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低成本電磁爐igbt高壓保護(hù)電路的制作方法

文檔序號(hào):7282164閱讀:320來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:低成本電磁爐igbt高壓保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及保護(hù)電路,更具體地說(shuō),涉及一種IGBT高壓保護(hù)電路。
背景技術(shù)
電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路常用的方案是用339比較器,如圖1所示,高 壓信號(hào)經(jīng)過(guò)電阻分壓后送入339比較器,和一個(gè)固定電壓比較后得到保護(hù)信號(hào) 輸出。該電路使用339比較器芯片,成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述成本高的缺陷, 提供一種低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種低成本電磁爐 IGBT高壓保護(hù)電路,其特征在于,包括一個(gè)NPN三極管,所述NPN三極管 具有基極、集電極和發(fā)射極;所述NPN三極管的發(fā)射極接地、所述NPN三極 管的集電極通過(guò)電阻連接到電源,所述NPN三極管的基極和高壓采集電路相 連,所述NPN三極管的集電極輸出保護(hù)信號(hào)。
在本實(shí)用新型所述的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路中,所述高壓采集 電路為電阻網(wǎng)絡(luò)。
在本實(shí)用新型所述的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路中,所述電阻網(wǎng)絡(luò)包括第一分壓電阻和第二分壓電阻,所述第一分壓電阻一端連接高壓信號(hào),所 述第一分壓電阻另一端連接所述NPN三極管的基極;所述第二分壓電阻一端 連接所述NPN三極管的基極,所述第二分壓電阻的另一端接地。
實(shí)施本實(shí)用新型的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,具有以下有益效果 僅使用一個(gè)NPN三極管和若干電阻便可實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能,成本低廉。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明,附圖中 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路的電路圖; 圖2是本實(shí)用新型的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路的一種具體實(shí)施例 的電路圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型涉及一種低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路。電路包括一個(gè) NPN三極管,NPN三極管具有基極、集電極和發(fā)射極;NPN三極管的發(fā)射 極接地、NPN三極管的集電極通過(guò)電阻連接到電源,NPN三極管的基極和高 壓采集電路相連,NPN三極管的集電極輸出保護(hù)信號(hào)。高壓采集電路為電阻 網(wǎng)絡(luò)。電阻網(wǎng)絡(luò)包括第一分壓電阻和第二分壓電阻,第一分壓電阻一端連接高 壓信號(hào),第一分壓電阻另一端連接NPN三極管的基極;第二分壓電阻一端連 接NPN三極管的基極,第二分壓電阻的另一端接地。
下面結(jié)合圖2描述本實(shí)用新型的一種具體實(shí)施例。結(jié)合圖2來(lái)說(shuō)明其工作 原理,Q1為NPN三極管,Ql的集電極通過(guò)電阻R7連接到電源;電阻R5和 R6構(gòu)成第一分壓電阻,電阻R8構(gòu)成第二分壓電阻,當(dāng)高壓輸入端達(dá)到保護(hù)的
臨界值時(shí),三極管Q1的基極電壓開(kāi)始超過(guò)0.6V,此時(shí)Q1導(dǎo)通,則Q1的集
電極端提供一個(gè)下降沿信號(hào)作為保護(hù)信號(hào)提供給控制系統(tǒng)。
權(quán)利要求1、一種低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,其特征在于,包括一個(gè)NPN三極管,所述NPN三極管具有基極、集電極和發(fā)射極;所述NPN三極管的發(fā)射極接地、所述NPN三極管的集電極通過(guò)電阻連接到電源,所述NPN三極管的基極和高壓采集電路相連,所述NPN三極管的集電極輸出保護(hù)信號(hào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,其特征在 于,所述高壓采集電路為電阻網(wǎng)絡(luò)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,其特征在 于,所述電阻網(wǎng)絡(luò)包括第一分壓電阻和第二分壓電阻,所述第一分壓電阻一端 連接高壓信號(hào),所述第一分壓電阻另一端連接所述NPN三極管的基極;所述 第二分壓電阻一端連接所述NPN三極管的基極,所述第二分壓電阻的另一端 接地。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,包括一個(gè)NPN三極管,所述NPN三極管具有基極、集電極和發(fā)射極;所述NPN三極管的發(fā)射極接地、所述NPN三極管的集電極通過(guò)電阻連接到電源,所述NPN三極管的基極和高壓采集電路相連,所述NPN三極管的集電極輸出保護(hù)信號(hào)。實(shí)施本實(shí)用新型的低成本電磁爐IGBT高壓保護(hù)電路,僅使用一個(gè)三極管和若干電阻便可實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能,成本低廉。
文檔編號(hào)H02H7/20GK201075671SQ20072012149
公開(kāi)日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
發(fā)明者伍炎軍, 劉建偉, 師潤(rùn)貴 申請(qǐng)人:深圳和而泰智能控制股份有限公司
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