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電流方向檢測(cè)電路以及具有該電路的開關(guān)調(diào)節(jié)器的制作方法

文檔序號(hào):7285868閱讀:319來源:國(guó)知局
專利名稱:電流方向檢測(cè)電路以及具有該電路的開關(guān)調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在接地側(cè)輸出晶體管中流有反向電流的情況下,能夠?qū)⑵錂z測(cè)出來的電流方向檢測(cè)電路以及具有該電流方向檢測(cè)電路的開關(guān)調(diào)節(jié)器(switching regulator)。
背景技術(shù)
開關(guān)調(diào)節(jié)器,在輸入電源的端子與連接負(fù)載、輸出給定的DC電壓的端子之間,設(shè)置作為主開關(guān)元件的電源側(cè)輸出晶體管,通過對(duì)該電源側(cè)輸出晶體管進(jìn)行導(dǎo)通截止(導(dǎo)通/不導(dǎo)通),維持給定的DC電壓。由于其較為小型并且能夠?qū)崿F(xiàn)高功率效率,因此廣泛應(yīng)用,但作為進(jìn)一步提高功率效率者,近年來正在使用設(shè)有作為同步整流用開關(guān)元件的接地側(cè)輸出晶體管的同步整流型開關(guān)調(diào)節(jié)器(例如專利文獻(xiàn)1)。
圖3中示出了以前的同步整流型開關(guān)調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)。該開關(guān)調(diào)節(jié)器101具有串聯(lián)設(shè)置在輸入電源VCC與接地電位之間的采用P型MOS晶體管的電源側(cè)輸出晶體管111以及采用N型MOS晶體管的接地側(cè)輸出晶體管112;輸入端連接在兩晶體管111、112之間,輸出端與輸出端子OUT相連接的平滑用電路113;將輸出端子OUT的電壓反饋輸入并應(yīng)當(dāng)維持給定的DC電壓,輸出對(duì)電源側(cè)輸出晶體管111與接地側(cè)輸出晶體管112進(jìn)行導(dǎo)通截止控制的控制信號(hào)A以及控制信號(hào)B的調(diào)節(jié)器控制電路115;在接地側(cè)輸出晶體管112中流通反向電流時(shí)將其檢測(cè)出來,輸出控制信號(hào)F的電流方向檢測(cè)電路116;以及根據(jù)控制信號(hào)B與控制信號(hào)F輸出用來控制接地側(cè)輸出晶體管112的輸出信號(hào)C的接地側(cè)輸出晶體管控制電路117。這里,輸出端子OUT在外部與負(fù)載114相連接。另外平滑用電路113,由一端與電源側(cè)輸出晶體管111與接地側(cè)輸出晶體管112的接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)D)相連接、另一端與輸出端子OUT相連接的平滑用線圈140,與一端與輸出端子OUT相連接、另一端接地的平滑用電容器141構(gòu)成。另外,調(diào)節(jié)器控制電路115,所輸出的控制信號(hào)A與控制信號(hào)B幾乎為同一波形。
電流方向檢測(cè)電路116,由反相輸入端子被輸入節(jié)點(diǎn)D的電壓,同相輸入端子被輸入接地電位并進(jìn)行比較的比較器120構(gòu)成。另外,接地側(cè)輸出晶體管控制電路117,由輸入調(diào)節(jié)器控制電路115的控制信號(hào)B與電流方向檢測(cè)電路116的控制信號(hào)F的AND電路130,與提高其電流能力并輸出的緩沖器131構(gòu)成。
接下來,根據(jù)圖4對(duì)開關(guān)調(diào)節(jié)器101的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖中,VB為調(diào)節(jié)器控制電路115的控制信號(hào)B的電壓,VC為接地側(cè)輸出晶體管控制電路117的輸出信號(hào)C的電壓,IO為接地側(cè)輸出晶體管112中流通的電流,VD為節(jié)點(diǎn)D的電壓。另外,該圖為負(fù)載114較輕的情況下的波形,省略了負(fù)載114較重的情況。
在控制信號(hào)B為低電平的期間中,輸出信號(hào)C為低電平,接地側(cè)輸出晶體管112截止。另外,由于控制信號(hào)A也為低電平,因此電源側(cè)輸出晶體管111導(dǎo)通。因此,接地側(cè)輸出晶體管112中流通的電流IO為零,并且節(jié)點(diǎn)D的電壓VD變?yōu)楦唠娖健?br> 如果控制信號(hào)B變?yōu)楦唠娖剑瑒t控制信號(hào)A也變?yōu)楦唠娖?,因此電源?cè)輸出晶體管111截止。之后,如果節(jié)點(diǎn)D的電壓VD下降,變得比接地電位低,控制信號(hào)F就變?yōu)楦唠娖?,接地?cè)輸出晶體管112導(dǎo)通。通過這樣,首先從接地電位向節(jié)點(diǎn)D流通正向的電流IO。此時(shí),節(jié)點(diǎn)D的電壓VD,比接地電位低該電流IO乘以接地側(cè)輸出晶體管12的導(dǎo)通電阻所得到的電壓部分。
之后,電流IO慢慢直線減少,相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)D的負(fù)電壓VD也慢慢直線上升。這里,在負(fù)載114較大的情況下,在電流IO開始減少之前的初始電流值較大,因此直到其變?yōu)榉聪螂娏髦?,?jīng)過高電平的期間,控制信號(hào)B恢復(fù)為低電平(未圖示)。與此相對(duì),在負(fù)載114較小的情況下,電流IO變?yōu)榉聪螂娏?,直到?jīng)過控制信號(hào)B的高電平的期間為止。由于該反向電流是向著接地電位流出的電流,因此變?yōu)楣β蕮p耗,開關(guān)晶體管101的功率效率降低該量。因此,如果變?yōu)榉聪螂娏?,電流方向檢測(cè)電路116便將其檢測(cè)出來,輸出低電平的控制信號(hào)F。其結(jié)果是,輸出信號(hào)C的電壓VC變?yōu)榈碗娖?,通過這樣,接地側(cè)輸出晶體管112強(qiáng)制截止,抑制了反向電流流通。
專利文獻(xiàn)1特開2000-92824號(hào)公報(bào)這樣,在負(fù)載較小的情況下,一旦電流IO變?yōu)榉聪螂娏鳎銓⒔拥貍?cè)輸出晶體管112強(qiáng)制截止,通過這樣,能夠提高功率效率。本發(fā)明人對(duì)進(jìn)一步提高功率效率進(jìn)行研究的結(jié)果是,發(fā)現(xiàn)從電流方向檢測(cè)電路116檢測(cè)接地側(cè)輸出晶體管112的反向電流到將其截止,存在一定的延遲(圖4中的期間t0),該延遲使得反向電流短時(shí)間流通,因此引起功率損耗。另外,節(jié)點(diǎn)D的電壓VD,具有從電源電壓到接地電位以下的大變動(dòng)幅度。因此,將這樣的變動(dòng)幅度較大的電壓作為輸入電壓的電流方向檢測(cè)電路116的比較器120,與將變動(dòng)幅度較小的電壓作為輸入電壓的通常的比較器相比,電路規(guī)模較大。
另外,這樣的開關(guān)晶體管101中,如圖4所示,如果接地側(cè)輸出晶體管112強(qiáng)制截止之后所產(chǎn)生的漸次衰減的電壓的擺動(dòng),也即振鈴(ringing),使得節(jié)點(diǎn)D的電壓VD變?yōu)榻拥仉妷阂韵?,電流方向檢測(cè)電路116便會(huì)瞬間動(dòng)作,有可能消耗無效的功率,產(chǎn)生噪聲。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上事由,目的在于提供一種用于開關(guān)調(diào)節(jié)器等中,能夠進(jìn)一步抑制其功率損耗,并且電路規(guī)模較小的電流方向檢測(cè)電路,以及通過具有該電路,來抑制功率損耗,并且在反向電流檢測(cè)后,電流方向檢測(cè)電路不會(huì)再次動(dòng)作的開關(guān)調(diào)節(jié)器。
為了解決上述問題,本發(fā)明的理想實(shí)施方式的相關(guān)電流方向檢測(cè)電路,是一種在從接地的輸入端向輸出端流通電流的接地側(cè)輸出晶體管中,流通反向電流時(shí),將其檢測(cè)出來的電流方向檢測(cè)電路,具有控制端與輸出端分別與接地側(cè)輸出晶體管的控制端與輸出端相連接的監(jiān)視用晶體管;一端與監(jiān)視用晶體管的輸入端相連接,另一端接地的阻抗元件;第1與第2恒流源;介插在第1恒流源與接地電位之間的二極管連接的參考用晶體管;以及介插在第2恒流源與阻抗元件之間,控制端與參考用晶體管的控制端相連接的傳感用晶體管,將第2恒流源與傳感用晶體管之間的電壓作為控制信號(hào)輸出,控制接地側(cè)輸出晶體管與監(jiān)視用晶體管。
本發(fā)明的理想實(shí)施方式的相關(guān)開關(guān)調(diào)節(jié)器,在這種具有串聯(lián)設(shè)置在輸入電源與接地電位之間的電源側(cè)輸出晶體管以及接地側(cè)輸出晶體管;輸入端連接在電源側(cè)輸出晶體管與接地側(cè)輸出晶體管之間,輸出端與輸出給定的DC電壓的輸出端子相連接的平滑用電路;以及對(duì)將輸出端子的電壓反饋輸入并應(yīng)當(dāng)維持給定的DC電壓的電源側(cè)輸出晶體管、接地側(cè)輸出晶體管進(jìn)行導(dǎo)通截止控制的調(diào)節(jié)器控制電路的開關(guān)調(diào)節(jié)器中,還具有上述電流方向檢測(cè)電路;以及接地側(cè)輸出晶體管控制電路,其控制接地側(cè)輸出晶體管,使得通過調(diào)節(jié)器控制電路的控制信號(hào)使該接地側(cè)輸出晶體管導(dǎo)通后,一旦電流方向檢測(cè)電路的控制信號(hào)上升,便繼續(xù)截止。
發(fā)明效果本發(fā)明的理想實(shí)施方式的相關(guān)電流方向檢測(cè)電路,如上所述,具有監(jiān)視用晶體管、阻抗元件、第1與第2恒流源、參考用晶體管、以及傳感用晶體管,通過這樣,檢測(cè)出接地側(cè)輸出晶體管中流通的電流剛剛變?yōu)榉聪蛑暗臓顟B(tài),輸出控制信號(hào),在開關(guān)調(diào)節(jié)器等中使用,能夠進(jìn)一步抑制其功率損耗,并且還能夠讓電路規(guī)模變小。另外,本發(fā)明的理想實(shí)施方式的相關(guān)開關(guān)調(diào)節(jié)器,在檢測(cè)到反向電流之后,電流方向檢測(cè)電路不會(huì)再次工作,因此能夠抑制振鈴所引起的無效功率消耗與噪聲的產(chǎn)生。


圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式的相關(guān)電流方向檢測(cè)電路以及具有它的開關(guān)調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖2為上述電路的工作波形圖。
圖3為背景技術(shù)中的開關(guān)調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖4為上述電路的工作波形圖。
圖中1-開關(guān)調(diào)節(jié)器,11-電源側(cè)輸出晶體管,12-接地側(cè)輸出晶體管,13-平滑用電路,14-負(fù)載,15-調(diào)節(jié)器控制電路,16-電流方向檢測(cè)電路,17-接地側(cè)輸出晶體管控制電路,20-監(jiān)視用晶體管,21-阻抗元件,22-第1恒流源,23-第2恒流源,24-參考用晶體管,25-傳感用晶體管,VCC-輸入電源,OUT-輸出端子。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)照附圖,對(duì)本發(fā)明的理想實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式的相關(guān)電流方向檢測(cè)電路以及具有它的開關(guān)調(diào)節(jié)器的電路圖。該開關(guān)調(diào)節(jié)器1具有串聯(lián)設(shè)置在輸入電源VCC與接地電位之間的采用P型MOS晶體管的電源側(cè)輸出晶體管11以及采用N型MOS晶體管的接地側(cè)輸出晶體管12;輸入端連接在兩晶體管11、12之間,輸出端與輸出端子OUT相連接的平滑用電路13;將輸出端子OUT的電壓反饋輸入并應(yīng)當(dāng)維持給定的DC電壓,輸出對(duì)電源側(cè)輸出晶體管11與接地側(cè)輸出晶體管12進(jìn)行導(dǎo)通截止控制的控制信號(hào)A以及控制信號(hào)B的調(diào)節(jié)器控制電路15;在接地側(cè)輸出晶體管12中流通反向電流時(shí)將其檢測(cè)出來,輸出控制信號(hào)F的電流方向檢測(cè)電路16;以及根據(jù)控制信號(hào)B與控制信號(hào)F輸出用來控制接地側(cè)輸出晶體管12的輸出信號(hào)C的接地側(cè)輸出晶體管控制電路17。這里,輸出端子OUT在外部與負(fù)載14相連接。另外平滑用電路13,由一端與電源側(cè)輸出晶體管11與接地側(cè)輸出晶體管12的接點(diǎn)(節(jié)點(diǎn)D)相連接、另一端與輸出端子OUT相連接的平滑用線圈40,與一端與輸出端子OUT相連接、另一端接地的平滑用電容器41構(gòu)成。另外,調(diào)節(jié)器控制電路15,所輸出的控制信號(hào)A與控制信號(hào)B幾乎為同一波形。
電流方向檢測(cè)電路16具有柵極(控制端)以及漏極(輸出端)分別與接地側(cè)輸出晶體管12的柵極(控制端)以及漏極(輸出端)相連接的采用N型MOS晶體管的監(jiān)視用晶體管20;一端與監(jiān)視用晶體管20的源極(輸入端)相連接,另一端接地的阻抗元件21;均由P型MOS晶體管所構(gòu)成的第1及第2恒流源22、23;介插在第1恒流源22與接地電位之間的采用二極管連接,也即漏極與柵極連接在一起的采用N型MOS晶體管的參考用晶體管24;介插在第2恒流源23與阻抗元件21之間,并且柵極(控制端)與參考用晶體管的柵極(控制端)相連接的采用N型MOS晶體管的傳感用晶體管25。另外,電流方向檢測(cè)電路16,還具有第1及第2恒流源22、23、構(gòu)成電流反射鏡電路并設(shè)定其電流值的P型MOS晶體管26、以及生成其中所流通的電流的恒流源27。這樣,電流方向檢測(cè)電路16,將第2恒流源23與傳感用晶體管25間(節(jié)點(diǎn)F)的電壓作為控制信號(hào)輸出,經(jīng)接地側(cè)輸出晶體管控制電路17控制接地側(cè)輸出晶體管12與監(jiān)視用晶體管20。
這里,監(jiān)視用晶體管20,為了流通與接地側(cè)輸出晶體管12的電流值成比例的較少的電流,而設(shè)為接地側(cè)輸出晶體管12的給定值(N)分之一的大小。阻抗元件21是對(duì)應(yīng)于流通的電流而生成電壓的元件,例如使用電阻元件或?qū)娮栎^高的N型MOS晶體管等。第1恒流源22與第2恒流源23具有流通相等的恒流IREF(例如1μA)的能力。另外,設(shè)定參考用晶體管24的大小,使得第1恒流源22與參考用晶體管24的接點(diǎn)變?yōu)楦唠娖?。并且,參考用晶體管24與傳感用晶體管25的大小相等,如果節(jié)點(diǎn)E的電壓VE幾乎為接地電位以上,則節(jié)點(diǎn)F也即電流方向檢測(cè)電路16所輸出的控制信號(hào)的電壓VF變?yōu)楦唠娖?。與此相對(duì),如果節(jié)點(diǎn)E的電壓VE幾乎降低到接地電位以下,則傳感用晶體管25的導(dǎo)通電阻下降,節(jié)點(diǎn)F的電壓VF變?yōu)榈碗娖健?br> 節(jié)點(diǎn)E的電壓為接地電位以上的情況,具體地來說為監(jiān)視用晶體管20截止的情況,與監(jiān)視用晶體管20導(dǎo)通并且節(jié)點(diǎn)D的電壓VD為接地電位以上的情況。在監(jiān)視用晶體管20截止的情況下,為了從第2恒流源23向阻抗元件21(例如1KΩ)流通電流,將節(jié)點(diǎn)E的電壓從接地電位稍稍上升。另外,在監(jiān)視用晶體管20導(dǎo)通并且節(jié)點(diǎn)D的電壓VD為接地電位以上的情況下,為了從節(jié)點(diǎn)D通過監(jiān)視用晶體管20與阻抗元件21流通電流,而讓節(jié)點(diǎn)E的電壓VE為通過監(jiān)視用晶體管20的導(dǎo)通電阻與阻抗元件21的電阻分割節(jié)點(diǎn)D的電壓VD所得到的值。另外,節(jié)點(diǎn)E的電壓VE比接地電位低的情況,具體是指監(jiān)視用晶體管20導(dǎo)通并且節(jié)點(diǎn)D的電壓VD為接地電位以下的電壓,也即負(fù)電壓的情況。這種情況下,為了從接地電位通過阻抗元件21與監(jiān)視用晶體管20流通電流,而讓節(jié)點(diǎn)E的電壓VE為通過阻抗元件21的電阻與監(jiān)視用晶體管20的導(dǎo)通電阻分割節(jié)點(diǎn)D的負(fù)電壓VD所得到的值。
更嚴(yán)格地說,即使在監(jiān)視用晶體管20導(dǎo)通并且節(jié)點(diǎn)D變?yōu)樨?fù)電壓的情況下,如果該負(fù)電壓值較小,則節(jié)點(diǎn)E的電壓VE有可能為接地電位以上。也即,例如如果將監(jiān)視用晶體管20的導(dǎo)通電阻值與阻抗元件21的電阻值均設(shè)為R,則節(jié)點(diǎn)E的電壓VE為
VE=(VD+IREF×R)/2IREF如前所述,是第2恒流源23的恒流值。由于在VD=-IREF×R時(shí),VE變?yōu)榱悖虼思词构?jié)點(diǎn)D的電壓VD為負(fù),但如果小于(IREF×R),節(jié)點(diǎn)E的電壓VE也為接地電位以上。這樣,節(jié)點(diǎn)D的電壓VD具有從接地電位向負(fù)方向的偏置量(offset),由電流檢測(cè)電路16檢測(cè)出來。該偏置值,能夠通過IREF或阻抗元件21的電阻值來調(diào)整。利用這一點(diǎn),在接地側(cè)輸出晶體管12中稍稍流通反向電流之前,就能夠檢測(cè)到,詳細(xì)情況將在后面說明。
接下來,對(duì)接地側(cè)輸出晶體管控制電路17進(jìn)行說明。接地側(cè)輸出晶體管控制電路17由下述部分構(gòu)成由輸入調(diào)節(jié)器控制電路15的控制信號(hào)B的反相信號(hào)與電流方向檢測(cè)電路16的控制信號(hào)F的OR電路30;置位輸入端子S被輸入控制信號(hào)B,復(fù)位輸入端子R被輸入OR電路30的輸出,并從同相輸出端子Q輸出的邊緣檢測(cè)電路31;以及提高邊緣檢測(cè)電路31的電流能力并輸出的緩沖器32。邊緣檢測(cè)電路31,通過置位輸入端子S的輸入信號(hào)的上升沿,從同相輸出端子Q輸出高電平,并維持該狀態(tài),通過復(fù)位輸入端子R的輸入信號(hào)的上升沿,從同相輸出端子Q輸出低電平,并維持該狀態(tài)。
接下來,根據(jù)圖2以電流方向檢測(cè)電路16的動(dòng)作為中心,對(duì)開關(guān)調(diào)節(jié)器1的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖中,VB為調(diào)節(jié)器控制電路15的控制信號(hào)B的電壓,VC為接地側(cè)輸出晶體管控制電路17的輸出信號(hào)C的電壓,IO為接地側(cè)輸出晶體管12中流通的電流,VD為節(jié)點(diǎn)D的電壓,VE為節(jié)點(diǎn)E的電壓,VF為電流方向檢測(cè)電路16的控制信號(hào)F的電壓。另外,放大圖中VE的高度而進(jìn)行顯示。另外,該圖為負(fù)載14較小的情況下的波形,省略了負(fù)載14較大的情況。
在控制信號(hào)B為低電平的期間中,輸出信號(hào)C為低電平,使得接地側(cè)輸出晶體管12與監(jiān)視用晶體管20截止。另外,控制信號(hào)A也為低電平,電源側(cè)輸出晶體管11導(dǎo)通。因此,接地側(cè)輸出晶體管12中流通的電流IO為零,節(jié)點(diǎn)D的電壓VD變?yōu)楦唠娖健A硗?,由于監(jiān)視用晶體管20截止,因此如前所述,節(jié)點(diǎn)E的電壓VE從接地電位稍稍上升,節(jié)點(diǎn)F的電壓VF變?yōu)楦唠娖健?br> 如果控制信號(hào)B變?yōu)楦唠娖?,由于控制信?hào)A也為高電平,因此電源側(cè)輸出晶體管11截止。這樣,接地側(cè)輸出晶體管控制電路17,接收控制信號(hào)B的上升沿,輸出高電平,接地側(cè)輸出晶體管12與監(jiān)視用晶體管20均導(dǎo)通。通過接地側(cè)輸出晶體管12的導(dǎo)通,首先從接地電位向節(jié)點(diǎn)D流通正向的電流IO。此時(shí),節(jié)點(diǎn)D的電壓VD,比接地電位降低該電流IO與接地側(cè)輸出晶體管12的導(dǎo)通電阻相乘所得到的電壓量。另外節(jié)點(diǎn)E的電壓VE也為負(fù)電壓,節(jié)點(diǎn)F的電壓VF變?yōu)榈碗娖健?br> 之后,電流IO慢慢直線減少,相應(yīng)地,節(jié)點(diǎn)D的負(fù)電壓VD以及節(jié)點(diǎn)E的電壓VE也慢慢直線上升。這里,在負(fù)載14較大的情況下,由于電流IO開始減少之前的初始電流值較大,因此到其變?yōu)榉聪螂娏髦?,要?jīng)過高電平的期間后,控制信號(hào)B恢復(fù)到低電平(未圖示)。這種情況下,接地側(cè)輸出晶體管控制電路17,接收所輸入的控制信號(hào)B的下降沿,輸出低電平,使接地側(cè)輸出晶體管12與監(jiān)視用晶體管20截止(未圖示)。
與此相對(duì),在負(fù)載14較輕的情況下,在控制信號(hào)B的高電平的期間經(jīng)過之前,接地側(cè)輸出晶體管12中流通的電流IO變?yōu)榉聪螂娏?,?jié)點(diǎn)D的電壓VD變?yōu)檎妷?。但是,如前所述,?jié)點(diǎn)D的電壓VD具有從接地電位向負(fù)方向的偏置量,被電流方向檢測(cè)電路16檢測(cè)出來。也即,電流方向檢測(cè)電路16,檢測(cè)出電流IO剛剛變?yōu)榉聪蚯暗臓顟B(tài),給節(jié)點(diǎn)F輸出高電平的控制信號(hào)。并且,接地側(cè)輸出晶體管控制電路17,接收所輸入的電流方向檢測(cè)電路16的控制信號(hào)F的上升沿,輸出低電平,將接地側(cè)晶體管12強(qiáng)制截止。也即,接地側(cè)輸出晶體管控制電路17,控制接地側(cè)輸出晶體管12,使得通過調(diào)節(jié)器控制電路15的控制信號(hào)B使該輸出晶體管導(dǎo)通后,一旦電流方向檢測(cè)電路16的控制信號(hào)F上升,便繼續(xù)截止。
這樣,電流方向檢測(cè)電路16,在接地側(cè)輸出晶體管12中剛剛流通反向電流之前,便將其檢測(cè)出來,通過這樣,對(duì)電流方向檢測(cè)電路16以及接地側(cè)輸出晶體管控制電路17所引起的電路延遲進(jìn)行補(bǔ)償,抑制功率損耗,據(jù)此能夠提高功率效率。另外,電流方向檢測(cè)電路16,與背景技術(shù)中的開關(guān)調(diào)節(jié)器101中所使用的將變動(dòng)幅度較大的電壓作為輸入電壓的電流方向檢測(cè)電路116相比,輸入電壓的變動(dòng)幅度較小,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此電路規(guī)模較小。
另外,如果接地側(cè)輸出晶體管12被強(qiáng)制截止,節(jié)點(diǎn)D的電壓VD便經(jīng)過振鈴,集中到輸出端子OUT的電壓電平并穩(wěn)定,但此時(shí),由于接地側(cè)輸出晶體管控制電路17,控制接地側(cè)輸出晶體管12,使得一旦電流方向檢測(cè)電路16的控制信號(hào)F上升,便繼續(xù)截止,因此不會(huì)像背景技術(shù)中的開關(guān)調(diào)節(jié)器101那樣,因振鈴而有可能使得電流方向檢測(cè)電路16再次工作。
另外,本發(fā)明的實(shí)施方式的電流方向檢測(cè)電路,雖然是為了開關(guān)調(diào)節(jié)器而提出的,但還可以用于具有向線圈輸出電流的接地側(cè)輸出晶體管的其他裝置(例如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置等)。
另外,本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施方式,還可以在權(quán)利要求所記載的事項(xiàng)的范圍內(nèi)進(jìn)行各種各樣的設(shè)計(jì)變更。
權(quán)利要求
1.一種電流方向檢測(cè)電路,在從接地的輸入端向輸出端流通電流的接地側(cè)輸出晶體管中,流通反向電流時(shí),將其檢測(cè)出來,其特征在于,具有監(jiān)視用晶體管,其控制端與輸出端分別與接地側(cè)輸出晶體管的控制端與輸出端相連接;阻抗元件,其一端與監(jiān)視用晶體管的輸入端相連接,另一端接地;第1與第2恒流源;參考用晶體管,其被介插在第1恒流源與接地電位之間并二極管連接;以及傳感用晶體管,其被介插在第2恒流源與阻抗元件之間,控制端與參考用晶體管的控制端相連接,將第2恒流源與傳感用晶體管之間的電壓作為控制信號(hào)輸出,控制接地側(cè)輸出晶體管與監(jiān)視用晶體管。
2.一種開關(guān)調(diào)節(jié)器,具有串聯(lián)設(shè)置在輸入電源與接地電位之間的電源側(cè)輸出晶體管以及接地側(cè)輸出晶體管;輸入端連接在電源側(cè)輸出晶體管與接地側(cè)輸出晶體管之間,輸出端與輸出給定的DC電壓的輸出端子相連接的平滑用電路;以及對(duì)將輸出端子的電壓反饋輸入并應(yīng)當(dāng)維持給定的DC電壓的電源側(cè)輸出晶體管和接地側(cè)輸出晶體管進(jìn)行導(dǎo)通截止控制的調(diào)節(jié)器控制電路,其特征在于,還具有如權(quán)利要求1所述的電流方向檢測(cè)電路;以及接地側(cè)輸出晶體管控制電路,其控制接地側(cè)輸出晶體管,使得通過調(diào)節(jié)器控制電路的控制信號(hào)使該接地側(cè)輸出晶體管導(dǎo)通后,一旦電流方向檢測(cè)電路的控制信號(hào)上升,便繼續(xù)截止。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制開關(guān)調(diào)節(jié)器的功率損耗并且電路規(guī)模較小的電流方向檢測(cè)電路。該電流方向檢測(cè)電路(16)具有控制端與輸出端分別與接地側(cè)輸出晶體管(12)的控制端與輸出端相連接的監(jiān)視用晶體管(20);一端與監(jiān)視用晶體管(20)的輸入端相連接,另一端接地的阻抗元件(21);第1與第2恒流源(22、23);介插在第1恒流源(22)與接地電位之間的二極管連接的參考用晶體管(24);以及介插在第2恒流源(23)與阻抗元件(21)之間,并且控制端與參考用晶體管(24)的控制端相連接的傳感用晶體管(25)。
文檔編號(hào)H02M7/48GK1922778SQ20058000534
公開日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2005年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月19日
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