一種升壓電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于升壓電路技術領域，尤其涉及一種升壓電路。
【背景技術】
[0002]閃速存儲器等的半導體存儲器為了執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入、擦除、及讀出動作而需要比外部電源電壓更高的電壓。這種半導體存儲器具有升壓電路，升壓電路具備:生成時鐘信號的振蕩電路、利用該時鐘信號將供給電壓升壓的電荷泵電路、感測升壓電壓并按照將該升壓電壓維持在某一電壓范圍的方式進行控制的感測電路。但是，在傳統(tǒng)技術中，當升壓電路復位時要對復位端子使用比電源電壓高的規(guī)定電壓，因此另外需要用于復位的升壓電路。因而，升壓電路的電路規(guī)模會相應地變大，成本也會相應的增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型提供一種升壓電路，以解決上述【背景技術】中傳統(tǒng)的升壓電路的電路規(guī)模大，成本高的問題。
[0004]本實用新型所解決的技術問題采用以下技術方案來實現(xiàn):本實用新型提供一種升壓電路，其特征在于:包括輸入端J1、輸出端J2、放大器模塊、復位晶體管模塊，所述放大模塊包括放大器Ul、二極管D1、電阻R6、電容C3、電容C4、電容C5、電阻R5，所述放大器Ul的引腳2接電阻R6的一端、電容C4的一端、電容C5的一端、電容C3的一端，其引腳3接二極管Dl的陽極，其引腳I接電阻R6的另一端、復位晶體管Ql的S極、電阻R2的一端、三極管Q5的集電極，所述二極管Dl的陰極接地，所述電容C3的另一端接輸入端J1、電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端接電容C4的另一端且都接電壓+12V，所述電容C5的另一端接電阻R4的一端，所述復位晶體管模塊包括復位晶體管Q1、復位晶體管Q2、復位晶體管Q3、復位晶體管Q4，所述復位晶體管Ql的G極接電容Cl的一端，其D極接復位晶體管Q3的S極、電阻R2的另一端，所述復位晶體管Q3的D極接電阻Rl的一端、復位晶體管Q4的D極，其G極接電阻R4的另一端、電容Cl的另一端，所述復位晶體管Q4的G極接電容C2的一端，其S極接復位晶體管Q2的D極、電阻R3的一端、輸出端J2，所述復位晶體管Q2的G極接電容C2的另一端，其S極接三極管Q5的基極，所述三極管Q5的發(fā)射極接電阻R3的另一端。
[0005]所述復位晶體管Ql選用場效應管。
[0006]所述復位晶體管Q2選用場效應管。
[0007]所述復位晶體管Q3選用場效應管。
[0008]所述復位晶體管Q4選用場效應管。
[0009]本實用新型的有益效果為:
[0010]I本專利的輸入端經(jīng)過將電荷傳入放大器，再由放大器將電荷傳入到場效應管，在滿足場效應管導通的條件下，將輸入電壓作為輸出電壓從輸出端升壓輸出，完成升壓電路。
[0011]2本專利采用4個場效應管作為復位晶體管，在滿足場效應管Ql的S極導通狀態(tài)的情況下，使得電荷傳送到場效應管Q3和場效應管Q3的柵極并進行電路復位，整個復位過程，無需用于復位的升壓電壓，從而無需相應地設置其它升壓電路，因此，大大降低升壓電路的電路規(guī)模，降低成本。
[0012]3本專利采用放大器的設計，將電壓信號進行放大，有助于提高升壓電路的工作效率，進一步減少元器件的使用，降低成本。
[0013]4本專利的結構簡單，各元器件相對比較便宜，采用斜坡控制電路，能夠盡量抑制芯片面積的增加，進一步減少升壓電路的電路規(guī)模。
【附圖說明】
[0014]圖1是本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖對本實用新型做進一步描述:
[0016]實施例:
[0017]本實施例包括:輸入端J1、輸出端J2、放大器模塊、復位晶體管模塊，放大模塊包括放大器Ul、二極管D1、電阻R6、電容C3、電容C4、電容C5、電阻R5，放大器Ul的引腳2接電阻R6的一端、電容C4的一端、電容C5的一端、電容C3的一端，其引腳3接二極管Dl的陽極，其引腳I接電阻R6的另一端、復位晶體管Ql的S極、電阻R2的一端、三極管Q5的集電極，二極管Dl的陰極接地，電容C3的另一端接輸入端J1、電阻R5的一端，電阻R5的另一端接電容C4的另一端且都接電壓+12V，電容C5的另一端接電阻R4的一端。
[0018]復位晶體管模塊包括復位晶體管Q1、復位晶體管Q2、復位晶體管Q3、復位晶體管Q4，復位晶體管Ql的G極接電容Cl的一端，其D極接復位晶體管Q3的S極、電阻R2的另一端，復位晶體管Q3的D極接電阻Rl的一端、復位晶體管Q4的D極，其G極接電阻R4的另一端、電容Cl的另一端，復位晶體管Q4的G極接電容C2的一端，其S極接復位晶體管Q2的D極、電阻R3的一端、輸出端J2，復位晶體管Q2的G極接電容C2的另一端，其S極接三極管Q5的基極，三極管Q5的發(fā)射極接電阻R3的另一端。
[0019]本專利的輸入端經(jīng)過將電荷傳入放大器，再由放大器將電荷傳入到場效應管，在滿足場效應管導通的條件下，將輸入電壓作為輸出電壓從輸出端升壓輸出，完成升壓電路。
[0020]本專利采用4個場效應管作為復位晶體管，在滿足場效應管Ql的S極導通狀態(tài)的情況下，使得電荷傳送到場效應管Q3和場效應管Q3的柵極并進行電路復位，整個復位過程，無需用于復位的升壓電壓，從而無需相應地設置其它升壓電路，因此，大大降低升壓電路的電路規(guī)模，降低成本。
[0021]利用本實用新型所述的技術方案，或本領域的技術人員在本實用新型技術方案的啟發(fā)下，設計出類似的技術方案，而達到上述技術效果的，均是落入本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種升壓電路，其特征在于:包括輸入端J1、輸出端J2、放大器模塊、復位晶體管模塊，所述放大模塊包括放大器Ul、二極管D1、電阻R6、電容C3、電容C4、電容C5、電阻R5，所述放大器Ul的引腳2接電阻R6的一端、電容C4的一端、電容C5的一端、電容C3的一端，其引腳3接二極管Dl的陽極，其引腳I接電阻R6的另一端、復位晶體管Ql的S極、電阻R2的一端、三極管Q5的集電極，所述二極管Dl的陰極接地，所述電容C3的另一端接輸入端J1、電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端接電容C4的另一端且都接電壓+12V，所述電容C5的另一端接電阻R4的一端，所述復位晶體管模塊包括復位晶體管Q1、復位晶體管Q2、復位晶體管Q3、復位晶體管Q4，所述復位晶體管Ql的G極接電容Cl的一端，其D極接復位晶體管Q3的S極、電阻R2的另一端，所述復位晶體管Q3的D極接電阻Rl的一端、復位晶體管Q4的D極，其G極接電阻R4的另一端、電容Cl的另一端，所述復位晶體管Q4的G極接電容C2的一端，其S極接復位晶體管Q2的D極、電阻R3的一端、輸出端J2，所述復位晶體管Q2的G極接電容C2的另一端，其S極接三極管Q5的基極，所述三極管Q5的發(fā)射極接電阻R3的另一端。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種升壓電路，其特征在于:所述復位晶體管Ql選用場效應管。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種升壓電路，其特征在于:所述復位晶體管Q2選用場效應管。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種升壓電路，其特征在于:所述復位晶體管Q3選用場效應管。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種升壓電路，其特征在于:所述復位晶體管Q4選用場效應管。
【專利摘要】本實用新型屬于升壓電路技術領域，尤其涉及一種升壓電路，包括輸入端J1、輸出端J2、放大器模塊、復位晶體管模塊，所述放大模塊包括放大器U1，所述放大器U1的引腳2接電阻R6的一端，所述復位晶體管模塊包括復位晶體管Q1、復位晶體管Q2、復位晶體管Q3、復位晶體管Q4，所述復位晶體管Q1的G極接電容C1的一端，所述復位晶體管Q2的G極接電容C2的另一端。本專利采用4個場效應管作為復位晶體管，使得電荷傳送到場效應管Q3和場效應管Q3的柵極并進行電路復位，整個復位過程，無需用于復位的升壓電壓，從而無需相應地設置其它升壓電路，大大降低升壓電路的電路規(guī)模，降低成本。
【IPC分類】G11C16-30
【公開號】CN204360795
【申請?zhí)枴緾N201520024291
【發(fā)明人】趙富盛
【申請人】天津市格通盛科技發(fā)展有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年1月14日