專利名稱:靴帶電容充電電路及使用該充電電路的驅(qū)動集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種靴帶電容(bootstrap capacitor)充電電路,及使用該 充電電路的驅(qū)動集成電路,其特別適用于高壓半橋式電源供應(yīng)電路中。
背景技術(shù):
半橋式電源供應(yīng)電路,又稱切換式電源供應(yīng)電路,其基本結(jié)構(gòu)的 一例可見圖l,通過兩功率晶體管Q1、 Q2分別切換其導(dǎo)通狀態(tài),而將 供應(yīng)電壓Vcc轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷禾峁┙o負(fù)載20。兩功率晶體管Ql、 Q2的導(dǎo)通狀態(tài)分別由驅(qū)動IC芯片10中的上下橋驅(qū)動電路11與12所 控制,其中上橋驅(qū)動電路11的操作電壓范圍下限為節(jié)點(diǎn)電壓Vph,下 橋驅(qū)動電路12的操作電壓范圍下限為接地電壓。(驅(qū)動IC芯片10中 的其它部份與本案無關(guān),故予以省略。)
當(dāng)供應(yīng)電壓Vcc為高壓時(shí)(例如數(shù)百伏特),上橋驅(qū)動電路11不 宜直接自供應(yīng)電壓Vcc獲取工作電壓,故通常如圖所示,提供一靴帶 電容Cl,于下橋晶體管Q2導(dǎo)通時(shí),自芯片10內(nèi)部的低壓供應(yīng)源Vdd 經(jīng)靴帶二極管Dl對該靴帶電容Cl充電,使得當(dāng)下橋晶體管Q2關(guān)閉 時(shí),節(jié)點(diǎn)N1的電壓可到達(dá)Vph+Vdd,以供上橋驅(qū)動電路11操作所需。 靴帶二極管D1的目的是在節(jié)點(diǎn)N1的電壓高于低壓供應(yīng)源Vdd時(shí),避 免節(jié)點(diǎn)N1的電壓倒灌損害低壓供應(yīng)源Vdd。
在上述安排下,由于節(jié)點(diǎn)Nl的電壓可能相當(dāng)高,故對靴帶電容 Cl的電容值、和靴帶二極管D1的崩潰電壓與峰值電流容量,其規(guī)格 要求都相當(dāng)高,因此靴帶電容Cl和靴帶二極管Dl通常皆使用獨(dú)立元 件(discrete component)來制作,而無法整合至IC芯片10之內(nèi)。在美國專利第5,373,435號案中,提及一種仿真靴帶二極管Dl的 電路BDE (Bootstrap Diode Emulator),通過復(fù)雜的元件組合,達(dá)成仿真 靴帶二極管D1的效果。因BDE電路相當(dāng)復(fù)雜,故圖2中僅示出其簡 化概念;其詳細(xì)電路結(jié)構(gòu)請見圖3。該案的目的是使用仿真靴帶二極管 電路BDE,將原本必須以獨(dú)立元件制作的仿真靴帶二極管D1,整合至 IC芯片IO之內(nèi)。然而,若詳閱美國專利第5,373,435號案可知,該案所提出的BDE 電路十分復(fù)雜,不但組成元件數(shù)量繁多,且電路中同時(shí)包含MOS與雙 極晶體管元件,對于集成電路芯片的整合與制作而言,并不便利。有鑒于此,本發(fā)明即針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種較佳的 靴帶電容充電電路,其電路結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)較現(xiàn)有技術(shù)更為簡單,可以很便利 地整合在集成電路芯片之內(nèi),且所構(gòu)成的集成電路芯片可以使用MOS 制程來制作。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一目的在于,提出一種靴帶電容充電電路,以簡單的 結(jié)構(gòu),達(dá)成對靴帶電容充電的功能。本發(fā)明的第二目的在于,提出一種使用該充電電路的驅(qū)動集成電路。本發(fā)明的第三目的在于,提出一種使用該驅(qū)動集成電路的半橋式 電源供應(yīng)電路。為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供一種靴帶電容充電電路,用以自一供 應(yīng)電壓對一靴帶電容充電,該充電電路包含 一耗乏型晶體管,其源 極/汲極的第一端與該供應(yīng)電壓電連接,柵極亦與該供應(yīng)電壓電連接, 源極/汲極的第二端與該靴帶電容電連接。此外,根據(jù)本發(fā)明,也提供了一種驅(qū)動集成電路,用以控制至少 一功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài),該驅(qū)動集成電路包含 一上橋驅(qū)動電路, 用以產(chǎn)生訊號控制第一功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài),此上橋驅(qū)動電路的第 一電壓端與第一電壓節(jié)點(diǎn)電連接,第二電壓端與第二電壓節(jié)點(diǎn)電連接; 以及一耗乏型晶體管,其源極/汲極的第一端與一供應(yīng)電壓電連接, 柵極亦與該供應(yīng)電壓電連接,源極/汲極的第二端與該第一電壓節(jié)點(diǎn) 電連接。根據(jù)本發(fā)明的另一內(nèi)容,也提供了一種半橋式電源供應(yīng)電路,用 以供應(yīng)電壓至負(fù)載,該半橋式電源供應(yīng)電路包含互相電連接的上橋 與下橋功率晶體管; 一上橋驅(qū)動電路,用以產(chǎn)生訊號控制該上橋功率 晶體管的導(dǎo)通狀態(tài),此上橋驅(qū)動電路的第一電壓端與第一電壓節(jié)點(diǎn)電 連接,第二電壓端與第二電壓節(jié)點(diǎn)電連接; 一下橋驅(qū)動電路,用以產(chǎn) 生訊號控制該下橋功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài); 一靴帶電容,電連接于該 第一電壓節(jié)點(diǎn)和第二電壓節(jié)點(diǎn)之間;以及一耗乏型晶體管,其源極/ 汲極的第一端與第一供應(yīng)電壓電連接,柵極亦與該第一供應(yīng)電壓電連 接,源極/汲極的第二端與該第一電壓節(jié)點(diǎn)電連接。在前述靴帶電容充電電路、驅(qū)動集成電路、半橋式電源供應(yīng)電路 中,為安全起見,可在供應(yīng)電壓與耗乏型晶體管之間設(shè)置一個二極管, 其陽極與該供應(yīng)電壓電連接,其陰極與該耗乏型晶體管的第一端電連 接。下面通過具體實(shí)施例詳加說明,當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技 術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。
圖1標(biāo)出現(xiàn)有技術(shù)的半橋式電源供應(yīng)電路,其中使用的靴帶電容 與靴帶二極管為獨(dú)立元件(discrete components);圖2為現(xiàn)有技術(shù)的簡化示意電路圖,其中以仿真靴帶二極管電路 BDE來取代獨(dú)立的靴帶二極管;圖3標(biāo)出圖2現(xiàn)有技術(shù)中的BDE的詳細(xì)結(jié)構(gòu); 圖4為示意電路圖,說明本發(fā)明的第一實(shí)施例; 圖5為本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖中符號說明10驅(qū)動IC芯片11驅(qū)動電路12驅(qū)動電路14控制電路20負(fù)載40充電電路41耗乏型晶體管42二極管BDE仿真靴帶二極管電路CI靴帶電容Dl靴帶二極管電感Nl節(jié)點(diǎn)OUT輸出端Q1,Q2功率晶體管Vcc供應(yīng)電壓(高壓)Vdd供應(yīng)電壓(低壓)Vph節(jié)點(diǎn)電壓具體實(shí)施方式
請參考圖4,其中以示意電路圖的方式顯示本發(fā)明的一個實(shí)施例。 如圖所示,本實(shí)施例中,在低壓供應(yīng)源Vdd與靴帶電容Cl間,設(shè)有一 個靴帶電容充電電路40,其中包含有N型耗乏型晶體管41和二極管42,且N型耗乏型晶體管41以側(cè)向擴(kuò)散的金氧半晶體管(LDMOS)較 佳,如此在制程整合與元件特性上將更能符合本發(fā)明的需求。當(dāng)?shù)蛪?供應(yīng)源Vdd的電壓大于節(jié)點(diǎn)Nl的電壓時(shí),耗乏型晶體管41的左方端 可視為源極,由于耗乏型晶體管41的柵極對源極電壓Vgs為正(等于 二極管42的壓降),故耗乏型晶體管41維持為導(dǎo)通狀態(tài),使低壓供 應(yīng)源Vdd得以對靴帶電容Cl進(jìn)行充電。當(dāng)下橋晶體管Q2關(guān)閉時(shí),節(jié)點(diǎn)N1的電壓為Vph+Vdd,此時(shí)耗乏 型晶體管41的右方端電壓較左方端為高,但由于晶體管41的耗乏型 LDMOS特性,本身具有限流的功能,故并不需要使用高規(guī)格的二極管 42,即可達(dá)到防護(hù)電流倒灌的功能。因此,耗乏型晶體管41和二極管 42,可以整合在驅(qū)動IC芯片IO之內(nèi)。以上電路中的二極管42,是為安全起見而設(shè)置,但事實(shí)上也可省 略,如圖5所示。在本圖實(shí)施例中,當(dāng)?shù)蛪汗?yīng)源Vdd的電壓大于節(jié) 點(diǎn)N1的電壓時(shí),耗乏型晶體管41的柵極對源極電壓Vgs為零,仍然 可以導(dǎo)通;而當(dāng)節(jié)點(diǎn)N1的電壓大于低壓供應(yīng)源Vdd的電壓時(shí),耗乏型 晶體管41的右方端可視為源極,此時(shí)耗乏型晶體管41的柵極對源極 電壓Vgs為負(fù)(等于-Vdd),故耗乏型晶體管41自然截止而不導(dǎo)通。在以上兩實(shí)施例的電路中,并不需要復(fù)雜的控制機(jī)制,其電路遠(yuǎn) 較圖3所示的電路更為簡單,且制作時(shí)也不需要使用復(fù)雜的BiCMOS制程。以上已針對較佳實(shí)施例來說明本發(fā)明,以上所述,僅為使本領(lǐng)域 技術(shù)人員易于了解本發(fā)明的內(nèi)容,并非用來限定本發(fā)明的權(quán)利范圍。 如前所述,本發(fā)明的主要概念在于,使用耗乏型晶體管作為靴帶電容 的充電電路;利用耗乏型晶體管的常態(tài)導(dǎo)通、限流與截止特性,使得 低壓供應(yīng)源Vdd不需要復(fù)雜的防護(hù)機(jī)制。在此精神下,本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以思及各種等效變化,均應(yīng)包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。例如,在圖中所示元件間,可加入不影響電路主要功能的元件;靴帶電容未必 限于高壓半橋式電源供應(yīng)電路中的靴帶電容,亦可為其它電路中的電 容;所示半橋式電源供應(yīng)電路中的下橋晶體管,可以代換為二極管; 等等。故凡依本發(fā)明的概念與精神所為的均等變化或修飾,均應(yīng)包括 于本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種靴帶電容充電電路,用以自一供應(yīng)電壓對一靴帶電容充電, 其特征在于,該充電電路包含一耗乏型晶體管,其源極/汲極的第一端與該供應(yīng)電壓電連接, 柵極亦與該供應(yīng)電壓電連接,源極/汲極的第二端與該靴帶電容電連 接。
2. 如權(quán)利要求l所述的靴帶電容充電電路,其中還包含有一個二極管,其陽極與該供應(yīng)電壓電連接,其陰極與該耗乏型晶體管的第一 端電連接。
3. 如權(quán)利要求l所述的靴帶電容充電電路,其中,該耗乏型晶體 管為側(cè)向擴(kuò)散的金氧半晶體管。
4. 一種驅(qū)動集成電路,用以控制至少一功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài), 其特征在于,該驅(qū)動集成電路包含一上橋驅(qū)動電路,用以產(chǎn)生訊號控制第一功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài), 此上橋驅(qū)動電路的第一電壓端與第一電壓節(jié)點(diǎn)電連接,第二電壓端與 第二電壓節(jié)點(diǎn)電連接;以及一耗乏型晶體管,其源極/汲極的第一端與一供應(yīng)電壓電連接, 柵極亦與該供應(yīng)電壓電連接,源極/汲極的第二端與該第一電壓節(jié)點(diǎn) 電連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動集成電路,其中,該第一電壓節(jié)點(diǎn)和 第二電壓節(jié)點(diǎn)與一靴帶電容的兩端電連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動集成電路,其中,該靴帶電容位于驅(qū) 動集成電路外部。
7. 如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動集成電路,其中還包含有一個二極管,其陽極與該供應(yīng)電壓電連接,其陰極與該耗乏型晶體管的第一端電連接。
8. 如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動集成電路,其中還包含有一下橋驅(qū)動 電路,用以產(chǎn)生訊號控制第二功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。
9. 如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動集成電路,其中,該耗乏型晶體管為 側(cè)向擴(kuò)散的金氧半晶體管。
10. —種半橋式電源供應(yīng)電路,用以供應(yīng)電壓至負(fù)載,其特征在于,該半橋式電源供應(yīng)電路包含互相電連接的上橋與下橋功率晶體管;一上橋驅(qū)動電路,用以產(chǎn)生訊號控制該上橋功率晶體管的導(dǎo)通狀 態(tài),此上橋驅(qū)動電路的第一電壓端與第一電壓節(jié)點(diǎn)電連接,第二電壓 端與第二電壓節(jié)點(diǎn)電連接;一下橋驅(qū)動電路,用以產(chǎn)生訊號控制該下橋功率晶體管的導(dǎo)通狀態(tài);一靴帶電容,電連接于該第一電壓節(jié)點(diǎn)和第二電壓節(jié)點(diǎn)之間;以及一耗乏型晶體管,其源極/汲極的第一端與第一供應(yīng)電壓電連接, 柵極亦與該第一供應(yīng)電壓電連接,源極/汲極的第二端與該第一電壓 節(jié)點(diǎn)電連接。
11. 如權(quán)利要求IO所述的半橋式電源供應(yīng)電路,其中還包含有一 個二極管,其陽極與該第一供應(yīng)電壓電連接,其陰極與該耗乏型晶體 管的第一端電連接。
12. 如權(quán)利要求IO所述的驅(qū)動集成電路,其中,該上橋功率晶體 管的一端與第二供應(yīng)電壓電連接,該第二供應(yīng)電壓高于第一供應(yīng)電壓。
13.如權(quán)利要求IO所述的半橋式電源供應(yīng)電路,其中,該耗乏型 晶體管為側(cè)向擴(kuò)散的金氧半晶體管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種靴帶電容充電電路及使用該充電電路的驅(qū)動集成電路,用以自一供應(yīng)電壓對一靴帶電容充電,該充電電路包含一耗乏型晶體管,其源極/汲極的第一端與該供應(yīng)電壓電連接,柵極亦與該供應(yīng)電壓電連接,源極/汲極的第二端與該靴帶電容電連接。在供應(yīng)電壓與耗乏型晶體管之間可設(shè)置一個二極管。
文檔編號H02M1/08GK101312328SQ20071010512
公開日2008年11月26日 申請日期2007年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月24日
發(fā)明者張光銘, 鄭謙興 申請人:立锜科技股份有限公司