專利名稱：一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及驅(qū)動電源領域，尤其涉及一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路。
背景技術(shù)：
隨著科學技術(shù)的進步及社會的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品走進人們的日常生活。特別是隨著小家電產(chǎn)品的種類及數(shù)量的增加，電源適配器產(chǎn)業(yè)逐漸興起，實際應用中，電源過流、反接、過壓等現(xiàn)象造成電子產(chǎn)品損壞的問題也日益凸顯。于是，人們在設計電子產(chǎn)品時，不得不去設計一些保護電路以防止過壓過流及反接的情況發(fā)生。其中，過流是指電流過大，超過電路的額定電流的情況。現(xiàn)在主要防止過流的方法是在電路上加保險絲，保險絲上都有額定的電流，當電路電流超過保險絲的額定電流時，保險絲會熔斷，形成斷路，從而保護電路中的電子元器件。反接是指電源適配器正負極接反的情況，一般防止反接的辦法是在電路中加二極管，利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦远种品聪螂娏鞯牧鬟^，但是采用這種方法時，二極管上會有壓降的損耗，該損耗會隨著電流的增加而增大，在電流較大的電路中，有可能會因為壓降太大而造成電路處于欠壓的情況。過壓是指輸入電壓超過額定輸入電壓的情況，現(xiàn)有技術(shù)中常采用過壓保護芯片而穩(wěn)定浪涌電壓，當電壓輸入持續(xù)過高時，可將電路斷開以保護電子元件，但是，過壓保護芯片的價格較高，增加了企業(yè)成本。因此，現(xiàn)有的反接保護及過壓保護電路存在電路欠壓及成本較高的缺陷。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，提供一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，從而避免電路欠壓及降低產(chǎn)品成本。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案。一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其包括有熔斷器、雙向可控硅及穩(wěn)壓管，所述熔斷器的第一端為電源端，其第二端為供電輸出端，該第二端還通過第一電阻而連接至穩(wěn)壓管的陰極，該穩(wěn)壓管的陽極通過第二電阻接地，所述熔斷器的第二端還連接雙向可控硅的第一極，所述雙向可控硅的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管的陽極。優(yōu)選地，所述熔斷器為自恢復型保險絲。優(yōu)選地，所述穩(wěn)壓管的鉗位電壓為12V。優(yōu)選地，所述第一電阻與第二電阻的電阻值相等。優(yōu)選地，所述電源端還通過第一電容接地。優(yōu)選地，所述第二電阻還并聯(lián)有第二電容。本實用新型公開的一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路中，當電路過流時，熔斷器熔斷以令電路呈斷路狀態(tài)。當電源端與地反接時，雙向晶閘管的控制極與第二極均為高電位，雙向晶閘管導通，熔斷器因電路短路而熔斷，從而實現(xiàn)了對電源端與地反接時的保護，這種保護方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。當電源端的輸入電壓過高時，穩(wěn)壓管反向擊穿，且通過第一電阻及第二電阻的分壓作用，使第二電阻產(chǎn)生電壓，當該電壓達到雙向可控硅的觸發(fā)電壓時，雙向可控硅因?qū)ǘ鴮㈦娫炊伺c地短路，此時，熔斷器因電流過大而熔斷，從而實現(xiàn)了過壓保護，這種保護方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用過壓保護芯片的保護方式，降低了產(chǎn)品成本。因此，本實用新型不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。

圖1為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作更加詳細的說明。本實用新型公開一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，如圖1所示，其包括有熔斷器FUl、雙向可控硅Ql及穩(wěn)壓管Dl，所述熔斷器FUl的第一端為電源端VIN，其第二端為供電輸出端VCC，該第二端還通過第一電阻Rl而連接至穩(wěn)壓管Dl的陰極，該穩(wěn)壓管Dl的陽極通過第二電阻R2接地，所述熔斷器FUl的第二端還連接雙向可控硅Ql的第一極，所述雙向可控硅Ql的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管Dl的陽極。上述電路結(jié)構(gòu)中，電源適配器的輸出電流及電壓經(jīng)本實用新型保護后通過供電輸出端VCC而為電子產(chǎn)品供電。本實用新型中，當電路過流時，熔斷器FUl熔斷以令電路呈斷路狀態(tài)。當電源端VIN與地反接時，雙向晶閘管Ql的控制極與第二極均為高電位，雙向晶閘管Ql導通，熔斷器FUl因電路短路而熔斷，從而實現(xiàn)了對電源端VIN與地反接時的保護，這種保護方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。當電源端VIN的輸入電壓過高時，穩(wěn)壓管Dl反向擊穿，且通過第一電阻Rl及第二電阻R2的分壓作用，使第二電阻R2產(chǎn)生電壓，當該電壓達到雙向可控硅Ql的觸發(fā)電壓時，雙向可控硅Ql因?qū)ǘ鴮㈦娫炊薞IN與地短路，此時，熔斷器FUl因電流過大而熔斷，從而實現(xiàn)了過壓保護，這種保護方法，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用過壓保護芯片的保護方式，降低了產(chǎn)品成本。因此，本實用新型不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。本實施例中，如圖1所示，熔斷器FUl為自恢復型保險絲，所以，具體應用時，不必反復更換熔斷器FUl。穩(wěn)壓管Dl的鉗位電壓為12V，第一電阻Rl與第二電阻R2的電阻值相等。若電源端VIN的輸入電壓為VI，則第二電阻R2的壓降VR2= (V1-12V) *R2/ (R1+R2)，由于第一電阻Rl與第二電阻R2的阻值相等，所以VR2= (V1-12V)/2，本實施例中，當輸入電壓高于15V時，則VR2高于1.5V而令雙向可控硅Ql導通，因此，本實施例可實現(xiàn)當電源端VIN的輸入電壓高于15V時的過壓保護。但是，在本實用新型的其他實施例中，穩(wěn)壓管Dl的鉗位電壓還可以是其他數(shù)值，而第一電阻Rl及第二電阻R2的電阻值也可以不相等，其中第一電阻Rl的阻值可以是零歐姆也可以是其他數(shù)值。 如圖1所示，電源端VIN還通過第一電容Cl接地，第二電阻R2還并聯(lián)有第二電容C2。其中，第一電容Cl及第二電容C2用于濾除高頻雜波以避免本實用新型的誤啟動。本實用新型公開的一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用二極管抑制反向電流的保護方式，避免了因二極管的壓降損耗而造成的電路欠壓。同時，相比現(xiàn)有的采用過壓保護芯片的保護方式，還降低了產(chǎn)品的成本。以上所述只是本實用新型較佳的實施例，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的技術(shù)范圍內(nèi)所做的修改、等同替換或者改進等，均應包含在本實用新型所保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，其包括有熔斷器(FU1)、雙向可控硅(Ql)及穩(wěn)壓管(D1)，所述熔斷器(FUl)的第一端為電源端(VIN)，其第二端為供電輸出端(VCC)，該第二端還通過第一電阻(Rl)而連接至穩(wěn)壓管(Dl)的陰極，該穩(wěn)壓管(Dl)的陽極通過第二電阻(R2)接地，所述熔斷器(FUl)的第二端還連接雙向可控硅(Ql)的第一極，所述雙向可控硅(Ql)的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管(Dl)的陽極。
2.如權(quán)利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述熔斷器(FUl)為自恢復型保險絲。
3.如權(quán)利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓管(Dl)的鉗位電壓為12V。
4.如權(quán)利要求3所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述第一電阻(Rl)與第二電阻(R2)的電阻值相等。
5.如權(quán)利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述電源端(VIN)還通過第一電容(Cl)接地。
6.如權(quán)利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述第二電阻(R2)還并聯(lián)有第二電容(C2)。
專利摘要本實用新型公開一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其包括有熔斷器、雙向可控硅及穩(wěn)壓管，所述熔斷器的第一端為電源端，其第二端為供電輸出端，該第二端還通過第一電阻而連接至穩(wěn)壓管的陰極，該穩(wěn)壓管的陽極通過第二電阻接地，所述熔斷器的第二端還連接雙向可控硅的第一極，所述雙向可控硅的第二極接地，其控制極連接至穩(wěn)壓管的陽極。本實用新型不僅避免了電路欠壓還降低了產(chǎn)品成本。
文檔編號H02H11/00GK202856306SQ20122051006
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月29日
發(fā)明者黃善兵, 翟建光, 甘彥君 申請人:深圳市新國都技術(shù)股份有限公司