專(zhuān)利名稱(chēng)：一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于單相直流無(wú)刷電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特指一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中 峰值的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的單相直流無(wú)刷電機(jī)，通常采用單顆HALL IC，這種方式無(wú)法消除高轉(zhuǎn)速高功 率單相直流無(wú)刷電機(jī)在運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生在線包兩端的峰值(即Vpk值)，在單相直流無(wú)刷電機(jī)高 速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，產(chǎn)生在線包上的峰值不能及時(shí)釋放從而形成峰值，而驅(qū)動(dòng)線包的元器件(即功 率管)都有其所能承受的最大電壓，因此會(huì)造成該元器件的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有單相直流無(wú)刷電機(jī)無(wú)法消除峰值的問(wèn)題，提供一種消 除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其目的采用的技術(shù)方案是一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的 方法，該方法是在電機(jī)線路板上，沿定子矽鋼片外圍設(shè)置兩個(gè)HALL IC，其中一個(gè)位于定子 矽鋼片的最高端方位，另一個(gè)位于定子矽鋼片的偏高端方位，使兩HALL IC之間形成角度 差，利用該角度差形成的延遲時(shí)間通過(guò)設(shè)置于線路板上的、與兩個(gè)HALLIC連接的放電電路 釋放線包能量，來(lái)消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中的峰值。該方法中，位于定子矽鋼片最高端方位的HALL IC作為電機(jī)起動(dòng)的傳感器；當(dāng)電 機(jī)轉(zhuǎn)速達(dá)到設(shè)定值后，兩個(gè)HALL IC同時(shí)啟用。所述兩HALL IC之間的角度差小于90°。本發(fā)明采用上述技術(shù)方案后，通過(guò)兩顆HALL IC之間的角度差形成延遲時(shí)間，利用 該DELAY時(shí)間，在磁極切換的瞬間先釋放線包能量，從而消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的 峰值，同時(shí)降低了電磁干擾噪音。


圖1是本發(fā)明方法中HALL IC的設(shè)置示意圖；圖2是本發(fā)明一種實(shí)施例低中功率單相直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路示意圖；圖3是本發(fā)明另一種實(shí)施例高功率單相直流無(wú)刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。 首先，如圖1所示，本發(fā)明消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法是在電機(jī)線 路板1上，沿定子矽鋼片2外圍設(shè)置兩個(gè)HALL IC，其中一個(gè)HALL IC 3位于定子矽鋼片2 的最高端方位，另一個(gè)HALL IC4位于定子矽鋼片2的偏高端方位，使兩HALL IC之間形成 角度差a，由于存在角度差a，因此兩HALL IC在感應(yīng)信號(hào)時(shí)存在時(shí)間差，利用該角度差形成CN 102097797 A
說(shuō)明書(shū)
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的延遲時(shí)間，通過(guò)線路板1上設(shè)置的、與兩HALL IC連接的放電電路釋放線包能量，從而消 除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中的峰值。該方法中，位于定子矽鋼片2最高端方位的HALL IC 3作為電機(jī)起動(dòng)的傳感器；當(dāng) 電機(jī)轉(zhuǎn)速達(dá)到設(shè)定值后，兩個(gè)HALL IC同時(shí)啟用。放置在DELAY角度(即偏高端方位)上 的HALL IC 4不能作為啟動(dòng)時(shí)用，因?yàn)槠叨朔轿坏腍ALL IC 4在起動(dòng)時(shí)感應(yīng)存在問(wèn)題，會(huì) 使單相直流無(wú)刷電機(jī)在起動(dòng)時(shí)出現(xiàn)吸死，或抖動(dòng)，故為避免起動(dòng)時(shí)出現(xiàn)此問(wèn)題，需用放置在 最高端方位的HALL IC 3來(lái)作為起動(dòng)時(shí)使用，因放置在最高端方位之HALL IC 3不會(huì)存在 感應(yīng)不良，故可消除起動(dòng)時(shí)的吸死及抖動(dòng)問(wèn)題。即本發(fā)明方案既可以消除單相直流無(wú)刷電 機(jī)運(yùn)行時(shí)尤其在高功率運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的峰值，降低電磁干擾噪音，同時(shí)也可以解決起動(dòng)抖動(dòng)問(wèn)題。本發(fā)明中，所述兩HALL IC之間的角度差a小于90°。采用本發(fā)明方案后，單相直流無(wú)刷電機(jī)的工作過(guò)程如下起動(dòng)時(shí)，以最高端方位之HALL IC作為起動(dòng)傳感；在轉(zhuǎn)速達(dá)到一設(shè)定值例如 200RPM(或更高)以后，開(kāi)始同時(shí)使用兩顆HALL IC，利用兩顆HALL IC之間的角度差形成 DELAY時(shí)間，在磁極切換的瞬間先釋放線包能量(即消除峰值)，然后再進(jìn)行換相，反復(fù)循 環(huán)；當(dāng)遇堵轉(zhuǎn)時(shí)，單相直流無(wú)刷電機(jī)可以根據(jù)轉(zhuǎn)速的變化形成的DELAY時(shí)間的變化再次達(dá) 到消除峰值的狀態(tài)。因此，整個(gè)運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程中，單相直流無(wú)刷電機(jī)不會(huì)產(chǎn)生峰值。如圖2、3所示，本發(fā)明實(shí)施例中，針對(duì)不同要求的單相直流無(wú)刷電機(jī)，兩個(gè)HALL IC在電路中的連接方式也有所不同，放電電路的形式也有多種；圖中，標(biāo)注為CENTER處的 HALL IC設(shè)置在矽鋼片的最高端方位，而標(biāo)注為OFFSET處的HALL IC設(shè)置在矽鋼片的偏高 端方位，其電路原理在此不再贅述，雖然二者連接方式不同，但其目的和效果是一致的，均 可以消除電機(jī)運(yùn)行中的峰值，同時(shí)也解決起動(dòng)抖動(dòng)問(wèn)題。
權(quán)利要求
1.一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法，其特征在于該方法是在電機(jī)線路 板上，沿定子矽鋼片外圍設(shè)置兩個(gè)HALL IC，其中一個(gè)位于定子矽鋼片的最高端方位，另一 個(gè)位于定子矽鋼片的偏高端方位，使兩HALL IC之間形成角度差，利用該角度差形成的延遲 時(shí)間通過(guò)設(shè)置于線路板上的、與兩個(gè)HALL IC連接的放電電路釋放線包能量，來(lái)消除單相直 流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中的峰值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法，其特征在 于該方法中，位于定子矽鋼片最高端方位的HALLIC作為電機(jī)起動(dòng)的傳感器；當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)速 達(dá)到設(shè)定值后，兩個(gè)HALLIC同時(shí)啟用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法，其特征在 于所述兩HALL IC之間的角度差小于90°。
全文摘要
本發(fā)明屬于單相直流無(wú)刷電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特指一種消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中峰值的方法。該方法是在電機(jī)線路板上，沿定子矽鋼片外圍設(shè)置兩個(gè)HALL IC，其中一個(gè)位于定子矽鋼片的最高端方位，另一個(gè)位于定子矽鋼片的偏高端方位，使兩HALL IC之間形成角度差，利用該角度差形成的延遲時(shí)間通過(guò)設(shè)置于線路板上的、與兩個(gè)HALL IC連接的放電電路釋放線包能量，來(lái)消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)行中的峰值。本發(fā)明采用上述技術(shù)方案后，通過(guò)兩顆HALL IC之間的角度差形成延遲時(shí)間，利用該DELAY時(shí)間，在磁極切換的瞬間先釋放線包能量，從而消除單相直流無(wú)刷電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的峰值，降低電磁干擾噪音，同時(shí)也可以解決起動(dòng)抖動(dòng)問(wèn)題。
文檔編號(hào)H02H9/04GK102097797SQ201010617979
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者鄭早平 申請(qǐng)人:鄭早平