專利名稱：基于mems的電池監(jiān)控的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及基于MEMS (微電機)的元件，^g和系統(tǒng)。本發(fā)明還涉 朋于電《 的技柳體。 背景財
隨著對高性能、輕型、小型需求的增加，便攜電子,對可充電電池性能 的要求也在增加。因此，電池中存儲的能量在增加。但是在電池單元中裝入更 多能量增加了安全問題。隨著大容量電池，出現(xiàn)了存儲能量的增加，導(dǎo)致更大 的危險性，例如電池可能爆炸的危險，致使對用戶的傷害。因此，在不同階段 例如，充電階段，運行階段，以及電池的運輸期間以不同方式監(jiān)控電池或電池 組的狀態(tài)ffl^越引人關(guān)注。在便攜電子設(shè)備例如膝上型計算機中〗頓大容量電 池的情況下安全問題已經(jīng)達到?jīng)Q定性階段。因財目信在將來這些問題將日益成 為Sfi要的。
具有更大容量和更高能量密度的電池在今后的能量和運輸系統(tǒng)應(yīng)該會發(fā)揮 很重要的作用。從存儲^ffl間歇的可再生資源而產(chǎn)生的分配電能，到插入式混 合汽車、全電動或電池一燃料電池混合汽車，很可能發(fā)展具有密集的大存儲能 量的電池以用于廣泛的用途。
例如，用途擴展的高能量密度電池的一個,類型為可充電的鋰基電池。 這種鄉(xiāng)的電池在其充電、運行和運輸階段需要精密tt控，因為如果在這些 階段出現(xiàn)故障，會出現(xiàn)危險的"火焰泄放"(爆炸)的可能。在一定的情況下， 例如當(dāng)出現(xiàn)電池過充電，過熱或短路時，化學(xué)反應(yīng)將失去控制，導(dǎo)致熱失控情 況和電池內(nèi)積累的壓力最終導(dǎo)致電池爆炸。因此，關(guān)鍵的安全問題包括防止意 外的過充，過熱，過壓，過震以及導(dǎo)致內(nèi)部短路的損壞。雖然已經(jīng)發(fā)展了各種 復(fù)雜的安全機制，但是這些電池的安全問題在± 上型計算機和混合汽車中 使用的電池的持續(xù)發(fā)展中 是一個重要問題。

發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明的以下 來幫助理解本發(fā)明特有的一徵噺特征，并不意圖
是全部描述。由全部的說明書，權(quán)利要求，附圖以及摘要作為一個整體來得到 發(fā)明的各方面的，評價。
因此，本發(fā)明的一個方面衝共了一種改進的電池監(jiān)控系統(tǒng)。
本發(fā)明的另一個方面提供了一種基于MEMS的電池監(jiān)控系統(tǒng)。
另外本發(fā)明的另一個方面提供了一種 MAFET (機械激勵場效應(yīng)晶體 管)開關(guān)的電池監(jiān)控系統(tǒng)。
現(xiàn)在由這里的描述可以得到發(fā)明的前述方面和其它目標(biāo)以及優(yōu)點。公開了 一禾中電池微和監(jiān)控系統(tǒng),其包括多個MAFET(機械激勵場效應(yīng)晶體管)開關(guān)， 其中MAFET開關(guān)中的每一個MAFET幵關(guān)都可以從打開開關(guān)狀態(tài)切換到閉合 開關(guān)狀態(tài)或反之亦然，多個MAFET開關(guān)被連接到電池。
每個MAFET開關(guān)通常構(gòu)成具有浮接的柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體場，晶 體管(MOSFET),該浮接?xùn)艠O可以作為偏置和外部物理參數(shù)例如壓力、溫度、 加速度等的函數(shù)處于"上"或'下"的位置。在柵極處于"上"的位置時，MAFET 開關(guān)處于"關(guān)，狀態(tài)并且電流不能流經(jīng)MAFET開關(guān)。當(dāng)柵極處于"下"的位置時， MAFET開關(guān)處于"開"狀態(tài)并且電流流經(jīng)MAFET開關(guān)。
這樣的系統(tǒng)或電路進一步包括一個或多個與MAFET開關(guān)中的至少一個 MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)并且電通信的晶體管。PPTC (聚合物正溫度系數(shù))裝置也 同晶體管和MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)，以使PPTC裝置(例如取決溫度的有機電阻， 當(dāng)溫度值高時，它的值極大地增加)，MAFET開關(guān)和晶體管互相以及與多個
防止與電池相關(guān)的一個或多危險狀況。
這樣，公開的系統(tǒng)常構(gòu)成一個包括機械激勵場效應(yīng)晶體管(MAFET)開 關(guān)的電池保護電路。提供了溫度保護的方法，并且還給電池保護系統(tǒng)提供了 新功能，例如震動保護和在具有低g元件的電池內(nèi)部有效壓力監(jiān)控。使用基 于移動?xùn)艌雠灳w管原理的MAFET開關(guān)，可以直接監(jiān)控電池內(nèi)部積累的壓 力。由于壓力的積累最終是可能導(dǎo)致爆炸的危險過程，通過對壓力持久的監(jiān)控 可提高電池的安全性。由于其可編程的開/辦性，所包括的MAFET壓力開關(guān) 能比現(xiàn)有的機械式電路斷路器更早雌測至脆險的壓力累積。傲戶系統(tǒng)還包括 基于移動?xùn)艌鲂?yīng)晶體管的震動開關(guān)，其使得在出現(xiàn)影響電池壽命或者更糟的、 以及電池及其外圍的物理魏性的情況，可以停止充電進程。


在以下附圖中，所有不同的視圖中的相同的或功能相似的元件使用相同的 參考數(shù)字，其合并入說明書中并形成了說明書的一部分，進一步說明了本發(fā)明， 并且與發(fā)明的詳細描述一起來解釋本發(fā)明的原理。
圖1 (a)和1 (b)所示為MAFET (機械 場效應(yīng)晶體管)開關(guān)的M 側(cè)部分視亂其可以根據(jù)一個或多個實施例 用；
圖2所示為電池微系統(tǒng)，其可根據(jù)雌實施例來實現(xiàn)； 圖3所示為電池保護系統(tǒng)，其可根據(jù)另一可選實施例來實現(xiàn)；以及 圖4所示為電池fW系統(tǒng)，其可根據(jù)又一實施例來實現(xiàn)。 具體實駄式
在非限制性示例中討論的特定值和配置可以改變，它們被引用僅僅為了說 明本發(fā)明的至少一個實施例，而非為了限制發(fā)明的范圍。
圖1 (a)和1 (b)所示為MAFET (機械Ml場效應(yīng)晶體管)開關(guān)100的 於側(cè)部分視圖，其可以根據(jù)一個或多個實施例概用。對于可充電電池(例 如鋰基電池)在充電、運行和運輸期間的持續(xù)監(jiān)控， 一個或多個機械WI)場效 應(yīng)晶體管(MAFET)開關(guān)100可以根據(jù)公開的實施例來實施。MAFET開關(guān)100 通常包括源極108和漏極110。氣隙104通常位于絕緣層或絕緣體102和柵極(或 桿)103之間。注意在圖1 (a)和1 (b)中，相同或相似的部分或元件通常由 相同的參考數(shù)字*^^。圖I (a)所示為嘴向上"晶體管關(guān)斷，打開開關(guān)配置 的MAFET開關(guān)IOO，而圖l (b)所示為"桿向下"晶體管導(dǎo)通，閉合開關(guān)狀態(tài) 的MAFET開關(guān)100。
MAFET開關(guān)100基于根據(jù)圖1 (a)和1 (b)所描述的移動?xùn)臡OS場效 應(yīng)晶體管原理而運行。MAFET開關(guān)100包含對外部輸入敏感的啟動?xùn)艠O103。 這樣的輸入可以是加速度，驗艦力。用作為晶體管柵t鵬作的桿以外部輸
Afn所施加的柵極電壓的函數(shù)而偏轉(zhuǎn)。由于外部輸入(例如、鵬，加速度或壓
力)從額定點變化，桿朝向晶體管表面而向下偏轉(zhuǎn)。所施加的柵極電壓完成關(guān) 于晶體管表面的這個移動，并且在外繊入艦設(shè)計閾值時將移動?xùn)?03拖到 關(guān)閉(例如排出)。這使電流在晶體管或MAFET開關(guān)100內(nèi)從源極108流到漏 極110。根據(jù)一個或多個實施例可以細的基于MAFET開關(guān)的一些非限制性示 例，其在美國專利號6388299 (壓力開關(guān))，美國專利號6720634 (加速開關(guān))
和美國專利號7034375 (熱開關(guān))中被描述。
美國專利號6388299，名稱為"傳 組件及方法"，Kang等人于2002年5 月14日公開，被靴給美國新澤西州莫利斯頓的霍尼韋爾國際有限公司，在這 里被弓閱以作為參考。美國專利號6720634 ，名稱為"無觸點力卩速開關(guān)'，Joon-Won Kang于2004年4月13日公開，也船給霍尼韋爾國際有限公司，在這里被引 用以作為參考。美國專利號7034375，名稱為"微電機系統(tǒng)熱開關(guān)'，Joon-Won Kang于2006年4月26日公開，也轉(zhuǎn)讓給霍尼韋爾國際有限公司，在這里被引 用以作為參考。應(yīng)該理解弓間JJ^專利僅僅為了一般的啟示和信息，而不應(yīng)該 被認為是限制實施例的特征。替代地，這里作為MAFET元件的示例給出的上 述專禾何翻于一個或多個實施例。
圖2所示為電池保護系統(tǒng)200,其可根據(jù),實施例來實現(xiàn)。圖2描述的建 議的電池保護電路或系統(tǒng)200包括MAFET壓力開關(guān)201 (Tl)， MAFET 、 開關(guān)202 (T2),和MAFET震動開關(guān)203 (T3)以及MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體) 場艦晶體管204 ， 205, 206 (分別也被標(biāo)注為T4， T5，和T6)和聚合物正溫 度系數(shù)(PPTC)裝置210。負載電阻R被連接至MAFET開關(guān)201 ， 202， 203 和FET204。晶體管205被連接至PPTC裝置210。晶體管206被連接到晶體管 205以及晶體管201, 202 ， 203 ， 204，還被連接到負載電阻R。系統(tǒng)或電路200 通常被連接到由電池端子214和216標(biāo)的電池。圖2中標(biāo)出了正和負"封紫' 端子208和212。例如，端子208被連接到PPTC錢210。圖2描述了系紛 電路200的一般元件，g出了圖表符號201 。
在正常的電池運行階段，功率MOSFET晶體管205關(guān)斷且MOSFET晶體
管206導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)危險mm (例如，電池內(nèi)積累的壓力，溫叟增加到皿安
全閾值，可能損壞電池的閾值^W震動等)時，相應(yīng)的MAFET開關(guān)(MAFET 晶體管201或202，或203)繊拙J^危險瞎況并且將自身變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因 此電流開始流經(jīng)負載電阻R。這將減小MOS場效應(yīng)晶體管205和206的柵&h 的電壓。注意，MOS功率晶體管205還可用作為P-溝道晶體管，且MOS晶體 管206可用作為N-溝道晶體管。電壓減小將導(dǎo)通P-溝道MOS功率晶體管205 且還將關(guān)斷N-溝道MOS T6晶體管。Mil導(dǎo)通功率MOS晶體管205，將出現(xiàn) PPTC 210和晶體管205的電流路徑，這樣對電池分流并防止對其進 一步充電。由于PPTC裝置210和功率晶體管205之間的閉合的空間位置，流
經(jīng)功率晶體管205的高電流獸嫩進一步提高PPTC裝置205上的溫度，,高 了其電阻并因此限制流經(jīng)功率MOS晶體管205的電流，因此防止其出現(xiàn)熱失控 情況。
關(guān)斷MOS晶體管206可以提高電池的輔助保護特性,還可以從充電器斷開 由端子214, 216標(biāo)的電池的連接。ffi31柵極和源豐趙接連接到電池(即電池 端子214， 216)的N-溝道場,MOS晶體管204可以實JMffi保護。用這種 方式，電池電壓與晶體管204的柵源電壓相同。S3i適當(dāng)?shù)剡x擇MOS晶體管 204, ^f源閾值可以與危險的艦值相同。因此，當(dāng)出現(xiàn)電池電壓的危險髙值 時，T4MOS晶體管204將導(dǎo)通，因此電流將^i^圖2中描述的負載電阻R。這 個功能將在以上描述的過壓、過溫^M動狀況下導(dǎo)通T5MOS晶體管205，并且 同時關(guān)斷MOST6晶體管206。
當(dāng)電池電壓陶氏到低于某辨定值(例如鄉(xiāng)狀態(tài))時，電壓還將構(gòu)成晶 體管206 (假定晶體管201， 202, 203, 204處于關(guān)斷狀態(tài))的柵源電壓。艦 適當(dāng)?shù)剡x擇T6MOS晶體管206,其可以在低4JE值時關(guān)斷并因此斷開電池的連 接。PPTC體210為充電和放敏電流提側(cè)跌并且衝共輔助過熱做。財卜， 在PPTC裝置210與MOSFET功率晶體管205熱接觸的情況下，PPTC裝置210 還可以檢測出這個晶體管的任何過熱并因此傲戶它。此外，PPTC裝置210可以 為任何過溫或過壓、或壓力累計或危險的機械震動提供輔助保護，由于與 T5MOS晶體管205的熱耦合，晶體管205可以在出現(xiàn)任何J^事件時iSA導(dǎo)通 狀態(tài)并加熱。
以這種方式，上述包括MAFET開關(guān)的保護電路為可充電電池提供精致的 和低成本的保護系統(tǒng)。由于在fti可過溫、過壓、過充電電壓或過機械震動的情 況下同時導(dǎo)通晶體管205和關(guān)斷晶體管206， Jd^電路對所有或部分的Jd^危險 樹共鵬傲戶。如上所述，il3!PPTC^S210實現(xiàn)輔助旨。在圖2所示的 電路或系統(tǒng)200中，MAFET開關(guān)通常包含P-溝道晶體管。但是這樣的電路可 以變形為使用由N-溝道晶體構(gòu)造的MAFET開關(guān)。
還應(yīng)認識到圖2描述的保護電路200可以用具有較少保護功能的簡 單型^實現(xiàn)。由于MAFET壓力、溫度和震動開關(guān)并f^接，電路200可以 僅包含三個MAFET開關(guān)中的一個^兩個MAFET開關(guān)的任何組合來實現(xiàn)。 它的工作原理相同，只是隨著開關(guān)的減少而減少了相應(yīng)的保護功能。例如，如
果在某，定情況下震動危險不大(例如在固定^ffi場合的電池中)，電路200 可以不包括MAFET開關(guān)203。在這樣的情況下，電路200與存在所有開關(guān)時的 相同的方^ii行，只是不f樹Wl動進行檢測和提供，。
鈔卜，理解圖2的基于MAFET的保護電路200可以與包括兩個FET和 集成電路的經(jīng)典保護電路，例如當(dāng)前應(yīng)用于電池保護的那些電路一起用作, ^J戶。圖3所示為上述配置的一個示例，圖3示出了電池保護系統(tǒng)300，其可根 據(jù)可選實施例來實現(xiàn)。注意，在圖2—3中，相同或相似的部分^;件通常由相 同的參考數(shù)字^。
在圖3描述的可選lSfi電路300中，圖2中描述的基于MAFET的保護電 路200可作為輔助電池保護系統(tǒng)。電路300通常包括電池端子216， 214和 MAFET開關(guān)201， 202 ， 203,以及MOS晶體管204， 205和206。圖3中的短 劃線303通常象征性;1 ^輔助電池{斜戶系統(tǒng)和主電池微系統(tǒng)之間的分界線。 主電池保護系統(tǒng)通常包括連接到IC保護電路302的晶體管MOSFET304和305。
圖4所示為電池微系統(tǒng)或電路400，其可根據(jù)另一實施例來實現(xiàn)。注意， 在圖2—3中，相同殿目似的部分航件通常由相同的參考數(shù)字標(biāo)。電路/系統(tǒng) 400包括由圖4中的短劃線403 ^/示的輔助電池微和主電池做系統(tǒng)。圖表符 號401 ^ MAFET開關(guān)201 ， 202和203的相關(guān)特性。
電路/系統(tǒng)400 ^^基于MAFET的^ 戶電路或系統(tǒng)300的變形。圖2中描 述的電路200在混合系統(tǒng)的情況下可與經(jīng)典保護電路^^一起。在這一瞎況 下，MAFET開關(guān)和過壓保護MOSFET 204 (即T4)僅作為檢測危險的壓力累 積、過溫瞎況、機廳動和/或腿的閾值傳麟，并將戰(zhàn)情況發(fā)信號給保護 IC302。這樣的系統(tǒng)300或400還可用于記錄關(guān)于出現(xiàn)任何潛在危險事件的娜。
在電池保護的情況下執(zhí)行電路/系統(tǒng)200， 300和/或400有許多優(yōu)點。這樣 的系統(tǒng)可以利用MAFET壓力開關(guān)(基于MOSFET原理)對電池在電池充電期 間累計的高壓而導(dǎo)致的爆^I側(cè)W。這樣的系統(tǒng)還可以利用電路中的MAFET a^開，電池在電池過充電而導(dǎo)致的過熱提m護。此外，這樣的系統(tǒng)還利 用MAFET加速開規(guī)電池穀啲震動而導(dǎo)致的危險操作提供保護。這樣的系 統(tǒng)還根據(jù)危險的電池瞎況例如過壓、欠壓、過溫、過壓力和過震動提供電池保 護功能。通過MOSFET裝置和在多功育封蟲立電池保護電路的情況下運作的傳感 器來實現(xiàn)以上保護特性。
也可以實現(xiàn)包括前述位于電池內(nèi)以精確M控其運行的有源裝置的集成系
路，其中例如，兩個MOSFET元件可以與電池充電電路串聯(lián)以在31il或^E充 電電流的情況下中斷電tfeig行。Jtb^卜，Mil在ajl力和/或處溫情況下考慮電池 化學(xué)性的特定值和其運行，由電池制造者以預(yù)設(shè)電壓的方式設(shè)置特定類型電池 的開關(guān)MJt，壓力以及震動。
這里列出實施例和示例來更好地解釋本發(fā)明和其實際應(yīng)用，因此使本領(lǐng)域 的獄人員可以實現(xiàn)和利用本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到，前面 給出的描述描述和示例僅用于解釋和示例。本發(fā)明的其它改變和變形對本領(lǐng)域 的技術(shù)人員來說是顯而易見的，并且這是覆蓋戰(zhàn)改變和變形的所附權(quán)禾腰求 的目的。
給出的描述并非為了窮舉或限制發(fā)明的范圍。在以上教導(dǎo)的啟示下，在不 脫離下列權(quán)利要求的范圍下可以有許多，和改變?？梢灶A(yù)期本發(fā)明的用途可 以包括具有不同特性的元件。由所附的權(quán)利要求確定本發(fā)明的范圍，給出所有 方面等價的完整認識。
權(quán)利要求
1.一種電池保護和監(jiān)控系統(tǒng)，包含多個MAFET(機械激勵場效應(yīng)晶體管)開關(guān)，其中所述多個MAFET開關(guān)中的每一個MAFET開關(guān)能夠從打開開關(guān)狀態(tài)切換到關(guān)閉開關(guān)狀態(tài)或反之亦然，所述多個MAFET開關(guān)連接到電池 多個MOSFET晶體管，其與所述多個MAFET開關(guān)中的至少一個MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)并且電通信；以及 PPTC(聚合物正溫度系數(shù))裝置，其與所述多個晶體管和所述多個MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)，其中所述PPTC裝置、所述多個MAFET開關(guān)和所述多個晶體管彼此互相以及與所述多個MAFET開關(guān)的所述打開開關(guān)狀態(tài)或者所述閉合開關(guān)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)地操作，以確定、監(jiān)控和防止與所述電池相關(guān)聯(lián)的至少一個危險狀況。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個晶體管包含至少一個P-溝道 MOSFET功率晶體管和至少一個^Cffi保護的N-溝道MOS晶體管。
3. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包含主電池保護電路，其包括與多個 晶體管相關(guān)聯(lián)的至少一個保護IC，其中所述至少一個保護IC電連接至所述 PPTC錢。
4. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個MAFET開關(guān)中的每一個 MAFET幵關(guān)彼此相互并鵬電連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包含負載電阻，其與所述多個MAFET 開關(guān)中的至少一個MAFET開關(guān)串聯(lián)地電連接，所述負載電阻和所述多個 MAFET開關(guān)之間的串列與所述電池的正端子禾晚端子并聯(lián)地電連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述PPTC^a熱連接至隨少一個FET, 所,少一個FET與所述電池并聯(lián)地電連接并且被所述多個MAFET開關(guān)中的 任意至少一傾關(guān)驅(qū)動。
7. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個MAFET開關(guān)中的至少一個 MAFET開關(guān)基于P-溝道MOS晶體管或N-溝道MOS晶體管。
8. —種電池傲戶和監(jiān)控系統(tǒng)，包含多個MAFET (機械鵬場效應(yīng)晶體管)開關(guān)，其中所述多個MAFET開關(guān) 中的每一個MAFET開關(guān)獸辦從打開開關(guān)狀態(tài)切換到關(guān)閉開關(guān)狀態(tài)或H^亦然, 所述多個MAFET開關(guān)連接到電池；多個MOSFET晶體管，其與所述多個MAFET開關(guān)中的至少一個MAFET 開關(guān)相關(guān)聯(lián)并且頓信；負載電阻，其與臓多個MAFET開關(guān)中的至少一個MAFET開關(guān)電連接;PPTC(聚合物正溫度系數(shù))裝置，其與所述多個晶體管和所述多個MAFET 開關(guān)相關(guān)聯(lián)，其中戶腐PPTC縫、戶腐多個MAFET開關(guān)和所述多個晶體管 彼jthS相以及與所述多個MAFET開關(guān)的所述打開開關(guān)狀態(tài)或者所述閉合開關(guān)狀態(tài)相關(guān)TO^作，以確定、監(jiān)控和防止與所述電池相關(guān)的至少一^MI:險狀況，其中所述多個MAFET開關(guān)、所述多個MOSFET晶體管和所述PPTC裝置彼此 相關(guān)m^作以鄉(xiāng)關(guān)于電池的艦微功能和鄉(xiāng)傲戶功能。
9. 一種電池微和監(jiān)控系統(tǒng)，包含多個MAFET (機械鵬場 她晶體管)開關(guān)，其中所述多個MAFET開關(guān) 中的每一個MAFET開關(guān)育嫩從打，關(guān)狀態(tài)切換到關(guān)閉幵關(guān)狀態(tài)或^亦然， 所述多個MAFET開關(guān)連接到電池；多個晶體管，其與所述多個MAFET開關(guān)中的至少一個MAFET開關(guān)相關(guān) 聯(lián)并且電通信；以及PPTC(聚合物正溫度系數(shù))裝置，其與所述多個晶體管和所述多個MAFET 開關(guān)相關(guān)聯(lián)，其中戶腿PPTC裝置、所述多個MAFET開關(guān)和所述多個晶體管 彼ltkS相以及與所述多個MAFET開關(guān)的戶，打開開關(guān)狀態(tài)或者所述閉合開關(guān)狀態(tài)相關(guān)m操作，以確定、監(jiān)控和防止與所述電池相關(guān)聯(lián)的至少一^l:險狀況；以及主電池保護電路，其包括與多個晶體管相關(guān)聯(lián)的至少一館護IC，其中所 i6M少一個保護IC電連接至所述PPTC裝置，其中所述多個MAFET開關(guān)中的 每一個MAFET開關(guān)彼此相互并聯(lián)的電連接，并且與電阻串聯(lián)，而其串列與所 述電池的正端子和負端子并聯(lián)地電連接。
10. 如權(quán)禾腰求9所述的系統(tǒng)，其中臓多個MAFET開關(guān)、戶艦多個晶 體管和所述PPTC CT互相關(guān)^W作以Jii共關(guān)于電池的aE保護功能和^E 保護功能。
全文摘要
本發(fā)明涉及基于MEMS的電池監(jiān)控。電池保護和監(jiān)控系統(tǒng)，包括多個MAFET(機械激勵場效應(yīng)晶體管)開關(guān)，其中MAFET開關(guān)中的每一個MAFET開關(guān)可以從打開開關(guān)狀態(tài)切換到關(guān)閉開關(guān)狀態(tài)或反之亦然，以使多個MAFET開關(guān)連接到電池。該系統(tǒng)進一步包括一個或多個與MAFET開關(guān)中的至少一個MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)并且電通信的晶體管。PPTC(聚合物正溫度系數(shù))裝置也與晶體管和MAFET開關(guān)相關(guān)聯(lián)，以使PPTC裝置、MAFET開關(guān)和晶體管彼此互相以及與多個MAFET開關(guān)的打開開關(guān)狀態(tài)或者閉合開關(guān)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)地操作，以確定、監(jiān)控和防止與電池相關(guān)的至少一個危險狀況。
文檔編號H02J7/00GK101364729SQ20081021542
公開日2009年2月11日 申請日期2008年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月7日
發(fā)明者C·P·科比亞努, I·喬治斯庫, M·戈洛加努, S·D·科斯蒂, V·-G·杜米特魯 申請人:霍尼韋爾國際公司