專利名稱：反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開關(guān)電源，尤其涉及開關(guān)電源中的一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路。
背景技術(shù)：
目前開關(guān)電源的隔離反饋方式有兩種光耦隔離反饋和磁隔離反饋。光耦隔離反饋方式依靠光耦的線性工作區(qū)將輸出電壓誤差信號(hào)隔離反饋到原邊控制器，進(jìn)行脈沖寬度調(diào)節(jié)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)整體電源穩(wěn)壓控制。此種反饋方式的缺點(diǎn)是需要利用光耦的線性工作區(qū)進(jìn)行隔離反饋，而光耦器件在線性工作區(qū)的傳輸比容易隨溫度和時(shí)間發(fā)生漂移，而且抗輻照能力差。這些都會(huì)影響到隔離反饋的精度和穩(wěn)定性，從而影響到整個(gè)電源的閉環(huán)控制特性， 不適合在航天航空以及地下等惡劣應(yīng)用環(huán)境中長(zhǎng)期運(yùn)行。磁隔離反饋比較通用的方法是采用UC1901集成芯片，其存在的不足包括
1、所用器件多、電路復(fù)雜，成本較高；
2、補(bǔ)償環(huán)節(jié)多，調(diào)試周期長(zhǎng)；
3、UC1901的抗輻照總劑量較低，不滿足長(zhǎng)壽命航天器的應(yīng)用要求。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路。本發(fā)明提供了一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，包括
輸出電壓比較單元，用于對(duì)DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout進(jìn)行采樣、比較和補(bǔ)償，得到輸出電壓誤差信號(hào)；
磁隔離反饋單元，用于對(duì)所述輸出電壓比較單元得到的輸出電壓誤差信號(hào)斬波，得到脈沖方波信號(hào)，并輸出脈沖方波信號(hào)到原邊；
整流單元，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元得到的脈沖方波信號(hào)進(jìn)行半波整流，將輸出電壓誤差信號(hào)，得到反饋電壓Vfb并輸出到原邊控制芯片，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的閉環(huán)控制； 變壓器去磁單元，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元進(jìn)行去磁。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輸出電壓比較單元包括運(yùn)算放大器Ml、電阻R1、 R2和基準(zhǔn)電壓Vref，其中，DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣， 得到采樣電壓Vs，電阻Rl的另一端連接副邊地；運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端連接采樣電壓Vs，運(yùn)算放大器Ml的同相輸入端連接基準(zhǔn)電壓Vref ；運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋單元，輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣與基準(zhǔn)電壓Vref做比較，所得到的輸出電壓誤差值Vfb由運(yùn)算放大器Ml輸出到所述磁隔離反饋單元。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端和輸出端之間并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電阻R2兩端并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁隔離反饋單元包括磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l、 MOSFET開關(guān)Ql和驅(qū)動(dòng)變壓器T2，其中，運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l 的1端口，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的2端口連接MOSFET開關(guān)Ql的一端，MOSFET開關(guān)Ql的另一端連接副邊地，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接整流電路，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的 4端口接原邊地，所述驅(qū)動(dòng)變壓器T2驅(qū)動(dòng)所述MOSFET開關(guān)Ql。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輸出電壓比較單元還包括PNP三極管Q3，所述運(yùn)算放大器Ml的輸出端與PNP三極管Q3的基極連接，PNP三極管Q3的發(fā)射極通過上拉電阻 R6連接到DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout，Q3的發(fā)射極與磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端口連接。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述整流單元包括二極管D1、電容Cl和電阻R3，其中， 磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接二極管Dl的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3和電容Cl，電阻R3和電容Cl的另一端連接原邊地。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述變壓器去磁單元包括電阻R4、R5和PNP三極管Q2， 其中，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接電阻R5的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3、 R4和電容Cl，電阻R4的另一端連接PNP三極管Q2的發(fā)射極，PNP三極管Q2的集電極連接原邊地，PNP三極管Q2的基極連接電阻R5的另一端。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輸出電壓比較單元包括三端穩(wěn)壓芯片TL431和電阻Rl、R2、R7，其中，DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣，得到采樣電壓Vs，電阻Rl的另一端連接副邊地和三端穩(wěn)壓芯片TL431的陽(yáng)極；三端穩(wěn)壓芯片TL431 的參考極連接采樣電壓Vs，三端穩(wěn)壓芯片TL431的陰極連接所述磁隔離反饋單元，電阻R7 一端連接TL431的陰極，另一端連接DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，三端穩(wěn)壓芯片TL431的參考極和陰極之間或者電阻R2 的兩端之間并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。本發(fā)明的有益效果是電路簡(jiǎn)單，元器件用量少；適用范圍廣，可廣泛應(yīng)用于需要磁隔離反饋的應(yīng)用中；抗輻照和干擾能力強(qiáng)。


圖1是本發(fā)明一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的原理示意簡(jiǎn)圖2是本發(fā)明所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第一實(shí)施例的電路示意圖3是本發(fā)明所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第二實(shí)施例的電路示意圖4是本發(fā)明所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第三實(shí)施例的電路示意圖5是本發(fā)明所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第四實(shí)施例的電路示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合

及具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖1至圖5中的附圖標(biāo)號(hào)為輸出電壓比較單元1 ；磁隔離反饋單元2 ；整流單元 3;變壓器去磁單元4。如圖1所示，一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，包括 輸出電壓比較單元1，用于對(duì)DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout進(jìn)行采樣、比較和補(bǔ)償，
得到輸出電壓誤差信號(hào)；
磁隔離反饋單元2，用于對(duì)所述輸出電壓比較單元1得到的輸出電壓誤差信號(hào)斬波，得到脈沖方波信號(hào)，并輸出脈沖方波信號(hào)到原邊；
整流單元3，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元2得到的脈沖方波信號(hào)進(jìn)行半波整流，將輸出電壓誤差信號(hào)，得到反饋電壓Vfb并輸出到DC/DC開關(guān)電源，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的閉環(huán)控制； 變壓器去磁單元4，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元2進(jìn)行去磁。請(qǐng)參考圖2中的所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第一實(shí)施例的電路示意圖，所述輸出電壓比較單元1包括運(yùn)算放大器Ml、電阻Rl、R2和基準(zhǔn)電壓Vref，其中，DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣，得到采樣電壓 Vs,電阻Rl的另一端連接副邊地；運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端連接采樣電壓Vs，運(yùn)算放大器Ml的同相輸入端連接基準(zhǔn)電壓Vref ；運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋單元2，輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣與基準(zhǔn)電壓Vref做比較，所得到的輸出電壓誤差值Vfb由運(yùn)算放大器Ml輸出到所述磁隔離反饋單元。如圖2所示，可根據(jù)被控對(duì)象的情況可以選擇不同類型的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，所述運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端和輸出端之間可以并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1，所述電阻R2兩端也可以并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。如圖2所示，所述磁隔離反饋單元2包括磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐1、M0SFET開關(guān)Ql和驅(qū)動(dòng)變壓器T2，其中，運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端口，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的2端口連接MOSFET開關(guān)Ql的一端，MOSFET開關(guān)Ql的另一端連接副邊地， 磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接整流電路，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的4端口接原邊地，所述驅(qū)動(dòng)變壓器T2驅(qū)動(dòng)所述MOSFET開關(guān)Ql。如圖2所示，所述整流單元3包括二極管D1、電容Cl和電阻R3，其中，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接二極管Dl的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3和電容Cl，電阻 R3和電容Cl的另一端連接原邊地。如圖2所示，所述變壓器去磁單元4包括電阻R4、R5和PNP三極管Q2，其中，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接電阻R5的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3、R4和電容 Cl，電阻R4的另一端連接PNP三極管Q2的發(fā)射極，PNP三極管Q2的集電極連接原邊地，PNP 三極管Q2的基極連接電阻R5的另一端。所述變壓器去磁單元4的作用是在每個(gè)開關(guān)周期對(duì)磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l進(jìn)行去磁，以防止磁隔離反饋?zhàn)儔浩靼l(fā)生磁飽和現(xiàn)象。當(dāng)MOSFET開關(guān)Ql在每個(gè)周期關(guān)斷的時(shí)候，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的2端和4端感應(yīng)出高電平，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鞯?端和3端感應(yīng)出低電平。此時(shí)Vfb的電壓高于磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端電壓，PNP三極管Q2導(dǎo)通，對(duì)磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l進(jìn)行反向去磁。如圖2和圖3所示，MOSFET開關(guān)Ql的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以來自于DC/DC開關(guān)電源發(fā)出的時(shí)鐘信號(hào)，通過隔離驅(qū)動(dòng)變壓器T2傳送到副邊，用來驅(qū)動(dòng)MOSFET開關(guān)Ql ；MOSFET開關(guān)Ql的驅(qū)動(dòng)信號(hào)也可以是主拓?fù)涓边叺拿}沖信號(hào)，請(qǐng)參閱圖3中的所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第二實(shí)施例的電路示意圖。當(dāng)MOSFET開關(guān)Ql導(dǎo)通時(shí)，運(yùn)算放大器Ml的輸出電壓Vfb由磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端和2端傳到3端和4端，設(shè)定磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的匝比為1 1，則在3端和4端感應(yīng)的高電平等于輸出電壓Vfb。請(qǐng)參考圖4中的所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第三實(shí)施例的電路示意圖，在運(yùn)算放大器Ml的輸出端加入一個(gè)PNP三極管Q3，具體為，所述輸出電壓比較單元包括PNP三極管Q3，運(yùn)算放大器Ml的輸出端與PNP三極管Q3的基極連接， PNP三極管Q3的發(fā)射極通過上拉電阻R6連接到DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout，PNP三極管Q3的發(fā)射極與磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端口連接。此時(shí)，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1 端口電壓等于Vfb+0. 7V，反饋到磁隔離反饋?zhàn)儔浩鞯?端口電壓也為Vfb+0. 7V，再經(jīng)過二極管Dl的壓降，輸出電壓為Vfb。因此可以更準(zhǔn)確的反映運(yùn)算放大器Ml的輸出電壓Vfb。請(qǐng)參考圖5中的所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路的第四實(shí)施例的電路示意圖，用三端穩(wěn)壓芯片TL431來替代運(yùn)算放大器Ml和基準(zhǔn)電壓Vref，同時(shí)也不用考慮運(yùn)放輔助電源的問題，使得電路更加簡(jiǎn)單，使用更加方便。具體為，所述輸出電壓比較單元包括三端穩(wěn)壓芯片TL431和電阻Rl、R2、R7，其中，DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓 Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣，得到采樣電壓Vs，電阻Rl的另一端連接副邊地和三端穩(wěn)壓芯片TL431的陽(yáng)極；穩(wěn)壓管TL431的參考極連接采樣電壓Vs，三端穩(wěn)壓芯片TL431的陰極連接PNP三極管Q3的基極，電阻R7 —端連接TL431的陰極，另一端連接DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout。如圖5所示，可根據(jù)被控對(duì)象的情況可以選擇不同類型的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，三端穩(wěn)壓芯片TL431的參考極和陰極之間可以并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1，或者電阻R2的兩端之間也可以并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。本發(fā)明提供的一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，可將開關(guān)電源的輸出電壓信號(hào)通過磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l傳送到DC/DC開關(guān)電源，從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制，無需專門的磁隔離反饋控制芯片，電路簡(jiǎn)單，元器件用量少，抗干擾能力強(qiáng)，可應(yīng)用于任何需要磁隔離反饋的DC/DC開關(guān)電源中。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于，包括輸出電壓比較單元，用于對(duì)DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout進(jìn)行采樣、比較和補(bǔ)償，得到輸出電壓誤差信號(hào)；磁隔離反饋單元，用于對(duì)所述輸出電壓比較單元得到的輸出電壓誤差信號(hào)斬波，得到脈沖方波信號(hào)，并輸出脈沖方波信號(hào)到原邊；整流單元，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元得到的脈沖方波信號(hào)進(jìn)行半波整流，得到反饋電壓Vfb并輸出到原邊控制芯片，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的閉環(huán)控制；變壓器去磁單元，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元進(jìn)行去磁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述輸出電壓比較單元包括運(yùn)算放大器Ml、電阻Rl、R2和基準(zhǔn)電壓Vref，其中，DC/DC 開關(guān)電源的輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣，得到采樣電壓Vs，電阻Rl的另一端連接副邊地；運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端連接采樣電壓Vs，運(yùn)算放大器Ml的同相輸入端連接基準(zhǔn)電壓Vref ；運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋單元，輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣與基準(zhǔn)電壓Vref做比較，所得到的輸出電壓誤差值Vfb由運(yùn)算放大器 Ml輸出到所述磁隔離反饋單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述運(yùn)算放大器Ml的反相輸入端和輸出端之間并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述電阻R2兩端并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)K1。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述磁隔離反饋單元包括磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l、MOSFET開關(guān)Ql和驅(qū)動(dòng)變壓器T2，其中，運(yùn)算放大器Ml的輸出端連接磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端口，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的 2端口連接MOSFET開關(guān)Ql的一端，MOSFET開關(guān)Ql的另一端連接副邊地，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接整流電路，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的4端口接原邊地，所述驅(qū)動(dòng)變壓器T2 驅(qū)動(dòng)所述MOSFET開關(guān)Ql。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述輸出電壓比較單元還包括PNP三極管Q3，所述運(yùn)算放大器Ml的輸出端與PNP三極管Q3的基極連接，PNP三極管Q3的發(fā)射極通過上拉電阻R6連接到DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout，Q3的發(fā)射極與磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的1端口連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述整流單元包括二極管Dl、電容Cl和電阻R3，其中，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的3端口連接二極管Dl的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3和電容Cl，電阻R3和電容Cl的另一端連接原邊地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述變壓器去磁單元包括電阻R4、R5和PNP三極管Q2，其中，磁隔離反饋?zhàn)儔浩鱐l的 3端口連接電阻R5的一端，二極管Dl的另一端連接電阻R3、R4和電容Cl，電阻R4的另一端連接PNP三極管Q2的發(fā)射極，PNP三極管Q2的集電極連接原邊地，PNP三極管Q2的基極連接電阻R5的另一端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于所述輸出電壓比較單元包括三端穩(wěn)壓芯片TL431和電阻Rl、R2、R7，其中，DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout通過電阻Rl和R2分壓采樣，得到采樣電壓Vs，電阻Rl的另一端連接副邊地和三端穩(wěn)壓芯片TL431的陽(yáng)極；三端穩(wěn)壓芯片TL431的參考極連接采樣電壓Vs，三端穩(wěn)壓芯片TL431的陰極連接所述磁隔離反饋單元，電阻R7 —端連接TL431的陰極，另一端連接DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，其特征在于三端穩(wěn)壓芯片TL431的參考極和陰極之間或者電阻R2的兩端之間并聯(lián)有補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò) K1。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路。本發(fā)明提供了一種反饋輸出電壓誤差信號(hào)的開關(guān)電源磁隔離反饋電路，包括輸出電壓比較單元，用于對(duì)DC/DC開關(guān)電源的輸出電壓Vout進(jìn)行采樣、比較和補(bǔ)償，得到輸出電壓誤差信號(hào)；磁隔離反饋單元，用于對(duì)所述輸出電壓比較單元得到的輸出電壓誤差信號(hào)斬波，得到脈沖方波信號(hào)，并通過磁反饋?zhàn)儔浩鲗⑿盘?hào)傳送到原邊；整流單元，用于對(duì)所述磁隔離反饋單元得到的脈沖方波信號(hào)進(jìn)行半波整流，得到反饋電壓Vfb并輸出到原邊控制芯片，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的閉環(huán)控制。本發(fā)明的有益效果是電路簡(jiǎn)單，元器件用量少；適用范圍廣，可廣泛應(yīng)用于需要磁隔離反饋的應(yīng)用中；抗輻照和干擾能力強(qiáng)。
文檔編號(hào)H02M3/335GK102185485SQ201110123698
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者佟強(qiáng), 張東來, 張華 , 王騫 申請(qǐng)人:深圳航天科技創(chuàng)新研究院