半導體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能利用一個裝置選擇性地實現(xiàn)多種電路的、富有通用性的半導體裝置。并且，本發(fā)明在半導體裝置（SD1H）中利用外部布線（L11）來對E1C2用端子（24H）、K用端子（25H）之間進行電連接，從而實現(xiàn)與上臂用半導體裝置等效的電路。另一方面，在具有與半導體裝置（SD1H）相同結構的電路的半導體裝置（SD1L）中，利用外部布線（L12）來將A用端子（23L）、E1C2用端子（24）之間進行電連接，從而實現(xiàn)與上臂用半導體裝置不同種類的與下臂用半導體裝置等效的電路。
【專利說明】半導體裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及將多個自關斷元件串聯(lián)連接而構成的電路內置于殼體內的半導體裝置。
【背景技術】
[0002]一直以來，由IGBT等自關斷元件構成的半導體裝置通常采用將電路收納在殼體內的結構。例如專利文獻I公開了將多個自關斷元件串聯(lián)連接構成的半導體裝置(開關模塊)。
[0003]在使用這種半導體裝置，例如利用兩個半導體裝置來構成NPC(Neutral-Point-Clamped:中性點鉗位)方式三電平逆變器用半導體裝置中的各相的情況下，需要用于上臂和用于下臂的兩種不同的半導體裝置作為構成要素。
現(xiàn)有技術文獻 專利文獻
[0004]專利文獻1:日本專利特開平10-14260號公報

【發(fā)明內容】

發(fā)明所要解決的技術問題
[0005]如上所述，在由上臂用半導體裝置和下臂用半導體裝置構成NPC方式三電平逆變器的一相的情況下，需要兩種半導體裝置，因而存在組裝時可能會弄錯半導體裝置并安裝的問題。此外，在采用針對每個種類改變半導體裝置的表面顏色等對策，以作為防止上述安裝錯誤的對策的情況下，存在半導體裝置的制造工藝需要額外用于上述對策的特殊工序的問題。
[0006]本發(fā)明解決上述問題，其目的在于獲得一種半導體裝置，該半導體裝置具有通用性，在例如在由上臂用半導體裝置和下臂用半導體裝置構成NPC方式三電平逆變器的一相的情況等、半導體裝置的電路構成元件相同但連接關系部分不同的情況下，也能利用一個裝置來選擇性地實現(xiàn)多種電路。
解決技術問題所采用的技術方案
[0007]本發(fā)明所涉及的半導體裝置包括:串聯(lián)連接的第I及第2自關斷元件；第I及第2二極管，該第I及第2 二極管的陰極與所述第I及第2自關斷元件的第I電極相連，其陽極與第2電極相連；第3 二極管；以及殼體，該殼體收納所述第I及第2自關斷元件以及所述第I至第3 二極管，所述第3 二極管在所述殼體內與所述第I及第2自關斷元件、以及所述第I及第2 二極管均絕緣。
發(fā)明效果
[0008]權利要求1所述的本發(fā)明的第3 二極管與第I及第2自關斷元件、以及所述第I及第2 二極管(以下，簡稱為“兩組自關斷元件組”)均絕緣，因此在收納于殼體的狀態(tài)下，與兩組自關斷元件組不具有任何電連接關系。[0009]因此，利用殼體外部的外部布線來進行第3 二極管與兩組自關斷元件組的電連接關系，從而與兩組自關斷元件組之間具有多種電連接關系，由此能作為兩組自關斷元件組與第3 二極管的組合電路來實現(xiàn)多種電路，其結果是，起到能獲得富有通用性的半導體裝置的效果。
[0010]本發(fā)明的目的、特征、方面、以及優(yōu)點可通過下面的詳細說明和附圖將更清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是示意性地將實施方式I的半導體裝置的電路結構與外部端子一同示出的說明圖。
圖2是示意性地示出利用兩個圖1所示的實施方式I的半導體裝置來構成三電平逆變器的一相時的外部布線連接例的說明圖。
圖3是示意性地將實施方式2的半導體裝置的電路結構與外部端子一同示出的說明圖。
圖4是表示作為基礎技術的NPC方式三電平逆變器的一相的電路結構的電路圖。
圖5是表示圖4所示的上臂用半導體裝置及下臂用半導體裝置各自的電路結構的電路圖。
圖6是表示三相三電平逆變器的電路結構的電路圖。
【具體實施方式】
[0012]〈基礎技術〉
圖4是表示現(xiàn)有的NPC方式三電平逆變器的一相的電路結構的電路圖。如圖4所示，逆變器的一相由上臂用半導體裝置81H和下臂用半導體裝置81L構成。
[0013]圖5是表示上臂用半導體裝置81H和下臂用半導體裝置81L各自的電路結構的電路圖。如圖5(a)所示，上臂用半導體裝置81H由IGBT41、42、以及二極管D41、D42、D46構成。
[0014]IGBT41的集電極與集電極端子Cl相連，發(fā)射極與發(fā)射極端子El相連，柵極與柵極端子Gl相連。并且，二極管D41的陽極與IGBT41的發(fā)射極相連，陰極與IGBT41的集電極相連。即，二極管D41與IGBT41反向并聯(lián)連接。
[0015]IGBT42的集電極與集電極端子C2相連，發(fā)射極與發(fā)射極端子E2相連，柵極與柵極端子G2相連。并且，二極管D42的陽極與IGBT42的發(fā)射極相連，陰極與IGBT42的集電極相連。即，二極管D42與IGBT42反向并聯(lián)連接。
[0016]另外，IGBT41側的發(fā)射極端子Cl與IGBT42側的集電極端子C2相連，由此，IGBT41與IGBT42串聯(lián)連接。
[0017]并且，二極管D46的陽極與陽極端子Al相連，陰極與集電極端子C2以及發(fā)射極端子El相連。
[0018]另一方面，如圖5(b)所示，下臂用半導體裝置81L由IGBT43、44、以及二極管D43、D44、D45 構成。
[0019]IGBT43的集電極與集電極端子C3相連，發(fā)射極與發(fā)射極端子E3相連，柵極與柵極端子G3相連。并且，二極管D43的陽極與IGBT43的發(fā)射極相連，陰極與IGBT43的集電極相連。即，二極管D43與IGBT43反向并聯(lián)連接。
[0020]IGBT44的集電極與集電極端子C4相連，發(fā)射極與發(fā)射極端子E2相連，柵極與柵極端子G2相連。并且，二極管D44的陽極與IGBT44的發(fā)射極相連，陰極與IGBT44的集電極相連。即，二極管D44與IGBT44反向并聯(lián)連接。
[0021]另外，IGBT43側的發(fā)射極端子C3與IGBT44側的集電極端子C4相連，由此，IGBT43與IGBT44串聯(lián)連接。
[0022]并且，二極管D45的陰極與陰極端子Kl相連，陽極與集電極端子C4以及發(fā)射極端子E3相連。
[0023]通過將圖5所示的上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相組合，從而能如圖4所示那樣構成逆變器的一相。
[0024]即，利用外部布線等來如下那樣與上臂用半導體裝置81H的陽極端子Al之間電連接。
[0025](a)上臂用半導體裝置81H的發(fā)射極端子E2與下臂用半導體裝置81L的集電極端子C3電連接(圖中，表示為集電極.發(fā)射極端子C3E2)，
(b)上臂用半導體裝置81H的陽極端子Al與下臂用半導體裝置81L的陰極端子K3電連接(圖中，表示為陽極?陰極端子A1K3)。
[0026]圖6是表示三相(U相、V相、W相)三電平(三個電壓電平)逆變器的電路結構的電路圖。如該圖所示，U相用逆變器由上臂用半導體裝置81HU以及下臂用半導體裝置81LU構成，呈現(xiàn)為與圖4所示的上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相同的結構以及連接結構。
[0027]在上臂用半導體裝置81HU以及下臂用半導體裝置81LU中，示出了 GlU~G4U以及ElU~E4U作為IGBT41~44的柵極端子以及發(fā)射極端子。此外，示出了陽極.陰極端子AK作為二極管D45的陰極與二極管D46的陰極的連接端子。
[0028]V相用逆變器由上臂用半導體裝置81HV以及下臂用半導體裝置81LV構成，呈現(xiàn)為與圖4所示的上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相同的結構以及連接結構。然而，不同點在于，與圖4的IGBT41~44相對應的是IGBT51~54，與圖4的二極管D41~D46相對應的是二極管D51~D56。
[0029]并且，在上臂用半導體裝置81HV以及下臂用半導體裝置81LV中，示出了 GlV~G4V以及ElV~E4V作為IGBT51~54的柵極端子以及發(fā)射極端子。此外，示出了上述陽極.陰極端子AK作為二極管D55的陰極與二極管D56的陰極的連接端子。
[0030]W相用逆變器由上臂用半導體裝置81HW以及下臂用半導體裝置81LW構成，呈現(xiàn)為與圖4所示的上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相同的結構以及連接結構。然而，不同點在于，與圖4的IGBT41~44相對應的是IGBT61~64，與圖4的二極管D41~D46相對應的是二極管D61~D66。
[0031]并且，在上臂用半導體裝置81HW以及下臂用半導體裝置81LW中，示出了 GlW~G4W以及ElW~E4W作為IGBT61~64的柵極端子以及發(fā)射極端子。此外，示出了陽極?陰極端子AK作為二極管D55的陰極與二極管D56的陰極的連接端子。
[0032]U相、V相、W相共用陽極.陰極端子AK，與上臂用半導體裝置81HU的發(fā)射極端子以及下臂用半導體裝置81L的集電極端子電相連的集電極?發(fā)射極端子C3E2U成為U相用的輸出端子。
[0033]同樣，與上臂用半導體裝置81HV的發(fā)射極端子以及下臂用半導體裝置81L的集電極端子電連接的集電極.發(fā)射極端子C3E2V成為V相用的輸出端子，與上臂用半導體裝置81HW的發(fā)射極端子以及下臂用半導體裝置81L的集電極端子電連接的集電極?發(fā)射極端子C3E2W成為W相用的輸出端子。
[0034]此外，IGBT41、IGBT51以及IGBT61的集電極公共連接至第I電源線VL1，IGBT44、IGBT54以及IGBT64的發(fā)射極公共連接至第2電源線VL2。第I電源線VLl和第2電源線VL2上施加有例如正的電源電壓以及接地電平。
[0035]由此，對于構成三電平逆變器的情況，需要準備上臂用半導體裝置81H (81HU、81HV.81HW)以及下臂用半導體裝置81L (81LU、81LV、81LW)這兩種半導體裝置。
[0036]因此，具有在組裝三電平逆變器時、會錯誤安裝上臂用半導體裝置81H和下臂用半導體裝置81L的問題。
[0037]在采用在上臂用半導體裝置81H和下臂用半導體裝置81中改變殼體顏色等對策作為針對該問題的對策的情況下，需要在半導體裝置的制造工藝中增加涂布不同顏色的特殊工序，因而存在會導致制造成本增大的問題。
[0038]以下所述的實施方式提供一種能由一個裝置來選擇性地實現(xiàn)上臂用半導體裝置81H和下臂用半導體裝置81L的富有通用性的半導體裝置。
[0039]<實施方式1>
圖1是示意性地將實施方式I的半導體裝置的電路結構與外部端子一同示出的說明圖。圖1(a)表示殼體的平面結構以及內部電路，圖1(b)表示圖1(a)的A-A剖面。
[0040]如圖1所示，實施方式I的半導體裝置SDl由設置在殼體I內的中央部13的N型的IGBT11U2以及二極管Dl~D3、殼體I外的階梯部14以及設置在階梯部15上的外部端子21~25構成。
[0041]IGBTll的集電極(第I電極)與Cl (集電極)用端子21 (第I電極用端子)相連，二極管Dl的陽極與IGBTll的發(fā)射極相連，陰極與IGBTll的集電極相連。即，二極管Dl與IGBTll反向并聯(lián)連接。
[0042]IGBT12的發(fā)射極(第2電極)與E2 (發(fā)射極)用端子22 (第2電極用端子)相連，二極管D2的陽極與IGBT12的發(fā)射極相連，陰極與IGBT12的集電極(第I電極)相連。即，二極管D2與IGBT12反向并聯(lián)連接。
[0043]另外，IGBTll側的發(fā)射極與IGBT12的集電極以及E1C2用端子24 (公共電極用端子)相連。即，IGBTll以及IGBT12串聯(lián)連接。
[0044]并且，二極管D3的陽極與A用端子23 (陽極用端子)相連，陰極與K用端子25 (陰極用端子)相連。
[0045]并且，二極管D3在殼體I內與IGBTl1、IGBT12、以及二極管Dl、D2均保持絕緣關
系O
[0046]上述外部端子21~25均設置在殼體I的外部，能連接外部布線。并且，Cl用端子21以及E2用端子22設置在階梯部14上，該階梯部14成為俯視殼體I時的左邊附近區(qū)域，A用端子23、E1C2用端子24以及K用端子25設置在階梯部15上，該階梯部15上成為俯視殼體I的右邊附近區(qū)域。[0047]圖2是利用兩個圖1所示的實施方式I的半導體裝置SDl來示意性表示構成三電平逆變器的一相時的外部布線連接例的說明圖。該圖中，利用外部布線LI?L4以及外部布線L11、L12將分別具有與半導體裝置SDl相同的殼體I內的電路結構的半導體裝置SDlH與半導體裝置SDlL相連。下面，具體進行連接。另外，為便于說明，將半導體裝置SDlH側的外部端子記為端子21H?25H，將半導體裝置SDlL側的外部端子記為端子21L?25L。
[0048]如圖2所示，在半導體裝置SDlH中，利用外部布線Lll來對E1C2用端子24H、K用端子25H之間進行電連接，從而能將IGBTll的發(fā)射極以及IGBT12的集電極與二極管D3的陰極電連接。其結果，能實現(xiàn)與圖5(a)所示的上臂用半導體裝置81H相等效的電路。
[0049]另一方面，在半導體裝置SDlL中，利用外部布線L12來對A用端子23 L、E1C2用端子24之間進行電連接，從而能將IGBTll的發(fā)射極以及IGBT12的集電極與二極管D3的陽極電連接。其結果，能實現(xiàn)與圖5(b)所示的下臂用半導體裝置81L相等效的電路。
[0050]由此，在實施方式I中，在使用殼體I內的電路結構相同的半導體裝置SD1(SD1H、SDL1)的同時，改變A用端子23、E1C2用端子24以及K用端子25之間的連接關系，從而能選擇性地實現(xiàn)與上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相等效的半導體裝置。
[0051]并且，如半導體裝置SDlH與半導體裝置SDlL的連接那樣，利用外部布線LI將A用端子23H與K用端子25L電連接，利用外部布線L4將E2用端子22H與Cl用端子21L電連接。
[0052]此外，在半導體裝置SDlH的Cl用端子21H、A用端子23H之間設置內插于電源用電容器Cll的外部布線L2，并在半導體裝置SDlL的E2用端子22L、K用端子25L之間設置內插于電源用電容器C12的外部布線L3。另外，這些外部布線L2及L3例如串聯(lián)設置在圖6所示的第I及第2電源線VLl與VL2之間。
[0053]實施方式I的半導體裝置SD1(SD1H、SD1L)中的二極管D3(第3 二極管)與IGBT11、12 (第I及第2自關斷元件)以及二極管D1、D2 (以下，簡稱為“兩組自關斷元件組”)均絕緣，因此，在收納于殼體I內的狀態(tài)下，與兩組自關斷元件組不具有任何電連接關系。
[0054]因此，利用殼體I外部的外部布線L11、L12進行二極管D3與兩組自關斷元件組的電連接關系，與兩組自關斷元件組具有兩種電連接關系，從而能作為兩組自關斷元件組與二極管D3的組合電路來實現(xiàn)兩種電路(相當于上臂用半導體裝置81H或者下臂用半導體裝置81L)。其結果，起到能獲得富有通用性的半導體裝置的效果。
[0055]具體而言，能獲得如下相當于上臂用半導體裝置81H的第I組合電路，該第I組合電路中，利用外部布線Lll將E1C2用端子24H (公共電極用端子)與K用端子25H (陰極用端子)電連接，使得IGBTll的發(fā)射極(第2電極)以及IGBT12的集電極(第I電極)與二極管D3的陰極電連接。
[0056]另一方面，能獲得如下相當于下臂用半導體裝置81L的第2組合電路，該第2組合電路中，利用外部布線L12將E1C2用端子24L與A用端子23L電連接，使得IGBTll的發(fā)射極以及IGBT12的集電極與二極管D3的陽極電連接。
[0057]其結果是，實施方式I的半導體裝置SDl變更外部布線的使用方法(采用外部布線Lll及L12中的某一個)，從而實現(xiàn)上述第I及第2組合電路，由此能獲得富有通用性且內部具有IGBT的半導體裝置。
[0058]對于形成有Cl用端子21及E2用端子22的第I及第2部位(階梯部14上)、以及形成有A用端子23、E1C2用端子24以及K用端子25的第3?第5部位(階梯部15上)，分別配置在不同邊的附近區(qū)域(端子21、22配置在俯視殼體I時的左邊附近的階梯部14上，端子23?24配置在俯視殼體I時的右邊附近的階梯部15上)。因此，能比較簡單地分離形成IGBTl 1、12用的外部布線L4、以及二極管D3用的外部布線LI。
[0059]此外，由于階梯部14和階梯部15存在于彼此相對的邊的附近區(qū)域，因此能最可靠地分離形成IGBT11U2用的外部布線、L4、二極管D3用的外部布線LI，而不會有交叉。
[0060]另外，半導體裝置SDl中，(配置有Cl用端子21的)第I部位及(配置有A用端子23的)第4部位包含距圖中的上邊比較近的部分，(配置有E2用端子22的)第2部位及(配置有K用端子25的)第5部位包含距離圖中的下邊(與上邊相對)比較近的部分。即，Cl用端子21、A用端子23設置在俯視殼體I時的上邊側，E2用端子22、K用端子25設置在俯視殼體I時的下邊側。
[0061]因此，能夠使用布線長度比較短的外部布線L2、L3將電源用電容器Cll及C12(第I及第2電源用電容器)設置在Cl用端子21與A用端子23之間以及E2用端子22與K用端子25之間，因此能降低該外部布線L2、L3的電感，起到能降低IGBTl1、12的關斷切換時的浪涌電壓的效果。
[0062]<實施方式2>
圖3是示意性地將實施方式2的半導體裝置的電路結構與外部端子一同示出的說明圖。圖3(a)表示殼體的平面結構以及內部電路，圖3(b)表示圖3(a)的不規(guī)則B-B剖面。
[0063]如圖3所示，實施方式2的半導體裝置SD2由設置在殼體2內的主要部16的IGBT11U2及二極管Dl?D3、以及設置在殼體2外的階梯部17上的外部端子31?35構成。
[0064]IGBTll的集電極與Cl (集電極)用端子31相連，二極管Dl與IGBTll反向并聯(lián)連接。IGBT12的發(fā)射極與E2 (發(fā)射極)用端子32相連，二極管D2與IGBT12反向并聯(lián)連接。
[0065]另外，IGBTll側的發(fā)射極與IGBT12的集電極以及E1C2用端子34相連。即，IGBTll以及IGBT12串聯(lián)連接。
[0066]并且，二極管D3的陽極與A用端子33相連，陰極與K用端子35相連。二極管D3與實施方式I同樣，在殼體2內與1681'11、1681'12、以及二極管01、02均保持絕緣關系。
[0067]上述外部端子31?35均設置在殼體2的外部，能與外部布線相連接。外部端子31?35均形成在設置于俯視殼體2時的左邊及上邊的階梯部17上。S卩，Cl用端子31以及E2用端子32設置在階梯部17上的、俯視殼體2時的左邊附近區(qū)域上，A用端子33、E1C2用端子34以及K用端子35設置在階梯部17上的、俯視殼體2時的右邊附近區(qū)域上。
[0068]能夠利用兩個實施方式2的半導體裝置SD2構成三電平逆變器的一相。其連接內容在實質上與圖2所示的實施方式I的兩個半導體裝置SDl (SD1H、SD1L)的連接內容相同。即，通過將圖2的外部端子21?25 (21H?25H、21L?25L)替換為外部端子31?35(31H?35H、31L?35L)，與圖2同樣地設置外部布線LI?L4、L11、L12以及電源用電容器CU、C12，由此能構成與圖2等效的三電平逆變器的一相。
[0069]由此，在實施方式2中，在使用與實施方式I相同的半導體裝置SD2的同時，改變A用端子33、E1C2用端子34以及K用端子35之間的連接關系，從而能選擇性地實現(xiàn)與上臂用半導體裝置81H以及下臂用半導體裝置81L相等效的半導體裝置。[0070]實施方式2的半導體裝置SD2中的二極管D3與IGBTl1、12以及二極管D1、D2(以下，簡稱為“兩組自關斷元件組”)均絕緣，因此在收納于殼體2內的狀態(tài)下，與兩組自關斷元件組沒有任何電連接關系。
[0071]因此，利用殼體2外部的外部布線L11、L12 (與其等效的布線)進行二極管D3與兩組自關斷元件組的電連接關系，與兩組自關斷元件具有兩種電連接關系，從而能作為兩組自關斷元件組與二極管D3的組合電路來實現(xiàn)兩種電路(相當于上臂用半導體裝置81H或者下臂用半導體裝置81L)。其結果是，實施方式2的半導體裝置SD2與實施方式I同樣，起到能獲得富有通用性的半導體裝置的效果。
[0072]對于形成有Cl用端子31及E2用端子32的第I及第2部位(階梯部17中的俯視殼體I時的左邊附近區(qū)域)，和形成有A用端子33、E1C2用端子34以及K用端子35的第3?第5部位(階梯部17中的俯視殼體I時的上邊附近區(qū)域)，雖然其是彼此相鄰關系，但是位于不同邊的附近區(qū)域。因此，能比較簡單地分離形成IGBT11U2用的外部布線L4、以及二極管D3用的外部布線LI。
[0073]在上述實施方式I和實施方式2中，使用了 IGBT作為自關斷元件，但也可以使用以MOSFET為代表的FET (場效應晶體管)。在使用FET的情況下，可以使用FET的體漏(body-drian)間的寄生二極管來作為上述二極管Dl、D2 (參照圖1?圖3)。
[0074]例如，在圖1所示的實施方式I的結構中，考慮使用N型的第I及第2FET來代替N型的IGBTll及12的變形例。該情況下，第IFET的漏極電極(第I電極)與相當于Cl用端子21的端子相連，二極管Dl的陽極與第IFET的源極電極(第2電極)相連，陰極與第IFET的漏極電極相連。
[0075]并且，第2FET的源極電極(第2電極)與相當于E2用端子22的端子相連，二極管D2的陽極與第2FET的源極電極相連，陰極與第2FET的漏極電極(第I電極)相連。
[0076]如上那樣具有第I及第2FET的半導體裝置的變形例與實施方式I和實施方式2同樣，通過變更外部布線的使用方法，從而實現(xiàn)上述第I及第2組合電路，由此起到能獲得富有通用性、內部具有FET作為自關斷元件的半導體裝置的效果。
[0077]雖然詳細說明了本發(fā)明，但上述說明在所有的方面都是舉例示出，本發(fā)明并不局限于此。未舉例示出的無數(shù)的變形例可解釋為是在不脫離本發(fā)明的范圍內可設想到的。
【權利要求】
1.一種半導體裝置，其特征在于，包括: 串聯(lián)連接的第I及第2自關斷元件(11，12); 第I及第2 二極管(D1，D2)，該第I及第2 二極管(D1，D2)的陰極與所述第I及第2自關斷元件的第I電極相連，其陽極與第2電極相連； 第3 二極管(D3);以及 殼體(1)，該殼體(1)收納所述第I及第2自關斷元件以及所述第I至第3 二極管，所述第3 二極管在所述殼體內與所述第I及第2自關斷元件、以及所述第I及第2 二極管均絕緣。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括: 第I電極用端子(21)，該第I電極用端子(21)與所述第I關斷元件的第I電極電連接，并配置成能在所述殼體外部的第I部位與外部布線相連接； 第2電極用端子(22)，該第2電極用端子(22)與所述第2關斷元件的第2電極電連接，并配置成能在所述殼體外部的第2部位與外部布線相連接； 公共電極用端子(24)，該公共電極用端子(24)與所述第I自關斷元件的第2電極以及所述第2自關斷元件的第I電極電連接，并配置成能在所述殼體外部的第3部位與外部布線相連接； 陽極用端子(23)，該陽極用端子(23)與所述第3 二極管的陽極電連接，并配置成能在所述殼體外部的第4部位與外部布線相連接；以及 陰極用端子(25)，該陰極用端子(25)與所述第3 二極管的陰極電連接，并配置成能在所述殼體外部的第5部位與外部布線相連接。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 所述殼體包含俯視時由四邊構成的矩形殼體， 所述第I及第2部位包含俯視時所述殼體的規(guī)定邊、即第I邊附近的區(qū)域部分， 所述第3至第5部位包含俯視時與所述第I邊不同的第2邊附近的區(qū)域部分。
4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第I及第2邊包含彼此相對的邊。
5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 第I電源用電容器(Cll)能連接在所述第I電極用端子與所述陽極用端子之間， 第2電源用電容器(C12)能連接在所述第2電極用端子與所述陰極用端子之間，所述第I部位及所述第4部位包含距離與所述第I邊和第2邊相鄰的第3邊比較近的部分， 所述第2部位及所述第5部位包含距離與所述第3邊相對的第4邊比較近的部分。
6.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第I及第2邊包含彼此相鄰的邊。
7.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第I及第2自關斷元件包含第I及第2絕緣柵型晶體管(IGBT)， 所述第I電極包含集電極電極， 所述第2電極包含發(fā)射極電極。
8.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述第I及第2自關斷元件包含場效應晶體管(FET)，所述第I電極包含漏極電極，所述第2電極包含源極電極 。
【文檔編號】H02M7/00GK103765749SQ201180073080
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2011年8月30日 優(yōu)先權日:2011年8月30日
【發(fā)明者】石井一史 申請人:三菱電機株式會社