專利名稱：一種磁場(chǎng)力做功模型的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
用于動(dòng)力領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
根據(jù)磁場(chǎng)邊界條件，磁場(chǎng)具有被鐵磁質(zhì)屏蔽的性質(zhì)(如圖1)。磁場(chǎng)被鐵磁質(zhì)屏 蔽后的區(qū)域磁場(chǎng)強(qiáng)度相對(duì)減弱，所以未屏蔽的區(qū)域磁場(chǎng)強(qiáng)度比屏蔽區(qū)的磁場(chǎng)相對(duì)較強(qiáng)。 根據(jù)這一特點(diǎn)可以得出，被屏蔽的磁場(chǎng)區(qū)域和未屏蔽的場(chǎng)區(qū)總體形成的區(qū)域是一個(gè)非保 守場(chǎng)。既然是保守場(chǎng)，那就可以指定一個(gè)經(jīng)過屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)回路，用一個(gè)磁體或鐵 磁質(zhì)沿著這一回路運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)一個(gè)完整的回路后，磁場(chǎng)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做功可以大于 零，從而對(duì)外界做功。
發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容
根據(jù)磁屏蔽原理，用磁體或鐵磁質(zhì)在磁場(chǎng)被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運(yùn)動(dòng)，使磁場(chǎng)力 在被屏蔽區(qū)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做負(fù)功，在未屏蔽區(qū)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做正功，因?yàn)槠帘螀^(qū)磁 場(chǎng)強(qiáng)度相對(duì)較弱，所以磁場(chǎng)做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外界做功。
本發(fā)明技術(shù)方案是應(yīng)用磁屏蔽原理，屏蔽區(qū)磁場(chǎng)較弱，未屏蔽區(qū)較強(qiáng)，指定 一個(gè)同時(shí)經(jīng)過屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)的回路，使磁場(chǎng)在運(yùn)動(dòng)一個(gè)完整的回路后，對(duì)磁體或鐵 磁質(zhì)做的負(fù)功較少，正功較多，從而使總功大于零。根據(jù)這一原理，有兩種具體方案 第一種是產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁體與起屏蔽作用的物體相對(duì)靜止，僅屏蔽磁場(chǎng)的部分區(qū)域，一部 分未屏蔽，使磁體或鐵磁質(zhì)在屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運(yùn)動(dòng)，可以使磁場(chǎng)力對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做 的總功大于零，從而對(duì)外界做功。第二種是磁場(chǎng)交替的處于被屏蔽和未屏蔽兩種狀 態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場(chǎng)在未被屏蔽時(shí)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做正功，而在被屏蔽時(shí)磁場(chǎng) 做負(fù)功，未屏蔽時(shí)磁場(chǎng)較強(qiáng)，做正功多，被屏蔽時(shí)磁場(chǎng)較弱，做負(fù)功少，在一個(gè)完整的 循環(huán)中，總功大于零，從而對(duì)外界做功。
應(yīng)用前景
用于動(dòng)力領(lǐng)域。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是一對(duì)基本磁元被部分屏蔽后磁場(chǎng)分布區(qū)域模型圖。
圖2是一個(gè)實(shí)際的磁體被部分屏蔽后磁場(chǎng)分布區(qū)域圖。
圖3是磁場(chǎng)被部分屏蔽后形成非保守場(chǎng)而對(duì)磁體做功模型圖。
圖4是采用磁場(chǎng)通過被屏蔽和未屏蔽狀態(tài)交替時(shí)對(duì)磁體做功模型圖。
圖中1. 一對(duì)基本磁元，2.起屏蔽作用的鐵磁質(zhì)，3.磁場(chǎng)未屏蔽區(qū)，4.磁場(chǎng)被屏 蔽區(qū)，5.屏蔽狀態(tài)分界面，6.產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁體，7.磁場(chǎng)未屏蔽區(qū)，8.磁體的一部分被屏蔽 區(qū)，9.磁場(chǎng)被屏蔽區(qū)，10.受磁場(chǎng)力做功的磁體，11.磁體運(yùn)動(dòng)的方向，12.磁體運(yùn)動(dòng)的回 路。
具體實(shí)施方式
方式1 :如圖3所示，磁體6被屏蔽物2部分屏蔽，磁體10沿著回路12運(yùn)動(dòng)， 先從未屏蔽區(qū)靠近磁場(chǎng)，由于受到引力做正功；然后進(jìn)入屏蔽區(qū)，在屏蔽區(qū)遠(yuǎn)離磁場(chǎng)受 到斥力做負(fù)功。由于未屏蔽區(qū)磁場(chǎng)較屏蔽區(qū)相對(duì)強(qiáng)，所以做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外 界做功。
方式2 如圖4所示，這里兩個(gè)磁體互為磁場(chǎng)，互為做功。先認(rèn)為磁體6產(chǎn)生 磁場(chǎng)，磁體10受場(chǎng)力做功，兩個(gè)磁體同時(shí)在被屏蔽時(shí)互相靠近，由于都受斥力，場(chǎng)力做 負(fù)功；然后同時(shí)運(yùn)動(dòng)到未屏蔽區(qū)，互相遠(yuǎn)離，都受斥力，場(chǎng)力做正功。由于做正功時(shí)磁 場(chǎng)較強(qiáng)，總功大于零，從而對(duì)外界做功。
權(quán)利要求
1.一種磁場(chǎng)力做功模型，根據(jù)磁屏蔽原理，由于磁場(chǎng)在被鐵磁質(zhì)屏蔽時(shí)，被屏蔽后 的磁場(chǎng)強(qiáng)度比未屏蔽時(shí)的磁場(chǎng)強(qiáng)度減弱，根據(jù)這一特點(diǎn)，讓磁體或鐵磁質(zhì)在磁場(chǎng)被屏蔽 區(qū)和未屏蔽區(qū)運(yùn)動(dòng)，使磁場(chǎng)力在未屏蔽或被較少屏蔽時(shí)，對(duì)運(yùn)動(dòng)的磁體或鐵磁質(zhì)做正功 較多，在被屏蔽或被較多屏蔽區(qū)時(shí)，對(duì)運(yùn)動(dòng)的磁體或鐵磁質(zhì)做負(fù)功較少，磁場(chǎng)做的正功 大于負(fù)功，從而對(duì)外界做功。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是起屏蔽作用的物體僅屏蔽磁 場(chǎng)的部分區(qū)域，一部分未屏蔽，使磁體或鐵磁質(zhì)在磁場(chǎng)被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運(yùn)動(dòng)，可以 使磁場(chǎng)力對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做的總功大于零，從而對(duì)外界做功。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)與屏蔽物可以相對(duì)運(yùn) 動(dòng)，磁場(chǎng)具有被屏蔽和未被屏蔽兩種狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場(chǎng)未被屏蔽時(shí)對(duì)磁體 或鐵磁質(zhì)做正功，而在被屏蔽時(shí)磁場(chǎng)做負(fù)功，由于磁場(chǎng)做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外界 做功。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)與屏蔽物體可以相對(duì)運(yùn) 動(dòng)，磁場(chǎng)具有被較多屏蔽和被較少屏蔽兩種狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場(chǎng)在被較少屏 蔽時(shí)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做正功，而在被較多屏蔽時(shí)磁場(chǎng)做負(fù)功，由于磁場(chǎng)做的正功大于負(fù) 功，從而對(duì)外界做功。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是形成磁場(chǎng)的磁體可以是永磁 體或者電磁體構(gòu)成的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是在磁場(chǎng)中受磁場(chǎng)力做功的物 體可以是永磁體、電磁體或鐵磁質(zhì)構(gòu)成的裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的磁體可以是僅 一極在靠近磁場(chǎng)處運(yùn)動(dòng)并受場(chǎng)力做功，另一極離磁場(chǎng)較遠(yuǎn)，受場(chǎng)力做功很小，同樣可以 使磁場(chǎng)做的總功大于零。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的磁體可以是僅 一極沿著指定的回路運(yùn)動(dòng)并受場(chǎng)力做功，另一極沿著較小的回路運(yùn)動(dòng)或者僅繞一個(gè)點(diǎn)轉(zhuǎn) 動(dòng)，受場(chǎng)力做功很小，同樣可以使磁場(chǎng)做的總功大于零。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的磁體或鐵磁質(zhì) 可以是受磁場(chǎng)引力，在磁場(chǎng)未屏蔽時(shí)接近磁場(chǎng)受場(chǎng)力做正功；在磁場(chǎng)被屏蔽時(shí)遠(yuǎn)離磁場(chǎng) 受磁場(chǎng)力做負(fù)功，磁場(chǎng)做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外界做功。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)力做功模型，其特征是磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的磁體或鐵磁質(zhì) 可以是受磁場(chǎng)斥力，在磁場(chǎng)被屏蔽時(shí)接近磁場(chǎng)受磁場(chǎng)力做負(fù)功；在磁場(chǎng)不被屏蔽時(shí)遠(yuǎn)離 磁場(chǎng)受場(chǎng)力做正功，磁場(chǎng)做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外界做功。
全文摘要
一種磁場(chǎng)力做功模型，根據(jù)磁屏蔽原理，即磁場(chǎng)在被屏蔽后的區(qū)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度比未屏蔽時(shí)的區(qū)域強(qiáng)度相對(duì)減弱的特點(diǎn)，用磁體或鐵磁質(zhì)在磁場(chǎng)被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運(yùn)動(dòng)，使磁場(chǎng)力在未屏蔽區(qū)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做正功較多，在被屏蔽區(qū)對(duì)磁體或鐵磁質(zhì)做負(fù)功較少，磁場(chǎng)做的正功大于負(fù)功，從而對(duì)外界做功。
文檔編號(hào)H02N11/00GK102025293SQ20091017323
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月11日
發(fā)明者鄭永罡 申請(qǐng)人:鄭永罡