單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一光電耦合器U1、第二光電耦合器U2、第三光電耦合器U3和第四光電耦合器U4。第一光電耦合器U1，具有八個(gè)腳，所述第一光電耦合器U1的1腳跟4腳懸空，3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第一場效應(yīng)管Q1的源極，6腳與7腳相分別連接第一電阻R1的一端，所述第一電阻R1的另一端與所述第一場效應(yīng)管的柵極連接，8腳連接到電源正極。本發(fā)明的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路采用功率光電耦合器直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路簡單可靠，而且實(shí)現(xiàn)了高低壓的隔離，簡化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，使得逆變器的可靠性得到提高。
【專利說明】單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種單相正弦波逆變器的驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的逆變器主電路中，為單項(xiàng)橋或者三相橋的逆變主電路，但是現(xiàn)在的硅器件已經(jīng)到達(dá)硅極限，用硅材料做主功率器件的逆變器，因硅的功率器件的結(jié)溫要小于150°其工作的環(huán)境溫度只能在60°以下，不適合在高溫環(huán)境下工作，而且隨著結(jié)溫的升高，其導(dǎo)通電阻會大幅度增大，這就會使得器件的損耗繼續(xù)增加，推動(dòng)了結(jié)溫的進(jìn)一步上升，形成了惡性循環(huán)。在這樣的環(huán)境下工作為了防止器件因結(jié)溫過高燒毀，要加大功率風(fēng)扇甚至是水冷卻系統(tǒng)，使得整臺逆變器的體積增大，甚至冷卻系統(tǒng)占到了整個(gè)體積的一半，這就使得逆變器不能滿足對體積有嚴(yán)格要求的場合。
[0003]由于硅材料的禁帶寬度比較小，單個(gè)硅器件的最高耐壓值也就不會很高，這在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域里就需要兩個(gè)或者更多的功率器件串聯(lián)使用來代替半個(gè)橋臂的單個(gè)器件，例如功率器件QlIPQl串聯(lián)代替Q1，這是硅器件解決高壓應(yīng)用的現(xiàn)有的做法。但是這種連接方式增加了控制電路的復(fù)雜性，要求控制電路要控制Q1’和Ql同時(shí)導(dǎo)通，否則就會有高壓擊穿導(dǎo)通滯后的器件，設(shè)備的可靠性大幅度下降。
[0004]而現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路都采用專用驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，在隔離地的逆變器中還要再加一級隔離電路，而且驅(qū)動(dòng)芯片引腳多、外圍電路復(fù)雜，給驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)帶來了麻煩，復(fù)雜的電路致使逆變器的可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，電路簡單可靠，假話了電路設(shè)計(jì)，從而解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，包括:
[0007]第一光電稱合器Ul,具有八個(gè)腳,所述第一光電稱合器Ul的I腳跟4腳懸空,3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第一場效應(yīng)管Ql的源極，6腳與7腳相分別連接第一電阻Rl的一端，所述第一電阻Rl的另一端與所述第一場效應(yīng)管的柵極連接，8腳連接到電源正極；第二光電耦合器U2，具有八個(gè)腳，所述第二光電耦合器U2的I腳跟4腳懸空，3腳接脈寬調(diào)制PWM信號，4腳接地，5腳連接到第二場效應(yīng)管Q2的源極，6腳與7腳分別連接第二電阻R2的一端，所述第二電阻R2的另一端與所述第二場效應(yīng)管Q2的柵極連接，8腳連接到所述電源正極；第三光電耦合器U3，具有八個(gè)腳，所述第三光耦合器U3的I腳跟4腳懸空，3腳接所述PWM信號，4腳接地，5腳連接到第三場效應(yīng)管Q3的源極，6腳與7腳分別與第三電阻R3的一端連接，所述第三電阻R3的另一端與所述第三場效應(yīng)管Q3的柵極連接，8腳連接到所述電源正極；第四光電耦合器U4，具有八個(gè)腳，所述第四光耦合器U4的I腳跟4腳懸空，3腳接所述PWM信號，4腳接地，5腳連接到第四場效應(yīng)管Q4的源極，6腳與7腳分別連接在第四電阻R4的一端，所述電阻R4的另一端與所述第四場效應(yīng)管Q4的柵極連接，8腳連接到所述電源正極。
[0008]還包括:第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4 ;所述第一場效應(yīng)管Ql的漏極與所述第一二極管Dl的陰極相連接，所述第一場效應(yīng)管Ql的源極與所述第一二極管Dl的陽極連接；所述第二場效應(yīng)管Q2的漏極與所述第二二極管D2的陰極連接，所述第二場效應(yīng)管Q2的源極與所述第二二極管D2的陽極相連接；所述第三場效應(yīng)管Q3的漏極與所述第三二極管D3的陰極相連接，所述第三場效應(yīng)管Q3的源極與所述第三二極管D3的陽極連接；所述第四場效應(yīng)管Q4的漏極與所述第四二極管D4的陰極連接，所述第四場效應(yīng)管Q4的源極與所述第四二極管D4的陽極相連接；所述第一場效應(yīng)管Ql的源極與所述第三場效應(yīng)管Q3的漏極與外部負(fù)載的一端相連接；所述第二場效應(yīng)管Q2的源極與所述第四場效應(yīng)管Q4的漏極與所述外部負(fù)載的另一端相連接。
[0009]所述第一場效應(yīng)管Q1、第二場效應(yīng)管Q2、第三場效應(yīng)管Q3、第四場效應(yīng)管Q4為碳化硅SiC金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管。所述第一二極管Dl、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4為SiC續(xù)流二極管。
[0010]根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電源為直流電源。
[0011]本發(fā)明的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路采用功率光電耦合器直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路簡單可靠，而且實(shí)現(xiàn)了高低壓的隔離，簡化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，使得逆變器的可靠性得到提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；
[0013]圖2為單極性PWM控制方式波形圖；
[0014]圖3為雙極性PWM控制方式波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0016]圖1為本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖，如圖所示，本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路包括:第一光電稱合器Ul、第二光電稱合器U2、第三光電稱合器U3和第四光電率禹合器U4。
[0017]具體連接關(guān)系如下:
[0018]第一光電稱合器Ul,具有八個(gè)腳,第一光電稱合器Ul的I腳跟4腳懸空,3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第一場效應(yīng)管Ql的源極，6腳與7腳相分別連接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端與第一場效應(yīng)管的柵極連接，8腳連接到電源正極；第二光電耦合器U2，具有八個(gè)腳，第二光電耦合器U2的I腳跟4腳懸空，3腳接脈寬調(diào)制PWM信號，4腳接地，5腳連接到第二場效應(yīng)管Q2的源極，6腳與7腳分別連接第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端與第二場效應(yīng)管Q2的柵極連接，8腳連接到電源正極；第三光電耦合器U3，具有八個(gè)腳，第三光耦合器U3的I腳跟4腳懸空，3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第三場效應(yīng)管Q3的源極，6腳與7腳分別與第三電阻R3的一端連接，第三電阻R3的另一端與第三場效應(yīng)管Q3的柵極連接，8腳連接到電源正極；第四光電耦合器U4，具有八個(gè)腳，第四光耦合器U4的I腳跟4腳懸空，3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第四場效應(yīng)管Q4的源極，6腳與7腳分別連接在第四電阻R4的一端，電阻R4的另一端與第四場效應(yīng)管Q4的柵極連接，8腳連接到電源正極。
[0019]另外，再如圖1所示，還包括第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4。第一場效應(yīng)管Ql的漏極與第一二極管Dl的陰極相連接，第一場效應(yīng)管Ql的源極與第一二極管Dl的陽極連接；第二場效應(yīng)管Q2的漏極與第二二極管D2的陰極連接，第二場效應(yīng)管Q2的源極與第二二極管D2的陽極相連接；第三場效應(yīng)管Q3的漏極與第三二極管D3的陰極相連接，第三場效應(yīng)管Q3的源極與第三二極管D3的陽極連接；第四場效應(yīng)管Q4的漏極與第四二極管D4的陰極連接，第四場效應(yīng)管Q4的源極與第四二極管D4的陽極相連接；第一場效應(yīng)管Ql的源極與第三場效應(yīng)管Q3的漏極與外部負(fù)載的一端相連接；第二場效應(yīng)管Q2的源極與第四場效應(yīng)管Q4的漏極與外部負(fù)載的另一端相連接。
[0020]電源為直流電源DC。而第一場效應(yīng)管Q1、第二場效應(yīng)管Q2、第三場效應(yīng)管Q3、第四場效應(yīng)管Q4可以為碳化硅SiC金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效晶體管。而第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4為SiC續(xù)流二極管。
[0021]而第一場效應(yīng)管Q1、第二場效應(yīng)管Q2、第三場效應(yīng)管Q3、第四場效應(yīng)管Q4，以及第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4組成了單相逆變器的主電路。
[0022]單相逆變器的續(xù)流二極管與場效應(yīng)管(MOSFET)反相并聯(lián)連接，而驅(qū)動(dòng)電路是光電耦合器直接驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管，連接方式均為光耦合器的輸出連接一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電阻，再連接到功率場效應(yīng)管的柵極。
[0023]圖1中的直流側(cè)輸入電壓為Ud，輸出側(cè)電壓為Uo，與MOSFET QU Q2漏極連接的直流側(cè)為直流母線正極，與MOSFET Q3、Q4連接的直流側(cè)為直流母線負(fù)極，四個(gè)續(xù)流二極管D1、D2、D3、D4與四個(gè)MOSFET分別反并聯(lián)連接接入直流母線。
[0024]單相逆變器的主電路的工作方式如下:
[0025]1、單極性控制方式:
[0026]在輸出電壓U。的正半周，讓第一場效應(yīng)管Ql保持通態(tài)，第三場效應(yīng)管Q3保持?jǐn)鄳B(tài)，第二場效應(yīng)管Q2和第四場效應(yīng)管Q4交替導(dǎo)通。在大部分的應(yīng)用中，負(fù)載電流比電壓滯后，因此在電壓正半周，電流有一段區(qū)間為正，一段區(qū)間為負(fù)。在負(fù)載電流為正的區(qū)間，功率MOSFET第一場效應(yīng)管Ql和第四場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，負(fù)載電壓U。等于直流電壓Ud ;第四場效應(yīng)管Q4關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流通過第一場效應(yīng)管Ql和續(xù)流二極管第二二極管D2續(xù)流，Uo=O。在負(fù)載電流為負(fù)的區(qū)間，仍為第一場效應(yīng)管Ql和第四場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通時(shí)，因i。為負(fù)，故i。實(shí)際上從第一二極管Dl和第四二極管D4流過，仍有Uo=Ud ;第四場效應(yīng)管Q4關(guān)斷，第二場效應(yīng)管Q2開通后；i。從第二場效應(yīng)管Q2和第一二極管Dl流過，11。=0。這樣，U?？偪梢缘玫経d和零兩種電平。同樣，在U。的負(fù)半周，讓第三場效應(yīng)管Q3保持通態(tài)，第一場效應(yīng)管Ql保持?jǐn)鄳B(tài)，第二場效應(yīng)管Q2和第四場效應(yīng)管Q4交替通斷，由于負(fù)載電流比電壓滯后，因此在電壓負(fù)半周，電流有一段區(qū)間為負(fù)，一段區(qū)間為正，在負(fù)載電流為負(fù)的區(qū)間，功率MOSFET第二場效應(yīng)管Q2和第三場效應(yīng)管Q3導(dǎo)通，負(fù)載電壓Uo等于負(fù)的直流母線電壓-Ud，第二場效應(yīng)管Q2關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流通過第三場效應(yīng)管Q3和第四二極管D4續(xù)流，Uo=O,在負(fù)載電流為正的區(qū)間，仍為第三場效應(yīng)管Q3和第二場效應(yīng)管Q2導(dǎo)通時(shí)，因i。為正，故i。實(shí)際上從續(xù)流二極管第二二極管D2和第三二極管D3流過，仍有Uo=-Ud,第二場效應(yīng)管Q2關(guān)斷，第四場效應(yīng)管Q4開通后，i。從第四場效應(yīng)管Q4和第三二極管D3流過，Uo=O,這樣負(fù)載電壓U?？梢缘玫?Ud和零兩種電平。
[0027]控制MOSFET通斷的方法如圖2所示。其中u,是調(diào)制信號，其波形為正弦波，U。為載波，在U,的正半周為正極性的三角波，在U,的負(fù)半周為負(fù)極性的三角波。在U,和U。的交點(diǎn)時(shí)刻控制功率MOSFET的開通和關(guān)斷。在U,的正半周，第一場效應(yīng)管Ql保持通態(tài)，第三場效應(yīng)管Q3保持?jǐn)鄳B(tài)，當(dāng)i!r>u。時(shí)使第四場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，第二場效應(yīng)管Q2關(guān)斷，U0=Ud ;當(dāng)Ur<uc時(shí)使第四場效應(yīng)管Q4關(guān)斷，第二場效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，1!。=0。在Ur的負(fù)半周，第一場效應(yīng)管Ql保持?jǐn)鄳B(tài)，第三場效應(yīng)管Q3保持通態(tài)，當(dāng)U/U。時(shí)使第二場效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，第四場效應(yīng)管Q4關(guān)斷，U0=-Ud ;當(dāng)ur>uc時(shí)控制第二場效應(yīng)管Q2關(guān)斷，第四場效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，11。=0。這樣，就得到了 SPWM波形U。。圖中的虛線U0f表示U。中的基波分量。
[0028]2、雙極性控制方式:
[0029]在采用雙極性控制方式時(shí)的波形如圖3所示。采用雙極性方式時(shí)，在Ur的半個(gè)周期內(nèi)，三角載波不再是單極性的，而是雙極性的有正有負(fù)，所得到的PWM波也是有正有負(fù)。在的正負(fù)半周，對各開關(guān)器件的控制規(guī)律相同，即當(dāng)u>U。時(shí)，給第一場效應(yīng)管Ql和第四場效應(yīng)管Q4以導(dǎo)通信號，給第二場效應(yīng)管Q2和第三場效應(yīng)管Q3以關(guān)斷信號，這時(shí)如1。>0，則第一場效應(yīng)管Ql和第四場效應(yīng)管Q4通，如果1?！?，則第一二極管Dl和第四二極管D4導(dǎo)通，不管哪種情況都是輸出電壓Utj=Ud ；當(dāng)u/u。時(shí)，給第二場效應(yīng)管Q2和第三場效應(yīng)管Q3以導(dǎo)通信號，給第一場效應(yīng)管Ql和第四場效應(yīng)管Q4以關(guān)斷信號，這時(shí)如果1?！?，則第二場效應(yīng)管Q2和第三場效應(yīng)管Q3導(dǎo)通，如丨。>0，則第二二極管D2和第三二極管D3導(dǎo)通，不管哪種情況都是輸出電壓Utj=-Udt5在w的一個(gè)周期內(nèi)，輸出的PWM波也是只有±Ud兩種電平。仍然在調(diào)制信號Ur和載波信號U。的交點(diǎn)時(shí)刻控制各MOSFET器件的開通和關(guān)斷。圖四是雙極性控制方式的波形圖，其中是調(diào)制波信號，是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，Uc是載波信號，是雙極性三角波，Uo是負(fù)載兩端的電壓，也就是輸出電壓，Uof是Uo的基波分量。
[0030]圖1所示的是采用功率光電耦合器直接驅(qū)動(dòng)，如上述所說控制信號連接到相應(yīng)的第一光I禹合器Ul、第二光f禹合器U2、第三光f禹合器U3和第四光I禹合器U4的PWM引腳上,其輸出引腳通過驅(qū)動(dòng)電阻連接到場效應(yīng)管的柵極，當(dāng)光耦合器的PWM引腳為低電平時(shí)，其輸出OUT引腳也為低電平，相應(yīng)的場效應(yīng)管關(guān)斷，當(dāng)PWM引腳為高電平時(shí)，其輸出OUT引腳也為高電平，相應(yīng)的場效應(yīng)管導(dǎo)通，這就可靠驅(qū)動(dòng)了功率場效應(yīng)管(MOSFET)的導(dǎo)通和關(guān)斷。其驅(qū)動(dòng)電路簡單可靠，簡化了電路設(shè)計(jì)而且還有效的實(shí)現(xiàn)了高低電壓的隔離。
[0031]本發(fā)明單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路采用功率光電耦合器直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路簡單可靠，而且實(shí)現(xiàn)了高低壓的隔離，簡化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，使得逆變器的可靠性得到提高。
[0032]專業(yè)人員應(yīng)該還可以進(jìn)一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。[0033]結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的方法或算法的步驟可以用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實(shí)施。軟件模塊可以置于隨機(jī)存儲器(RAM)、內(nèi)存、只讀存儲器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動(dòng)磁盤、CD-ROM、或【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲介質(zhì)中。
[0034]以上所述的【具體實(shí)施方式】，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 第一光電稱合器Ul,具有八個(gè)腳,所述第一光電稱合器Ul的I腳跟4腳懸空,3腳接PWM信號，4腳接地，5腳連接到第一場效應(yīng)管Ql的源極，6腳與7腳相分別連接第一電阻Rl的一端，所述第一電阻Rl的另一端與所述第一場效應(yīng)管的柵極連接，8腳連接到電源正極； 第二光電耦合器U2，具有八個(gè)腳，所述第二光電耦合器U2的I腳跟4腳懸空，3腳接脈寬調(diào)制PWM信號，4腳接地，5腳連接到第二場效應(yīng)管Q2的源極，6腳與7腳分別連接第二電阻R2的一端，所述第二電阻R2的另一端與所述第二場效應(yīng)管Q2的柵極連接，8腳連接到所述電源正極； 第三光電耦合器U3，具有八個(gè)腳，所述第三光耦合器U3的I腳跟4腳懸空，3腳接所述PWM信號，4腳接地，5腳連接到第三場效應(yīng)管Q3的源極，6腳與7腳分別與第三電阻R3的一端連接，所述第三電阻R3的另一端與所述第三場效應(yīng)管Q3的柵極連接，8腳連接到所述電源正極； 第四光電耦合器U4，具有八個(gè)腳，所述第四光耦合器U4的I腳跟4腳懸空，3腳接所述PWM信號，4腳接地，5腳連接到第四場效應(yīng)管Q4的源極，6腳與7腳分別連接在第四電阻R4的一端，所述電阻R4的另一端與所述第四場效應(yīng)管Q4的柵極連接，8腳連接到所述電源正極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括:第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4 ； 所述第一場效應(yīng)管Ql的漏極與所述第一二極管Dl的陰極相連接，所述第一場效應(yīng)管Ql的源極與所述第一二極管Dl的陽極連接；所述第二場效應(yīng)管Q2的漏極與所述第二二極管D2的陰極連接，所述第二場效應(yīng)管Q2的源極與所述第二二極管D2的陽極相連接；所述第三場效應(yīng)管Q3的漏極與所述第三二極管D3的陰極相連接，所述第三場效應(yīng)管Q3的源極與所述第三二極管D3的陽極連接；所述第四場效應(yīng)管Q4的漏極與所述第四二極管D4的陰極連接，所述第四場效應(yīng)管Q4的源極與所述第四二極管D4的陽極相連接； 所述第一場效應(yīng)管Ql的源極與所述第三場效應(yīng)管Q3的漏極與外部負(fù)載的一端相連接；所述第二場效應(yīng)管Q2的源極與所述第四場效應(yīng)管Q4的漏極與所述外部負(fù)載的另一端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一場效應(yīng)管Q1、第二場效應(yīng)管Q2、第三場效應(yīng)管Q3、第四場效應(yīng)管Q4為碳化硅SiC金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一二極管Dl、第二二極管D2、第三二極管D3和第四二極管D4為SiC續(xù)流二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相逆變器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電源為直流電源。
【文檔編號】H02M7/5387GK103490658SQ201310404914
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】賈仁需, 于海明, 張藝蒙, 宋慶文, 閆宏麗 申請人:西安電子科技大學(xué)