專利名稱：電壓瞬變保護系統(tǒng)及電壓調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
總的來說，本實用新型涉及電壓調(diào)節(jié)器，具體地說，涉及調(diào)節(jié)器瞬變過壓保護。
背景技術(shù)：
電壓調(diào)節(jié)器的電源上的瞬變電壓在瞬變包括調(diào)節(jié)器的控制回路帶寬之外的頻率時，可能會被傳遞到調(diào)節(jié)器的輸出端。這種瞬變會致使與調(diào)節(jié)器的輸出端相連的器件出現(xiàn)問題?？稍陔娐分惺褂谬R納二極管來減輕這種瞬變電壓的影響。例如，圖1大體示出了被配置為將來自電壓源的瞬變電壓連到該電源的參考電壓(例如，地)的齊納二極管101。圖2示出了位于調(diào)節(jié)器驅(qū)動電路中的齊納二極管201，該齊納二極管201被配置為在接收到輸入電壓Vin過壓瞬變時，對調(diào)節(jié)器輸出晶體管進行關(guān)斷或限流。

實用新型內(nèi)容在一個示例中，可使用本文中所描述的過壓瞬變保護電路來保護低壓電子裝置免受可能流過電壓調(diào)節(jié)器的高頻、高壓瞬變的影響，在某些示例中，該過壓瞬變保護電路除其它內(nèi)容之外，包括低通濾波器和過壓保護晶體管。在一個示例中，過壓瞬變保護電路可包括:第一晶體管，其包括控制節(jié)點、第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點；以及低通濾波器，其被配置為連接到第一晶體管的控制節(jié)點，并且當(dāng)電源電壓的電壓變化超出閾值時，將所述第一晶體管切換到第一狀態(tài)。在某些示例中，在第一狀態(tài)下的第一晶體管可被配置為將第二晶體管的控制節(jié)點連接到電源電壓，以保護與調(diào)節(jié)器晶體管相連的部件。在一個示例中，一種電壓瞬變保護系統(tǒng)，包括:第一晶體管；第二晶體管；以及低通濾波器，其中，所述第一晶體管被配置為使用所述低通濾波器檢測電壓瞬變，并且關(guān)斷所述第二晶體管以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響。在一個示例中，一種電壓調(diào)節(jié)器，包括:調(diào)節(jié)器晶體管，被配置為接收電源電壓，并提供經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓；調(diào)節(jié)器控制器，被配置為控制所述調(diào)節(jié)器晶體管；保護電路，被配置為檢測所述電源電壓中的瞬變電壓，并在電壓瞬變期間將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)，其中，所述保護電路包括:第一晶體管；以及電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)；其中，所述第一晶體管被配置為使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測電壓瞬變，并且將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)以保護與所述調(diào)節(jié)器晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響；[0017]其中，所述第一晶體管包括控制節(jié)點，并且所述第一晶體管被配置為通過所述RC網(wǎng)絡(luò)在所述控制節(jié)點處接收所述電源電壓；其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點直接連接到所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器；其中，所述第一晶體管包括第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述電源電壓，并且所述第二開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述調(diào)節(jié)器晶體管的控制節(jié)點；其中，所述調(diào)節(jié)器晶體管被配置為當(dāng)所述第一晶體管使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測到所述電壓瞬變時，通過所述第一晶體管接收所述電源電壓；其中，所述電壓瞬變包括:到達(dá)所述電壓調(diào)節(jié)器的回路帶寬之上的電源電壓增大。該概述旨在提供對本專利申請的主題的概述，并非旨在提供對本實用新型的排他性或窮盡性解釋。包含具體實施方式
是為了提供與本專利申請有關(guān)的其它信息。

在附圖(其不一定按比例繪制)中，相似的附圖標(biāo)記可在不同的視圖中描述相似的部件。具有不同字母后綴的相似附圖標(biāo)記可表示相似部件的不同例子。附圖以示例而非限制的方式大體示出了本文中所論述的各個實施例。圖1和2示出了用于降低電源電壓瞬變對調(diào)節(jié)器輸出電壓的影響的裝置；圖3大體示出了針對不具備魯棒性(robust)過壓瞬變保護的調(diào)節(jié)器的、包括電源電壓和調(diào)節(jié)器輸出電壓在內(nèi)的示例性電壓調(diào)節(jié)器信號；圖4大體示出了用于電壓調(diào)節(jié)器的示例性過壓保護電路；圖5大體示出了針對采用如圖2所示的示例性過壓保護電路的調(diào)節(jié)器的、包括電源電壓和調(diào)節(jié)器輸出電壓在內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器信號。
具體實施方式
低壓半導(dǎo)體技術(shù)可允許器件在非常低的電源電壓下工作。這種技術(shù)可提供提高的能量效率，同時還使用可更經(jīng)濟高效地生產(chǎn)的低壓器件?？墒褂秒妷赫{(diào)節(jié)器來將較高的電源電壓轉(zhuǎn)換成較低的工作電壓。在某些示例中，調(diào)節(jié)器可使用高壓半導(dǎo)體器件(例如，被設(shè)計為使用5伏電源等進行工作的器件)來調(diào)節(jié)電壓，以供低壓器件(例如，被設(shè)計為使用
1.8伏電源等進行工作的器件)來使用。通常，低壓器件不能用于調(diào)節(jié)較高的電壓，因為較高的電壓或與電源電壓相關(guān)聯(lián)的瞬變，可能會損壞低壓器件，例如在低壓晶體管中所使用的低壓氧化物。圖3大體示出了針對不具備魯棒性過壓瞬變保護的調(diào)節(jié)器的、包括電源電壓301和調(diào)節(jié)器輸出電壓302在內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器信號。調(diào)節(jié)器可以被設(shè)計為提供約2伏的調(diào)節(jié)器輸出電壓102。在一個示例中，電源電壓301最初可約為2.7伏，直到約200微秒之后才變化。在約200微秒時，電源電壓301快速升高，例如在5納秒之內(nèi)升高到約7.7伏。響應(yīng)于電源電壓301從約2.7伏升高到約7.7伏，調(diào)節(jié)器輸出電壓302在被箝位之前，基本上隨之升高到約4伏，然后在調(diào)節(jié)器的控制之下，在約235微秒時到達(dá)期望電壓(例如，2伏)。低壓器件(例如，被設(shè)計為使用1.8伏標(biāo)稱電源進行工作的晶體管)在被施加約4伏的瞬變電壓時可能會受到損壞。[0030]圖4大體示出了用于電壓調(diào)節(jié)器400的示例性過壓瞬變保護電路401。在某些示例中，調(diào)節(jié)器400可包括控制器402以及一個或多個輸出或調(diào)節(jié)器晶體管403?？刂破?02可使用可用電源電壓Vdd來驅(qū)動輸出晶體管403的柵極，從而將調(diào)節(jié)器400的輸出端408維持在期望標(biāo)稱電SVott。在某些示例中，過壓瞬變保護電路401可接收電源電壓VDD，可檢測電源電壓Vdd的高頻瞬變，并且可為輸出晶體管403的柵極提供超馳命令信號，以防止輸出晶體管403將電源電壓Vdd連接到輸出端408。在某些示例中，超馳命令信號可通過將電源電壓Vdd的瞬變與輸出端408相隔離來降低對連接到輸出晶體管403的低壓部件的損壞。在一個示例中，過壓瞬變保護電路401可包括低通濾波器204，所述低通濾波器204例如為電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)，其包括電阻器406和電容器407，電阻器406和電容器407均連接到過壓保護晶體管405的柵極。在一個示例中，低通濾波器404的電阻器406可連接到電源電壓VDD，低通濾波器404的電容器407可與電阻器406和第二電源電壓Vss (例如，參考電壓或地)串聯(lián)連接。在一個示例中，電容器407可充電至電源電壓Vdd，并將過壓保護晶體管405維持在高阻抗?fàn)顟B(tài)下，使得輸出晶體管403的柵極與電源電壓Vdd相隔離。當(dāng)電源電壓Vdd發(fā)生電壓瞬變時，電容器407兩端的電壓可根據(jù)與低通濾波器404相關(guān)聯(lián)的時間常數(shù)而改變。對于高頻瞬變，例如在控制器202的帶寬之外的瞬變，低通濾波器404可被配置為使得電容器407兩端的電壓相對于瞬變電壓上升來說上升得較為緩慢。在一個示例中，當(dāng)電源電壓Vdd發(fā)生高速瞬變時，過壓保護晶體管405的源極可追隨電源電壓VDD。在過壓保護晶體管405柵極處的由低通濾波器404導(dǎo)致的電壓較為緩慢的上升可產(chǎn)生足夠高的柵源電壓(Vgs)，使得過壓保護晶體管405可開始導(dǎo)通，并且將輸出晶體管403的柵極連接到電源電壓VDD。在一個示例中，將輸出晶體管403(例如PMOS輸出晶體管)連接到電源電壓可關(guān)斷輸出晶體管403 (例如，進入高阻抗?fàn)顟B(tài))，并且迫使輸出晶體管403 “截止”。在截止時，調(diào)節(jié)器400的輸出端408可與電源電壓Vdd (包括電源電壓Vdd的電壓瞬變)相隔離。因此，電容器407的電壓的較為緩慢的上升可接通過壓保護晶體管405(例如，進入低阻抗?fàn)顟B(tài))，從而在電源電壓Vdd與輸出晶體管403的柵極之間產(chǎn)生低阻抗路徑。在一個示例中，該低阻抗路徑可防止輸出晶體管403導(dǎo)通，并且可將調(diào)節(jié)器的輸出端408與電源電壓Vdd (包括電源電壓Vdd的電壓瞬變)相隔離。在電源電壓Vdd與輸出晶體管403的柵極之間的低阻抗路徑可超馳控制器402的輸出命令信號。在一個示例中，低阻抗路徑可關(guān)斷輸出晶體管403，從而將電源電壓Vdd與調(diào)節(jié)器的輸出端408Vtot相隔離，直到電容器407充分充電到關(guān)斷過壓保護晶體管405為止。由電容器407的充電造成的延遲可長到足以允許控制器402將輸出晶體管403的柵極驅(qū)動調(diào)節(jié)到新的輸入電源電壓VDD。在各個實施例中，低通濾波器404的特性(例如，時間常數(shù)，截止頻率等)可由用戶進行設(shè)置(例如通過選擇提供特定時間常數(shù)的部件等來設(shè)置)，可以是可調(diào)的(例如，通過使用可調(diào)部件等來調(diào)節(jié))，或者可以是可編程的(例如通過使用控制器402等來編程)。在某些示例中，低通濾波器404和過壓保護晶體管405可包括在一集成電路中。在一個示例中，控制器402和過壓瞬變保護電路401可包括在一集成電路中。圖5大體示出了針對采用如圖4所示的示例性過壓保護電路的調(diào)節(jié)器的、包括電源電壓501和調(diào)節(jié)器輸出電壓502在內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器信號。該調(diào)節(jié)器可被設(shè)計為提供約2伏的調(diào)節(jié)器輸出電壓502。電源電壓501最初約為2.7伏，直到約200微秒之后才變化。在約200微秒時，電源電壓501快速升高，例如，在5納秒之內(nèi)升高到約7.7伏。響應(yīng)于電源電壓501從約2.7伏升高到約7.7伏，調(diào)節(jié)器輸出電壓502基本上隨之升高到約2.5伏。隨著電源電壓升高，低通濾波器例如通過為該低通濾波器的電容器充電來延遲過壓保護晶體管的柵極電壓的上升。隨著電源電壓繼續(xù)爬升，過壓保護晶體管因柵極與源極之間的電壓差而接通。過壓保護晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)可在電源電壓與輸出晶體管的柵極之間產(chǎn)生低阻抗路徑。該低阻抗路徑可提高輸出晶體管的柵極上的電壓，并且可使輸出晶體管保持截止，從而使輸出電壓502與電源電壓501相隔離。當(dāng)?shù)屯V波器允許過壓保護晶體管的柵極上升時，過壓保護晶體管可關(guān)斷，從而解除輸出晶體管對調(diào)節(jié)器控制器的控制。在某些實施例中，由過壓瞬變保護電路產(chǎn)生的控制延遲可允許調(diào)節(jié)器控制器被調(diào)節(jié)到輸入電壓的電平，同時將輸出電壓與輸入電壓瞬變的侵犯性改變相隔離。以上針對電壓調(diào)節(jié)器所描述的電壓是用于例示的目的，而不應(yīng)被解釋為限制本主題。應(yīng)理解，在不偏離本主題的范圍的情況下，也可使用其他的調(diào)節(jié)器電源電壓和輸出電壓。補充注釋&示例在示例I中，一種系統(tǒng)可包括:第一晶體管、第二晶體管以及低通濾波器，其中，所述第一晶體管被配置為使用所述低通濾波器檢測電壓瞬變，并且關(guān)斷所述第二晶體管以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響。在示例2中，示例I所述的第一晶體管可選地包括控制節(jié)點，并且所述第一晶體管被配置為通過所述低通濾波器在所述控制節(jié)點處接收電源電壓。在示例3中，示例1-2中一個或兩個以上示例所述的第二晶體管可選地被配置為當(dāng)所述第一晶體管使用所述低通濾波器檢測到所述電壓瞬變時，通過所述第一晶體管接收所述電源電壓。在示例4中，示例1-3中一個或兩個以上示例所述的系統(tǒng)可選地包括:被配置為從所述第二晶體管接收經(jīng)調(diào)節(jié)的電壓的低壓部件，其中，所述第一晶體管和所述低通濾波器被配置為保護所述低壓部件免受所述電壓瞬變的影響。在示例5中，示例1-4中一個或兩個以上示例所述的電壓瞬變可選地包括:到達(dá)包括所述第二晶體管在內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器的回路帶寬之上的電源電壓增大。在示例6中，示例1-5中一個或兩個以上示例所述的第二晶體管可選地包括調(diào)節(jié)器電路的輸出晶體管，并且其中，所述電壓瞬變包括:到達(dá)所述調(diào)節(jié)器電路的回路帶寬之上的電源電壓增大。在示例7中，示例1-6中一個或兩個以上示例所述的第一晶體管可選地包括控制節(jié)點、第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，其中，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為連接到電源電壓。在示例8中，示例1-7中一個或兩個以上示例所述的第二開關(guān)節(jié)點可選地被配置為連接到所述第二晶體管的控制節(jié)點。在示例9中，示例1-8中一個或兩個以上示例所述的低通濾波器可選地包括電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)。在示例10中，示例1-9中一個或兩個以上示例所述的第一晶體管的控制節(jié)點可選地直接連接到所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器。在示例11中，示例1-10中一個或兩個以上示例所述的電容器可選地直接接地。[0050]在示例12中，示例1-11中一個或兩個以上示例所述的RC網(wǎng)絡(luò)的電阻器可選地連接在所述第一晶體管的控制節(jié)點與所述電源電壓之間。在示例13中，示例1-12中一個或兩個以上示例所述的第一晶體管可選地包括PMOS晶體管,并且示例1-12中一個或兩個以上示例所述的第二晶體管可選地包括PMOS晶體管。在示例14中，一種方法可包括:使用第一晶體管和電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)檢測電壓瞬變；以及關(guān)斷第二晶體管，以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響。在示例15中，示例1-14中一個或兩個以上示例所述的檢測電壓瞬變可選地包括:使用所述第一晶體管和所述電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)檢測電源電壓的電壓瞬變。在示例16中，示例1-15中一個或兩個以上示例所述的檢測電壓瞬變可選地包括:使用所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器來延遲所述第一晶體管的控制節(jié)點隨所述電壓瞬變而產(chǎn)生的響應(yīng)。在示例17中，示例1-16中一個或兩個以上示例所述的關(guān)斷第二晶體管可選地包括:使用所述第一晶體管的控制節(jié)點對瞬變電壓的延遲響應(yīng)，來將所述第一晶體管切換到導(dǎo)通狀態(tài)。在示例18中，示例1-17中一個或兩個以上示例所述的關(guān)斷第二晶體管可選地包括:使用所述第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)來將所述第二晶體管的控制節(jié)點連接到所述電壓源。在示例19中，一種裝置可包括:第一晶體管，其包括控制節(jié)點、第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為接收電源電壓，所述第二開關(guān)節(jié)點被配置為連接到第二晶體管的控制節(jié)點，所述第一晶體管在第一狀態(tài)下被配置為將所述第二晶體管的控制節(jié)點連接到所述電源電壓以保護與所述調(diào)節(jié)器晶體管相連的部件；以及低通濾波器，被配置為連接到所述第一晶體管的控制節(jié)點，并且當(dāng)所述電源電壓的電壓變化超出閾值時將所述第一晶體管切換到所述第一狀態(tài)。在示例20中，示例1-19中一個或兩個以上示例所述的第一晶體管可選地包括PMOS晶體管,并且示例1-19中一個或兩個以上示例所述的第二晶體管可選地包括PMOS晶體管。在示例21中，示例1-20中一個或兩個以上示例所述的第一晶體管和低通濾波器可選地包括在一集成電路中。在示例22中，示例1-21中一個或兩個以上示例所述的低通濾波器可選地包括電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)。在示例23中，一種電壓調(diào)節(jié)器可包括:調(diào)節(jié)器晶體管，被配置為接收電源電壓，并提供經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓；調(diào)節(jié)器控制器，被配置為控制所述調(diào)節(jié)器晶體管；保護電路，被配置為檢測所述電源電壓中的瞬變電壓，并在電壓瞬變期間將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)。所述保護電路可包括:第一晶體管；電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)。所述第一晶體管可被配置為使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測電壓瞬變，并且將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響。所述第一晶體管可包括控制節(jié)點，并且所述第一晶體管可被配置為通過所述RC網(wǎng)絡(luò)在所述控制節(jié)點處接收電源電壓。所述第一晶體管的控制節(jié)點可直接連接到所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器。所述第一晶體管可包括第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述電源電壓，并且所述第二開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述調(diào)節(jié)器晶體管的控制節(jié)點。所述調(diào)節(jié)器晶體管可被配置為當(dāng)所述第一晶體管使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測到所述電壓瞬變時，通過所述第一晶體管接收所述電源電壓。所述電壓瞬變可包括:到達(dá)所述電壓調(diào)節(jié)器的回路帶寬之上的電源電壓增大。在示例24中，示例1-23中一個或兩個以上示例所述的調(diào)節(jié)器控制器和保護電路可選地包括在一集成電路中。上述詳細(xì)說明參照了附圖，附圖也是所述詳細(xì)說明的一部分。附圖通過舉例說明的方式示出了可以實施本實用新型的具體實施例。在本申請中，這些實施例也可以稱作“示例”。除了所示出或所描述的那些要素以外，這些示例還可以包括其他的要素。然而，本發(fā)明人還設(shè)想了在其中僅提供了所示出或所描述的那些要素的示例。此外，本發(fā)明人還參照特定的示例(或者其一個或兩個以上的方面)或者參照本申請所示出或所描述的其他示例(或者其一個或兩個以上的方面)，設(shè)想了使用所示出或所描述的那些要素(或者其一個或兩個以上的方面)的任意組合或排列的示例。本申請所涉及的所有出版物、專利及專利文件全部作為本實用新型的參考內(nèi)容，盡管它們是分別加以參考的。如果本申請與參考文件之間存在使用差異，則將參考文件的使用視作本申請的使用的補充，若兩者之間存在不可調(diào)和的差異，則以本申請的使用為準(zhǔn)。在本申請中，與專利文件通常使用的一樣，術(shù)語“一”或“某一”表示包括一個或兩個以上，這與使用“至少一個”或“一個或多個”的其他例子沒有關(guān)系。在本申請中，除非另外指明，否則使用術(shù) 語“或”指無排他性的或者，使得“A或B”包括:“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在本申請中，術(shù)語“包含”和“在其中”等同于各個術(shù)語“包括”和“其中”的通俗英語。同樣，在所附的權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“包括”是開放性的，即，系統(tǒng)、裝置、物品或步驟包括除了權(quán)利要求中這種術(shù)語之后所列出的那些要素以外的要素的，依然視為落在該項權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。而且，在所附的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標(biāo)簽，并非對對象有數(shù)量要求。本申請所描述的方法示例的至少部分可以是機器或計算機實施的。一些示例可以包括使用指令編碼的計算機可讀介質(zhì)或機器可讀介質(zhì)，所述指令可操作以將電子器件配置為執(zhí)行上面的示例中描述的方法。這些方法的執(zhí)行可以包括代碼，例如，微代碼、匯編語言代碼、高級語言代碼等等。此類代碼可以包括用于執(zhí)行各種方法的計算機可讀指令。該代碼可以形成計算機程序產(chǎn)品的一部分。此外，在一個示例中，代碼可以例如在執(zhí)行期間或者其他時候有形地存儲在一個或兩個以上易失性的、非暫時性的或者非易失性的有形的計算機可讀介質(zhì)上。這些有形的計算機可讀介質(zhì)的示例可以包括但不限于硬盤、可移動磁盤、可移動光盤(例如，光盤(⑶)和數(shù)字視頻光盤(DVD))、磁帶、存儲卡或棒、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)等等。上面的描述旨在解說而非限制。例如，上面描述的示例(或者其一個或兩個以上的方面)可以相互結(jié)合使用。例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過回顧上面的描述可以使用其他實施例。摘要被提供以符合37C.F.R.§ 1.72 (b)，從而允許閱讀者快速地確定技術(shù)公開的性質(zhì)。應(yīng)當(dāng)理解的是，該摘要將不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。此外，在上面的具體實施方式
中，各種特征可以組合在一起以精簡本公開。這不應(yīng)理解成未要求的公開特征對任何權(quán)利要求來說是必不可少的。相反，創(chuàng)造性的主題可以依賴于比特定公開的實施例的所有特征更少的特征。因而，所附的權(quán)利要求以此方式并入具體實施方式
中:其中每一個權(quán)利要求作為單獨的實施例，并且設(shè)想可以以各種組合或排列將這些實施例相互結(jié)合。本實用新型的范圍應(yīng)當(dāng)參照所附的權(quán)利要求以及與擁有這些權(quán)利要求的等同物的整個范圍來確定。
權(quán)利要求1.一種電壓瞬變保護系統(tǒng)，包括: 第一晶體管； 第二晶體管；以及 低通濾波器， 其中，所述第一晶體管被配置為使用所述低通濾波器檢測電壓瞬變，并且關(guān)斷所述第二晶體管以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，其中，所述第一晶體管包括控制節(jié)點，并且所述第一晶體管被配置為通過所述低通濾波器在所述控制節(jié)點處接收電源電壓， 其中，所述第二晶體管被配置為當(dāng)所述第一晶體管使用所述低通濾波器檢測到所述電壓瞬變時，通過所述第一晶體管接收所述電源電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，包括:被配置為從所述第二晶體管接收經(jīng)調(diào)節(jié)的電壓的低壓部件，并且 其中，所述第一晶體管和所述低通濾波器被配置為保護所述低壓部件免受所述電壓瞬變的影響。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，其中，所述電壓瞬變包括:到達(dá)包括所述第二晶體管在內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)器的回路帶寬之上的電源電壓增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，其中，所述第二晶體管包括調(diào)節(jié)器電路的輸出晶體管， 其中，所述電壓瞬變包括:到達(dá)所述調(diào)節(jié)器電路的回路帶寬之上的電源電壓增大， 其中，所述第一晶體管包括控制節(jié)點、第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，并且 其中，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為連接到電源電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，其中，所述第二開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述第二晶體管的控制節(jié)點， 其中，所述低通濾波器包括電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)，并且 其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點直接連接到所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電壓瞬變保護系統(tǒng)，其中，所述電容器直接接地，并且 其中，所述RC網(wǎng)絡(luò)的電阻器連接在所述第一晶體管的控制節(jié)點與所述電源電壓之間。
8.一種電壓調(diào)節(jié)器，包括: 調(diào)節(jié)器晶體管，被配置為接收電源電壓，并提供經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓； 調(diào)節(jié)器控制器，被配置為控制所述調(diào)節(jié)器晶體管； 保護電路，被配置為檢測所述電源電壓中的瞬變電壓，并在電壓瞬變期間將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)， 其中，所述保護電路包括: 第一晶體管；以及 電阻器-電容器(RC)網(wǎng)絡(luò)； 其中，所述第一晶體管被配置為使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測電壓瞬變，并且將所述調(diào)節(jié)器晶體管維持在截止?fàn)顟B(tài)以保護與所述第二晶體管相連的部件免受所述電壓瞬變的影響； 其中，所述第一晶體管包括控制節(jié)點，并且所述第一晶體管被配置為通過所述RC網(wǎng)絡(luò)在所述控制節(jié)點處接收所述電源電壓；其中，所述第一晶體管的控制節(jié)點直接連接到所述RC網(wǎng)絡(luò)的電容器； 其中，所述第一晶體管包括第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點，所述第一開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述電源電壓，并且所述第二開關(guān)節(jié)點被配置為連接到所述調(diào)節(jié)器晶體管的控制節(jié)點； 其中，所述調(diào)節(jié)器晶體管被配置為當(dāng)所述第一晶體管使用所述RC網(wǎng)絡(luò)檢測到所述電壓瞬變時，通過所述第一晶體管接收所述電源電壓； 其中，所述電壓瞬變包括 :到達(dá)所述電壓調(diào)節(jié)器的回路帶寬之上的電源電壓增大。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓調(diào)節(jié)器，其中，所述調(diào)節(jié)器控制器和所述保護電路包括在一集成電路中。
專利摘要本實用新型公開了一種電壓瞬變保護系統(tǒng)及電壓調(diào)節(jié)器。除其它內(nèi)容之外，本文論述了一種用于為電壓調(diào)節(jié)器提供過壓瞬變保護的裝置和方法。在一個示例中，一種裝置可包括第一晶體管，其包括控制節(jié)點、第一開關(guān)節(jié)點和第二開關(guān)節(jié)點；以及低通濾波器，其被配置為連接到第一晶體管的控制節(jié)點，并且當(dāng)電源電壓的電壓變化超出閾值時，將所述第一晶體管切換到第一狀態(tài)。在第一狀態(tài)下的第一晶體管可被配置為將第二晶體管的控制節(jié)點連接到電源電壓，以保護與調(diào)節(jié)器晶體管相連的部件。
文檔編號H02H7/10GK203039344SQ20122071085
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者科奈斯·P·斯諾登, H·加薩 申請人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司