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一種光伏發(fā)電裝置的制作方法

文檔序號:7501891閱讀:195來源:國知局
專利名稱:一種光伏發(fā)電裝置的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能發(fā)電裝置,尤其是一種高倍電流輸出的光伏發(fā)電裝置。
背景技術
目前,光伏發(fā)電已是比較成熟的技術,但是,現(xiàn)有技術的光伏發(fā)電消耗的硅材料太 多,聚焦發(fā)電表面溫度遠遠高于7(TC,電流提升的倍數(shù)不太高,發(fā)電效率不高,實現(xiàn)規(guī)模發(fā)
電將使用大量單晶硅片。由于目前單晶硅片的價格很高,因此造成光伏發(fā)電裝置的價格也 很高,按使用壽命等因素折合的電價相對較高,所以普及率較低,目前基本上靠國家補貼維
持。因此,設計一種單晶硅片表面溫度低于7(TC、電流提高到100至300倍的光伏發(fā)電裝 置,是目前需要解決的技術問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種單晶硅片表面溫度低于7(TC、電流提
高到100至300倍的光伏發(fā)電裝置。 本實用新型解決其技術問題的技術方案是 —種光伏發(fā)電裝置,由多個單晶硅片組成,多個面積較小的單晶硅片分別焊接于 多個面積較大的金屬板的上部,多個焊接有單晶硅片的金屬板通過絕緣板順序連接固定, 前后兩塊金屬板之間絕緣,前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過導線連接。 本實用新型解決其技術問題的技術方案還可以是 本實用新型所述的絕緣板在金屬板的下部將前后兩塊金屬板連接固定。 本實用新型所述的金屬板為方形金屬板,所述的單晶硅片為方形單晶硅片,單晶
硅片焊接在金屬板上部的中心部位。 本實用新型金屬板的面積是單晶硅片的面積的300-500倍。 本實用新型的有益效果是 與現(xiàn)有技術相比,單晶硅片表面溫度低于70°C 、電流提高到100至300倍,電價低。
圖1是本實用新型的結構示意圖(剖視圖)。 圖2是圖1的俯視圖。
具體實施方式如圖所示,一種光伏發(fā)電裝置,由多個單晶硅片2組成,多個面積較小的單晶硅片 2分別焊接于多個面積較大的金屬板1的上部,多個焊接有單晶硅片2的金屬板1通過絕緣 板4順序連接固定,前后兩塊金屬板之間絕緣,前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板 通過導線3連接。所述的絕緣板4在金屬板的下部將前后兩塊金屬板連接固定。所述的金
3屬板1為方形金屬板,所述的單晶硅片2為方形單晶硅片,單晶硅片2焊接在金屬板1上部 的中心部位。金屬板1的面積是單晶硅片2的面積的300-500倍。
權利要求一種光伏發(fā)電裝置,由多個單晶硅片(2)組成,其特征在于多個面積較小的單晶硅片(2)分別焊接于多個面積較大的金屬板(1)的上部,多個焊接有單晶硅片(2)的金屬板(1)通過絕緣板(4)順序連接固定,前后兩塊金屬板之間絕緣,前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過導線(3)連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種光伏發(fā)電裝置,其特征在于所述的絕緣板(4)在金屬 板的下部將前后兩塊金屬板連接固定。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的一種光伏發(fā)電裝置,其特征在于所述的金屬板(1)為 方形金屬板,所述的單晶硅片(2)為方形單晶硅片,單晶硅片(2)焊接在金屬板(1)上部的 中心部位。
4. 根據(jù)權利要求3所述的一種光伏發(fā)電裝置,其特征在于金屬板(1)的面積是單晶 硅片(2)的面積的300-500倍。
專利摘要本實用新型公開一種光伏發(fā)電裝置,由多個單晶硅片組成,多個面積較小的單晶硅片分別焊接于多個面積較大的金屬板的上部,多個焊接有單晶硅片的金屬板通過絕緣板順序連接固定,前后兩塊金屬板之間絕緣,前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過導線連接。它是單晶硅片表面溫度低于70℃、電流提高到100至300倍,電價低的光伏發(fā)電裝置。
文檔編號H02N6/00GK201467022SQ200920103828
公開日2010年5月12日 申請日期2009年7月21日 優(yōu)先權日2009年7月21日
發(fā)明者粱方民 申請人:粱方民
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