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一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置的制作方法

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技術(shù)特征:

1.一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置,其特征是:包括A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路、溫度傳感器、電源電路、通信接口電路、狀態(tài)指示電路、撥碼開(kāi)關(guān)電路、過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)電路、微處理器電路、A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、A相可控硅、B相可控硅、C相可控硅、A相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相磁保持繼電器、B相磁保持繼電器、C相磁保持繼電器、A相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、A相繼電器、B相繼電器、C相繼電器;A相光電隔離電路、B相光電隔離電路、C相光電隔離電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O口連接;溫度傳感器的輸出端與微處理器電路的A/D端口連接;電源電路的輸出端與微處理器電路的電源端連接;通信接口電路的輸入輸出端與微處理器電路的通信接口連接;狀態(tài)指示電路的輸入端與微處理器電路的I/O口連接;撥碼開(kāi)關(guān)電路和過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)電路的輸出端分別與微處理器電路的I/O口連接;A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路的輸入端分別與微處理器電路的I/O口連接;A相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、B相可控硅驅(qū)動(dòng)電路、C相可控硅驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相可控硅、B相可控硅、C相可控硅的控制端連接;A相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相磁保持繼電器、B相磁保持繼電器、C相磁保持繼電器的控制端連接;A相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、B相繼電器驅(qū)動(dòng)電路、C相繼電器驅(qū)動(dòng)電路的 輸出端分別與對(duì)應(yīng)A相繼電器、B相繼電器、C相繼電器的控制端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置,其特征是:磁保持繼電器接點(diǎn)與功率電阻串聯(lián)連接后,再與過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)電路和可控硅并聯(lián)在一起組成一個(gè)投切控制電路;其中將繼電器接點(diǎn)并聯(lián)在功率電阻兩端,便于隨時(shí)切除功率電阻;投切控制電路與電容器串聯(lián)在一起后接入補(bǔ)償電路中;投入電容器時(shí)先將繼電器接點(diǎn)閉合,切除功率電阻,根據(jù)過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)電路檢測(cè)電壓過(guò)零點(diǎn),在電壓過(guò)零點(diǎn)處投入可控硅,然后閉合磁保持繼電器常開(kāi)接點(diǎn),可控硅兩端電壓此時(shí)為零,可控硅自動(dòng)退出;切除電容器時(shí),先將繼電器接點(diǎn)斷開(kāi),功率電阻接入,在可控硅兩端有壓降,可控硅恢復(fù)投入,根據(jù)過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)電路檢測(cè)電壓過(guò)零點(diǎn),在電壓過(guò)零點(diǎn)處切除可控硅,并同時(shí)斷開(kāi)磁保持繼電器常開(kāi)接點(diǎn),真正實(shí)現(xiàn)電壓過(guò)零點(diǎn)投入和切除可控硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置,其特征是:溫度傳感器檢測(cè)電容器表面溫度,當(dāng)電容器表面溫度達(dá)到50°時(shí)自動(dòng)切除電容器,防止電容器由于發(fā)熱出現(xiàn)損壞。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置,其特征是:磁保持繼電器接點(diǎn)額定電流為30-80A。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò)熱保護(hù)裝置,其特征是:可控硅為雙向可控硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種補(bǔ)償電容器過(guò)零點(diǎn)投切控制及過(guò) 熱保護(hù)裝置,其特征是:繼電器也可以采用磁保持繼電器,接點(diǎn)額定電流為30-80A。

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