33經(jīng)由邏輯電路部37供給的數(shù)字測定電池電壓或者數(shù)字測定溫度與時(shí)鐘一起從外部端子SD0、SD1、CLK1經(jīng)由隔離部40供給到外部CPU。此外，串行通信部36在從外部CPU經(jīng)由外部端子CS2供給了例如高電平的芯片選擇信號(hào)時(shí)進(jìn)行上述數(shù)字信號(hào)的輸出。

<電池電壓監(jiān)視電路的工作模式>

在從外部CPU向外部端子SHDN供給例如高電平時(shí)，電池電壓監(jiān)視電路10使調(diào)節(jié)器29～31工作而成為備用模式(standby mode)。然后，在向外部端子CS1或者CS2供給高電平的芯片選擇信號(hào)時(shí)，成為活動(dòng)模式(active mode)，通過AD轉(zhuǎn)換器23或者33進(jìn)行電壓測定，通過串行通信部26或者36進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的輸出。并且，當(dāng)外部端子CS1和CS2的芯片選擇信號(hào)為低電平時(shí)，成為備用模式。進(jìn)而，電池電壓監(jiān)視電路10在向外部端子SHDN供給了低電平時(shí)，使包含調(diào)節(jié)器29～31在內(nèi)的全部動(dòng)作停止(shut down)。

<流程圖>

圖2表示從備用模式變化到活動(dòng)模式時(shí)根據(jù)外部CPU的指示電池電壓監(jiān)視電路10執(zhí)行的處理的流程圖。在步驟S1中，通過來自外部CPU的指示，邏輯電路部27、37分別進(jìn)行自身診斷。例如，將帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24、34輸出的基準(zhǔn)電壓或施加給外部端子TC4的試驗(yàn)電壓，與存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器27a、37a中的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，由此來判別AD轉(zhuǎn)換器23、33或帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24、34是否在正常工作，在產(chǎn)生故障時(shí)從外部端子ALARM向外部CPU供給報(bào)警信號(hào)。

在步驟S2中外部CPU判別半導(dǎo)體芯片11的AD轉(zhuǎn)換器23以及帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24是否正常。如果正常則在步驟S3中外部CPU僅向外部端子CS1供給高電平的芯片選擇信號(hào)，成為活動(dòng)模式，使用半導(dǎo)體芯片11的AD轉(zhuǎn)換器23～開關(guān)28輸出數(shù)字測定電池電壓或者數(shù)字測定溫度。

另一方面，在步驟S2中如果在AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24中產(chǎn)生故障，則在步驟S4中外部CPU判別半導(dǎo)體芯片12的AD轉(zhuǎn)換器33以及帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34是否正常。如果正常則在步驟S5中外部CPU僅向外部端子CS2供給高電平的芯片選擇信號(hào)，成為活動(dòng)模式，使用半導(dǎo)體芯片12的AD轉(zhuǎn)換器33～開關(guān)38輸出數(shù)字測定電池電壓或者數(shù)字測定溫度。

此外，在步驟S4中如果在AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34中產(chǎn)生故障，則在步驟S6中外部CPU向外部端子SHDN供給低電平，使電池電壓監(jiān)視電路10停止。

此外，半導(dǎo)體芯片11的半導(dǎo)體芯片12和電平移動(dòng)緩沖器部22是耐高壓電路，AD轉(zhuǎn)換器23～多路復(fù)用器32是耐低壓電路。耐高壓電路芯片面積較大，元件數(shù)為少至100元件這樣的數(shù)量。相反，耐低壓電路芯片面積較小，元件數(shù)為多達(dá)10000元件這樣的巨大數(shù)量。因此，與耐高壓電路相比耐低壓電路的故障發(fā)生率格外高。

因此，在本實(shí)施方式中設(shè)置具有與作為半導(dǎo)體芯片11的耐低壓電路主要部分的AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24、振蕩部25、串行通信部26、邏輯電路部27、開關(guān)28相同結(jié)構(gòu)的AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34、振蕩部35、串行通信部36、邏輯電路部37、開關(guān)38的半導(dǎo)體芯片12。并且，使邏輯電路部27、37具有自身診斷功能，在AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24產(chǎn)生故障時(shí)，通過使用半導(dǎo)體芯片12來提高電池電壓監(jiān)視電路10的可靠性。此時(shí)，半導(dǎo)體芯片12相對(duì)于半導(dǎo)體芯片11是低成本，能夠?qū)㈦姵仉妷罕O(jiān)視電路10的成本增長抑制得較低。

<電池電壓監(jiān)視電路的截面圖>

圖3是電池電壓監(jiān)視電路的一個(gè)實(shí)施方式的截面圖。圖3中，在臺(tái)(stage)51上固定有半導(dǎo)體芯片11，并且在半導(dǎo)體芯片11上通過絕緣性粘結(jié)劑層疊地固定有半導(dǎo)體芯片12。半導(dǎo)體芯片11、12的外部端子通過線52與引線53連接。上述的臺(tái)51、半導(dǎo)體芯片11、12、線52、引線53中除引線53的一部分以外分別通過封裝樹脂54而被封裝。

此外，還可以如圖4所示，將半導(dǎo)體芯片11、12進(jìn)行平面配置來代替層疊半導(dǎo)體芯片11、12。圖4中，在臺(tái)61、62各自的上方固定有半導(dǎo)體芯片11、12。半導(dǎo)體芯片11、12的外部端子通過線63與引線64連接。此外，半導(dǎo)體芯片11、12的外部端子通過線63相互連接。上述的臺(tái)61、62、半導(dǎo)體芯片11、12、線63、65、引線64中除引線64的一部分以外分別通過封裝樹脂66而被封裝。

這里，使半導(dǎo)體芯片11、12為不同的芯片是因?yàn)楫?dāng)在半導(dǎo)體芯片11的AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24等中產(chǎn)生短路等故障時(shí)，短路導(dǎo)致的漏電電流不流過半導(dǎo)體芯片12，半導(dǎo)體芯片11的故障影響不會(huì)波及到半導(dǎo)體芯片12。

此外，如圖3所示，在將半導(dǎo)體芯片11、12層疊的結(jié)構(gòu)中，通過封裝樹脂54封裝了半導(dǎo)體芯片11、12時(shí)，施加到半導(dǎo)體芯片11、12的應(yīng)力大致相同。形成于半導(dǎo)體芯片的電路元件的特性由于施加到半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力而受到影響，因此能夠使半導(dǎo)體芯片11上的AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24和半導(dǎo)體芯片12上的AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34的特性大致相同。也就是，即使對(duì)半導(dǎo)體芯片11上的AD轉(zhuǎn)換器23、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部24與半導(dǎo)體芯片12上的AD轉(zhuǎn)換器33、帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部34進(jìn)行切換，也幾乎不會(huì)在測定電壓產(chǎn)生變化。