專利名稱：一種升壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及升壓電路，特別涉及用于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的低功耗電路。
背景技術(shù)：
由于本申請(qǐng)電路多用于保護(hù)電路，所以，先從保護(hù)電路中限流電路敘述。限流電路或器件有很多種，美國(guó)發(fā)明家愛迪生(Thomas Alva Edison, 1847年一1931年)在一百多年前發(fā)明的保險(xiǎn)絲就是限流器件，保險(xiǎn)絲(fuse)也被稱為電流保險(xiǎn)絲，IEC127標(biāo)準(zhǔn)將它定義為〃熔斷體(fuse-1 ink) 〃。表一給出了現(xiàn)有技術(shù)中特快斷保險(xiǎn)絲的電氣特性，該特性滿足中國(guó)的CCC、美國(guó)UL認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種升壓電路，包括浪涌抑制電路、線性穩(wěn)壓電路、振蕩器電路、倍壓整流電路；所述的浪涌抑制電路包括三個(gè)端口，浪涌抑制輸入端、浪涌抑制輸出端、浪涌抑制接地端；所述的線性穩(wěn)壓電路包括三個(gè)端口，線性穩(wěn)壓輸入端、線性穩(wěn)壓輸出端、線性穩(wěn)壓接地端；所述的振蕩器電路包括三個(gè)端口，振蕩器輸入端、振蕩器輸出端、振蕩器接地端；所述的倍壓整流電路包括三個(gè)端口，倍壓整流輸入端、倍壓整流輸出端、倍壓整流浮地端；其連接關(guān)系為:所述的浪涌抑制輸入端為電源輸入正端口，電源輸入負(fù)端口為地線，所述的地線和所述的浪涌抑制接地端、所述的線性穩(wěn)壓接地端、所述的振蕩器接地端相連接；所述的浪涌抑制輸出端連接所述的線性穩(wěn)壓輸入端，所述的線性穩(wěn)壓輸出端連接所述的振蕩器輸入端，所述的振蕩器輸出端連接所述的倍壓整流輸入端，所述的倍壓整流浮地端連接所述的電源輸入正端口，所述的倍壓整流輸出端輸出輸出電壓；其特征在于:所述的線性穩(wěn)壓電路的線性穩(wěn)壓輸出端的輸出電壓略大于MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓；所述的振蕩器電路的工作電流在2mA以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的浪涌抑制電路包括第一電阻、第一電容；所述的第一電阻的一端為所述的浪涌抑制輸入端，所述的第一電阻的另一端連接所述的第一電容，連接點(diǎn)為所述的浪涌抑制輸出端，所述的第一電容的另一端為所述的浪涌抑制接地端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的線性穩(wěn)壓電路包括第二電阻、第一 N型三極管，第一穩(wěn)壓二極管，第二電容；所述的第一 N型三極管的集電極為所述的線性穩(wěn)壓輸入端，所述的第二電阻的一端連接所述的第一 N型三極管的集電極，所述的第二電阻的另一端連接所述的第一穩(wěn)壓二極管的陰極，連接點(diǎn)連接所述的第一 N型三極管的基極，所述的第一穩(wěn)壓二極管的陽極為所述的線性穩(wěn)壓接地端，所述的線性穩(wěn)壓接地端同時(shí)連接所述的第二電容的一端，所述的第二電容的另一端連接所述的第一 N型三極管的發(fā)射極，連接點(diǎn)為所述的線性穩(wěn)壓輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的升壓電路，其特征在于:所述的第二電阻的一端連接所述的浪涌抑制輸入端，其它 連接關(guān)系相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的振蕩器電路為一個(gè)雙管多諧振蕩器，包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻，第二 N型三極管、第三N型三極管，第三電容、第四電容；其連接關(guān)系為:所述的第二 N型三極管、所述的第三N型三極管的發(fā)射極相連接，連接點(diǎn)形成所述的振蕩器接地端；所述的第三電阻、所述的第四電阻、所述的第五電阻、所述的第六電阻的一端相連接，連接點(diǎn)形成所述的振蕩器輸入端；所述的第三電阻的另一端連接所述的第二 N型三極管的集電極，所述的第四電阻的另一端連接所述的第二 N型三極管的基極，所述的第五電阻的另一端連接所述的第三N型三極管的基極，所述的第六電阻的另一端連接所述的第三N型三極管的集電極；所述的第二 N型三極管的集電極還連接所述的第三電容的一端，所述的第三電容的另一端連接所述的第三N型三極管的基極；所述的第三N型三極管的集電極還連接所述的第四電容的一端，所述的第四電容的另一端連接所述的第二 N型三極管的基極；其中，所述的第三N型三極管的集電極為所述的振蕩器輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的升壓電路，其特征在于:將所述的第三電阻、所述的第四電阻、所述的第五電阻、或所述的第六電阻部分或全部替換為鏡像恒流源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的倍壓整流電路包括第七電阻、第二二極管、第三二極管、第五電容；其連接關(guān)系為:所述的第七電阻和所述的第五電容串聯(lián)，串聯(lián)后形成的兩個(gè)端子的一端為所述的倍壓整流輸入端，串聯(lián)后形成的兩個(gè)端子的另一端連接所述的第二二極管的陰極，同時(shí)連接所述的第三二極管的陽極，所述的第二二極管的陽極為所述的倍壓整流浮地端，所述的第三二極管的陰極為所述的倍壓整流輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的振蕩器電路為單管正弦振蕩器，包括第五電阻、第六電阻，第八電阻、第九電阻、第三N型三極管，第六電容、第七電容、第八電容；其連接關(guān)系為:所述的第三N型三極管的發(fā)射極與所述的第八電阻、所述的第九電阻的一端相連，連接點(diǎn)形成所述的振蕩器接地端；所述的第五電阻、所述的第六電阻的一端相連接，連接點(diǎn)形成所述的振蕩器輸入端；所述的第五電阻的另一端連接所述的第三N型三極管的基極，所述的第六電阻的另一端連接所述的第三N型三極管的集電極；所述的第三N型三極管的集電極為所述的振蕩器輸出端；所述的第三N型三極管的集電極連接所述的第六電容的一端，所述的第六電容的另一端與所述的第七電容相連接，所述的第七電容的另一端與所述的第八電容相連接，所述的第八電容的另一端與所述的第三N型三極管的基極相連接，所述的第六電容與所述的第七電容的連接點(diǎn)連接所述的第八電阻的另一端，所述的第七電容與所述的第八電容的連接點(diǎn)連接所述的第九電阻的另一端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的升壓電路，其特征在于:所述的振蕩器電路為CMOS集成電路，包括第十電阻，第九電容，第一集成電路，第一非門和第二非門；所述的第一集成電路第14腳為供電端VDD，第7腳為接地端Vss ;其連接關(guān)系為:所述的第一集成電路的供電端Vdd為所述的振蕩器輸入端；所述的第一集成電路的接地端Vss為所述的振蕩器接地端；所述的第一非門的輸入端連接所述的第十電阻的一端，同時(shí)連接所述的第九電容的一端，所述的第一非門的輸出端與所述的第十電阻的另一端相連接，同時(shí)連接所述的第二非門的輸入端，所述的第二非門的輸出端與所述的第九電容的另一端相連接，連接點(diǎn)為所述的振蕩器輸出端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于:所述的倍壓整流電路為三倍壓以上的倍壓整流電路構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種升壓電路，由浪涌抑制電路、線性穩(wěn)壓電路、振蕩器電路、倍壓整流電路4個(gè)單元電路組成，電源電壓經(jīng)浪涌抑制電路濾波、降壓后，由線性穩(wěn)壓電路輸出一個(gè)較為穩(wěn)定的電壓，經(jīng)振蕩器電路后產(chǎn)生一個(gè)峰峰值接近線性穩(wěn)壓電路輸出電壓的方波或正弦波，該方波或正弦波經(jīng)倍壓整流電路的電容耦合后，經(jīng)倍壓整流輸出比電源電壓高的電壓，用于驅(qū)動(dòng)功率MOS管，該電路的特點(diǎn)為所述的線性穩(wěn)壓電路的線性穩(wěn)壓輸出端的輸出電壓略大于MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓、所述的振蕩器電路的工作電流在2mA以下，從而能以低于100毫瓦的空載功耗實(shí)現(xiàn)升壓，滿足新時(shí)代對(duì)節(jié)能的要求。
文檔編號(hào)H02M7/10GK103078493SQ201310020900
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月18日
發(fā)明者王保均, 金英姬 申請(qǐng)人:廣州金升陽科技有限公司