技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開了用于使儲(chǔ)存并且釋放熵能的熵能儲(chǔ)存裝置(EESD)放電的方法的實(shí)施例。還公開了包括所述EESD的電路的實(shí)施例。所述方法包括：提供電路，其包括被充電至第一電壓電平的EESD，所述EESD包括第一電極和第二電極，介電膜位于這兩個(gè)電極之間，該介電膜包括熵材料，并且所述第一電極相對(duì)于所述第二電極帶正電或負(fù)電；并且在該電路的第一操作模式下在放電時(shí)間段中施加反向極化電位至該EESD的第一電極，從而從該EESD供應(yīng)功率至負(fù)載。在一些實(shí)施例中，所述方法包括利用交替的放電和恢復(fù)時(shí)間段對(duì)該EESD進(jìn)行脈沖式放電。

技術(shù)研發(fā)人員：D·R·卡弗;S·C·霍爾;S·W·雷諾茲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：卡弗科學(xué)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.15
技術(shù)公布日：2017.08.29