離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，包含殼體、三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板，三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板設(shè)置在殼體內(nèi)，三塊帶圓孔的極板均豎直設(shè)置在殼體內(nèi)一端并且相互平行，探測器豎直固定在殼體內(nèi)另一端，飛行管水平固定在殼體內(nèi)，兩組平行極板設(shè)置在飛行管內(nèi)側(cè)，每組平行極板分別由接地極板和帶電極板構(gòu)成，接地極板接地，帶電極板與直流電源連接。本實(shí)用新型可以把外場對離子軌跡造成的偏移影響給予糾正，實(shí)現(xiàn)具備更高質(zhì)量效果的離子速度成像。
【專利說明】
離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種糾正裝置，特別是一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前通行的離子速度成像儀是荷蘭科學(xué)家Eppink和Parker在1997年設(shè)計，他們通過設(shè)計三塊帶圓孔的極板，在一定的電壓配置下，形成離子透鏡，實(shí)現(xiàn)對具有相同速度但是不同位置的帶電粒子進(jìn)行聚焦，然后被探測器收集。在離子透鏡作用下，不同位置的帶電粒子聚焦在探測器的一個點(diǎn)上，這大大提高了離子速度成像的分辨率。
[0003]然而，在目前通行的離子速度成像裝置上，測得的離子速度影像通常很難正好在探測器中央。這是由于外場影響造成的，外場影響包括外電場、外磁場，這些來源具體到離子速度成像儀附近的電子類設(shè)備，甚至包括微弱的地磁場。離子速度成像儀成像容易受到外場影響，如外部電場、外部磁場，造成離子飛行軌跡偏移，成像不在探測器的正中間，嚴(yán)重影響離子的成像質(zhì)量和采集效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，從而保證離子成像在探測器正中間。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:包含殼體、三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板，三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板設(shè)置在殼體內(nèi)，三塊帶圓孔的極板均豎直設(shè)置在殼體內(nèi)一端并且相互平行，探測器豎直固定在殼體內(nèi)另一端，飛行管水平固定在殼體內(nèi)，兩組平行極板設(shè)置在飛行管內(nèi)側(cè)，每組平行極板分別由接地極板和帶電極板構(gòu)成，接地極板接地，帶電極板與直流電源連接。
[0007]進(jìn)一步地，所述兩組平行極板，一組水平設(shè)置，另一組豎直設(shè)置構(gòu)成兩端開口的方形容腔，帶電離子從方形容腔內(nèi)通過。
[0008]進(jìn)一步地，所述兩組平行極板的每組平行極板的接地極板相鄰設(shè)置，帶電極板相鄰設(shè)置。
[0009]進(jìn)一步地，所述兩組平行極板的每組平行極板厚度為10mm，間距為200mm，極板長度為150mm。
[0010]進(jìn)一步地，所述直流電源為可調(diào)直流電源。
[0011]進(jìn)一步地，所述可調(diào)直流電源的調(diào)諧范圍為-300V到300V。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果:本實(shí)用新型的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置可以把外場對離子軌跡造成的偏移影響給予糾正，實(shí)現(xiàn)具備更高質(zhì)量效果的離子速度成像。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置的示意圖。
[0014]圖2是本實(shí)用新型的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以下實(shí)施例是對本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。
[0016]實(shí)施例1:
[0017]如圖所示，一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，包含殼體1、三塊帶圓孔的極板2、探測器3、飛行管4和兩組平行極板5，三塊帶圓孔的極板2、探測器3、飛行管4和兩組平行極板5設(shè)置在殼體I內(nèi)，三塊帶圓孔的極板2均豎直設(shè)置在殼體I內(nèi)一端并且相互平行，探測器3豎直固定在殼體I內(nèi)另一端，飛行管4水平固定在殼體I內(nèi)，兩組平行極板5設(shè)置在飛行管4內(nèi)側(cè)，每組平行極板5分別由接地極板和帶電極板構(gòu)成，接地極板接地，帶電極板與直流電源6連接。
[0018]兩組平行極板5，一組水平設(shè)置，另一組豎直設(shè)置構(gòu)成兩端開口的方形容腔，帶電離子從方形容腔內(nèi)通過。兩組平行極板5的每組平行極板的接地極板相鄰設(shè)置，帶電極板相鄰設(shè)置。兩組平行極板5的每組平行極板厚度為10mm，間距為200mm，極板長度為150mm。
[0019]實(shí)施例2:
[0020]一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，包含殼體1、三塊帶圓孔的極板2、探測器3、飛行管4和兩組平行極板5，三塊帶圓孔的極板2、探測器3、飛行管4和兩組平行極板5設(shè)置在殼體I內(nèi)，三塊帶圓孔的極板2均豎直設(shè)置在殼體I內(nèi)一端并且相互平行，探測器3豎直固定在殼體I內(nèi)另一端，飛行管4水平固定在殼體I內(nèi)，兩組平行極板5設(shè)置在飛行管4內(nèi)側(cè)，每組平行極板5分別由接地極板和帶電極板構(gòu)成，接地極板接地，帶電極板與直流電源6連接。
[0021 ]兩組平行極板5，一組水平設(shè)置，另一組豎直設(shè)置構(gòu)成兩端開口的方形容腔，帶電離子從方形容腔內(nèi)通過。兩組平行極板5的每組平行極板的接地極板相鄰設(shè)置，帶電極板相鄰設(shè)置。兩組平行極板5的每組平行極板厚度為1mm，間距為200mm，極板長度為150mm。直流電源6為可調(diào)直流電源，可調(diào)直流電源的調(diào)諧范圍為-300V到300V。
[0022]本實(shí)用新型的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置的工作原理:調(diào)整可調(diào)直流電源以調(diào)整離子飛行軌跡的整體上下移動，在探測器觀察未糾正的影像偏移情況，然后調(diào)整可調(diào)直流電源行上下糾正，直到影像上下中心在探測器心。通過調(diào)整可調(diào)直流電源可以調(diào)整離子飛行軌跡的整體左右移動，在探測器上觀察未糾正的影像偏移情況，然后調(diào)整可調(diào)直流電源進(jìn)行左右糾正，直到影像左右中心在探測器中心。
[0023]本說明書中所描述的以上內(nèi)容僅僅是對本實(shí)用新型所作的舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離本實(shí)用新型說明書的內(nèi)容或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:包含殼體、三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板，三塊帶圓孔的極板、探測器、飛行管和兩組平行極板設(shè)置在殼體內(nèi)，三塊帶圓孔的極板均豎直設(shè)置在殼體內(nèi)一端并且相互平行，探測器豎直固定在殼體內(nèi)另一端，飛行管水平固定在殼體內(nèi)，兩組平行極板設(shè)置在飛行管內(nèi)側(cè)，每組平行極板分別由接地極板和帶電極板構(gòu)成，接地極板接地，帶電極板與直流電源連接。2.按照權(quán)利要求1所述的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:所述兩組平行極板，一組水平設(shè)置，另一組豎直設(shè)置構(gòu)成兩端開口的方形容腔，帶電離子從方形容腔內(nèi)通過。3.按照權(quán)利要求1或2所述的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:所述兩組平行極板的每組平行極板的接地極板相鄰設(shè)置，帶電極板相鄰設(shè)置。4.按照權(quán)利要求1或2所述的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:所述兩組平行極板的每組平行極板厚度為10mm，間距為200mm，極板長度為150mm。5.按照權(quán)利要求1所述的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:所述直流電源為可調(diào)直流電源。6.按照權(quán)利要求5所述的離子速度成像儀外場偏移影響糾正裝置，其特征在于:所述可調(diào)直流電源的調(diào)諧范圍為-300V到300V。
【文檔編號】H01J49/40GK205542704SQ201620133687
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月23日
【發(fā)明人】劉玉柱, 敖曠, 曹兆樓, 陳云云, 鄭改革
【申請人】南京信息工程大學(xué)