電力采集裝置制造方法
【專利摘要】本技術(shù)被描述為從一單一載流導(dǎo)體采集電力以提供電力到用電設(shè)備。本技術(shù)采用了耦接到導(dǎo)體的電力采集裝置。在實(shí)施例中，導(dǎo)體具有第一通路和第二通路。電力采集裝置包括耦接到第二通路的第一開(kāi)關(guān)。能量?jī)?chǔ)存元件耦接到第一通路，并被配置成以基于流過(guò)第一通路的直流電流儲(chǔ)存能量。電力采集裝置還包括耦接到能量?jī)?chǔ)存元件的電力狀況和管理裝置，其配置為當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定高壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為閉合配置，以及當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定低壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為打開(kāi)配置。
【專利說(shuō)明】電力采集裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電力采集裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]提供電能給遠(yuǎn)程的或不常訪問(wèn)的電氣或電子設(shè)備經(jīng)常是必需的。然而，在許多情況下，傳輸電能給這些設(shè)備所需的基礎(chǔ)設(shè)施是不可用的成者安裝起來(lái)過(guò)于昂貴。例如，監(jiān)控光伏(PV)太陽(yáng)能裝置的系統(tǒng)采用監(jiān)控該裝置的光伏模塊并傳送描述模塊的運(yùn)行信息到中央網(wǎng)關(guān)的傳感器，其中信息在中央網(wǎng)關(guān)中被收集以待處理。這些監(jiān)控系統(tǒng)日益采用無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)(WSN)配置，其中傳感器與發(fā)射機(jī)一起被提供以通過(guò)發(fā)送到網(wǎng)關(guān)(例如，發(fā)送到耦接到網(wǎng)關(guān)的接收機(jī))的無(wú)線信號(hào)傳送信息。由于與一些光伏太陽(yáng)能裝置的尺寸相比發(fā)射機(jī)具有有限的范圍，因此監(jiān)控系統(tǒng)可進(jìn)一步采用收發(fā)器以重新生成和轉(zhuǎn)發(fā)無(wú)線信號(hào)。然而，提供電能以為收發(fā)器供電增加了光伏太陽(yáng)能裝置的基礎(chǔ)設(shè)施，其可位于偏遠(yuǎn)地區(qū)，從而不常被訪問(wèn)，使得這樣的基礎(chǔ)設(shè)施的增加造價(jià)昂貴。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明描述了從單一導(dǎo)體(例如，輸送直流電流或交流電流的電線)采集電力以提供電力到用電設(shè)備，例如傳感器，發(fā)射機(jī)，收發(fā)器，電動(dòng)機(jī)，開(kāi)關(guān)，它們的組合，等等。技術(shù)采用了耦接到導(dǎo)體的電力采集裝置。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，導(dǎo)體具有第一通路和第二通路。電力采集裝置包括耦接到第二通路的第一開(kāi)關(guān)，并具有打開(kāi)配置和閉合配置。能量?jī)?chǔ)存元件耦接到第一通路，并被配置成以基于流過(guò)第一通路的直流電流儲(chǔ)存能量。電力采集裝置還包括耦接到能量?jī)?chǔ)存元件的電力狀況和管理裝置。電力狀況和管理裝置被配置成以當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定高電壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為閉合配置，以及當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定低電壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為打開(kāi)配置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]詳細(xì)的說(shuō)明書(shū)參考附圖而被描述。在說(shuō)明書(shū)和附圖中不同實(shí)例中的相同附圖標(biāo)記的使用可表示相似或相同項(xiàng)。
[0005]圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明披露的一個(gè)示例實(shí)施例的電力采集裝置的示意圖；
[0006]圖2為圖1中示出的電力采集裝置的一個(gè)示例實(shí)施例的示意圖，其中電力采集裝置包括耗盡型器件和增強(qiáng)型器件；
[0007]圖3為圖1中示出的電力采集裝置的一個(gè)示例實(shí)施例的示意圖，其中電力采集裝置包括二極管和增強(qiáng)型器件；
[0008]圖4A為示出了根據(jù)本發(fā)明披露的另一示例實(shí)施例的另一電力采集裝置的示意圖；
[0009]圖4B為示出了圖4A中示出的電力采集裝置的一個(gè)示例實(shí)施例的電路圖；
[0010]圖5A為示出了根據(jù)本發(fā)明披露的另一示例實(shí)施例的另一電力采集裝置的示意圖；
[0011]圖5B為示出了圖5A中示出的電力采集裝置的一個(gè)示例實(shí)施例的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]鐘述
[0013]在很多情況下，希望從主機(jī)系統(tǒng)采集直流(DC)功率或交流(AC)功率，以為靠近主機(jī)系統(tǒng)的輔助電氣或電子設(shè)備供電。例如，電子元件，例如用于監(jiān)控光伏太陽(yáng)能裝置的運(yùn)行的監(jiān)控系統(tǒng)中的傳感器，發(fā)射機(jī)，收發(fā)器，等等，可從裝置中的光伏模塊采集電能。然而，通過(guò)光伏模塊提供被供給直流電流的正負(fù)導(dǎo)體(電線)間的連接是困難的。因?yàn)橛晒夥K供給的直流電流通常為高電壓，因此會(huì)要求從高電壓到低電壓的轉(zhuǎn)換。此外，正負(fù)導(dǎo)體(電線)常常不是成對(duì)工作，使得連接不能實(shí)施或不能實(shí)現(xiàn)。
[0014]從而，電力采集裝置被描述。該電力采集裝置被配置成以從一單一導(dǎo)體(例如，輸送直流電流或交流電流的電線)采集電力以提供電力到電氣或電子設(shè)備，例如傳感器，發(fā)射機(jī)，收發(fā)器，電動(dòng)機(jī)，開(kāi)關(guān)，等等(以下稱“用電設(shè)備”)。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，導(dǎo)體具有第一通路和第二通路。電力采集裝置包括耦接到第二通路的第一開(kāi)關(guān)，并具有打開(kāi)配置和閉合配置。例如，第一開(kāi)關(guān)可以為增強(qiáng)型晶體管器件，或類(lèi)似物。能量?jī)?chǔ)存元件，例如電容器，被耦接到第一通路，并被配置成以基于流過(guò)第一通路的直流電流儲(chǔ)存能量。電力采集裝置還包括耦接到能量?jī)?chǔ)存元件的電力狀況和管理裝置。電力狀況和管理裝置被配置成以當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定高電壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為閉合配置，以及當(dāng)能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有一預(yù)定低電壓閾值時(shí)切換第一開(kāi)關(guān)為打開(kāi)配置。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，電力狀況和管理裝置包括開(kāi)關(guān)模式電源(例如，升壓轉(zhuǎn)換器(boost converter)),其被配置為生成高于供給的直流輸入電壓的輸出直流電壓。輸出直流電壓被用于為用電設(shè)備供電。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，二極管，例如肖特基(schottky) 二極管，可被置于能量?jī)?chǔ)存元件之前以將交流電流整流為直流電流，從而基于整流的直流電流在能量?jī)?chǔ)存元件上生成電壓。
[0015]用電設(shè)備可包括收發(fā)器，其被配置成以傳送無(wú)線信號(hào)和/或接收無(wú)線信號(hào)。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，收發(fā)器可為符合IEEE802.15.4-2006標(biāo)準(zhǔn)的低功率收發(fā)器。傳感器可與收發(fā)器通信。傳感器可被配置成以測(cè)量一個(gè)或更多系統(tǒng)特征，并提供代表該特征的電信號(hào)給收發(fā)器用于信號(hào)傳輸。例如，傳感器可測(cè)量光伏(PV)模塊效率，數(shù)據(jù)中心溫度，等等。
[0016]因此，電力采集裝置不要求正負(fù)導(dǎo)體間的連接，由于導(dǎo)體的分離這會(huì)是不能實(shí)施或不能實(shí)現(xiàn)的。此外，由于裝置不穿過(guò)正負(fù)導(dǎo)體連接，因此裝置也就不要求從高壓到低壓的轉(zhuǎn)換。因此，電力采集裝置便于沿直流導(dǎo)體選擇性地安置用電設(shè)備。
[0017]示例的由力采集裝置
[0018]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明披露的一個(gè)示例實(shí)施例的電力采集裝置100。如圖所示，電力采集裝置100可操作以從單向配置的載流導(dǎo)體102采集電力。載流導(dǎo)體102輸送由電源103 (例如，直流電源或交流電源)提供的直流電流或交流電流。導(dǎo)體102可被以各種方式配置。例如，導(dǎo)體102可為絕緣的單一電線或電纜。然而，可以預(yù)期的是導(dǎo)體可為能夠輸送直流電流的任意傳導(dǎo)體。
[0019]如圖1中所示，采集裝置100包括第一開(kāi)關(guān)104和第二開(kāi)關(guān)106。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，第一和第二開(kāi)關(guān)104，106可以是晶體管，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)，絕緣柵雙極晶體管，機(jī)中繼電器，以及類(lèi)似物。開(kāi)關(guān)104，106具有打開(kāi)配置(例如，開(kāi)路以阻止電流流動(dòng))和閉合配置(例如，閉合電路以允許電流流動(dòng))。第一開(kāi)關(guān)104被配置為當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)106在打開(kāi)配置時(shí)處于閉合配置，反之亦然。如圖1中所示，第一開(kāi)關(guān)104被連接到導(dǎo)體102的第一通路102A，并且第二開(kāi)關(guān)106被連接到導(dǎo)體102的第二通路102B。開(kāi)關(guān)104，106的配置由本文描述的電力狀況和管理裝置108控制。例如，電力狀況和管理裝置108提供合適的電壓電平給開(kāi)關(guān)104，106，從而使得開(kāi)關(guān)104，106處于所需的配置(例如，打開(kāi)配置，閉合酉己置)。
[0020]如圖1中所示，電力狀況和管理裝置108包括開(kāi)關(guān)模式電源110。開(kāi)關(guān)模式電源110可以各種方式配置。例如，電源110可以為升壓轉(zhuǎn)換器，或類(lèi)似物。電源110被配置成以提供輸出直流電壓，其高于供給電源110的直流輸入電壓。輸入電壓和輸出電壓取決于電力采集裝置100的特定改計(jì)要求而可變。
[0021]電力狀況和管理裝置108可進(jìn)一步包括處理設(shè)備，例如微處理器112，以提供電壓檢測(cè)功能，并從功能上控制開(kāi)關(guān)。微處理器112被配置來(lái)(例如，包括電子電路，其被配置以)檢測(cè)裝置108上的直流輸入電壓。微處理器112還被配置作為檢測(cè)的(例如，測(cè)量的)直流輸入電壓的函數(shù)來(lái)控制開(kāi)關(guān)104，106的配置。例如，當(dāng)檢測(cè)到一預(yù)定高電壓閾值時(shí)，微處理器112可提供一個(gè)打開(kāi)配置信號(hào)(例如，電壓信號(hào)，等等)給第一開(kāi)關(guān)104和提供一個(gè)閉合配置信號(hào)(例如，電壓信號(hào)，等等)給第二開(kāi)關(guān)106。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，預(yù)定高電壓閾值可為允許電力狀況和管理裝置108的充分運(yùn)行所要求的電壓的大約百分之九十(90% )。相反的，當(dāng)檢測(cè)到一預(yù)定低電壓閾值時(shí)，微處理器112可提供一個(gè)閉合配置信號(hào)給第一開(kāi)關(guān)104和提供一個(gè)打開(kāi)配置信號(hào)給第二開(kāi)關(guān)106。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，預(yù)定低電壓閾值可為允許電力狀況和管理裝置108的充分運(yùn)行所要求的電壓的大約百分之五十(50%)。然而，取決于特定的應(yīng)用設(shè)計(jì)要求，可以使用其他預(yù)定的高低閾值。此外，預(yù)定的高低閾值可基于與電力狀況和管理裝置108相聯(lián)系的硬件要求而被選擇，等等。
[0022]如圖1中所示，能量?jī)?chǔ)存元件114與電力狀況和管理裝置108電通信。能量?jī)?chǔ)存元件114可以各種方式配置。例如，能量?jī)?chǔ)存元件114可為電容器，電感器，或能夠儲(chǔ)存能量的任何其他元件。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)104處于閉合配置時(shí)，儲(chǔ)存元件114由于流過(guò)第一開(kāi)關(guān)104的電流儲(chǔ)能。當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)104處于打開(kāi)配置時(shí)，電流流經(jīng)第二開(kāi)關(guān)106，并允許儲(chǔ)存元件114釋放能量。在一個(gè)或更多實(shí)施例中，儲(chǔ)存元件114上的電壓被提供給電力狀況和管理裝置108作為開(kāi)關(guān)模式電源110的直流輸入電壓。如上所述，電源110被配置為生成高于直流輸入電壓的直流輸出電壓。輸出電壓隨后被用來(lái)至少部分地為微處理器112和與采集裝置100相連接的其他用電設(shè)備供電。
[0023]如上所述，電力采集裝置100被配置成以從載流導(dǎo)體(例如，導(dǎo)體102)采集能量。第一開(kāi)關(guān)104初始處于閉合配置，由于允許電流至少大部分流經(jīng)第一開(kāi)關(guān)104和第一通路102A，從而允許能量?jī)?chǔ)存元件114儲(chǔ)存能量(例如，在電容器的例子中為電荷，等等)。此夕卜，第二開(kāi)關(guān)106初始處于打開(kāi)配置，以阻止至少大部分電流流經(jīng)開(kāi)關(guān)106，并因此阻止至少大部分電流流經(jīng)第二通路102B。一旦在儲(chǔ)存元件114上檢測(cè)到(例如，通過(guò)電力狀況和管理裝置108)預(yù)定的高輸入電壓閾值，裝置108提供一個(gè)打開(kāi)信號(hào)給第一開(kāi)關(guān)104以切換到打開(kāi)配置，以及提供一個(gè)閉合信號(hào)給第二開(kāi)關(guān)106以切換到閉合配置。該開(kāi)關(guān)配置允許電流流經(jīng)第二開(kāi)關(guān)106，并阻止電流流經(jīng)第一開(kāi)關(guān)104。一旦在儲(chǔ)存元件114上檢測(cè)到預(yù)定的低輸入電壓閾值，裝置108提供閉合信號(hào)給第一開(kāi)關(guān)104以切換到閉合配置，以及提供打開(kāi)信號(hào)給第二開(kāi)關(guān)106以切換到打開(kāi)配置。電流隨后流經(jīng)第一開(kāi)關(guān)104以給能量?jī)?chǔ)存元件114再次充電至預(yù)定高電壓閾值。
[0024]如圖1中所示，電力采集裝置100還被連接到負(fù)載109?？梢灶A(yù)期負(fù)載109可包括任意傳統(tǒng)的負(fù)載元件。例如，負(fù)載109可包括電容性負(fù)載，電抗性負(fù)載，電阻性負(fù)載，電感性負(fù)載，它們的組合，或者類(lèi)似物。
[0025]圖2示出了電力采集裝置100的一個(gè)可能的實(shí)施例。如圖所示，第一開(kāi)關(guān)104包括耗盡型MOSFET器件116，并且第二開(kāi)關(guān)106包括增強(qiáng)型MOSFET器件118。耗盡型MOSFET器件116被配置成使得即使零電壓施加在器件116的柵源極上導(dǎo)通通道也存在(例如，閉合配置)。因此，耗盡型器件116是典型可操作的，直至足夠的電壓被施加以耗盡阻止電流流動(dòng)(例如，打開(kāi)配置)的通道。增強(qiáng)型器件118最初沒(méi)有導(dǎo)通通道(例如，打開(kāi)配置)。當(dāng)足夠的電壓(例如，高于閾值電壓(“Vt))被施加在器件118的柵源極間時(shí)，在增強(qiáng)型MOSFET器件118中產(chǎn)生導(dǎo)通通道(例如，閉合配置)?？梢灶A(yù)期MOSFET器件118為η型MOSFET器件或P型MOSFET器件。
[0026]如圖所示，能量?jī)?chǔ)存元件114包括電容器120，其設(shè)置在電力狀況和管理裝置108的第一端122和第二端124之間。電容器120可以各種方式配置。例如，電容器120可被配置成以儲(chǔ)存電荷，從而電容器120的電壓可為至少約3.3V。在另一示例中，電容器120可被配置成以儲(chǔ)存電荷，從而電容器120的電壓約為5V。電容器120的值根據(jù)儲(chǔ)能量和根據(jù)設(shè)計(jì)的操作電壓由以下等式確定:
[0027]
【權(quán)利要求】
1.一種電力采集裝置，包括: 配置為輸送電流的導(dǎo)體，該導(dǎo)體具有第一通路和第二通路； 耦接到所述第一通路的能量?jī)?chǔ)存元件，該能量?jī)?chǔ)存元件配置為基于流過(guò)所述第一通路的電流儲(chǔ)存能量； 耦接到所述導(dǎo)體的第二通路的第一開(kāi)關(guān)，該第一開(kāi)關(guān)具有打開(kāi)配置和閉合配置； 耦接到所述能量?jī)?chǔ)存元件的電力狀況和管理裝置，該電力狀況和管理裝置被配置為當(dāng)所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有高于預(yù)定高壓閾值的電壓時(shí)切換所述第一開(kāi)關(guān)到閉合配置，以及當(dāng)所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有低于預(yù)定低壓閾值的電壓時(shí)切換所述第一開(kāi)關(guān)到打開(kāi)配置； 所述電流被配置為當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)處于允許所述能量?jī)?chǔ)存元件釋放儲(chǔ)存的能量的閉合配置時(shí)至少基本流過(guò)所述第二通路以及被配置為當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)處于允許所述能量?jī)?chǔ)存元件儲(chǔ)存能量的打開(kāi)配置時(shí)至少基本流過(guò)所述第一通路。
2.如權(quán)利要求1所述的電力采集裝置，其中所述電力狀況和管理裝置包括微處理器，該微處理器被配置成測(cè)量預(yù)定高閾值電壓和預(yù)定低閾值電壓，以及控制所述第一開(kāi)關(guān)，使得所述第一開(kāi)關(guān)在所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有高于預(yù)定低壓閾值的電壓時(shí)切換到所述打開(kāi)配置以及當(dāng)所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有低于預(yù)定高壓閾值的電壓時(shí)切換到所述閉合配置。
3.如權(quán)利要求2所述的電力采集裝置，其中所述電力狀況和管理裝置包括開(kāi)關(guān)模式電源，該開(kāi)關(guān)模式電源被配置為基于所述能量?jī)?chǔ)存元件上的電壓接收輸入直流電壓，所述電力狀況和管理裝置被配置成以提供高于所述輸入直流電壓的輸出直流電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的電力采集裝置，進(jìn)一步包括耦接到所述導(dǎo)體的第一通路的第二開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)具有打開(kāi)配置和閉合配置，其中所述電力狀況和管理裝置進(jìn)一步被配置成當(dāng)所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有預(yù)定高壓閾值時(shí)切換所述第二開(kāi)關(guān)到所述打開(kāi)配置，以及當(dāng)所述能量?jī)?chǔ)存元件被測(cè)量為具有預(yù)定低壓閾值時(shí)切換所述第二開(kāi)關(guān)到所述閉合配置。
5.如權(quán)利要求4所述的電力采集裝置，其中所述第一開(kāi)關(guān)包括增強(qiáng)型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，所述第二開(kāi)關(guān)包括耗盡型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。
6.如權(quán)利要求1所述的電力采集裝置，進(jìn)一步包括耦接到所述第一通路的二極管，其中當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)處于所述打開(kāi)配置時(shí)，所述電流至少基本上流過(guò)第一通路，允許所述能量?jī)?chǔ)存元件儲(chǔ)存能量，以及當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)處于所述閉合配置時(shí)，所述直流電流至少基本上流過(guò)第二通路，允許所述能量?jī)?chǔ)存元件釋放儲(chǔ)存的能量。
7.如權(quán)利要求6所述的電力采集裝置，其中所述導(dǎo)體被配置成以輸送交流電流，所述二極管包括肖特基二極管，該肖特基二極管被配置成以將所述交流電流整流為直流電流，以使所述能量?jī)?chǔ)存元件基于所述直流電流儲(chǔ)存能量。
8.如權(quán)利要求1所述的電力采集裝置，其中所述能量?jī)?chǔ)存元件是電容器。
9.一種電力采集裝置，包括: 晶體管，該晶體管被耦接到配置為輸送直流的導(dǎo)體，所述晶體管具有打開(kāi)配置和閉合配置；耦接到所述導(dǎo)體的二極管，該二極管配置為產(chǎn)生電壓降； 耦接到所述導(dǎo)體的升壓轉(zhuǎn)換器，該升壓轉(zhuǎn)換器被配置成以基于所述電壓降接收輸入直流電壓，所述升壓轉(zhuǎn)換器被配置成以提供輸出直流電壓，該輸出直流電壓高于所述輸入直流電壓；以及 耦接到所述升壓轉(zhuǎn)換器的電容器，該電容器被配置為基于所述輸出直流電壓儲(chǔ)存電荷以便為用電設(shè)備供電，該用電設(shè)備可操作以檢測(cè)儲(chǔ)存的電荷的低的閾值和儲(chǔ)存的電荷的高的閾值，并當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于所述低的閾值時(shí)導(dǎo)致所述晶體管切換到所述打開(kāi)配置，以及當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于所述高的閾值時(shí)導(dǎo)致所述晶體管切換到所述閉合配置。
10.如權(quán)利要求9所述的電力采集裝置，其中所述用電設(shè)備包括微處理器，該微處理器被配置成測(cè)量?jī)?chǔ)存的電荷并控制所述晶體管，使得當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于低的閾值時(shí)所述晶體管切換到所述打開(kāi)配置，以及當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于高的閾值時(shí)所述晶體管切換到所述閉合配置。
11.如權(quán)利要求9所述的電力采集裝置，進(jìn)一步包括與所述電容器并聯(lián)設(shè)置的指示器，該指示器被配置成以當(dāng)所述電力采集裝置被以正確的極性耦接到所述導(dǎo)體時(shí)提供指示。
12.如權(quán)利要求9所述的電力采集裝置，其中所述用電設(shè)備包括收發(fā)器，該收發(fā)器被配置成發(fā)送和接收無(wú)線信號(hào)。
13.如權(quán)利要求9所述的電力采集裝置，其中所述二極管包括肖特基二極管。
14.一種電力采集裝置 ，包括: 配置為輸送直流的導(dǎo)體，該導(dǎo)體具有至少第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)； 晶體管，該晶體管具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的源極、連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的漏極，以及柵極，所述晶體管被配置為具有打開(kāi)配置和閉合配置； 二極管，該二極管具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的陽(yáng)極端子和連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的陰極端子，所述二極管被配置為在所述陽(yáng)極端子和所述陰極端子之間產(chǎn)生電壓降； 升壓轉(zhuǎn)換器，該升壓轉(zhuǎn)換器具有連接到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一升壓轉(zhuǎn)換器端子、連接到所述第二節(jié)點(diǎn)的第二升壓轉(zhuǎn)換器端子，所述第一升壓轉(zhuǎn)換器端子和所述第二升壓轉(zhuǎn)換器端子被配置為接收由電壓降產(chǎn)生的輸入直流電壓，所述升壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)一步具有第三升壓轉(zhuǎn)換器端子和第四升壓轉(zhuǎn)換器端子以提供輸出直流電壓，該輸出直流電壓高于所述輸入直流電壓； 電容器，該電容器設(shè)置在所述第三升壓轉(zhuǎn)換器端子和所述第四升壓轉(zhuǎn)換器端子之間，所述電容器被配置為基于所述輸出直流電壓儲(chǔ)存電荷；以及 用電設(shè)備，該用電設(shè)備具有耦接到所述第三升壓轉(zhuǎn)換器端子的第一用電設(shè)備端子以及耦接到所述第四升壓轉(zhuǎn)換器端子的第二用電設(shè)備端子，使得所述用電設(shè)備至少部分地由儲(chǔ)存的電荷供電，所述用電設(shè)備具有耦接到所述晶體管的柵極的第三用電設(shè)備端子，使得當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于低的閾值時(shí)所述晶體管切換到所述打開(kāi)配置，以及當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于高的高值時(shí)所述晶體管切換到所述閉合配置。
15.如權(quán)利要求14所述的電力采集裝置，其中所述用電設(shè)備包括微處理器，該微處理器被配置成測(cè)量?jī)?chǔ)存的電荷并控制所述晶體管，使得當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于低的閾值時(shí)所述晶體管切換到所述打開(kāi)配置，以及當(dāng)儲(chǔ)存的電荷處于高的閾值時(shí)所述晶體管切換到所述閉合配置。
16.如權(quán)利要求14所述的電力采集裝置，其中所述用電設(shè)備至少基本上由儲(chǔ)存的電荷供電。
17.如權(quán)利要求14所述的電力采集裝置，進(jìn)一步包括與所述電容器并聯(lián)設(shè)置的指示器，該指示器被配置成以當(dāng)所述電力采集裝置被以正確的極性耦接到所述導(dǎo)體時(shí)提供指/Jn ο
18.如權(quán)利要求17所述的電力采集裝置，其中所述指示器為發(fā)光設(shè)備。
19.如權(quán)利要求14所述的電力采集裝置，其中所述用電設(shè)備包括收發(fā)器，該收發(fā)器被配置成以發(fā)送和接收無(wú)線信號(hào)。
20.如權(quán)利要求 14所述的電力采集裝置，其中所述二極管包括肖特基二極管。
【文檔編號(hào)】H02M3/156GK103814510SQ201280033037
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月1日
【發(fā)明者】M·哈桑-阿里, B·戈盧伯維克 申請(qǐng)人:泰科電子公司