專利名稱:基于MOSFET的自激式Cuk變換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及自激式直流-直流(DC-DC)變換器,應(yīng)用于開關(guān)穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源、高亮度LED驅(qū)動電路等,尤其是一種自激式Cuk變換器。
背景技術(shù):
與線性(穩(wěn)壓或穩(wěn)流)調(diào)節(jié)器和他激式DC-DC變換器相比,自激式DC-DC變換器具有性價比高的顯著優(yōu)點。圖1給出的是一種基于BJT (雙極型晶體管)的自激式Cuk變換器,包括由輸入電容Ci、電感Li、二極管Dl、NPN型BJT Q1、電容C、二極管D、電感L2和輸出電容Co組成的Cuk變換器主回路,輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯(lián),輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負(fù)載Ro與輸出電容Co并聯(lián),直流電壓源Vi的負(fù)端與直流輸出電壓Vo的正端、NPN型BJT Ql的發(fā)射極以及二極管D的陰極相連,直流電壓源Vi的正端與電感Ll的一端相連,電感Ll的另一端與二極管Dl的陽極相連,二極管Dl的陰極與NPN 型BJT Ql的集電極以及電容C的一端相連,電容C的另一端與二極管D的陽極以及電感L2 的一端相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的負(fù)端相連。圖1所示基于BJT的自激式Cuk 變換器還包括NPN型BJT Q2,NPN型BJT Q2的集電極和發(fā)射極分別與NPN型BJT Ql的基極和發(fā)射極相連,NPN型BJT Ql的基極還通過電阻Rl接于直流電壓源Vi的正端,電阻R3 和電容C1組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與二極管Dl的陽極相連,所述并聯(lián)支路的另一端與NPN型BJT Q2的基極以及電阻R2的一端相連,電阻R2的另一端與NPN型BJT Q2的發(fā)射極相連。圖1所示基于BJT的自激式Cuk變換器還包括電壓反饋支路,穩(wěn)壓管Zl的陰極與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,穩(wěn)壓管Zl的陽極與電阻R5的一端以及NPN型BJT Q3的基極相連,NPN型BJT Q3的發(fā)射極與電阻R5的另一端以及直流輸出電壓Vo的負(fù)端相連, NPN型BJT Q3的集電極通過電阻R4與NPN型BJT Ql的基極相連。該電路的不足之處在于主開關(guān)管Ql采用BJT,因BJT的工作特性導(dǎo)致電路效率不夠高,比較適合小功率(數(shù)瓦級以下)的場合。
發(fā)明內(nèi)容
為克服基于BJT的自激式Cuk變換器效率不夠高以及僅僅適用于小功率的不足, 本發(fā)明提供一種效率較高、適用功率范圍較寬的基于MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的自激式Cuk變換器。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種基于MOSFET的自激式Cuk變換器,包括由輸入電容Ci、電感Li、N型MOSFET Ml、電容C、二極管D、電感L2和電容Co組成的Cuk變換器主回路,輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯(lián),輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負(fù)載Ro與輸出電容Co并聯(lián),直流電壓源Vi的正端與電感Ll的一端相連,電感Ll的另一端與N型MOSFET Ml的漏極以及電容 C的一端相連,N型MOSFET Ml的源極與電阻R3的一端相連,電阻R3的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端、二極管D的陰極以及直流輸出電壓Vo的正端相連,電容C的另一端與二極管D的陽極以及電感L2的一端相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的負(fù)端相連;所述基于 MOSFET的自激式Cuk變換器還包括輔助電源U1、驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3 ;輔助電源 Ul用于提供驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3工作所需的直流電源電壓,對直流輸入電壓Vi進(jìn)行升壓或降壓的變換處理;驅(qū)動電路U2的輸入端與滯環(huán)比較器U3的輸出端連接,驅(qū)動電路 U2的輸出端與N型M0SFETM1的門極相連,驅(qū)動電路U2為N型MOSFET Ml的開通和關(guān)斷提供驅(qū)動;滯環(huán)比較器U3的輸入端與電容Cl、電阻Rl和電阻R2的一端相連,電容Cl的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,電阻Rl的另一端與二極管Dl的陰極相連,電阻R2的另一端與二極管D2的陽極相連,二極管Dl的陽極和二極管D2的陰極與N型MOSFET Ml的漏極相連。所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器還包括過流保護(hù)支路,所述過流保護(hù)支路包括電阻R5、電容C2和NPN型BJT Ql,電阻R5的一端與N型MOSFET Ml的源極相連,電阻R5 的另一端與電容C2的一端以及NPN型BJT Ql的基極相連,電容C2的另一端與NPN型BJT Ql的發(fā)射極以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連,NPN型BJT Ql的集電極與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。作為優(yōu)選的一種方案所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器還包括電壓反饋支路,所述電壓反饋支路包括電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型BJT Q2和電阻R4,電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與直流輸出電壓Vo的正端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT Q2的基極相連,NPN型BJT Q2的發(fā)射極與電阻 R7的另一端以及直流輸出電壓Vo的負(fù)端相連,NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。作為優(yōu)選的另一種方案所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器還包括電流反饋支路,所述電流反饋支路包括檢測電阻R8、電壓放大器U4、電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型 BJT Q2和電阻R4,檢測電阻R8與負(fù)載Ro組成串聯(lián)支路,所述串聯(lián)支路與輸出電容Co并聯(lián), 檢測電阻R8的一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,檢測電阻R8的另一端與負(fù)載Ro的一端以及電壓放大器U4的輸入端相連,電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與電壓放大器U4的輸出端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT Q2 的基極相連,NPN型BJT Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連, NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思為將單MOSFET基本自激單元電路應(yīng)用于Cuk變換器中,使之成為新的自激式DC-DC變換器(如圖2、3所示)。單MOSFET基本自激單元電路由N型 MOSFET Ml、二極管Dl、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電容Cl、滯環(huán)比較器U3和驅(qū)動電路U2 組成。其特征如下M1為Cuk變換器主回路中的開關(guān)器件,Ml的門極與驅(qū)動電路U2的輸出端相連,Ml的漏極與二極管Dl的陽極和二極管D2的陰極相連,Dl的陰極與電阻Rl的一端相連,D2的陽極與電阻R2的一端相連,電阻Rl和電阻R2的另一端都與滯環(huán)比較器U3的輸入端以及電容Cl的一端相連,電容Cl的另一端接于直流電壓源Vi的負(fù)端,滯環(huán)比較器 U3的輸出端與驅(qū)動電路U2的輸入端相連。為獲得穩(wěn)定的直流輸出電壓,在Cuk變換器主回路的輸出端與單MOSFET基本自激單元電路的端口之間可增加一條電壓反饋支路,可由NPN型BJT Q2、電阻R4、電阻R6、電阻 R7和電容C3等組成(如圖2)。為獲得穩(wěn)定的直流輸出電流,在Cuk變換器主回路的輸出端與單MOSFET基本自激單元電路的端口之間可增加一條電流反饋支路,可由NPN型BJT Q2、 電阻R4、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C3和電壓放大器U4等組成(如圖3)。為防止Ml 過流,在Cuk變換器主回路的輸出端與單MOSFET基本自激單元電路的端口之間可增加一條過流保護(hù)支路,可由電阻R3、電阻R5、電容C2、NPN型BJTQl等組成(如圖2和圖3)。本發(fā)明的有益效果主要表現(xiàn)在本發(fā)明提出基于MOSFET的自激式Cuk變換器具有升降壓的電壓變換功能,電路結(jié)構(gòu)簡單、效率高,適合中小功率(數(shù)十瓦級以上)開關(guān)穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源、高亮度LED驅(qū)動電路等應(yīng)用。
圖1是現(xiàn)有基于BJT的自激式Cuk變換器電路圖。圖2是基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例1電路圖。圖3是基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例2電路圖。圖4是基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例1和實施例2中滯環(huán)比較器U3的輸入-輸出電壓特性圖。圖5是基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例1在電感電流連續(xù)工作模式下的理想波形圖。圖6是基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例2在電感電流連續(xù)工作模式下的理想波形圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。實施例1參照圖2、圖4和圖5,一款基于MOSFET的自激式Cuk變換器,包括由輸入電容Ci、 電感Ll、N型MOSFET Ml、電容C、二極管D、電感L2和電容Co組成的Cuk變換器主回路,輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯(lián),輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負(fù)載Ro與輸出電容Co并聯(lián),直流電壓源Vi的正端與電感Ll的一端相連,電感Ll的另一端與N型MOSFET Ml的漏極以及電容C的一端相連,N型MOSFET Ml的源極與電阻R3的一端相連,電阻R3的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端、二極管D的陰極以及直流輸出電壓Vo的正端相連,電容C 的另一端與二極管D的陽極以及電感L2的一端相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的負(fù)端相連;所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器還包括輔助電源Ul、驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3,輔助電源Ul用于提供驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3工作所需的各種直流電源電壓, 根據(jù)實際需要可對直流輸入電壓Vi進(jìn)行升壓或降壓的變換處理;驅(qū)動電路U2的輸入端與滯環(huán)比較器U3的輸出端連接,驅(qū)動電路U2的輸出端與N型MOSFET Ml的門極相連,驅(qū)動電路U2為N型MOSFET Ml (即主開關(guān)管)的開通和關(guān)斷提供必要的驅(qū)動。滯環(huán)比較器U3的輸入端與電容Cl、電阻Rl和電阻R2的一端相連,電容Cl的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,電阻Rl的另一端與二極管Dl的陰極相連,電阻R2的另一端與二極管D2的陽極相連,二極管Dl的陽極和二極管D2的陰極與N型MOSFET Ml的漏極相連。 圖2所示為基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例1,采用了過流保護(hù)支路,所述過流保護(hù)支路包括電阻R5、電容C2和NPN型BJT Ql,電阻R5的一端與N型MOSFET Ml的源極相連,電阻R5的另一端與電容C2的一端以及NPN型BJT Ql的基極相連,電容C2的另一端與NPN型BJT Ql的發(fā)射極以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連,NPN型BJT Ql的集電極與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連;還采用了電壓反饋支路,所述電壓反饋支路包括電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型BJT Q2和電阻R4,電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與直流輸出電壓Vo的正端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型 BJT Q2的基極相連,NPN型BJT Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流輸出電壓Vo的負(fù)端相連,NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。圖5所示基于MOSFET的自激式Cuk變換器實施例1在電感電流連續(xù)工作模式下的理想波形圖。其電路工作原理具體如下⑴電路上電啟動階段電路上電后,輔助電源 Ul開始工作,將直流輸入電壓Vi轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3工作所需的電壓。隨后,驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3也開始工作。剛開始即t = tO,電容Cl的端電壓vcl為零,因vcl小于U3的下限參考電壓Vrefl,U3輸出vp低電平,經(jīng)過U2功率放大輸出vgl低電平,Ml關(guān)斷,二極管D導(dǎo)通,由Vi、Ci、Li、C、D形成回路,電感Ll充電,電感電流iLl增力口,電容C充電,電壓vc上升,電壓vdl等于vc。同時,Cl通過Dl和Rl充電,電壓vcl上升。當(dāng)vcl上升至U3的上限參考電壓Vref2即t = tl,U3輸出vp高電平,經(jīng)過U2功率放大輸出vgl高電平,Ml導(dǎo)通。Ml導(dǎo)通后,D截止,電壓vdl等于零,由Vi、Ci、Li、Ml、R3形成回路,由C、Ml、R3、Co、Ro、L2形成另一回路,電感Ll和L2充電,電感電流iLl和iL2增加,輸出電容Co充電,輸出電壓vo上升。同時Cl通過D2和R2放電,電壓vcl下降。當(dāng) vcl下降至U3的下限參考電壓Vrefl即t = t2,U3輸出vp低電平,經(jīng)過U2功率放大輸出 vgl低電平,Ml再次關(guān)斷,電路進(jìn)入下一個自激周期。Ml關(guān)斷時,D導(dǎo)通,電感L2處于放電狀態(tài),電感電流iL2減小,若電容C端電壓vc小于直流輸入電壓Vi,電感Ll就會處于充電狀態(tài),電感電流iLl增加;若電容C端電壓vc大于直流輸入電壓Vi,電感Ll就會處于放電狀態(tài),電感電流iLl減小。歷經(jīng)若干個周期,當(dāng)電路的輸出電壓達(dá)到設(shè)定值Vo以后,電路就完成了上電啟動過程,進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作階段。(2)電路穩(wěn)態(tài)工作階段當(dāng)電路的輸出電壓達(dá)到設(shè)定值Vo以后,電路的電壓反饋支路就開始起作用。當(dāng)輸出電壓高于設(shè)定值Vo時,Q2導(dǎo)通,通過加大電容Cl的放電電流縮短Ml的導(dǎo)通時間(即t5-t4)、延長Ml的關(guān)斷時間(即t4-t3),實現(xiàn)輸出電壓的降低。當(dāng)輸出電壓低于設(shè)定值Vo時,Q2關(guān)斷,單MOSFET基本自激單元電路獨立工作,Ml的導(dǎo)通和關(guān)斷時間又恢復(fù)原樣,實現(xiàn)輸出電壓的提升。由此,電路可實現(xiàn)輸出穩(wěn)壓。實施例1電路工作后,無論是啟動狀態(tài)還是穩(wěn)態(tài)工作狀態(tài),只要Ml出現(xiàn)過流,過流保護(hù)支路就會起作用。當(dāng)R3、R5和C2檢測到Ml過流,Ql會立即導(dǎo)通,瞬間加大電容Cl的放電電流,待vcl下降并低于U3的下限參考電壓Vrefl后Ml就會關(guān)斷,阻止Ml中電流繼續(xù)增加。實施例2參照圖3、圖4和圖6,本實施例還包括電流反饋支路,所述電流反饋支路包括檢測電阻R8、電壓放大器U4、電阻R6、電容C3和電阻R7、NPN型BJT Q2和電阻R4,檢測電阻R8 與負(fù)載Ro組成串聯(lián)支路,所述串聯(lián)支路與輸出電容Co并聯(lián),檢測電阻R8的一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,檢測電阻R8的另一端與負(fù)載Ro的一端以及電壓放大器U4的輸入端相連,電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與電壓放大器U4的輸出端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT Q2的基極相連,NPN型BJTQ2 的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連,NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。本實施例的電路工作原理具體如下(1)電路上電啟動階段與實施例1相同,歷經(jīng)若干個周期,當(dāng)電路的輸出電流達(dá)到設(shè)定值Io以后,電路就完成了上電啟動過程,進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作階段。(2)電路穩(wěn)態(tài)工作階段當(dāng)電路的輸出電流達(dá)到設(shè)定值Io以后,電路的電流反饋支路就開始起作用。當(dāng)輸出電流高于設(shè)定值Io時,Q2導(dǎo)通,通過加大電容Cl的放電電流縮短Ml的導(dǎo)通時間(即t5-t4)、延長Ml的關(guān)斷時間(即t4-t3),實現(xiàn)輸出電流的降低。當(dāng)輸出電流低于設(shè)定值Io時,Q2關(guān)斷,單MOSFET基本自激單元電路獨立工作,Ml的導(dǎo)通和關(guān)斷時間又恢復(fù)原樣,實現(xiàn)輸出電流的提升。由此,電路可實現(xiàn)輸出穩(wěn)流。本實施例的其他電路結(jié)構(gòu)與實施例1相同。本說明書實施例所述的內(nèi)容僅僅是對發(fā)明構(gòu)思的實現(xiàn)形式的列舉,本發(fā)明的保護(hù)范圍的不應(yīng)當(dāng)被視為僅限于實施例所陳述的具體形式,本發(fā)明的保護(hù)范圍也及于本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思所能夠想到的等同技術(shù)手段。
權(quán)利要求
1.一種基于MOSFET的自激式Cuk變換器,其特征在于包括由輸入電容Ci、電感Ll、N 型MOSFET Ml、電容C、二極管D、電感L2和電容Co組成的Cuk變換器主回路,輸入電容Ci 與直流電壓源Vi并聯(lián),輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負(fù)載Ro與輸出電容Co并聯(lián),直流電壓源Vi的正端與電感Ll的一端相連,電感Ll的另一端與N型MOSFET Ml的漏極以及電容C的一端相連,N型MOSFET Ml的源極與電阻R3的一端相連,電阻R3的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端、二極管D的陰極以及直流輸出電壓Vo的正端相連,電容C的另一端與二極管D的陽極以及電感L2的一端相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的負(fù)端相連;所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器還包括輔助電源U1、驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器 U3,輔助電源Ul用于提供驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3工作所需的直流電源電壓,對直流輸入電壓Vi進(jìn)行升壓或降壓的變換處理;驅(qū)動電路U2的輸入端與滯環(huán)比較器U3的輸出端連接,驅(qū)動電路U2的輸出端與N型MOSFET Ml的門極相連,驅(qū)動電路U2為N型MOSFET Ml的開通和關(guān)斷提供驅(qū)動;滯環(huán)比較器U3的輸入端與電容Cl、電阻Rl和電阻R2的一端相連,電容Cl的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,電阻Rl的另一端與二極管Dl的陰極相連,電阻R2的另一端與二極管D2的陽極相連,二極管Dl的陽極和二極管D2的陰極與N型 MOSFET Ml的漏極相連。
2.如權(quán)利要求1所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器,其特征在于所述基于MOSFET 的自激式Cuk變換器還包括過流保護(hù)支路,所述過流保護(hù)支路包括電阻R5、電容C2和NPN 型BJT Ql,電阻R5的一端與N型MOSFET Ml的源極相連,電阻R5的另一端與電容C2的一端以及NPN型BJT Ql的基極相連,電容C2的另一端與NPN型BJT Ql的發(fā)射極以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連,NPN型BJT Ql的集電極與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。
3.如權(quán)利要求1或2所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器,其特征在于所述基于 MOSFET的自激式Cuk變換器還包括電壓反饋支路,所述電壓反饋支路包括電阻R6、電容C3、 電阻R7、NPN型BJTQ2和電阻R4,電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與直流輸出電壓Vo的正端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT Q2 的基極相連,NPN型BJT Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流輸出電壓Vo的負(fù)端相連, NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。
4.如權(quán)利要求1或2所述基于MOSFET的自激式Cuk變換器,其特征在于所述基于 MOSFET的自激式Cuk變換器還包括電流反饋支路,所述電流反饋支路包括檢測電阻R8、電壓放大器U4、電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型BJT Q2和電阻R4,檢測電阻R8與負(fù)載Ro組成串聯(lián)支路,所述串聯(lián)支路與輸出電容Co并聯(lián),檢測電阻R8的一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連,檢測電阻R8的另一端與負(fù)載Ro的一端以及電壓放大器U4的輸入端相連,電阻R6 和電容C3組成并聯(lián)支路,所述并聯(lián)支路的一端與電壓放大器U4的輸出端相連,所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT Q2的基極相連,NPN型BJT Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連,NPN型BJT Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。
全文摘要
一種基于MOSFET的自激式Cuk變換器,包括由輸入電容Ci、電感L1、N型MOSFET M1、電容C、二極管D、電感L2和電容Co組成的Cuk變換器主回路,該自激式Cuk變換器還包括輔助電源U1,采用的單MOSFET基本自激單元電路由N型MOSFET M1、二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電容C1、滯環(huán)比較器U3和驅(qū)動電路U2組成。本發(fā)明提供一種效率較高、適用功率范圍較寬的基于MOSFET的自激式Cuk變換器。
文檔編號H02M3/158GK102510216SQ20111037389
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者南余榮, 陳怡 申請人:浙江工業(yè)大學(xué)