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一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷過電壓保護(hù)電路的制作方法

文檔序號:7455618閱讀:220來源:國知局
專利名稱:一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷過電壓保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)電路,特別涉及一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率 半導(dǎo)體器件的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路。
背景技術(shù)
由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有易驅(qū)動(dòng)、開關(guān)頻率高、外殼絕緣等優(yōu)點(diǎn), 已成為變流領(lǐng)域中小功率變流器使用的主流開關(guān)器件。隨著技術(shù)的進(jìn)步,器件 電壓電流等級不斷提高,逐步向高壓大容量方向發(fā)展,目前單個(gè)IGBT元件最 高電壓等級為6500V。 IGBT的電壓等級(Vces)是其承受正向阻斷電壓的極 限值,超過該值IGBT就會(huì)被擊穿,因此IGBT運(yùn)行中的過電壓保護(hù)是關(guān)系到 使用該種器件系統(tǒng)可靠性的一重要指標(biāo)。
會(huì)產(chǎn)生一高于母線直流電壓的電壓尖峰,其中超出母線電壓的部分稱為關(guān)斷過 電壓或關(guān)斷浪涌電壓AVcE。厶Vce-L。 xdi。fi/dt,L。為主電路雜散電感與IGBT 內(nèi)部分布電感之和,di。g/dt為IGBT元件電流下降率。當(dāng)系統(tǒng)確定時(shí),L。為固 定值,而di。fi/dt則會(huì)隨關(guān)斷情形而變化,當(dāng)IGBT元件發(fā)生過流或短路時(shí),di。fi/dt
急劇增大,會(huì)引起比正常關(guān)斷大得多的AVcE,影響系統(tǒng)的可靠性。
目前,對于電壓不高或電流不大的變流裝置,由于厶VcE相對偏小,且裝 置本身維修成本低,總成本不能過高等原因, 一般沒對IGBT元件非正常關(guān)斷 過電壓進(jìn)行抑制。
對于高壓大電流變流裝置,其維修成本及可靠性要求高,故進(jìn)行AVcE抑 制是一項(xiàng)非常必要的措施?,F(xiàn)比較典型的抑制方法一種是采用瞬變抑制二極管 的過電壓鉗位方式,如圖1所示。在IGBT11關(guān)斷時(shí), 一旦VcE電壓超過瞬變 抑制二極管Dz的閥值,Dz導(dǎo)通,V(jE(柵極對發(fā)射才及電壓)電壓上升,IGBT11 重新導(dǎo)通,VCE (集電極對發(fā)射極電壓)電壓下降。此方法效果較好,但要求 響應(yīng)速度非???,否則不僅起不到抑制過電壓的作用,還可能會(huì)造成元件的誤 觸發(fā),給系統(tǒng)構(gòu)成安全隱患。
現(xiàn)比較典型的抑制方法另一種是在IGBT元件過流或短路時(shí)采取軟關(guān)斷方
式,如圖2所示。正常時(shí)Q23閉合,故障時(shí)Q23斷開,放電電流經(jīng)過Rs,由 于放電電阻增大,IGBT21關(guān)斷速度減慢,di。fl/dt減小,導(dǎo)致關(guān)斷過電壓AVcE 降低。此種抑制方法容易實(shí)現(xiàn),但缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路必須采用雙電源供電即必須 具備Vcc正電源與VEE負(fù)電源。因?qū)τ诂F(xiàn)有大功率IGBT21或其他類似功率器 件,為了防止系統(tǒng)干擾等引起的誤觸發(fā),關(guān)斷期間必須在IGBT21門極施加負(fù) 偏電壓VEE,幅值一般與Vcc相等。此外,由于Rs施加于負(fù)偏回路,抑制效 果不太明顯,且關(guān)斷損耗較大,不易用于元件正常關(guān)斷時(shí)的過電壓抑制。
因此,如何對采用單電源Vcc供電的IGBT等電壓驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體器件非正 常關(guān)斷時(shí)造成的過電壓進(jìn)行抑制,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述背景問題的客觀存在,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題,就在于提供一 種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,用于實(shí)現(xiàn)對IGBT等電 壓驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體器件正?;蚍钦jP(guān)斷時(shí)造成的超高過電壓進(jìn)行抑制。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷 過電壓保護(hù)電路,包括控制電路、連接在控制電路的輸出端和電壓驅(qū)動(dòng)型功率 半導(dǎo)體器件之間的放大電路;
所述控制電路的輸出端和所述功率半導(dǎo)體器件的柵極之間還并聯(lián)三極管 Q5和分壓電阻R2。
優(yōu)選地,所述控制電路的輸出端和所述放大電路之間以及所述控制電路的 輸出端和所述三極管Q5之間均串聯(lián)電平轉(zhuǎn)換電路。
優(yōu)選地,所述放大電路包括所述功率半導(dǎo)體器件的柵極與所述控制電路的 輸出端之間相互并聯(lián)的三極管Q1、三極管Q2,和串聯(lián)在所述功率半導(dǎo)體器件 與所述三極管Q1、三極管Q2發(fā)射極之間的電阻R1;所述三極管Ql集電極 連接正電源,所述三極管Q2集電極接地;
所述功率半導(dǎo)體器件的發(fā)射極與所述控制電路的輸出端之間相互并聯(lián)的 三極管Q3、三極管Q4;所述三極管Q3集電極連接正電源,所述三極管Q4 集電極接地。
優(yōu)選地,所述控制電路和所述功率半導(dǎo)體器件之間包括VcE檢測電路。 優(yōu)選地,所述控制電路根據(jù)所述VcE檢測電路的檢測結(jié)果控制所述三極管
斷時(shí)的過電壓抑制。
優(yōu)選地,啟用過電壓保護(hù)功能對電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行軟關(guān)斷 時(shí),軟關(guān)斷信號輸出一固定寬度的高電平,發(fā)射極信號在軟關(guān)斷信號固定脈沖 結(jié)束后再變成高電平,軟關(guān)斷信號為高電平期間,柵極電壓Vge緩慢降至一固 定電平^T^"^ ,之后再以正常速度下降至-Vcc。
與上述背景技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是
制電路的輸出端和所述功率半導(dǎo)體器件的柵極之間并聯(lián)三極管Q5和分壓電阻 R2,且所述控制電路能通過對三極管Q5和所述驅(qū)動(dòng)放大電路的控制,實(shí)現(xiàn)對
所述電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件柵極電壓V(je及其關(guān)斷速度進(jìn)行控制,乂人而實(shí)
現(xiàn)非正常關(guān)斷時(shí)造成的超高過電壓的抑制。
所述控制電路輸出的脈沖信號為軟關(guān)斷信號(SCG)、柵極信號(SG)、 發(fā)射極信號(SE)。控制電路輸出的三路脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)檫m合所述功率半導(dǎo)體 器件開通與關(guān)斷的柵極驅(qū)動(dòng)信號VGE。正常工作時(shí),控制電路控制三極管Q5 關(guān)斷,過電壓保護(hù)功能不啟用,當(dāng)電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)電絲-接收到 功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通信號,VGE輸出Vcc,電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通;
當(dāng)接收到功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷信號,VGE輸出-Vcc,電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器
件關(guān)斷。電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件出現(xiàn)過流或短路故障等非正常情況時(shí),控 制電路輸出故障狀態(tài),假設(shè)為低電平,反饋給上級控制系統(tǒng),并持續(xù)一段時(shí)間, 同時(shí)槺極信號變成低電平,軟關(guān)斷信號輸出一固定寬度的高電平,其脈沖寬度 滿足效果較好的要求。發(fā)射極信號在軟關(guān)斷信號固定脈沖結(jié)束后再變成高電
平。軟關(guān)斷信號為高電平期間,VGE緩慢降至一固定電平

該電平由
分壓電阻Rl與電阻R2分壓決定,此期間VGE波形下降速度比正常關(guān)斷時(shí)慢
得多,故di。ff/dt大大減小,從而使VcE過電壓峰值降低。
因此,本發(fā)明實(shí)施例所述關(guān)斷過電壓保護(hù)電路能夠?qū)崿F(xiàn)對IGBT等電壓驅(qū) 動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件非正常關(guān)斷時(shí)造成的超高過電壓的抑制。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)所述功率半導(dǎo)體器件第一種保護(hù)電路圖2是現(xiàn)有技術(shù)所述功率半導(dǎo)體器件第二種保護(hù)電路圖3是本發(fā)明所述關(guān)斷過電壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)框圖4是圖3所述關(guān)斷過電壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)框圖具體實(shí)施例電路圖;
圖5是本發(fā)明所述VcE檢測電路第一種實(shí)施方式電路圖6是本發(fā)明所述VcE檢測電路第二種實(shí)施方式電路圖7是圖3所述電路故障狀態(tài)電壓波形圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,用于實(shí) 現(xiàn)對IGBT等電壓驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體器件非正常關(guān)斷時(shí)造成的過電壓進(jìn)行抑制。
為了更清楚地說明本發(fā)明所述電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷過電壓保 護(hù)電路的結(jié)構(gòu)組成和工作原理,下面結(jié)合具體附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
參見圖3和圖4,圖3為本發(fā)明所述關(guān)斷過電壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)框圖;圖4 是圖3所述所述關(guān)斷過電壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)框圖具體實(shí)施例電路圖。
括控制電路7,連接在控制電路7的輸出端和IGBT之間的放大電路9,所述 控制電路7的輸出端和IGBT的柵極G之間還并聯(lián)有三極管Q5和分壓電阻 R2。
所述控制電路7輸出的脈沖信號為軟關(guān)斷信號24 (SCG)、柵極信號25 (SG)、發(fā)射極信號26(SE)。控制電路7輸出的三路脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)檫m合所 述功率半導(dǎo)體器件開通與關(guān)斷的柵極驅(qū)動(dòng)信號VGE。正常工作時(shí),控制電路7 控制三^l管Q5關(guān)斷,過電壓保護(hù)功能不啟用,當(dāng)電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件 驅(qū)動(dòng)電珞接收到功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通信號,VGE輸出Vcc,電壓驅(qū)動(dòng)型功率半 導(dǎo)體器件導(dǎo)通;當(dāng)接收到功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷信號,Vge愉出-Vcc,電壓驅(qū)動(dòng)
型功率半導(dǎo)體器件關(guān)斷。電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件出現(xiàn)過流或短路故障等非 正常情況時(shí),控制電路輸出故障狀態(tài),布H殳為低電平,反饋給上級控制系統(tǒng), 并持續(xù)一段時(shí)間,同時(shí)柵極信號變成低電平,軟關(guān)斷信號輸出一固定寬度的高
電平,其脈沖寬度滿足效果較好的要求。發(fā)射極信號在軟關(guān)斷信號固定脈沖結(jié) 束后再變成高電平。軟關(guān)斷信號為高電平期間,VGE緩慢降至一固定電平
^^^x',該電平由分壓電阻R1與電阻R2分壓決定,此期間VGE波形下降
速度比正常關(guān)斷時(shí)慢得多,故di。ff/dt大大減小,從而使VcE過電壓峰值降低。
可以適用于對IGBT等電壓驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體器件的正常關(guān)斷進(jìn)行過電壓抑制。
本發(fā)明實(shí)施例采用單電源Vcc供電方式,能夠?qū)崿F(xiàn)對IGBT元件等電壓驅(qū) 動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件非正常關(guān)斷時(shí)造成的過電壓進(jìn)行抑制。
所述放大電路9包括所述功率半導(dǎo)體器件的柵極與所述控制電路7的輸出 端之間相互并聯(lián)的三極管Ql、三極管Q2,和串聯(lián)在IGBT與所述三極管Q1、 三極管Q2發(fā)射極之間的電阻Rl;所述三極管Ql集電>^及連接正電源,所述三 極管Q2集電極接地。
IGBT的發(fā)射極與所述控制電路7的輸出端之間相互并聯(lián)的三極管Q3、三 極管Q4;所述三極管Q3集電極連接正電源,所述三極管Q4集電極接地。
所述控制電路7的輸出端和所述放大電路9之間以及所述控制電路7的輸 出端和所述三極管Q5之間均串聯(lián)電平轉(zhuǎn)換電路8。電平轉(zhuǎn)換電路8目的是將
從而使其控制的三極管Ql、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4和三極管Q5 輸出信號幅值也約為Vcc。
本發(fā)明實(shí)施例所述電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路可以包括將光 信號轉(zhuǎn)換為控制電路能夠接收的電信號的信號隔離電路4。
信號隔離電路4的目的是將前級控制電路與位于高壓主電路端的驅(qū)動(dòng)電 路1進(jìn)行信號的隔離。信號隔離電路4是將輸入的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)榭刂齐娐? 所能接受的電信號27,同時(shí)將控制電路7反饋的IGBT狀態(tài)信號28轉(zhuǎn)變?yōu)楣?信號輸出給前級控制系統(tǒng)。
控制電路7的作用是將輸入信號27經(jīng)過故障處理等環(huán)節(jié)后輸出控制IGBT 開通與關(guān)斷的脈沖信號,并將故障處理后的IGBT狀態(tài)通過信號隔離電路4反 饋給前級控制系統(tǒng)??刂齐娐?輸出的三路脈沖信號分別為軟關(guān)斷信號24 (SCG)、柵極信號25 (SG)、發(fā)射極信號26 ( SE )。
由于軟關(guān)斷信號為高電平期間,VGE輸出電壓由分壓電阻R2與電阻Rl 分壓決定,所述電阻Rl和分壓電阻R2的電阻值可以:換照預(yù)先設(shè)定的比例進(jìn)
行設(shè)置。
源隔離電路5。
電源隔離電路5用于將前級控制電路與位于高壓主電路端的驅(qū)動(dòng)電路1 進(jìn)行電源的隔離。電源隔離電路5將輸入電源隔離輸出合適的直流電源,供次 邊驅(qū)動(dòng)電路l使用。
測電路6, VcE檢測電路6通過檢測IGBT集電極電壓來判斷IGBT元件的狀 態(tài)。
參見圖5,該圖是本發(fā)明所述VcE檢測電路6第一種實(shí)施方式電路圖。 所述VcE檢測電路6至少包括一個(gè)二極管D5,所述二極管D5串聯(lián)在所
述控制電路7的輸入端和所述功率半導(dǎo)體器件3的集電極之間。參見圖6,該
圖是本發(fā)明所述VcE檢測電路6第二種實(shí)施方式電路圖。
所述VcE檢測電路6包括分壓電阻R3和分壓電阻R4,所述分壓電阻R3
串聯(lián)在所述控制電路7的輸入端和所述功率半導(dǎo)體器件3的集電極之間,所述
分壓電阻R4串聯(lián)在所述控制電路7的輸入端和地之間。
本發(fā)明所述兩種VcE檢測電路實(shí)施方式都是檢測元件開通過程中的VCE,
通過與設(shè)定值進(jìn)行比較來判斷IGBT是否過流或短路,并將結(jié)果送入控制電路 7進(jìn)行故障處理。
本法明兩種實(shí)施方式的區(qū)別是第一種實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)方便,但不宜使用于 6500VIGBT等高電壓等級的功率半導(dǎo)體器件情形,第二種實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)難度 稍大,但可解決第一種遇到的問題。
驅(qū)動(dòng)放大電路9的作用是將控制電路7輸出的三路脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)檫m合 IGBT開通與關(guān)斷的柵極驅(qū)動(dòng)信號VGE,所述驅(qū)動(dòng)放大電路9包括電平轉(zhuǎn)換電 路8與三極管Ql、三極管Q2、三極管Q3和三極管Q4。電平轉(zhuǎn)換電路8將 控制電路7發(fā)出的邏輯脈沖信號(幅值通常為5V)轉(zhuǎn)變成幅值為Vcc的信號, 從而使其控制的三極管Ql、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4和三極管Q5
輸出信號幅值也約為Vcc。 路故障狀態(tài)電壓波形圖。
正常時(shí)故障輸入信號23為正常狀態(tài),經(jīng)控制電路7輸出故障反饋信號28 (FOUT)亦為正常狀態(tài)Hl沒為高電平),軟關(guān)斷信號24 (SCG)為低電平, 柵極信號25 ( SG)與輸入信號27相同,發(fā)射極信號26 ( SE )與輸入信號27 相反,三極管Q5保持關(guān)斷狀態(tài),柵極驅(qū)動(dòng)信號V(jE與輸入信號同相,幅值為 Vcc與-Vcc。
一旦出現(xiàn)過流或短路故障,故障輸入信號23變成故障信號,經(jīng)過控制電 路7進(jìn)行邏輯處理后,故障反饋信號28 (FOUT)輸出故障狀態(tài)(假設(shè)為低電 平),通過信號隔離電路反饋給上級控制系統(tǒng),并持續(xù)一段時(shí)間,該時(shí)間為驅(qū) 動(dòng)電路的故障封鎖時(shí)間;同時(shí)柵極信號25 (SG)變成低電平,軟關(guān)斷信號24 (SCG)輸出一固定寬度的高電平,其脈沖寬度滿足效果較好的要求,發(fā)射極 信號26 (SE)在軟關(guān)斷信號24固定脈沖結(jié)束后再變成高電平。軟關(guān)斷信號 24為高電平期間,三^l管Q5、三才及管Q2、三^L管Q4導(dǎo)通,三才及管Ql、三 極管Q3關(guān)斷,VGE輸出電壓由電壓電阻R1與電阻R2分壓決定。
由圖4波形可以看出,此期間VGE波形下降速度比正常關(guān)斷時(shí)慢得多,故
di。ff/dt大大減小,從而使VCE過電壓峰值降低。
所述控制電路7的輸出端和所述放大電路9之間以及所述控制電路7的輸 出端和所述三極管Q5之間均串聯(lián)電平轉(zhuǎn)換電路8。
參見圖7,所述放大電路9包括所述功率半導(dǎo)體器件的柵極與所述控制電 路7的輸出端之間相互并聯(lián)的三極管Ql、三極管Q2,和串聯(lián)在IGBT與所述 三極管Ql、三極管Q2發(fā)射極之間的電阻R1;所述三極管Ql集電極連接正 電源,所述三極管Q2集電極^接地。
IGBT的發(fā)射極與所述控制電路7的輸出端之間相互并聯(lián)的三極管Q3、三 極管Q4;所述三極管Q3集電極連接正電源,所述三極管Q4集電極接地。
本發(fā)明所述電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路可以是IGBT或大功率 MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤飾, 這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,包括控制電路、連接在控制電路的輸出端和電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件之間的放大電路,其特征在于,所述控制電路的輸出端和所述功率半導(dǎo)體器件的柵極之間還并聯(lián)三極管Q5和分壓電阻R2。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,所述控制 電路的輸出端和所述放大電路之間以及所述控制電路的輸出端和所述三極管 Q5之間均串聯(lián)電平轉(zhuǎn)換電路。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,所述放大 電路包括所述功率半導(dǎo)體器件的柵極與所述控制電路的輸出端之間相互并聯(lián) 的三極管Q1、三極管Q2,和串聯(lián)在所述功率半導(dǎo)體器件與所述三極管Ql、 三極管Q2發(fā)射極之間的電阻R1;所述三極管Ql集電極連接正電源,所述三 極管Q2集電極接地; '所述功率半導(dǎo)體器件的發(fā)射極與所述控制電路的輸出端之間相互并聯(lián)的 三極管Q3、三極管Q4;所述三極管Q3集電極連接正電源,所述三極管Q4 集電極接地。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,所述控制 電路和所述功率半導(dǎo)體器件之間包括VcE檢測電路。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,所述控制 電路根據(jù)所述VcE檢測電路的檢測結(jié)果控制所述三極管Ql至三極管Q5,實(shí) 現(xiàn)所述電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的正常關(guān)斷或非正常關(guān)斷時(shí)的過電壓抑制。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,其特征在于,啟用過電 壓保護(hù)功能對電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行軟關(guān)斷時(shí),軟關(guān)斷信號輸出一固 定寬度的高電平,發(fā)射極信號在軟關(guān)斷信號固定脈沖結(jié)束后再變成高電平,軟關(guān)斷信號為高電平期間,柵極電壓VGE緩慢降至一固定電平^^^x',之后再 以正常速度下降至-Vcc。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,包括控制電路,連接在控制電路的輸出端和電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件之間的放大電路,所述控制電路的輸出端和所述功率半導(dǎo)體器件的柵極之間還并聯(lián)三極管Q5和分壓電阻R2。本發(fā)明提供一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷過電壓保護(hù)電路,用于實(shí)現(xiàn)對IGBT元件等電壓驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體器件正?;蚍钦jP(guān)斷時(shí)造成的超高過電壓進(jìn)行抑制,且采用單電源V<sub>CC</sub>供電方式。
文檔編號H02M1/00GK101174788SQ200710167319
公開日2008年5月7日 申請日期2007年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日
發(fā)明者力 忻, 華 李, 榮智林, 陳燕平 申請人:株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司
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