基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，外部充電設(shè)備與內(nèi)部供電電池相連，內(nèi)部供電電池的輸出分別與電源管理芯片的VBAT引腳和PMOS管M1的漏極相連，PMOS管M1的柵極與電源管理芯片的BATFET_N引腳相連，源極與電源管理芯片的VPH_PWR引腳相連并輸出為外部電路供電的電壓VPH_PWR，設(shè)有二極管D1，二極管D1的正極與PMOS管M1的漏極相連，二極管D1的負(fù)極與PMOS管M1的源極相連。本實(shí)用新型通過BATFET_N引腳的電平高低來控制PMOS管M1的斷開與閉合，進(jìn)而控制充電與供電狀態(tài)，控制方便，且能實(shí)現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)及降壓處理。
【專利說明】基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，智能手機(jī)已經(jīng)完全成為了手機(jī)的主角。隨著智能手機(jī)的性能不斷的提高，用戶操作的時(shí)間也越來越長，這直接使得智能手機(jī)的電池不耐用。
[0003]充電管理是手機(jī)、電腦等終端設(shè)備中必不可少的部分，好的充電電路不僅可以延長充電電池的使用壽命，且能提高終端設(shè)備的可靠性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，它通過電源管理芯片BATFET_N$腳的電平高低來控制PMOS管的斷開與閉合，進(jìn)而控制充電與供電狀態(tài)，控制方便，且能實(shí)現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)及降壓處理，能有效防止內(nèi)部供電電池通過PMOS管的內(nèi)部寄生二極管倒灌電流。
[0005]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，它包括電源管理芯片、PMOS管Ml、二極管D1、內(nèi)部供電電池和外部充電設(shè)備，外部充電設(shè)備與內(nèi)部供電電池相連，內(nèi)部供電電池的供電輸出端分別與電源管理芯片的VBAT引腳和PMOS管Ml的漏極相連，PMOS管Ml的柵極與電源管理芯片的BATFET_N引腳相連，PMOS管Ml的源極與電源管理芯片的VPH_PWR引腳相連并輸出為外部電路供電的電壓VPH_PWR, PMOS管Ml還并聯(lián)一個(gè)二極管Dl，二極管Dl的正極與PMOS管Ml的漏極相連，二極管Dl的負(fù)極與PMOS管Ml的源極相連。
[0006]進(jìn)一步的，該智能終端充電電路還包括電容Cl和電容C2，電源管理芯片的VPH_PWR引腳通過電容Cl接地，電源管理芯片的VBAT引腳通過電容C2接地。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:將PMOS管Ml連接電源管理芯片的BATFET_N引腳，通過電源管理芯片BATFET_N$腳的電平高低來控制PMOS管Ml的斷開與閉合，進(jìn)而控制充電與供電狀態(tài)，控制方便，且能實(shí)現(xiàn)占空比的調(diào)節(jié)及降壓處理；設(shè)有二極管D1，能有效防止內(nèi)部供電電池通過PMOS管Ml的內(nèi)部寄生二極管倒灌電流。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0010]如圖1所示，基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，它包括電源管理芯片(PM8029)、PM0S管Ml、二極管Dl、內(nèi)部供電電池和外部充電設(shè)備，外部充電設(shè)備與內(nèi)部供電電池相連，內(nèi)部供電電池的供電輸出端分別與電源管理芯片的VBAT引腳和PMOS管Ml的漏極相連，PMOS管Ml的柵極與電源管理芯片的BATFET_N引腳相連，PMOS管Ml的源極與電源管理芯片的VPH_PWR弓丨腳相連并輸出為外部電路供電的電壓VPH_PWR，PMOS管Ml還并聯(lián)一個(gè)二極管Dl，二極管Dl的正極與PMOS管Ml的漏極相連，二極管Dl的負(fù)極與PMOS管Ml的源極相連。
[0011]進(jìn)一步的，該智能終端充電電路還包括電容Cl和電容C2，電源管理芯片的VPH_PWR引腳通過電容Cl接地，電源管理芯片的VBAT引腳通過電容C2接地。
[0012]本實(shí)用新型的工作原理如下:電源管理芯片的BATFET_N引腳低電平有效，當(dāng)BATFET_N引腳為低電平時(shí)，控制PMOS管Ml導(dǎo)通，當(dāng)BATFET_N引腳為高電平時(shí)，控制PMOS管Ml斷開。當(dāng)未檢測到充電電壓時(shí)，BATFET_N$腳為高電平，PMOS管Ml斷開，內(nèi)部供電電池通過二極管Dl將電流輸出到VPH_PWR網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)供電。當(dāng)檢查到有充電電壓時(shí)，BATFET_N引腳為低電平，PMOS管Ml導(dǎo)通，這時(shí)外部充電設(shè)備就給VPH_PWR供電同時(shí)給內(nèi)部供電電池充電并控制充電電壓電流，電源管理芯片的VBAT引腳檢測PMOS管Ml漏極電壓，反饋閉環(huán)控制BATFET_N占空比，當(dāng)電壓過高時(shí)，減小占空比，當(dāng)電壓欠壓時(shí)，增大占空比。
【權(quán)利要求】
1.基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，其特征在于:它包括電源管理芯片、PMOS管Ml、二極管D1、內(nèi)部供電電池和外部充電設(shè)備，外部充電設(shè)備與內(nèi)部供電電池相連，內(nèi)部供電電池的供電輸出端分別與電源管理芯片的VBAT引腳和PMOS管Ml的漏極相連，PMOS管Ml的柵極與電源管理芯片的BATFET_N引腳相連，PMOS管Ml的源極與電源管理芯片的VPH_PWR引腳相連并輸出為外部電路供電的電壓VPH_PWR，PMOS管Ml還并聯(lián)一個(gè)二極管D1，二極管Dl的正極與PMOS管Ml的漏極相連，二極管Dl的負(fù)極與PMOS管Ml的源極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于功率開關(guān)管的智能終端充電電路，其特征在于:它還包括電容Cl和電容C2，電源管理芯片的VPH_PWR引腳通過電容Cl接地，電源管理芯片的VBAT引腳通過電容C2接地。
【文檔編號(hào)】H02J7/00GK203416010SQ201320412543
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】黎顯圖 申請人:沈陽華立德電子科技有限公司