一種低電壓三相輸入升降壓dc電源裝置制造方法
【專利摘要】一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，屬于電源【技術(shù)領(lǐng)域】。該裝置由三相電輸入至三相可控硅移相控制倍壓整流電路，然后輸出至負(fù)載；所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路由4個(gè)移相控制電路構(gòu)成；電壓取樣電路、電流取樣電路及溫度取樣電路分別連接至電壓比較器，所述電壓比較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置的負(fù)端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4個(gè)移相控制電路輸出的正端。該裝置采用可控硅移相控制倍壓整流電路，輸入低電壓調(diào)節(jié)范圍寬達(dá)8：1，控制了輸出電壓的穩(wěn)定，各移相觸發(fā)電路中的三極管的E、C極連接了可控硅的控制極和陽(yáng)極，增強(qiáng)了觸發(fā)功率，可提高可控硅的控制范圍，滿足低電壓輸入的需要。
【專利說(shuō)明】-種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型屬于電源【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種升降壓DC電源裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，低電壓寬范圍三相輸入升降壓大功率DC電源一般都會(huì)采用三相整流濾 波-DC/DC轉(zhuǎn)換方案，而該方案需磁性元件升壓，難于實(shí)現(xiàn)，電磁兼容的處理使成本相當(dāng)高， 體積也比較大。目前，國(guó)內(nèi)外電源和芯片供應(yīng)商，均無(wú)可行方案。
[0003] 為了解決該技術(shù)問(wèn)題，目前可以采用單向可控硅倍壓整流方案，但是必須解決的 問(wèn)題有：
[0004] 1、要有穩(wěn)定的輸出電壓必須要有反饋控制；
[0005] 2、可控使用范圍必須彡170° ;
[0006] 3、輸入電壓最低是8V，必須穩(wěn)定觸發(fā)，專用的觸發(fā)二極管和BT33作移相觸發(fā)需正 弦波電壓3 40V的輔助電源。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0007] 本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低電壓三相輸入升降壓 DC電源裝置，該裝置低電壓調(diào)節(jié)范圍較寬，輸出的電壓穩(wěn)定，裝置制作簡(jiǎn)單，使用方便。
[0008] 本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案是：一種低電壓三相輸入升降壓 DC電源裝置，其特征是：三相電輸入至三相可控硅移相控制倍壓整流電路，然后輸出至負(fù) 載；所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路由移相控制電路裝置控制，所述移相控制電路 裝置由4個(gè)移相控制電路構(gòu)成；電壓取樣電路、電流取樣電路及溫度取樣電路分別連接至 電壓比較器，所述電壓比較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置的負(fù)端，所述光耦控制裝 置的正端連接所述4個(gè)移相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4只光耦的輸入端 順向串聯(lián)構(gòu)成。
[0009] 所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路由4只單相可控硅組成單相整流橋，該整 流橋的輸入端接三相A、B、C的任意兩端，兩串聯(lián)的濾波電容的聯(lián)接點(diǎn)接三相A、B、C的三相 的另一相，單向可控硅組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的正端，單 向可控硅組成的單相整流橋的負(fù)輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的負(fù)端。
[0010] 所述4只單向可控硅，其觸發(fā)電路均相同，且每只單向可控硅的構(gòu)成均為：觸發(fā)極 接三極管的E極，三極管C極經(jīng)一并聯(lián)的電阻和電容接該單向可控硅的陽(yáng)極，三極管的B極 經(jīng)一電容器接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端，三極管的B極與單向可控硅陽(yáng)極之間垮接二極 管由正到負(fù)，并與電阻并聯(lián)，三極管的B極還接光耦的E極，所述單向可控硅陽(yáng)極還接光耦 的C極，4只光耦的輸入端順向串聯(lián)，串聯(lián)后的正輸入端接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端，4只 光耦輸入端順向串聯(lián)后的負(fù)輸入端接電壓比較器的下拉輸出端。
[0011] 所述電壓取樣電路采用兩串聯(lián)的輸出電壓取樣電阻垮接兩串聯(lián)濾波電容的正負(fù) 端，其連接點(diǎn)經(jīng)電阻接電壓比較器的負(fù)輸入端，其正輸入端連接設(shè)定的基準(zhǔn)電壓。
[0012] 所述電流取樣電路輸出電流正信號(hào)至電壓比較器的負(fù)輸入端，電壓比較器的下拉 輸出端接另一個(gè)電壓比較器負(fù)輸入端。
[0013] 本實(shí)用新型方法的有益效果是：
[0014] 1、采用可控硅移相控制倍壓整流電路，輸入低電壓調(diào)節(jié)范圍寬達(dá)8 :1 ;
[0015] 2、采用4只光耦，其輸入端均受輸出電壓控制，而其輸出端分別連接了 4個(gè)可控硅 移相控制倍壓整流電路，控制了輸出電壓的穩(wěn)定；
[0016] 3、各移相觸發(fā)電路中的三極管的E、C極連接了可控硅的控制極和陽(yáng)極，增強(qiáng)了觸 發(fā)功率，可提高可控硅的控制范圍，滿足低電壓輸入的需要。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1是本實(shí)用新型一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 圖2是本實(shí)用新型一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置的電路圖。
[0019] 圖中，1、三相電，2、三相可控硅移相控制倍壓整流電路，3、溫度取樣電路，4、電壓 取樣電路，5、負(fù)載，6、電流取樣電路，7、電壓比較器，8、光耦控制裝置，9、移相控制電路裝置

【具體實(shí)施方式】
[0020] 以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明，但是本實(shí)用新型并不局限于具體實(shí)施 例。
[0021] 實(shí)施例
[0022] -種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，該裝置中，三相電1包括ABC三相輸入 至三相可控硅移相控制倍壓整流電路2,然后輸出至負(fù)載5 ;所述三相可控硅移相控制倍壓 整流電路由移相控制電路裝置9控制，所述移相控制電路裝置由4個(gè)移相控制電路構(gòu)成；電 壓取樣電路4、電流取樣電路6及溫度取樣電路3分別連接至電壓比較器7,所述電壓比較 器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置8的負(fù)端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4個(gè)移 相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4只光耦的輸入端順向串聯(lián)構(gòu)成。
[0023] 三相可控硅倍壓整流濾波電容由4只單相可控硅Q1-Q4組成單相整流橋，該整流 橋的輸入端接三相A、B、C的任意兩端，兩串聯(lián)的濾波電容Cll、C12的聯(lián)接點(diǎn)接三相A、B、 C的三相的另一相，單向可控硅Q1-Q4組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波 電容的正端，單向可控硅Q1-Q4組成的單相整流橋的負(fù)輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容車 C11、C12的負(fù)端。
[0024] 4只單向可控硅Q1-Q4的觸發(fā)電路相同，圖2中，觸發(fā)電路之一的可控硅Q1觸發(fā)極 接三極管Q11的E極，該三極管C極經(jīng)一并聯(lián)的電阻R2和電容C2接所述該可控硅的陽(yáng)極， 所述三極管的B極經(jīng)電容C1器接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端，所述三極管的B極與所述單 向可控硅陽(yáng)極Q1之間垮接二極管D1由正到負(fù)，并與電阻R1并聯(lián)，三極管Q11的B極還接 一光耦U1的E極，所述單向可控硅Q1陽(yáng)極還接光耦U1的C極，4只所述光耦U1-U4的輸入 端順向串聯(lián)，串聯(lián)后的正輸入端接所述兩串聯(lián)濾波電容C11、C12的正端，4只光耦U1-U4輸 入端順向串聯(lián)后的負(fù)輸入端經(jīng)電阻R11接電壓比較器IC1的集電極開路輸出端。
[0025] 電壓取樣電路采用兩串聯(lián)的輸出電壓取樣電阻R12、R13垮接兩串聯(lián)濾波電容的 正負(fù)端，其連接點(diǎn)經(jīng)電阻R14接電壓比較器IC1的輸入端，其"+"輸入端連接穩(wěn)定的 基準(zhǔn)電壓。
[0026] 電流取樣電路的輸出電流正信號(hào)至電壓比較器IC2的負(fù)輸入端，IC2的下拉輸出 端接電壓比較器IC1的輸入端。
【權(quán)利要求】
1. 一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特征是：三相電⑴輸入至三相可控硅 移相控制倍壓整流電路（2)，然后輸出至負(fù)載（5);所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路 由移相控制電路裝置（9)控制，所述移相控制電路裝置由4個(gè)移相控制電路構(gòu)成；電壓取樣 電路（4)、電流取樣電路（6)及溫度取樣電路⑶分別連接至電壓比較器（7)，所述電壓比 較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置（8)的負(fù)端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4 個(gè)移相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4只光耦的輸入端順向串聯(lián)構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特征是：所述三 相可控硅移相控制倍壓整流電路由4只單相可控硅組成單相整流橋，該整流橋的輸入端接 三相A、B、C的任意兩端，兩串聯(lián)的濾波電容的聯(lián)接點(diǎn)接三相A、B、C的三相的另一相，單向 可控硅組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的正端，單向可控硅組成的 單相整流橋的負(fù)輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的負(fù)端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特征是：所述 4只單向可控硅，其觸發(fā)電路均相同，且每只單向可控硅的構(gòu)成均為：觸發(fā)極接三極管的E 極，三極管C極經(jīng)一并聯(lián)的電阻和電容接該單向可控硅的陽(yáng)極，三極管的B極經(jīng)一電容器接 所述兩串聯(lián)濾波電容的正端，三極管的B極與單向可控硅陽(yáng)極之間垮接二極管由正到負(fù)， 并與電阻并聯(lián)，三極管的B極還接光耦的E極，所述單向可控硅陽(yáng)極還接光耦的C極，4只光 耦的輸入端順向串聯(lián)，串聯(lián)后的正輸入端接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端，4只光耦輸入端順 向串聯(lián)后的負(fù)輸入端接電壓比較器的下拉輸出端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特征是：所述電 壓取樣電路采用兩串聯(lián)的輸出電壓取樣電阻垮接兩串聯(lián)濾波電容的正負(fù)端，其連接點(diǎn)經(jīng)電 阻接電壓比較器的負(fù)輸入端，其正輸入端連接設(shè)定的基準(zhǔn)電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特征是：所述電 流取樣電路輸出電流正信號(hào)至電壓比較器的負(fù)輸入端，電壓比較器的下拉輸出端接另一個(gè) 電壓比較器負(fù)輸入端。
【文檔編號(hào)】H02M7/219GK203896209SQ201420330390
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】林國(guó)強(qiáng), 李強(qiáng), 錢立平, 韓治昀, 鄒瑞洵 申請(qǐng)人:大連理工常州研究院有限公司