專(zhuān)利名稱：尖峰過(guò)電壓吸收器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及可控硅整流勵(lì)磁技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種尖峰過(guò)電壓吸收器。
背景技術(shù)：
目前可控硅整流勵(lì)磁系統(tǒng)電源側(cè)出現(xiàn)的過(guò)電壓主要由尖峰吸收器加以限制，隨著發(fā)電機(jī)容量越來(lái)越大，可控硅性能的提高，可控硅整流橋換相時(shí)直流側(cè)出現(xiàn)的尖峰過(guò)電壓其值最高可能達(dá)到整流系統(tǒng)陽(yáng)極電壓的2. 5倍，如果不加以限制，長(zhǎng)期累積可能引起轉(zhuǎn)子系統(tǒng)絕緣的擊穿事故，甚至引起相關(guān)元器件的燒毀以及停機(jī)事故。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種限壓效果好、能量釋放快，體積小的過(guò)電壓吸收裝置。為了解決背景技術(shù)中所存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案它包括非線性電阻FR1、FR2、快速熔斷器RD、電容C、電阻R ；所述非線性電阻FRl—端作為端口，另一端與快速熔斷器RD —端串聯(lián)，快速熔斷器RD另一端分別與電阻R —端、電容C 一端、非線性電阻FR2 —端連接，電阻R另一端分別與電容C另一端、非線性電阻FR2另一端連接，連接點(diǎn)作為另一端口。電阻R、電容C組成一個(gè)高頻通道將可控硅換相時(shí)產(chǎn)生的高頻尖峰電壓傳輸給非線性電阻FR1，非線性電阻FRl動(dòng)作吸收尖峰過(guò)電壓，并且限制高頻尖峰電壓不超過(guò)一定的幅度，從而保證了可控硅換相時(shí)不會(huì)引起轉(zhuǎn)子回路的過(guò)高電壓，非線性電阻FR2是電阻R、電容C支路的保護(hù)元件，因?yàn)樵谔囟l率下，支路有可能產(chǎn)生諧振而出現(xiàn)過(guò)高的電壓，致使電阻R、電容C元件損壞，故當(dāng)電壓超過(guò)非線性電阻FR2動(dòng)作電壓時(shí)，非線性電阻FR2動(dòng)作保護(hù)電阻R、電容C元件。本實(shí)用新型的尖峰過(guò)電壓吸收器，采用非線性電阻和阻容件串聯(lián)組合的結(jié)構(gòu)，充分利用了非線性電阻的非線性伏安特性，將電壓限制在某一范圍內(nèi)，同時(shí)考慮尖峰電壓的能量分布，利用電容兩端電壓不能突變的特點(diǎn)，將尖峰過(guò)電壓的前端高電壓部分的能量吸收在非線性電阻組件中，其他能量由非線性電阻和電容共同吸收，在尖峰電壓過(guò)去以后，電容的能量通過(guò)電阻快速釋放掉。從而本實(shí)用新型能量釋放快、限壓效果好。

圖I是本實(shí)用新型的電氣原理圖具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，一種尖峰過(guò)電壓吸收器，它包括非線性電阻FR1、FR2、快速熔斷器RD、電容C、電阻R ;所述非線性電阻FRl—端作為端口，另一端與快速熔斷器RD —端串聯(lián)，快速熔斷器RD另一端分別與電阻R —端、電容C 一端、非線性電阻FR2 —端連接，電阻R另一端分別與電容C另一端、非線性電阻FR2另一端連接，連接點(diǎn)作為另一端口。電阻R、電容C組成一個(gè)高頻通道將可控硅換相時(shí)產(chǎn)生的高頻尖峰電壓傳輸給非線性電阻FR1，非線性電阻FRl動(dòng)作吸收尖峰過(guò)電壓，并且限制高頻尖峰電壓不超過(guò)一定的幅度，從而保證了可控硅換相時(shí)不會(huì)引起轉(zhuǎn)子回路的過(guò)高電壓，非線性電阻FR2是電阻R、電容C支路的保護(hù)元件，因?yàn)樵谔囟l率下，支路有可能產(chǎn)生諧振而出現(xiàn)過(guò)高的電壓，致使電阻R、電容C元件損壞，故當(dāng)電壓超過(guò)非線性電阻FR2動(dòng)作電壓時(shí)，非線性電阻FR2動(dòng)作保護(hù)電阻R、電容C元件。本實(shí)用新型的尖峰過(guò)電壓吸收器，采用非線性電阻和阻容件串聯(lián)組合的結(jié)構(gòu)，充 分利用了非線性電阻的非線性伏安特性，將電壓限制在某一范圍內(nèi)，同時(shí)考慮尖峰電壓的能量分布，利用電容兩端電壓不能突變的特點(diǎn)，將尖峰過(guò)電壓的前端高電壓部分的能量吸收在非線性電阻組件中，其他能量由非線性電阻和電容共同吸收，在尖峰電壓過(guò)去以后，電容的能量通過(guò)電阻快速釋放掉。從而本實(shí)用新型能量釋放快、限壓效果好。
權(quán)利要求1. 一種尖峰過(guò)電壓吸收器，其特征在于，它包括非線性電阻(FR1、FR2)、快速熔斷器(RD)、電容(C)、電阻(R)； 所述非線性電阻(FRl) —端作為端口，另一端與快速熔斷器(RD) —端串聯(lián)，快速熔斷器(RD)另一端分別與電阻(R) —端、電容(C) 一端、非線性電阻(FR2) —端連接，電阻(R)另一端分別與電容(C)另一端、非線性電阻(FR2)另一端連接，連接點(diǎn)作為另一端口?！?br> 專(zhuān)利摘要尖峰過(guò)電壓吸收器，它涉及可控硅整流勵(lì)磁技術(shù)領(lǐng)域。它由非線性電阻、快速熔斷器、電容、電阻組成，非線性電阻和阻容件串聯(lián)組合的結(jié)構(gòu)，充分利用了非線性電阻的非線性伏安特性，將電壓限制在某一范圍內(nèi)，同時(shí)考慮尖峰電壓的能量分布，利用電容兩端電壓不能突變的特點(diǎn)，將尖峰過(guò)電壓的前端高電壓部分的能量吸收在非線性電阻組件中，其他能量由非線性電阻和電容共同吸收，在尖峰電壓過(guò)去以后，電容的能量通過(guò)電阻快速釋放掉。本實(shí)用新型限壓效果好、能量釋放快，體積小。
文檔編號(hào)H02H9/04GK202678960SQ20122036130
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月19日
發(fā)明者李開(kāi)明, 黃冬華 申請(qǐng)人:安徽徽凱電氣有限公司