一種led驅(qū)動(dòng)電源emi抑制方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法。本發(fā)明是在LED驅(qū)動(dòng)電源整流橋四個(gè)引腳D1、D2、D3、D4上套上鐵氧體磁珠；在開關(guān)管Q1的柵極G與漏極D上套上鐵氧體磁珠；在輸出二極管D5、D6的引腳上套上鐵氧體磁珠，將鐵氧體磁珠加在產(chǎn)生傳導(dǎo)EMI噪聲的噪聲源處，可以抑制傳導(dǎo)EMI噪聲。本發(fā)明抑制LED驅(qū)動(dòng)電源傳導(dǎo)EMI干擾方法，無需改變?cè)瓉黼娐方Y(jié)構(gòu)，適用于各種電路拓?fù)?，?jiǎn)單實(shí)用，不僅能夠抑制傳導(dǎo)EMI，對(duì)于LED驅(qū)動(dòng)電源輻射也起到一定抑制作用。
【專利說明】—種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種EMI抑制方法，尤其是一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED驅(qū)動(dòng)電源的認(rèn)證中傳導(dǎo)EMI (Electro-Magnetic Interference)是測(cè)試的難點(diǎn)，超標(biāo)問題最為普遍。LED驅(qū)動(dòng)電源傳導(dǎo)EMI產(chǎn)生的根本原因是電路中電流突變（di/dt)與電壓突變（du/dt)，它們通過導(dǎo)線、電感和電容耦合形成傳導(dǎo)EMI。LED驅(qū)動(dòng)電源整流器和輸出二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過，在受到反偏電壓作用轉(zhuǎn)向截止時(shí)，反向恢復(fù)電流急劇減小而發(fā)生很大的di/dt，將產(chǎn)生較強(qiáng)的高頻干擾。開關(guān)管與高頻變壓器初級(jí)線圈串聯(lián)，開關(guān)管斷開瞬間會(huì)形成關(guān)斷電壓尖峰，產(chǎn)生的du/dt具有較大幅度的脈沖，頻帶較寬且諧波豐富。同時(shí)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是窄脈沖矩形信號(hào)，也含有大量諧波成分。圖I是鐵氧體磁珠的切面圖，磁珠的主要原料為鐵氧體，是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料。根據(jù)電磁理論和麥克斯韋方程可知，電流周圍存在電場(chǎng)，變化的電場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，在磁場(chǎng)作用下鐵氧體就會(huì)被磁化。被磁化的磁珠阻抗計(jì)算公式如下：
[0003]損耗電阻：
*(Do、
[0004]AV = η/ μ?ι(μ 1),/7 -


VDi )
[0005]磁化電感：
*" (Do、
[0006]Rw^{nf μ μ h)<η ~-

K Di J
[0007]式中n是串聯(lián)磁珠個(gè)數(shù)；μ *是自由空間磁導(dǎo)率,等于4 π X 10_7h/m ； μ是磁性材料的磁導(dǎo)率；1是流過導(dǎo)線的電流；h是磁珠的長(zhǎng)度；Do是磁珠的外直徑；Di是磁珠的內(nèi)直徑；鐵氧體磁珠抑制EMI傳導(dǎo)干擾的基本原理是：在高頻部分磁珠損耗電阻Rw遠(yuǎn)大于磁珠電感量Xw,噪聲信號(hào)被吸收轉(zhuǎn)化成熱量；在低頻部分,這時(shí)Xw>Rw電路中相當(dāng)于加入了一個(gè)電感，噪聲信號(hào)會(huì)被反射，由于磁性材料存在飽和現(xiàn)象，實(shí)際磁珠的最佳干擾抑制需在一定的頻率范圍內(nèi)。
[0008]現(xiàn)有的傳導(dǎo)EMI噪聲抑制技術(shù)：無源濾波技術(shù)主要缺點(diǎn)是體積大，且會(huì)在噪聲源阻抗和負(fù)載阻抗變化時(shí)導(dǎo)致濾波性能下降，有源EMI濾波技術(shù)由于需要檢測(cè)信號(hào)，注入信號(hào)，電路復(fù)雜，可靠性仍需要進(jìn)一步提高、變頻技術(shù)輸出電壓與頻率相關(guān)、軟開關(guān)技術(shù)電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足而提供一種簡(jiǎn)單、高效的傳導(dǎo)EMI抑制方法。創(chuàng)新點(diǎn)在于用鐵氧體磁珠加在產(chǎn)生傳導(dǎo)EMI噪聲的噪聲源處，將傳導(dǎo)噪聲抑制，無需改變?cè)瓉黼娐方Y(jié)構(gòu)，適用于各種電路拓?fù)?，?jiǎn)單實(shí)用，不僅能夠抑制傳導(dǎo)EMI，對(duì)于LED驅(qū)動(dòng)電源輻射也起到一定抑制作用。[0010]本發(fā)明所涉及的LED驅(qū)動(dòng)電源包括由四個(gè)整流二極管D1、D2、D3和D4組成的整流橋、開關(guān)管Ql和輸出二極管D5、D6，本發(fā)明方法具體是:在LED驅(qū)動(dòng)電源整流橋中的四個(gè)整流二極管Dl、D2、D3、D4的引腳上套上鐵氧體磁珠；在開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D上套上鐵氧體磁珠；在輸出二極管D5、D6的引腳上套上鐵氧體磁珠。
[0011]本發(fā)明的有益效果:
[0012]1.鐵氧體磁珠體積小，價(jià)格便宜，減少了電源的體積和生產(chǎn)成本；
[0013]2.用鐵氧體磁珠抑制傳導(dǎo)EMI不需要改變?cè)瓉淼碾娐?，方法?jiǎn)單，應(yīng)用范圍廣泛；
[0014]3.鐵氧體磁珠抑制不僅能抑制傳導(dǎo)EMI，還能在一定程度上抑制電源輻射。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是鐵氧體磁珠的切面圖。
[0016]圖2是本發(fā)明示意圖。
[0017]圖3是本發(fā)明具體實(shí)施例示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0019]如圖2所示，一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，在LED驅(qū)動(dòng)電源整流橋四個(gè)引腳Dl、D2、D3、D4上套上鐵氧體磁珠；在開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D上套上鐵氧體磁珠；在輸出二極管D5、D6的引腳上套上鐵氧體磁珠。所述的鐵氧體磁珠可以分為型號(hào)A或者型號(hào)B。型號(hào)A具體尺寸是磁珠長(zhǎng)度h=3mm,磁珠外直徑Do=3.5mm、磁珠內(nèi)直徑Di=L 5mm,型號(hào)B具體尺寸是磁珠長(zhǎng)度h=6mm,磁珠外直徑Do=3.5mm、磁珠內(nèi)直徑Di=L 5mm。所述的開關(guān)管Ql是N溝道MOS管。所述的整流橋四個(gè)引腳Dl、D2、D3、D4可以套上鐵氧體磁珠型號(hào)為A或B，且套上的磁珠數(shù)量可以是1-2個(gè)。所述的開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D引腳上套上的鐵氧體磁珠型號(hào)為A或B，且套上的磁珠數(shù)量是1-2個(gè)。所述的開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D引腳上套上的鐵氧體磁珠個(gè)數(shù)為1-2個(gè)。所述的輸出二極管D5、D6的引腳上套上鐵氧體磁珠型號(hào)為A或B，且套上的磁珠數(shù)量是1-2個(gè)。
[0020]圖3中開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，噪聲電流Icm流經(jīng)開關(guān)管和整流橋回路；開關(guān)管斷開時(shí)，噪聲電流Idl經(jīng)開關(guān)管散熱器與金屬外殼之間的分布電容Cds流向接地外殼；噪聲電流Id3經(jīng)變壓器初次級(jí)之間的分布電容Cps、輸出二極管、二極管散熱器與金屬外殼之間的分布電容Cdss流向接地外殼。
[0021 ] 整流橋4個(gè)引腳上套上磁珠和開關(guān)管引腳上的磁珠可以抑制圖3中噪聲電流Icm、Idl和Id2 ;輸出二極管引腳上的磁珠可以抑制圖3中噪聲電流Id2。
[0022] 應(yīng)該理解到的是:上述實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明的說明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制，任何不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.. 一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，該LED驅(qū)動(dòng)電源包括由四個(gè)整流二極管D1、D2、D3和D4組成的整流橋、開關(guān)管Ql和輸出二極管D5、D6，其特征在于：在LED驅(qū)動(dòng)電源整流橋中的四個(gè)整流二極管Dl、D2、D3、D4的引腳上套上鐵氧體磁珠；在開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D上套上鐵氧體磁珠；在輸出二極管D5、D6的引腳上套上鐵氧體磁珠。
2.如權(quán)利要求I所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：所述的鐵氧體磁珠分為型號(hào)A和型號(hào)B,型號(hào)A具體尺寸是磁珠長(zhǎng)度h=3mm,磁珠外直徑Do=3. 5mm、磁珠內(nèi)直徑Di=L 5mm,型號(hào)B具體尺寸是磁珠長(zhǎng)度h=6mm,磁珠外直徑Do=3. 5mm、磁珠內(nèi)直徑Di=L 5mm。
3.如權(quán)利要求I所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：所述的開關(guān)管Ql是N溝道MOS管。
4.如權(quán)利要求2所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：每個(gè)整流二極管引腳上的鐵氧體磁珠為1-2個(gè)。
5.如權(quán)利要求2所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：所述的開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D引腳上的鐵氧體磁珠為1-2個(gè)。
6.如權(quán)利要求I所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：所述的開關(guān)管Ql的柵極G與漏極D引腳上的鐵氧體磁珠個(gè)數(shù)為1-2個(gè)。
7.如權(quán)利要求2所述的一種LED驅(qū)動(dòng)電源EMI抑制方法，其特征在于：所述的每個(gè)輸出二極管引腳上的鐵氧體磁珠為1-2個(gè)。
【文檔編號(hào)】H02M1/44GK103618442SQ201310413510
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月11日
【發(fā)明者】秦會(huì)斌, 魏秀梅 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué)