專利名稱：：具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明有關(guān)一種無橋式功率因數(shù)修正器，特別是一種具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其中升壓電感器通過升壓晶體管組件的通道釋放其儲能以降低本體二極管導通損失并提升效率。
背景技術(shù)：
：一般而言，電阻器消耗實功率(realpower)因為線電流與線電壓同相(inphasewith)；電感器或電容器儲存虛功率(imaginarypower)因為線電流與線電壓的相位差九十度(inquadraturewith)。電阻性負載僅消耗實功率而非電阻性負載不僅消耗實功率而且儲存虛功率。虛功率增加非必要的線電流和線損。因此，電力公司要求大規(guī)模用電設備的功率因數(shù)(PowerFactor,PF)被修正至一可接受的值。修正功率因數(shù)的普遍方法為促進線電流與線電壓同相。在切換式電源供應器中的功率因數(shù)修正器(PowerFactorCorrector,PFC)將線電流波形塑造成線電壓波形以修正功率因數(shù)?，F(xiàn)有的PFC拓撲結(jié)構(gòu)，如圖1所示，利用一橋式整流器10將跨于第一輸入電壓端Vil和第二輸入電壓端Vi2的交流弦波輸入電壓整流成跨于濾波電容器C11的直流弦波輸出電壓；和一升壓轉(zhuǎn)換器11將線電流波形塑造成線電壓波形并且將跨于濾波電容器C11的較低的直流弦波輸入電壓轉(zhuǎn)換成跨于濾波電容器C12的較高的直流恒定輸出電壓。為便于說明升壓電感器的儲能與釋能，假設水平軸為電感器電流且垂直軸為電感器電壓。升壓電感器L11永遠操作在第一與第四象限。當高頻開關(guān)控制器12開啟升壓晶體管Q11,升壓電感器L11通過濾波電容器C11和升壓晶體管Q11在第一象限儲能。當高頻開關(guān)控制器12關(guān)閉升壓晶體管Q11,升壓電感器L11通過濾波電容器Cn、升壓二極管D11和濾波電容器C12在第四象限釋能。高頻開關(guān)控制器12與升壓轉(zhuǎn)換器11將通過第一輸入電壓端Vil和第二輸入電壓端Vi2的交流輸入電流波形塑造成跨于第一輸入電壓端Vil和第二輸入電壓端Vi2的交流輸入電壓波形并且將跨于濾波電容器C12的直流輸出電壓穩(wěn)壓在一恒定準位。仔細審視橋式整流器10。為便于說明下文，假設正半周(positivehalfperiod)意指Vil的電位高于Vi2的電位且負半周(negativehalfperiod)意指Vil的電位低于Vi2的電位。在每半周期間，兩個對角的(diagonal)整流二極管開啟。在正半周期間，左上整流二極管和右下整流二極管開啟。在負半周期間，右上整流二極管和左下整流二極管開啟。因此，現(xiàn)有的PFC拓撲結(jié)構(gòu)遭受整流二極管導通損失(rectificationdiodeconductionloss)。無橋式PFC拓撲結(jié)構(gòu)可消除此整流二極管導通損失藉由將橋式整流器從PFC拓撲結(jié)構(gòu)移除?，F(xiàn)有的無橋式PFC拓撲結(jié)構(gòu)示于圖2，其中第一輸入電壓端Vil和第二輸入電壓端Vi2連接至交流輸入電壓源；升壓電感器L21可被集總(lumped)/分布(distributed)在Vil與第一連接端V1間，或/及Vi2與第二連接端V2間；濾波電容器C21連接至輸出電壓端V。和參考電壓端Vref；升壓二極管D21、D22和升壓N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管(NM0SFET)Q21、Q22被連接成一橋式配置(bridgeconfiguration)且被放置在升壓電感器L21和濾波電容器C21之間；高頻開關(guān)控制器22同時開啟或關(guān)閉升壓晶體管Q21和Q22。在正半周期間，升壓電感器L21操作在第一與第四象限。當高頻開關(guān)控制器22同時開啟升壓晶體管Q21和Q22，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、升壓晶體管Q21的通道和Q22的通道在第一象限儲能。當高頻開關(guān)控制器22同時關(guān)閉升壓晶體管Q21和Q22，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、升壓二極管D21、濾波電容器C21和升壓晶體管Q22的本體二極管(bodydiode)在第四象限釋能。在負半周期間，升壓電感器L21操作在第二與第三象限。當高頻開關(guān)控制器22同時開啟升壓晶體管Q21和Q22，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、升壓晶體管Q22的通道和Q21的通道在第三象限儲能。當高頻開關(guān)控制器22同時關(guān)閉升壓晶體管Q21和Q22，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、升壓二極管D22、濾波電容器C21和升壓晶體管Q21的本體二極管在第二象限釋能。因為現(xiàn)有的無橋式PFC拓撲結(jié)構(gòu)不需橋式整流器，它比現(xiàn)有的PFC拓撲結(jié)構(gòu)有較高的效率。然而，可惜的是升壓電感器通過NM0SFET的本體二極管釋放其儲能。此釋能電感器電流導致本體二極管導通損失(bodydiodeconductionloss)。本發(fā)明揭示如何通過NM0SFET的通道(channel)釋放升壓電感器的儲能以降低此本體二極管導通損失。
發(fā)明內(nèi)容依據(jù)本發(fā)明，具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器包含一第一輸入電壓端、一第二輸入電壓端、一第一連接端、一第二連接端、一輸出電壓端、一參考電壓端、一升壓電感器、一濾波電容器、一第一與一第二升壓二極管、一第一與一第二升壓晶體管組件、一高頻開關(guān)控制器、一第一與一第二低頻開關(guān)驅(qū)動器及一第一與一第二線電壓極性檢測器。升壓電感器可被集總或分布在交流輸入電壓源與二連接端間；濾波電容器置于輸出電壓端與參考電壓端之間；第一與第二升壓二極管的陽極分別連接至第一與第二連接端；第一與第二升壓二極管的陰極皆連接至輸出電壓端。第一與第二升壓晶體管組件皆包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端與一第二輸出端，其中第一與第二升壓晶體管組件的第一輸入端分別連接至第一與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器；第一與第二升壓晶體管組件的第二輸入端皆連接至高頻開關(guān)控制器；第一與第二升壓晶體管組件的第一輸出端分別連接至第一與第二連接端；第一與第二升壓晶體管組件的第二輸出端皆連接至參考電壓端。第一與第二線電壓極性檢測器皆連接至交流輸入電壓源的二端；分別檢測交流輸入電壓源的負與正半周且分別以耦合(可為但不受限于光耦合、磁耦合等)信號控制第一與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器，其與高頻開關(guān)控制器以一控制邏輯(可為但不受限于或邏輯、與非邏輯等)驅(qū)動第一與第二升壓晶體管組件。第一及第二升壓晶體管組件的通道位于其第一與第二輸出端之間。在負半周期間，第一低頻開關(guān)驅(qū)動器恒開啟第一升壓晶體管組件的通道而高頻開關(guān)控制器開啟或關(guān)閉第二升壓晶體管組件的通道使得升壓電感器可通過第一升壓晶體管組件的通道釋放其儲能以降低本體二極管導通損失。在正半周期間，第二低頻開關(guān)驅(qū)動器恒開啟第二升壓晶體管組件的通道而高頻開關(guān)控制器開啟或關(guān)閉第一升壓晶體管組件的通道使得升壓電感器可通過第二升壓晶體管組件的通道釋放其儲能以降低本體二極管導通損失。簡言之，第一與第二升壓晶體管組件的通道分別在負與正半周期間維持開啟。本發(fā)明的上述及其它特點和優(yōu)點通過下列配合附圖對本發(fā)明的較佳具體實施例的詳細描述將可被更加清楚地了解，其中圖1所示為現(xiàn)有橋式功率因數(shù)修正器的電路圖。圖2所示為現(xiàn)有無橋式功率因數(shù)修正器的電路圖。圖3所示為本發(fā)明的方塊圖。圖4a所示為本發(fā)明的第一實施例的電路圖。圖4b所示為本發(fā)明的第二實施例的電路圖。具體實施例方式圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器的方塊圖，其包含一第一輸入電壓端Vil、一第二輸入電壓端Vi2、一第一連接端V1、一第二連接端V2、一輸出電壓端V。、一參考電壓端、一升壓電感器L21、一濾波電容器C21、一第一升壓二極管D21、一第二升壓二極管D22、一第一升壓晶體管組件33、一第二升壓晶體管組件34、一高頻開關(guān)控制器22、一第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303、一第二低頻開關(guān)驅(qū)動器304、一第一線電壓極性檢測器301與一第二線電壓極性檢測器302。Vil與Vi2連接至一交流輸入電壓源；L21可被集總/分布在Vil與V1間或/及Vi2與V2間；C21置于V0與Vref之間；D21與D22的陽極分別連接至V1與V2；D21與D22的陰極皆連接至V—第一與第二升壓晶體管組件33與34皆包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端與一第二輸出端，其中第一與第二升壓晶體管組件33與34的第一輸入端分別連接至第一與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器303與304；第一與第二升壓晶體管組件33與34的第二輸入端皆連接至高頻開關(guān)控制器22；第一與第二升壓晶體管組件33與34的第一輸出端分別連接至V1與V2；第一與第二升壓晶體管組件33與34的第二輸出端皆連接至Vref。第一與第二線電壓極性檢測器301與302皆連接至Vil與Vi2；分別檢測交流輸入電壓的負與正半周且分別以耦合(可為但不受限于光耦合、磁耦合等)信號控制第一與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器303與304，其與高頻開關(guān)控制器22以一控制邏輯(可為但不受限于或邏輯、與非邏輯等)驅(qū)動第一與第二升壓晶體管組件33與34。第一及第二升壓晶體管組件33和34的通道位于其第一與第二輸出端之間。在負半周期間，第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303恒開啟第一升壓晶體管組件33的通道而高頻開關(guān)控制器22開啟或關(guān)閉第二升壓晶體管組件34的通道使得L21可通過第一升壓晶體管組件33的通道釋放其儲能以降低本體二極管導通損失。在正半周期間，第二低頻開關(guān)驅(qū)動器304恒開啟第二升壓晶體管組件34的通道而高頻開關(guān)控制器22開啟或關(guān)閉第一升壓晶體管組件33的通道使得L21可通過第二升壓晶體管組件34的通道釋放其儲能以降低本體二極管導通損失。簡言之，第一與第二升壓晶體管組件的通道分別在負與正半周期間維持開啟。接著探討第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303與高頻開關(guān)控制器22如何以或控制邏輯(ORcontrollogic)驅(qū)動第一升壓晶體管組件33。假設X1為第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303的輸出信號，其被輸入至第一升壓晶體管組件33的第一輸入端作為或邏輯門(ORlogicgate)的第一輸入信號；X2為高頻開關(guān)控制器22的輸出信號，其被輸入至第一升壓晶體管組件33的第二輸入端作為或邏輯門的第二輸入信號；Y為或邏輯門的輸出信號，其被用以驅(qū)動第一升壓晶體管組件33的柵極。X”X2與Y間的或邏輯關(guān)系可被表示為Y=X^X2,且對應的真值表(truthtable)列于表1，其中L代表低電平且H代表高電平。在正半周期間，X1恒維持在低電平(X1=L)；Y的電平等于X2的電平(Y=X^X2=L+X2=X2)。易言之，高頻開關(guān)控制器22開啟或關(guān)閉第一升壓晶體管組件33的通道。在負半周期間，X1恒維持在高電平(X1=H)；Y亦恒維持在高電平(Y=X^X2=H+X2=H)。易言之，第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303恒開啟第一升壓晶體管組件33的通道。同樣的推理亦可被用于說明第二低頻開關(guān)驅(qū)動器304與高頻開關(guān)控制器22如何以或控制邏輯驅(qū)動第二升壓晶體管組件34。XlY=X1+X2正LLL半周LHH負HLH半周HHH表1繼續(xù)探討第一與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器303與304以及高頻開關(guān)控制器22如何以與非控制邏輯(NANDcontrollogic)驅(qū)動第一與第二升壓晶體管組件33與34。笛摩根定律(DeMorgan'sLaw)敘述=X1+Z2=7=Z1+Z2=〒·巧。易言之，一或邏輯門在邏輯上是等效于二非邏輯門(NOTlogicgates)與一與非邏輯門(NANDlogicgate)串接(incascadewith)。此邏輯等效(logicequivalence)列于表2，其中X1與X2為或邏輯門的二輸入信號，其分別為二非邏輯門的二輸入信號；f與:ζ分別為二非邏輯門的二輸出信號，其亦為與非邏輯門的二輸入信號；Y為或邏輯門的輸出信號，其亦為與非邏輯門的輸出信號。值得一提的是所需的非邏輯門可被省略(Υ=Χ,·Χ；)藉由交換線電壓極性檢測器和低頻開關(guān)驅(qū)動器間的耦合關(guān)系。表2盡管邏輯等效，以與非邏輯實現(xiàn)的具體實施例比以或邏輯實現(xiàn)的具體實施例更加復雜且昂貴。因此，下列段落僅聚焦于以或邏輯實現(xiàn)的較佳具體實施例。圖4a與4b顯示依據(jù)本發(fā)明的具有邏輯控制的無橋式PFC的二具體實施例的電路圖。于圖4a中，二升壓晶體管組件33與34皆采用一雙晶體管開關(guān)電路(dualtransistorswitchcircuit)；于圖4b中，二升壓晶體管組件33與34皆采用一單晶體管開關(guān)電路(singletransistorswitchcircuit)。一般而言，二升壓晶體管組件33與34皆可采用雙晶體管開關(guān)電路或單晶體管開關(guān)電路。首先說明圖4a中的雙晶體管開關(guān)電路。第一升壓晶體管組件33為第一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管Q41與第二N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管Q42并聯(lián)(漏極與源極間的通道)。Q41與Q42的柵極分別充當?shù)谝簧龎壕w管組件33的第一與第二輸入端；Q41與Q42的漏極與源極分別充當?shù)谝簧龎壕w管組件33的第一與第二輸出端。為簡化下列說明，第一與第二N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管分別簡稱為第一與第二晶體管；第一與第二升壓晶體管組件分別簡稱為第一與第二組件。圖4a的動作原理敘述如下在正半周期間，第二組件34的第一晶體管Q44開啟但第一組件33的第一晶體管Q41關(guān)閉。當高頻開關(guān)控制器22同時開啟第一與第二組件33與34的第二晶體管Q42與Q43，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、第一組件33的第二晶體管Q42的通道以及第二組件34的第一與第二晶體管Q44和Q43的并聯(lián)通道儲能；當高頻開關(guān)控制器22同時關(guān)閉第一與第二組件33與34的第二晶體管Q42與Q43，升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、第一升壓二極管D21、濾波電容器C21和第二組件34的第一晶體管Q44的通道釋能。在負半周期間的電路操作對稱于在正半周期間的電路操作。因此，升壓電感器L21在負半周期間通過交流輸入電壓源、第二升壓二極管D22、濾波電容器C21和第一組件33的第一晶體管Q41的通道釋放其儲能。接著說明圖4b中的單晶體管開關(guān)電路。第一升壓晶體管組件33包含一或邏輯門U45與一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管Q45，其中U45的第一與第二輸入端分別充當?shù)谝簧龎壕w管組件33的第一與第二輸入端；U45的輸出端連接至Q45的柵極；Q45的漏極與源極分別充當?shù)谝簧龎壕w管組件33的第一與第二輸出端。為簡化下列說明，N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管簡稱為晶體管；或邏輯門簡稱為門。圖4b的動作原理敘述如下在正半周期間，第二組件34的門U46的第一輸入信號為高電平(H)但第一組件33的門U45的第一輸入信號為低電平(L)。當高頻開關(guān)控制器22的輸出信號為高電平(H)，第一組件33的門U45與第二組件34的門U46的輸出信號皆為高電平(H)；第一組件33的晶體管Q45與第二組件34的晶體管Q46皆開啟；升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、第一組件33的晶體管Q45的通道與第二組件34的晶體管Q46的通道儲能。當高頻開關(guān)控制器22的輸出信號為低電平(L)，第二組件34的門U46的輸出信號仍為高電平(H)但第一組件33的門U45的輸出信號為低電平(L)；第二組件34的晶體管Q46開啟但第一組件33的晶體管Q45關(guān)閉；升壓電感器L21通過交流輸入電壓源、第一升壓二極管D21、濾波電容器C21與第二組件34的晶體管Q46的通道釋能。在負半周期間的電路操作對稱于在正半周期間的電路操作。因此，升壓電感器L21在負半周期間通過交流輸入電壓源、第二升壓二極管D22、濾波電容器C21與第一組件33的晶體管Q45的通道釋放其儲能。須強調(diào)圖4a中的升壓電感器L21與圖4b中的升壓電感器L21皆可通過升壓晶體管組件33或34中的晶體管的通道釋放其儲能。因此，本發(fā)明所揭示的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器可降低現(xiàn)有的無橋式功率因數(shù)修正器拓撲結(jié)構(gòu)中的升壓晶體管的本體二極管導通損失以提升效率。另外，圖4a與4b中的第一線電壓極性檢測器301與第二線電壓極性檢測器302分別以光耦合(可為但不受限于)信號控制第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器304。發(fā)光二極管41a與42a分別在負與正半周期間發(fā)射光耦合信號；對應的光耦合晶體管41b與42b接收光耦合信號以分別控制第一低頻開關(guān)驅(qū)動器303與第二低頻開關(guān)驅(qū)動器304。線電壓極性檢測器301與302以及低頻開關(guān)驅(qū)動器303與304的電路結(jié)構(gòu)與動作原理已詳細揭露于本案發(fā)明人之前發(fā)明專利申請案200810174895.5；此處不再贅述。然而，須強調(diào)線電壓極性檢測器301與302以及低頻開關(guān)驅(qū)動器303與304可以離散零件(discretecomponents)或集成電路(integratedcircuits)實現(xiàn)。以上所述的實施例僅是說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點，其目的在使熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，當不能以其限定本發(fā)明的專利范圍，即凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。9權(quán)利要求一種具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器包含一第一連接端、一第二連接端、一輸出電壓端、一參考電壓端，一升壓電感器設置于一交流輸入電壓源與該二連接端間，一濾波電容器連接于該輸出電壓端與該參考電壓端間；一第一線電壓極性檢測器與一第二線電壓極性檢測器，該第一與該第二線電壓極性檢測器皆連接該交流電壓源的兩端，分別用以檢測該交流輸入電壓源為負半周期間與正半周期間；一第一低頻開關(guān)驅(qū)動器與一第二低頻開關(guān)驅(qū)動器，該第一低頻開關(guān)驅(qū)動器受控于該第一與該第二線電壓極性檢測器其中之一，該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器受控于該第一與該第二線電壓極性檢測器其中的另一個；一第一升壓二極管與一第二升壓二極管，該第一與該第二升壓二極管的陽極分別連接該第一與該第二連接端，該第一與該第二升壓二極管的陰極共同連接于該輸出電壓端；以及一第一升壓晶體管組件與一第二升壓晶體管組件，其中該第一與該第二升壓晶體管組件皆包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端與一第二輸出端，該第一與該第二升壓晶體管組件的該第一輸入端分別連接于該第一與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器，該第一與該第二升壓晶體管組件的該第二輸入端共同連接于一高頻開關(guān)控制器，該第一與該第二升壓晶體管組件的該第一輸出端分別連接該第一與該第二連接端，該第一與該第二升壓晶體管組件的該第二輸出端共同連接該參考電壓端，其中在負半周期間，該第一低頻開關(guān)驅(qū)動器恒開啟該第一升壓晶體管組件的該第一與該第二輸出端間的通道，而該高頻開關(guān)控制器開啟或關(guān)閉該第二升壓晶體管組件的該第一與該第二輸出端間的通道，在正半周期間，該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器恒開啟該第二升壓晶體管組件的該第一與該第二輸出端間的通道，而該高頻開關(guān)控制器開啟或關(guān)閉該第一升壓晶體管組件的該第一與該第二輸出端間的通道。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該第一與該第二升壓晶體管組件是以“或”邏輯方式控制，且該第一與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器分別由該第一與該第二線電壓極性檢測器控制。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該第一與該第二升壓晶體管組件可同時為一單晶體管開關(guān)電路或同時為一雙晶體管開關(guān)電路，或其中之一為該單晶體管開關(guān)電路而另一為該雙晶體管開關(guān)電路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該雙晶體管開關(guān)電路包含一第一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及一第二N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管，與該第一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管并聯(lián)，其漏極與源極分別連接該第一輸出端與該第二輸出端，該第一與該第二N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極則分別連接該第一輸入端與該第二輸入端。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該單晶體管開關(guān)電路包含一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其漏極與源極分別連接該單晶體管開關(guān)電路的該第一與該第二輸出端，且該N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極電性連接其源極；以及一或邏輯門，該或邏輯門的第一輸入端與第二輸入端分別連接該單晶體管開關(guān)電路的該第一與該第二輸入端，且該或邏輯門的輸出端連接該N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該第一與該第二線電壓極性檢測器分別以光耦合、磁耦合或電耦合方式控制該第一與該第二低頻檢測驅(qū)動電路。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該第一與該第二線電壓極性檢測器皆包含一發(fā)光二極管，用以分別于該交流輸入電壓源的負半周期間與正半周期間產(chǎn)生一光耦合信號，且該第一與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器皆包含一光耦合晶體管，該光耦合晶體管的集極連接一固定電壓，其射極通過一第一電阻器連接該參考電壓端，且該第一與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器的該光耦合晶體管分別接收該第一與該第二線電壓極性檢測器的該發(fā)光二極管的該光耦合信號；一PNP雙極晶體管，該PNP雙極晶體管的射極接收該固定電壓，其基極通過一第三電阻器連接該固定電壓，其集極通過一第二電阻器連接該參考電壓端，且該第一與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器的該PNP雙極晶體管的集極分別連接該第一與該第二升壓晶體管組件的該第一輸入端；以及一NPN雙極晶體管，該NPN雙極晶體管的射極連接該參考電壓端，其集極通過一第四電阻器與該PNP雙極晶體管的基極連接，其基極通過一第五電阻器連接至該光耦合晶體管的射極。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該第一線電壓極性檢測器與該第一低頻開關(guān)驅(qū)動器，及該第二線電壓極性檢測器與該第二低頻開關(guān)驅(qū)動器，可以離散零件或集成電路實現(xiàn)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該升壓電感器是以一集總方式連接于該交流輸入電壓源與該二連接端間，該集總方式是該升壓電感器連接于該交流輸入電壓源的一端與該第一連接端間，或為該升壓電感器連接于該交流輸入電壓源的另一端與該第二連接端間。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其特征在于該升壓電感器是以一分布方式連接于該交流輸入電壓源與該二連接端間，其中該升壓電感器包含一第一升壓電感器與一第二升壓電感器，該分布方式是該第一升壓電感器連接于該交流輸入電壓源的一端與該第一連接端間，及該第二升壓電感器連接于該交流輸入電壓源的另一端與該第二連接端間。全文摘要本發(fā)明揭示一種具有邏輯控制的無橋式功率因數(shù)修正器，其包含一高頻開關(guān)控制器、一升壓電感器、一濾波電容器、二升壓晶體管組件、二升壓二極管、二線電壓極性檢測器與二低頻開關(guān)驅(qū)動器。二線電壓極性檢測器以耦合(可為但不受限于光耦合、磁耦合等)信號控制二低頻開關(guān)驅(qū)動器，其與高頻開關(guān)控制器以一控制邏輯(可為但不受限于或邏輯、與非邏輯等)驅(qū)動二升壓晶體管組件使得升壓電感器可經(jīng)二升壓晶體管組件的通道釋放其儲能且本體二極管導通損失可被降低以提升效率。文檔編號H02M1/42GK101888171SQ200910141608公開日2010年11月17日申請日期2009年5月15日優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日發(fā)明者余金生,王志良申請人:洋鑫科技股份有限公司;王志良