專利名稱:功率因素校正電路與其電源供應(yīng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)于一種功率因素校正電路與其電源供應(yīng)裝置,且特別是有關(guān)于
一種可以降低電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)的功率因素校正電 路與其電源供應(yīng)裝置。
背景技術(shù):
在各種電子裝置的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)中,電磁相容性(Electromagnetic Compatibility, EMC)是一關(guān)鍵的品質(zhì)指標(biāo)。電磁相容性的評(píng)估包括電磁干擾 (Electromagnetic Interference, EMI)以及抗電磁干擾(Electromagnetic Susc印tibility, EMS)。因?yàn)?,現(xiàn)行電子裝置的信號(hào)傳輸速度愈來愈快,所以配備 于電子裝置內(nèi)部的電子元件所造成的電磁干擾會(huì)愈來愈嚴(yán)重,進(jìn)而影響電子裝置中 其他電子元件的正常運(yùn)作。
一般來說,電磁干擾主要透過電源供應(yīng)器傳入電路中。因此,在伺服器中, 為了要通過相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn),則電源供應(yīng)器的電磁干擾測試也是一個(gè)很關(guān)鍵的測試專 案。另外,現(xiàn)在的電源供應(yīng)器通常會(huì)配置至少一個(gè)開關(guān)元件,并通過控制此開關(guān)元 件的導(dǎo)通與截止來產(chǎn)生所欲輸出的電壓。
然而,隨著開關(guān)反復(fù)的切換,電源供應(yīng)器可能會(huì)造成的電磁干擾也隨之增加。 雖然,現(xiàn)有的電源供應(yīng)器利用不斷變化其內(nèi)部脈寬調(diào)制(Power Width Modulation, P觀)信號(hào)的頻率來降低電磁干擾。但是,如何讓脈寬調(diào)制信號(hào)的頻率產(chǎn)生變化,并 且同時(shí)保持電源輸出的穩(wěn)定則是一個(gè)重要的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種功率因素校正電路,可以對(duì)脈寬調(diào)制信號(hào)的頻率進(jìn)行調(diào)整, 以達(dá)到降低電磁干擾的現(xiàn)象。
本發(fā)明提供一種電源供應(yīng)裝置,通過調(diào)整其內(nèi)部的脈寬調(diào)制信號(hào)的頻率,以
7降低電磁干擾的現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種功率因素校正電路,其包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電 阻與升壓控制單元。升壓轉(zhuǎn)換器具有輸入端、輸出端以及接地端,用以依據(jù)脈寬調(diào) 制信號(hào)而將輸入端所傳送的整流電壓轉(zhuǎn)換成輸出端所傳送的校正電壓。第一電容的 第一端耦接至輸入端。第一電阻的第一端耦接至第一電容的第二端,其第二端耦接 至接地端。升壓控制單元耦接至第一電阻的第一端與第二端、輸入端以及輸出端, 此升壓控制單元以一斜波信號(hào)為基準(zhǔn)來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào),并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的 電流、整流電壓以及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的工作周期與頻率。另外,升壓控制單元包括信號(hào)產(chǎn)生器與頻率控制器。信號(hào)產(chǎn)生器用以產(chǎn)生斜 波信號(hào),并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號(hào)的斜率。頻率控制器耦接至信號(hào)產(chǎn)生器 與輸入端,用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述升壓轉(zhuǎn)換器包括電感、第一晶體管、二極管與第 二電容。電感的第一端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端。第一晶體管的柵極端接收脈寬 調(diào)制信號(hào),其漏極端耦接至電感的第二端,其源極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的接地端。 二極管的陽極端耦接至第一晶體管的漏極端,其陰極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的輸出 端。第二電容C2的第一端耦接至二極管的陰極端,其第二端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的接地端。另外,上述第一晶體管為NMOS晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述信號(hào)產(chǎn)生器包括第二電阻、第二晶體管、第三晶 體管、第三電容、第四晶體管與比較器。第二電阻的第一端接收充電電流,其第二 端耦接至地端。第二晶體管的發(fā)射極端接收第一電壓,其基極端與集電極端耦接至 第二電阻的第一端。第三晶體管的發(fā)射極端耦接至第二晶體管的發(fā)射極端,其基極 端耦接至第四晶體管的基極端。第三電容的第一端耦接至第三晶體管的集電極端, 其第二端耦接至地端。第四晶體管的漏極端耦接至第三晶體管的集電極端,其源極 端耦接至地端。比較器的第一輸入端耦接至第四晶體管的漏極端,其第二輸入端接 收第二電壓,其輸出端耦接至第四晶體管的柵極端。在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述第二晶體管與第三晶體管為PNP雙極性晶體管。 另外,上述第四晶體管為醒OS晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述頻率控制器包括第三電阻、第五晶體管、第四電 阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第四電容、第六晶體管、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第五電容C5與第十二電阻。第三電阻的第一端耦接 至信號(hào)產(chǎn)生器,其第二端耦接至地端。第五晶體管的集電極端耦接至第三電阻的第 一端。第四電阻的第一端耦接至第五晶體管的發(fā)射極端,其第二端耦接至地端。第 五電阻的第一端接收整流電壓。第六電阻的第一端耦接至第五電阻的第二端。承上述,第七電阻的第一端耦接至第六電阻的第二端,其第二端耦接至第五 晶體管的基極端。第八電阻的第一端耦接至第七電阻的第二端,其第二端耦接至地 端。第四電容的第一端耦接至第八電阻的第一端,其第二端耦接至地端。第六晶體 管的集電極端耦接至第四電容的第一端。第九電阻的第一端耦接至第六晶體管的發(fā) 射極端,其第二端耦接至地端。第十電阻的第一端接收正比于整流電壓的一直流電 壓,其第二端耦接至第六晶體管的基極端。第十一電阻的第一端耦接至第十電阻的 第二端,其第二端耦接至地端。第五電容的第一端耦接至第十電阻的第一端,其第 二端耦接至地端。第十二電阻的第一端耦接第五電容的第一端,其二端耦接至地端。在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述第五晶體管與第六晶體管為NPN雙極性晶體管。另外,上述第九電阻的電阻值小于第八電阻的電阻值。本發(fā)明提出一種電源供應(yīng)裝置,其包括濾波器、整流器、功率因素校正電路 與直流變化器。濾波器用以接收一交流電壓,并濾除交流電壓的高頻成分。整流器 耦接濾波器,用以對(duì)濾波后的交流電壓進(jìn)行整流,以產(chǎn)生一整流電壓。功率因素校 正電路耦接濾波器,用以依據(jù)一脈寬調(diào)制信號(hào)而將整流電壓轉(zhuǎn)換成校正電壓,其中 功率因素校正電路包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電阻、升壓控制單元。升壓轉(zhuǎn)換器具有輸入端、輸出端以及接地端,用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號(hào)而將輸 入端所傳送的整流電壓轉(zhuǎn)換成輸出端所傳送的校正電壓。第一電容的第一端耦接至 輸入端。第一電阻的第一端耦接至第一電容的第二端,其第二端耦接至接地端。升 壓控制單元耦接至第一電阻的第一端與第二端、輸入端以及輸出端,升壓控制單元 以斜波信號(hào)為基準(zhǔn)來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào),并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的電流、整流電壓以 及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的工作周期與頻率。另外,此升壓控制單元包括信號(hào)產(chǎn)生器與頻率控制器。信號(hào)產(chǎn)生器用以產(chǎn)生 斜波信號(hào),并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號(hào)的斜率。頻率控制器耦接至信號(hào)產(chǎn)生 器與輸入端,用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。直流變化器耦接功率因素校正電 路,用以將校正電壓轉(zhuǎn)換成輸出電壓。9本發(fā)明通過頻率控制器控制充電電流的大小,使得信號(hào)產(chǎn)生電路對(duì)應(yīng)的調(diào)整 斜波信號(hào)的斜率。由于斜波信號(hào)的斜率改變,進(jìn)而調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的頻率,以便 于降低電源供應(yīng)裝置所產(chǎn)生的電磁干擾的現(xiàn)象。另外,本發(fā)明的電源供應(yīng)裝置可以 在調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的過程中,仍可提供穩(wěn)定的電壓源。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合 附圖,作詳細(xì)說明如下。
圖1繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的電源供應(yīng)裝置的方塊圖。 圖2繪示為圖1的功率因素校正電路的電路方塊圖。圖3繪示為圖2的功率因素校正電路的詳細(xì)電路圖。
具體實(shí)施方式
在以下說明中,為呈現(xiàn)對(duì)本發(fā)明說明的一貫性,故在不同的圖式中,若有功能 與結(jié)構(gòu)相同或相似的元件會(huì)用相同的元件符號(hào)與名稱。圖1繪示為本發(fā)明一實(shí)施例的電源供應(yīng)裝置的方塊圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1,電源供應(yīng) 裝置100包括濾波器110、整流器120、功率因素校正電路130與直流變化器(DC to DC Converter) 140。濾波器110用以接收交流電壓VAC,并濾除交流電壓VAC的高頻成分。整流器120耦接濾波器110,并用以對(duì)濾波后的交流電壓Vac迸行整流,以產(chǎn)生整流電壓 Vrec。在本實(shí)施例中,整流器120可用一橋式整流器實(shí)施之。功率因素校正電路130耦接整流器120。 一般來說,功率因素校正電路130會(huì)調(diào)整輸入電流的波形,以致使輸入電流與整流電壓VREC的相位差趨近于0。如此一來,電源供應(yīng)裝置100將可利用功率因素校正電路130來降低功率消耗的問題。 直流變化器140耦接功率因素校正電路130,用以對(duì)校正電壓Vc進(jìn)行轉(zhuǎn)換,以便于產(chǎn)生電源供應(yīng)裝置100所欲提供的輸出電壓V0。值得一提的是,在本實(shí)施例中,功率因素校正電路130更可降低電磁干擾的現(xiàn)象。為了使熟悉此技術(shù)者能輕易了解本實(shí)施例的技術(shù)內(nèi)容,以下將針對(duì)功率因素校正電路130做進(jìn)一步的說明。圖2繪示為圖1的功率因素校正電路130的電路方塊圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2,功率因 素校正電路130包括升壓轉(zhuǎn)換器210、電容C1、電阻R1以及升壓控制單元230。 其中,升壓轉(zhuǎn)換器210具有輸入端211、輸出端212以及接地端213。并且,此升 壓轉(zhuǎn)換器210用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號(hào)VPWM而將輸入端211所傳送的整流電壓Vrec 轉(zhuǎn)換成輸出端212所傳送的校正電壓Vc。電容C1的第一端耦接至輸入端211。電 阻R1的第一端耦接至電容C1的第二端,其第二端耦接至接地端213。升壓控制單元230耦接至電阻R1的第一端與第二端、輸入端2U以及輸出端 212。升壓控制單元230會(huì)以一斜波信號(hào)VR為基準(zhǔn)來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào)VPWM,并 依據(jù)流經(jīng)電阻R1的電流I,、整流電壓VREc以及校正電壓Vc來調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào) VPWM的工作周期(Duty Cycle)與頻率。在本實(shí)施例中,升壓控制單元230包括信號(hào)產(chǎn)生器231與頻率控制器232。信 號(hào)產(chǎn)生器231用以產(chǎn)生斜波信號(hào)VR,并依據(jù)充電電流Ic來調(diào)整斜波信號(hào)Vk的斜 率。頻率控制器232耦接至信號(hào)產(chǎn)生器231與輸入端211 ,用以依據(jù)整流電壓Vrec 來調(diào)整充電電流Ic:。值得一提的是,功率因素校正電路130通過頻率控制器232先行調(diào)整充電電流 Io之后,信號(hào)產(chǎn)生器231便利用充電電流Ic;的電流值的改變,調(diào)整斜波信號(hào)VK 的頻率,使得升壓控制單元230對(duì)應(yīng)地調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)VpwM的頻率,以達(dá)到降 低電磁干擾的現(xiàn)象。以下將提供功率因素校正電路130的電路圖,以進(jìn)一步的說明功率因素校正電 路130是如何調(diào)整充電電流Ic以及斜波信號(hào)VR的斜率。圖3繪示為圖2的功率因素校正電路130的詳細(xì)電路圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3,升壓轉(zhuǎn) 換器210包括電感L、晶體管M1、 二極管D與電容C2。電感L的第一端耦接至 升壓轉(zhuǎn)換器210的輸入端211。晶體管M1的柵極端接收脈寬調(diào)制信號(hào)VPWM,晶 體管M1的漏極端耦接至電感L的第二端,晶體管M1的源極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器 210的接地端213。 二極管D的陽極端耦接至晶體管Ml的漏極端,二極管D的陰 極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器210的輸出端212。電容C2的第一端耦接至二極管D的陰 極端,電容C2的第二端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器210的接地端213。在本實(shí)施例中,晶 體管Ml例如為NMOS晶體管。信號(hào)產(chǎn)生器23包括電阻R2、晶體管Trl與Tr2、晶體管M2、電容C3與比 較器310。電阻R2的第一端接收充電電流Ic,且其第二端耦接至地端。晶體管Trl 的發(fā)射極端接收第一電壓VI,晶體管Trl的基極端與集電極端耦接至電阻R2的 第一端。晶體管Tr2的發(fā)射極端耦接至晶體管Trl的發(fā)射極端,晶體管Tr2的基極 端耦接至晶體管Trl的基極端。再者,電容C3的第一端耦接至晶體管Tr2的集電極端,其第二端耦接至地端。 晶體管M2的漏極端耦接至晶體管Tr2的集電極端,晶體管M2的源極端耦接至地 端。比較器310的第一輸入端耦接至晶體管M2的漏極端,比較器310的第二輸入 端接收第二電壓V2,比較器310的輸出端耦接至晶體管M2的柵極端。在本實(shí)施 例中,晶體管Trl與Tr2例如為PNP雙極性晶體管,而晶體管M2例如為NMOS 晶體管。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3,頻率控制器232包括電阻R3 R12、晶體管Tr3與Tr4、以及 電容C4與C5。電阻R3的第一端耦接至信號(hào)產(chǎn)生器231,且其第二端耦接至地端。 晶體管Tr3的集電極端耦接至電阻R3的第一端。電阻R4的第一端耦接至晶體管 Tr3的發(fā)射極端,其第二端耦接至地端。電阻R5的第一端接收整流電壓VREc。電 阻R6的第一端耦接至電阻R5的第二端。電阻R7的第一端耦接至電阻R6的第二 端,其第二端耦接至晶體管Tr3的基極端。此外,電阻R8的第一端耦接至電阻R7的第二端,其第二端耦接至地端。電 容C4的第一端耦接至電阻R8的第一端,其第二端耦接至地端。晶體管Tr4的集 電極端耦接至電容C4的第一端。電阻R9的第一端耦接至晶體管Tr4的發(fā)射極端, 其第二端耦接至地端。電阻R10的第一端接收正比于整流電壓Vrec的一直流電壓 VFF,其第二端耦接至晶體管Tr4的基極端。再者,電阻Rll的第一端耦接至電阻RIO的第二端,其第二端耦接至地端。 電容C5的第一端耦接至電阻R10的第一端,其第二端耦接至地端。電阻R12的第 一端耦接電容C5的第一端,其二端耦接至地端。在本實(shí)施例中,晶體管Tr3與Tr4 例如為NPN雙極性晶體管。在整體作動(dòng)上,首先,當(dāng)頻率控制器232中的晶體管Tr3尚未導(dǎo)通時(shí),充電電 流Ic為流經(jīng)電阻R2與R3上的電流的總合。由于晶體管Trl與Tr2形成一電流鏡 (Current Mirror),因此晶體管Tr2的集電極端所輸出的電流也為充電電流Ic。之后,比較器310會(huì)控制晶體管M2的導(dǎo)通狀態(tài),來致使電容C3進(jìn)行充電或放電。隨著 電容C3的充電與放電的反復(fù)進(jìn)行,信號(hào)產(chǎn)生器231將據(jù)以產(chǎn)生斜波信號(hào)VR。當(dāng)晶體管Tr3導(dǎo)通時(shí),充電電流Ic為流經(jīng)電阻R2、電阻R3與電阻R4上的電 流的總和。因此,充電電流Ic:的電流值將會(huì)改變。由于充電電流Ic的改變,則信 號(hào)控制器231會(huì)對(duì)斜波信號(hào)VR的斜率進(jìn)行調(diào)整。藉此,升壓控制單元230也會(huì)對(duì) 應(yīng)的調(diào)整脈寬信號(hào)VpwM的頻率,進(jìn)而降低電源供應(yīng)裝置100的電磁干擾的現(xiàn)象。在本實(shí)施例中,頻率控制器232可以通過整流電壓Vrec來決定晶體管Tr3的 導(dǎo)通狀態(tài)。舉例來說,由于晶體管Tr3導(dǎo)通與否是取決于其基極端所接收到的電壓, 也就是壓降在電阻R8兩端的電壓差。而電阻R8上的電壓,則是將頻率控制器232 所接收的整流電壓V旺c,經(jīng)由電阻R5 R8進(jìn)行分壓來獲得。因此,頻率控制器232 可以依據(jù)整流電壓VREc來決定晶體管Tr3的導(dǎo)通狀態(tài)。而電容C4則是用以濾除高 頻雜訊。另外,晶體管Tr4的導(dǎo)通與否,也可以決定晶體管Tr3的導(dǎo)通狀態(tài)。舉例來說, 當(dāng)晶體管Tr4不導(dǎo)通時(shí),則晶體管Tr3的基極端所接收到的電壓,即為壓降在電阻 R8兩端的電壓差。而當(dāng)晶體管Tr4導(dǎo)通時(shí),則晶體管Tr3的基極端所接收到的電 壓,即為電阻R8與R9并聯(lián)后的電壓差。相對(duì)地,晶體管Tr3會(huì)隨著其基極端所 接收到的電壓的大小,而更動(dòng)其導(dǎo)通狀態(tài)。此外,頻率控制器232可以依據(jù)直流電壓V汗的大小,而決定晶體管Tr4的導(dǎo) 通狀態(tài)。舉例來說,首先,直流電壓V^會(huì)先經(jīng)由電阻R12與電容C5所組成的濾 波器進(jìn)行濾波。之后,濾波后的直流電壓VfT會(huì)經(jīng)由電阻R10與Rll進(jìn)行分壓, 以便于產(chǎn)生晶體管Tr4的基極端電壓,亦即壓降于電阻R11兩端的電壓差。因此, 直流電壓Vw可以控制任何因整流電壓V貼c所引起的電流變化,進(jìn)而保證脈寬調(diào) 制信號(hào)VPWM的頻率可以作為整流電壓VREC的函數(shù)變化。在本實(shí)施例中,升壓控制單元230所提供的脈寬調(diào)制信號(hào)VPWM的頻率會(huì)20% 的改變,另外,為了保持電感最小和損耗最小,在功率因素校正電路130的頻率變 化,不能超過基頻的20% 30%。此外,功率因素校正電路130中工作周期將例如 從80%變化到100%。綜上所述,本發(fā)明通過頻率控制器控制充電電流的大小,使得信號(hào)產(chǎn)生電路對(duì) 應(yīng)的調(diào)整斜波信號(hào)的斜率。由于斜波信號(hào)的斜率改變,進(jìn)而調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的頻13率,以降低電源供應(yīng)裝置所產(chǎn)生的電磁干擾的現(xiàn)象。另外,電源供應(yīng)裝置在調(diào)整脈 寬調(diào)制信號(hào)的過程中,其將持續(xù)輸出穩(wěn)定的電壓源。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭示如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種功率因素校正電路,包括一升壓轉(zhuǎn)換器,具有一輸入端、一輸出端以及一接地端,用以依據(jù)一脈寬調(diào)制信號(hào)而將該輸入端所傳送的一整流電壓轉(zhuǎn)換成該輸出端所傳送的一校正電壓;一第一電容,其第一端耦接至該輸入端;一第一電阻,其第一端耦接至該第一電容的第二端,其第二端耦接至該接地端;以及一升壓控制單元,耦接至該第一電阻的第一端與第二端、該輸入端以及該輸出端,該升壓控制單元以一斜波信號(hào)為基準(zhǔn)來產(chǎn)生該脈寬調(diào)制信號(hào),并依據(jù)流經(jīng)該第一電阻的電流、該整流電壓以及該校正電壓來調(diào)整該脈寬調(diào)制信號(hào)的工作周期與頻率,其中該升壓控制單元包括一信號(hào)產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該斜波信號(hào),并依據(jù)一充電電流來調(diào)整該斜波信號(hào)的斜率;以及一頻率控制器,耦接至該信號(hào)產(chǎn)生器與該輸入端,用以依據(jù)該整流電壓來調(diào)整該充電電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路,其特征在于,該升壓轉(zhuǎn)換器包括 一電感,其第一端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該輸入端;一第一晶體管,其柵極端接收該脈寬調(diào)制信號(hào),其漏極端耦接至該電感的第二 端,其源極端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端;一二極管,其陽極端耦接至該第一晶體管的漏極端,其陰極端耦接至該升壓轉(zhuǎn) 換器的該輸出端;以及一第二電容,其第一端耦接至該二極管的陰極端,其第二端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端。
3. 如權(quán)利要求2所述的功率因素校正電路,其特征在于,該第一晶體管為NMOS晶體管。
4. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路,其特征在于,該信號(hào)產(chǎn)生器包括 一第二電阻,其第一端接收該充電電流,其第二端耦接至一地端;一第二晶體管,其發(fā)射極端接收一第一電壓,其基極端與集電極端耦接至該第 二電阻的第一端;一第三晶體管,其發(fā)射極端耦接至該第二晶體管的發(fā)射極端,其基極端耦接至 該第二晶體管的基極端;一第三電容,其第一端耦接至該第三晶體管的集電極端,其第二端耦接至該地端;一第四晶體管,其漏極端耦接至該第三晶體管的集電極端,其源極端耦接至該 地端;以及一比較器,其第一輸入端耦接至該第四晶體管的漏極端,其第二輸入端接收一 第二電壓,其輸出端耦接至該第四晶體管的柵極端。
5. 如權(quán)利要求4所述的功率因素校正電路,其特征在于,該第二晶體管與該第 三晶體管為PNP雙極性晶體管。
6. 如權(quán)利要求4所述的功率因素校正電路,其特征在于,該第四晶體管為NMOS 晶體管。
7. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路,其特征在于,該頻率控制器包括 一第三電阻,其第一端耦接至該信號(hào)產(chǎn)生器,其第二端耦接至一地端; 一第五晶體管,其集電極端耦接至該第三電阻的第一端;一第四電阻,其第一端耦接至該第五晶體管的發(fā)射極端,其第二端耦接至該地A山頓;一第五電阻,其第一端接收該整流電壓; 一第六電阻,其第一端耦接至該第五電阻的第二端;一第七電阻,其第一端耦接至該第六電阻的第二端,其第二端耦接至該第五晶 體管的基極端;一第八電阻,其第一端耦接至該第七電阻的第二端,其第二端耦接至該地端; 一第四電容,其第一端耦接至該第八電阻的第一端,其第二端耦接至該地端; 一第六晶體管,其集電極端耦接至該第四電容的第一端;一第九電阻,其第一端耦接至該第六晶體管的發(fā)射極端,其第二端耦接至該地端;一第十電阻,其第一端接收正比于該整流電壓的一直流電壓,其第二端耦接至 該第六晶體管的基極端;一第十一電阻,其第一端耦接至該第十電阻的第二端,其第二端耦接至地端; 一第五電容,其第一端耦接至該第十電阻的第一端,其第二端耦接至地端;以及一第十二電阻,其第一端耦接該第五電容的第一端,其二端耦接至地端。
8. 如權(quán)利要求7所述的功率因素校正電路,其特征在于,該第五晶體管與該第 六晶體管為NPN雙極性晶體管。
9. 一種電源供應(yīng)裝置,包括一濾波器,用以接收一交流電壓,并濾除該交流電壓的高頻成分; 一整流器,耦接該濾波器,用以對(duì)濾波后的該交流電壓進(jìn)行整流,以產(chǎn)生一整 流電壓;一功率因素校正電路,耦接該濾波器,并包括一升壓轉(zhuǎn)換器,具有一輸入端、 一輸出端以及一接地端,用以依據(jù)該脈寬 調(diào)制信號(hào)而將該輸入端所傳送的該整流電壓轉(zhuǎn)換成該輸出端所傳送的該校正電壓; 一第一電容,其第一端耦接至該輸入端;一第一電阻,其第一端耦接至該第一電容的第二端,其第二端耦接至該接 地端;以及一升壓控制單元,耦接至該第一電阻的第一端與第二端、該輸入端以及該 輸出端,該升壓控制單元以一斜波信號(hào)為基準(zhǔn)來產(chǎn)生該脈寬調(diào)制信號(hào),并依據(jù)流經(jīng) 該第一電阻的電流、該整流電壓以及該校正電壓來調(diào)整該脈寬調(diào)制信號(hào)的工作周期 與頻率,其中該升壓控制單元包括一信號(hào)產(chǎn)生器,用以產(chǎn)生該斜波信號(hào),并依據(jù)一充電電流來調(diào)整該斜 波信號(hào)的斜率;以及一頻率控制器,耦接至該信號(hào)產(chǎn)生器與該輸入端,用以依據(jù)該整流電 壓來調(diào)整該充電電流;一直流變化器,耦接該功率因素校正電路,用以將該校正電壓轉(zhuǎn)換成一輸出電壓。
10. 如權(quán)利要求9所述的電源供應(yīng)裝置,其特征在于,該升壓轉(zhuǎn)換器包括一電感,其第一端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該輸入端;一第一晶體管,其柵極端接收該脈寬調(diào)制信號(hào),其漏極端稱接至該電感的第二 端,其源極端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端;一二極管,其陽極端耦接至該第一晶體管的漏極端,其陰極端耦接至該升壓轉(zhuǎn) 換器的該輸出端;以及一第二電容,其第一端耦接至該二極管的陰極端,其第二端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端。
11. 如權(quán)利要求10所述的電源供應(yīng)裝置,其特征在于,該第一晶體管為NMOS晶體管。
12. 如權(quán)利要求9所述的功率因素校正電路,其特征在于,該信號(hào)產(chǎn)生器包括-一第二電阻,其第一端接收該充電電流,其第二端耦接至一地端; 一第二晶體管,其發(fā)射極端接收一第一電壓,其基極端與集電極端耦接至該第二電阻的第一端;一第三晶體管,其發(fā)射極端耦接至該第二晶體管的發(fā)射極端,其基極端耦接至 該第二晶體管的基極端;一第三電容,其第一端耦接至該第三晶體管的集電極端,其第二端耦接至該地A山順;一第四晶體管,其漏極端耦接至該第三晶體管的集電極端,其源極端耦接至該 地端;以及一比較器,其第一輸入端耦接至該第四晶體管的漏極端,其第二輸入端接收一 第二電壓,其輸出端耦接至該第四晶體管的柵極端。
13. 如權(quán)利要求12所述的電源供應(yīng)裝置,其特征在于,該第二晶體管與該第三 晶體管為PNP雙極性晶體管。
14. 如權(quán)利要求12所述的電源供應(yīng)器,其特征在于,該第四晶體管為NMOS 晶體管。
15. 如權(quán)利要求9所述的電源供應(yīng)裝置,其特征在于,該頻率控制器包括 一第三電阻,其第一端耦接至該信號(hào)產(chǎn)生器,其第二端耦接至一地端; 一第五晶體管,其集電極端耦接至該第三電阻的第一端;一第四電阻,其第一端耦接至該第五晶體管的發(fā)射極端,其第二端耦接至該地端;一第五電阻,其第一端接收該整流電壓; 一第六電阻,其第一端耦接至該第五電阻的第二端;一第七電阻,其第一端耦接至該第六電阻的第二端,其第二端耦接至該第五晶 體管的基極端;一第八電阻,其第一端耦接至該第七電阻的第二端,其第二端耦接至該地端; 一第四電容,其第一端耦接至該第八電阻的第一端,其第二端耦接至該地端; 一第六晶體管,其集電極端耦接至該第四電容的第一端;一第九電阻,其第一端耦接至該第六晶體管的發(fā)射極端,其第二端耦接至該地端;一第十電阻,其第一端接收正比于該整流電壓的一直流電壓,其第二端耦接至 該第六晶體管的基極端;一第十一電阻,其第一端耦接至該第十電阻的第二端,其第二端耦接至地端; 一第五電容,其第一端耦接至該第十電阻的第一端,其第二端耦接至地端;以及一第十二電阻,其第一端耦接該第五電容的第一端,其二端耦接至地端。
16.如權(quán)利要求15所述的電源供應(yīng)裝置,其特征在于,該第五晶體管與該第六 晶體管為NPN雙極性晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種功率因素校正電路,包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電阻與升壓控制單元。升壓控制單元包括信號(hào)產(chǎn)生器與頻率控制器。升壓轉(zhuǎn)換器用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號(hào)而將一整流電壓轉(zhuǎn)換成一校正電壓。第一電容與第一電阻相互串接在升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端與接地端之間。升壓控制單元用以產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào),并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的電流、整流電壓以及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號(hào)的工作周期與頻率。其中,信號(hào)產(chǎn)生器用以產(chǎn)生斜波信號(hào),并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號(hào)的斜率。頻率控制器用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。
文檔編號(hào)H02M1/00GK101540546SQ20081008790
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月18日
發(fā)明者劉士豪, 夏春華 申請(qǐng)人:英業(yè)達(dá)股份有限公司