一種多晶硅氫化爐用新型電源裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種多晶硅氫化爐用新型電源裝置，包括為氫化爐供電的交直流轉(zhuǎn)化電路和用于改變氫化爐內(nèi)加熱電阻R的電壓的直流斬波調(diào)壓器；交直流轉(zhuǎn)化電路包括4個(gè)副邊互差15度的整流變壓器UT、4個(gè)二極管整流橋和直流支撐電容器C1，整流變壓器UT的每個(gè)副邊與一個(gè)二極管整流橋連接，每個(gè)副邊連接的二極管整流橋互不相同，4個(gè)二極管整流橋并聯(lián)后為直流支撐電容器C1供電，直流支撐電容器C1的出線端與氫化爐的接線端連接以便向氫化爐供電。采用本實(shí)用新型可以對多個(gè)多晶硅氫化爐進(jìn)行供電，不僅節(jié)約生產(chǎn)成本，還降低了設(shè)備占用空間。
【專利說明】-種多晶硅氫化爐用新型電源裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種電源裝置，特別是一種多晶硅氫化爐用新型電源裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 多晶硅氫化爐是將多晶硅還原爐的出口氣體四氯化硅合成為多晶硅還原爐進(jìn)口 氣體三氯氫硅的化學(xué)反應(yīng)爐。多晶硅氫化爐用電源就是為了使氫化爐內(nèi)溫度達(dá)到規(guī)定的反 應(yīng)溫度的加熱電源?，F(xiàn)有多晶硅氫化爐電源采用的是交流疊層調(diào)壓方案，因而為了保證三 相供電平衡，多晶硅氫化爐內(nèi)需安裝三個(gè)加熱電阻，故現(xiàn)有多晶硅氫化爐電源存在兩個(gè)缺 點(diǎn)：（1)每個(gè)多晶硅氫化爐三個(gè)加熱電阻，需引出6跟銅排長距離連接到電氣室，造成成本 增加；（2)每個(gè)多晶硅氫化爐需對應(yīng)配備一個(gè)高壓開關(guān)柜和一個(gè)三相變壓器，不僅成本高， 而且占地面積大。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅氫化爐用新型電源 裝置，滿足了采用一個(gè)電源裝置為多個(gè)多晶硅氫化爐供電的需求，不僅能保證三相供電平 衡，還可以降低生產(chǎn)成本及降低設(shè)備占用場地面積。
[0004] 本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種多晶硅氫化爐用新型電源裝置，包括 為氫化爐供電的交直流轉(zhuǎn)化電路和用于改變氫化爐內(nèi)加熱電阻R的電壓的直流斬波調(diào)壓 器；
[0005] 交直流轉(zhuǎn)化電路包括4個(gè)副邊互差15度的整流變壓器UT、4個(gè)二極管整流橋和直 流支撐電容器C1，整流變壓器UT的每個(gè)副邊與一個(gè)二極管整流橋連接，每個(gè)副邊連接的二 極管整流橋互不相同，4個(gè)二極管整流橋并聯(lián)后為直流支撐電容器C1供電，直流支撐電容 器C1的出線端與氫化爐的接線端連接以便向氫化爐供電；
[0006] 直流斬波調(diào)壓器包括電容器C2、IGBT場效應(yīng)管G、阻尼二極管D1、二極管D2和電 感器L ;交直流轉(zhuǎn)化電路的正極分別與電容器C2的正極、IGBT場效應(yīng)管G的集電極和阻尼 二極管D1的陰極連接，IGBT場效應(yīng)管G的發(fā)射極和阻尼二極管D1的陽極連接后在分別與 電感器L的輸入端和二極管D2的陰極連接，電感器L的引出端與氫化爐內(nèi)加熱電阻R的一 端連接，加熱電阻R的另一端分別與二極管D2的陽極、電容器C2的負(fù)極和交直流轉(zhuǎn)化電路 的負(fù)極連接。
[0007] 上述多晶硅氫化爐用新型電源裝置，直流斬波調(diào)壓器的控制周期為3. 3ms。
[0008] 本實(shí)用新型的有益效果是：采用本實(shí)用新型來對多晶硅氫化爐進(jìn)行供電，每個(gè)多 晶硅氫化爐僅需一個(gè)加熱電阻，引出兩個(gè)銅排，而且對多個(gè)多晶硅氫化爐進(jìn)行供電時(shí)，只需 要一個(gè)本實(shí)用新型就可以完成對多個(gè)多晶硅氫化爐進(jìn)行供電，不僅節(jié)約生產(chǎn)成本，還降低 了設(shè)備占用空間。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用新型電源裝置的交直流轉(zhuǎn)化電路工作電路原 理圖；
[0010] 圖2為本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用新型電源裝置的直流斬波調(diào)壓器的工作電路 原理圖；
[0011] 圖3為本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用新型電源裝置的工作原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012] 如圖3所示，本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用新型電源裝置，包括為氫化爐供電的交 直流轉(zhuǎn)化電路和用于改變氫化爐內(nèi)加熱電阻R的電壓的直流斬波調(diào)壓器，其中，交直流轉(zhuǎn) 化電路將三相高壓交流電轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的直流電，該直流電為多晶硅氫化爐供電，而直流斬 波調(diào)壓器用來改變多晶硅氫化爐內(nèi)加熱電阻兩端的電壓，從而調(diào)整多晶硅氫化爐內(nèi)的反應(yīng) 溫度。
[0013] 如圖1所示，交直流轉(zhuǎn)化電路包括4個(gè)副邊互差15度的整流變壓器UT、4個(gè)二極 管整流橋和直流支撐電容器C1，整流變壓器UT的每個(gè)副邊與一個(gè)二極管整流橋連接，每個(gè) 副邊連接的二極管整流橋互不相同，4個(gè)二極管整流橋并聯(lián)后為直流支撐電容器C1供電， 直流支撐電容器C1的出線端與氫化爐的接線端連接以便向氫化爐供電。
[0014] 如圖2所示，直流斬波調(diào)壓器包括電容器C2、IGBT場效應(yīng)管G、阻尼二極管D1、二 極管D2和電感器L ;交直流轉(zhuǎn)化電路的正極分別與電容器C2的正極、IGBT場效應(yīng)管G的集 電極和阻尼二極管D1的陰極連接，IGBT場效應(yīng)管G的發(fā)射極和阻尼二極管D1的陽極連接 后在分別與電感器L的輸入端和二極管D2的陰極連接，電感器L的引出端與氫化爐內(nèi)加熱 電阻R的一端連接，加熱電阻R的另一端分別與二極管D2的陽極、電容器C2的負(fù)極和交直 流轉(zhuǎn)化電路的負(fù)極連接。本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用新型電源裝置中的直流斬波調(diào)壓器的 控制周期為3. 3ms。
[0015] 如圖3所示，直流斬波調(diào)壓器的調(diào)壓器第一接線端與交直流轉(zhuǎn)化電路的直流母 線第一接線端串聯(lián)，而直流斬波調(diào)壓器的調(diào)壓器第四接線端與交直流轉(zhuǎn)化電路的直流母線 第二接線端串聯(lián)。
[0016] 本實(shí)施例中，如圖3所示，三相高壓交流電通過4個(gè)副邊互差15度的整流變壓器 UT和二極管整流橋的變壓整流變成直流電，該直流電經(jīng)過IGBT場效應(yīng)管G、電感器L后對 多晶硅氫化爐進(jìn)行供電，其中，多晶硅氫化爐的一個(gè)出線端口與調(diào)壓器第二接線端串聯(lián)，多 晶硅氫化爐的另一個(gè)出線端口與調(diào)壓器第三接線端串聯(lián)。本實(shí)用新型的交直流轉(zhuǎn)化電路的 電路含有24相整流結(jié)構(gòu)，該24相整流結(jié)構(gòu)保證了電路諧波達(dá)到了國際標(biāo)準(zhǔn)，且滿足使用要 求，而二極管整流橋則能使本實(shí)用新型的功率因數(shù)大于或等于0. 97,而通過直流斬波調(diào)壓 器可以對多晶硅氫化爐內(nèi)的加熱電阻兩端的電壓進(jìn)行調(diào)整，直流斬波調(diào)壓器的控制周期為 3. 3ms，而且它還能有效地抑制電網(wǎng)側(cè)諧波電流噪聲。
[0017] 在采用本實(shí)用新型對n(n> 1)個(gè)多晶硅氫化爐進(jìn)行供電時(shí)，不需要為新添的多晶 硅氫化爐添置新的三相變壓器，只需為新添加的多晶硅氫化爐配備一個(gè)直流斬波調(diào)壓器之 后與原有多晶硅氫化爐及其所配直流斬波調(diào)壓器進(jìn)行并聯(lián)即可，即只需將新添加的多晶硅 氫化爐與為其配備的直流斬波調(diào)壓器按照圖2所示電路連接之后，然后將該直流斬波調(diào)壓 器的調(diào)壓器第一接線端與交直流轉(zhuǎn)化電路的直流母線第一接線端串聯(lián)，同時(shí)將該直流斬波 調(diào)壓器的調(diào)壓器第四接線端與交直流轉(zhuǎn)化電路的直流母線第二接線端串聯(lián)，即可實(shí)現(xiàn)對新 添加的多晶硅氫化爐的加熱供電，從而節(jié)省了添置新三相變壓器的設(shè)備費(fèi)，進(jìn)而節(jié)省了新 三相變壓器的設(shè)備占用地或空間。
[0018] 上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明創(chuàng)造所作的舉例，而并非對本發(fā)明創(chuàng)造具 體實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出 其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡在本實(shí)用新 型的精神和原則之內(nèi)所引伸出的任何顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造權(quán)利要求 的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1. 一種多晶硅氫化爐用新型電源裝置，其特征在于，包括為氫化爐供電的交直流轉(zhuǎn)化 電路和用于改變氫化爐內(nèi)加熱電阻R的電壓的直流斬波調(diào)壓器； 交直流轉(zhuǎn)化電路包括4個(gè)副邊互差15度的整流變壓器UT、4個(gè)二極管整流橋和直流支 撐電容器C1，整流變壓器UT的每個(gè)副邊與一個(gè)二極管整流橋連接，每個(gè)副邊連接的二極管 整流橋互不相同，4個(gè)二極管整流橋并聯(lián)后為直流支撐電容器C1供電，直流支撐電容器C1 的出線端與氫化爐的接線端連接以便向氫化爐供電； 直流斬波調(diào)壓器包括電容器C2、IGBT場效應(yīng)管G、阻尼二極管D1、二極管D2和電感器 L ;交直流轉(zhuǎn)化電路的正極分別與電容器C2的正極、IGBT場效應(yīng)管G的集電極和阻尼二極 管D1的陰極連接，IGBT場效應(yīng)管G的發(fā)射極和阻尼二極管D1的陽極連接后在分別與電感 器L的輸入端和二極管D2的陰極連接，電感器L的引出端與氫化爐內(nèi)加熱電阻R的一端連 接，加熱電阻R的另一端分別與二極管D2的陽極、電容器C2的負(fù)極和交直流轉(zhuǎn)化電路的負(fù) 極連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅氫化爐用新型電源裝置，其特征在于，直流斬波調(diào)壓 器的控制周期為3. 3ms。
【文檔編號】H02M3/155GK203911787SQ201420333027
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】佟寶全, 吳小鳴 申請人:佟寶全, 吳小鳴, 杜松林, 孟文博, 張繼新, 張和平