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一種人臉檢測系統(tǒng)用電源的制作方法

文檔序號:11875492閱讀:231來源:國知局

本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域,具體的說,是一種人臉檢測系統(tǒng)用電源。



背景技術(shù):

隨著高科技的蓬勃發(fā)展,人臉檢測系統(tǒng)作為一種人體識別密碼被人們廣泛使用。目前越來越多的企業(yè)為適應(yīng)信息的時代需要將這種智能識別系統(tǒng)應(yīng)用于門禁管理。但因目前的人臉檢測系統(tǒng)用電源在外界電磁波的干擾下易出現(xiàn)波動,導(dǎo)致輸出電壓和電流不穩(wěn)定,嚴(yán)重的影響了人臉檢測系統(tǒng)的檢測精度,致使非工作人員進(jìn)入到室內(nèi),影響了使用者的正常工作,并且給使用者帶來了極大的安全隱患。

因此,提供一種能輸出穩(wěn)定的電壓和電流的人臉檢測系統(tǒng)用電源便是當(dāng)務(wù)之急。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的人臉檢測系統(tǒng)用電源存在輸出電壓和電流不穩(wěn)定的缺陷,提供的一種人臉檢測系統(tǒng)用電源。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種人臉檢測系統(tǒng)用電源,主要由控制芯片U2,二極管整流器U1,場效應(yīng)管MOS1,三極管VT1,N極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的VDD+管腳相連接、P極與三極管VT1的基極相連接的二極管D1,正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的極性電容C1,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接、正極與控制芯片U2的EXT管腳相連接的極性電容C4,N極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、P極與控制芯片U2的VSS管腳相連接的二極管D4,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接、正極經(jīng)電感L后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C5,分別與控制芯片U2的VDD-管腳和二極管整流器U1的負(fù)極輸出端以及三極管VT1的發(fā)射極相連接的電壓檢測電路,以及分別與極性電容C5的正極和場效應(yīng)管MOS1的漏極以及控制芯片U2的FB管腳相連接的基極恒流驅(qū)動電路組成;所述二極管整流器U1的正極輸出端還與三極管VT1的發(fā)射極相連接;所述控制芯片U2的GND管腳接地。

進(jìn)一步的,所述電壓檢測電路由三極管VT2,P極經(jīng)電阻R1后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT2的發(fā)射極相連接的二極管D2,一端與二極管D2的P極相連接、另一端與三極管VT2的發(fā)射極相連接的電阻R2,負(fù)極與控制芯片U2的VDD-管腳相連接、正極經(jīng)電阻R4后與三極管VT2的集電極相連接的極性電容C2,正極經(jīng)電阻R5后與三極管VT2的基極相連接、負(fù)極接地的極性電容C3,一端與極性電容C3的正極相連接、另一端與極性電容C2的負(fù)極相連接的可調(diào)電阻R6,以及N極與控制芯片U2的VDD-管腳相連接、P極經(jīng)電阻R7后與極性電容C3的負(fù)極相連接的穩(wěn)壓二極管D3組成;所述三極管VT2的基極還與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地。

所述基極恒流驅(qū)動電路由三極管VT3,三極管VT4,三極管VT5,場效應(yīng)管MOS2,負(fù)極與三極管VT3的基極相連接、正極經(jīng)電阻R8后與控制芯片U2的FB管腳相連接的極性電容C6,正極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接的極性電容C8,一端與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、另一端與三極管VT5的發(fā)射極相連接的可調(diào)電阻R10,N極經(jīng)電阻R11后與三極管VT5的基極相連接、P極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D6,N極與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接、P極經(jīng)電阻R12后與三極管VT5的集電極相連接的穩(wěn)壓二極管D7,一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接、另一端與三極管VT5的集電極相連接的可調(diào)電阻R13,負(fù)極與可調(diào)電阻R13的可調(diào)端相連接、正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的集電極相連接的極性電容C9,N極與三極管VT4的集電極相連接后接地、P極經(jīng)電阻R15后與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的二極管D5,以及負(fù)極與三極管VT4的基極相連接、正極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的極性電容C7組成;所述三極管VT3的集電極還與三極管VT4的基極相連接;所述極性電容C8的正極還與極性電容C5的正極相連接;所述場效應(yīng)管MOS2的源極與三極管VT5的集電極共同形成基極恒流驅(qū)動電路的輸出端。

為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果,所述控制芯片U2優(yōu)先采用了S-K355集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:

(1)本發(fā)明能有效的降低輸入電流的泄露電流和損耗電流,并能抑制輸入電流的異常波動,使輸入電流保持穩(wěn)定,從而提高了本發(fā)明的輸出電壓和電流的穩(wěn)定性,有效的提高了人臉檢測系統(tǒng)的檢測精度,并消除了人臉檢測系統(tǒng)檢測不準(zhǔn)確所帶來的安全隱患。

(2)本發(fā)明能對輸出電壓和電流進(jìn)行穩(wěn)壓和穩(wěn)流,從而提高了本發(fā)明輸出的電壓和電流的穩(wěn)定性,有效的提高了人臉檢測系統(tǒng)的檢測精度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例

如圖1所示,本發(fā)明主要由控制芯片U2,二極管整流器U1,場效應(yīng)管MOS1,三極管VT1,N極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的VDD+管腳相連接、P極與三極管VT1的基極相連接的二極管D1,正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的極性電容C1,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接、正極與控制芯片U2的EXT管腳相連接的極性電容C4,N極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、P極與控制芯片U2的VSS管腳相連接的二極管D4,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接、正極經(jīng)電感L后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C5,分別與控制芯片U2的VDD-管腳和二極管整流器U1的負(fù)極輸出端以及三極管VT1的發(fā)射極相連接的電壓檢測電路,以及分別與極性電容C5的正極和場效應(yīng)管MOS1的漏極以及控制芯片U2的FB管腳相連接的基極恒流驅(qū)動電路組成。

所述二極管整流器U1的正極輸出端還與三極管VT1的發(fā)射極相連接、其兩個輸入端共同形成本發(fā)明的輸入端并與外部電源相連接;所述基極恒流驅(qū)動電路的輸出端作為本發(fā)明的輸出端;所述控制芯片U2的GND管腳接地。為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果,所述控制芯片U2優(yōu)先采用了S-K355集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步的,所述電壓檢測電路由三極管VT2,電阻R1,電阻R2,電阻R4,電阻R5,可調(diào)電阻R6,電阻R7,極性電容C2,極性電容C3,二極管D2,以及穩(wěn)壓二極管D3組成。

連接時,二極管D2的P極經(jīng)電阻R1后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、其N極則與三極管VT2的發(fā)射極相連接。電阻R2的一端與二極管D2的P極相連接、其另一端則與三極管VT2的發(fā)射極相連接。極性電容C2的負(fù)極與控制芯片U2的VDD-管腳相連接、其正極則經(jīng)電阻R4后與三極管VT2的集電極相連接。極性電容C3的正極經(jīng)電阻R5后與三極管VT2的基極相連接、其負(fù)極則接地。

同時,可調(diào)電阻R6的一端與極性電容C3的正極相連接、其另一端則與極性電容C2的負(fù)極相連接。穩(wěn)壓二極管D3的N極與控制芯片U2的VDD-管腳相連接、其P極則經(jīng)電阻R7后與極性電容C3的負(fù)極相連接。所述三極管VT2的基極還與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地。

進(jìn)一步地,所述基極恒流驅(qū)動電路由三極管VT3,三極管VT4,三極管VT5,場效應(yīng)管MOS2,電阻R8,電阻R9,可調(diào)電阻R10,電阻R11,電阻R12,可調(diào)電阻R13,電阻R14,電阻R15,極性電容C6,極性電容C7,極性電容C8,極性電容C9,二極管D5,二極管D6,以及穩(wěn)壓二極管D7組成。

連接時,極性電容C6的負(fù)極與三極管VT3的基極相連接、其正極則經(jīng)電阻R8后與控制芯片U2的FB管腳相連接。極性電容C8的正極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、其負(fù)極則與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接??烧{(diào)電阻R10的一端與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、其另一端則與三極管VT5的發(fā)射極相連接。

其中,二極管D6的N極經(jīng)電阻R11后與三極管VT5的基極相連接、其P極則與三極管VT3的集電極相連接。穩(wěn)壓二極管D7的N極與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接、其P極則經(jīng)電阻R12后與三極管VT5的集電極相連接。可調(diào)電阻R13的一端與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其另一端則與三極管VT5的集電極相連接。

同時,極性電容C9的負(fù)極與可調(diào)電阻R13的可調(diào)端相連接、其正極則經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的集電極相連接。二極管D5的N極與三極管VT4的集電極相連接后接地、其P極則經(jīng)電阻R15后與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。極性電容C7的負(fù)極與三極管VT4的基極相連接、其正極則與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。

所述三極管VT3的集電極還與三極管VT4的基極相連接;所述極性電容C8的正極還與極性電容C5的正極相連接;所述場效應(yīng)管MOS2的源極與三極管VT5的集電極共同形成基極恒流驅(qū)動電路的輸出端。

運(yùn)行時,本發(fā)明能有效的降低輸入電流的泄露電流和損耗電流,并能抑制輸入電流的異常波動,使輸入電流保持穩(wěn)定,從而提高了本發(fā)明的輸出電壓和電流的穩(wěn)定性,有效的提高了人臉檢測系統(tǒng)的檢測精度,并消除了人臉檢測系統(tǒng)檢測不準(zhǔn)確所帶來的安全隱患。

同時,本發(fā)明能對輸出電壓和電流進(jìn)行穩(wěn)壓和穩(wěn)流,從而提高了本發(fā)明輸出的電壓和電流的穩(wěn)定性,有效的提高了人臉檢測系統(tǒng)的檢測精度。

按照上述實(shí)施例,即可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。

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