橫向半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】橫向半導(dǎo)體裝置。本實用新型以低成本提供能夠防止電流集中的產(chǎn)生的橫向半導(dǎo)體裝置。所述橫向半導(dǎo)體裝置設(shè)置于具有相互面對的第1主面和第2主面的半導(dǎo)體襯底上，該橫向半導(dǎo)體裝置具有：第1導(dǎo)電型的漂移區(qū)；所述第1導(dǎo)電型的漏區(qū)；第2導(dǎo)電型的基區(qū)；所述第1導(dǎo)電型的源區(qū)；漏電極，其與所述漏區(qū)電連接；源電極，其與所述源區(qū)電連接；以及柵電極，其隔著柵絕緣膜設(shè)置于被所述源區(qū)和所述漏區(qū)夾著的所述基區(qū)上方，在俯視時所述源電極的內(nèi)緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區(qū)和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區(qū)。
【專利說明】
橫向半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及設(shè)置于半導(dǎo)體襯底的橫向半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻I公開了一種橫向半導(dǎo)體裝置，其具有多個金屬層和接觸盤，所述多個金屬層設(shè)置于有源區(qū)域的正上方，該有源區(qū)域中設(shè)置有橫向晶體管，所述接觸盤為了連接線材而在多個金屬層的每個金屬層上分別設(shè)有一個。多個金屬層的面積從離外部的連接部件近的一側(cè)的金屬層到離外部的連接部件遠的金屬層，依次減小。以往的橫向半導(dǎo)體裝置通過調(diào)整金屬層的面積來使流過橫向晶體管的電流密度均勻，因此能夠防止在橫向半導(dǎo)體裝置內(nèi)發(fā)生電流集中。
[0003]【專利文獻1】:CN101174626A
[0004]然而，以往的橫向半導(dǎo)體裝置需要在多個金屬層各自上設(shè)置接合盤并連接線材。因此，以往的橫向半導(dǎo)體裝置可能會由于線材的數(shù)量和芯片面積導(dǎo)致成本增大。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型以低成本提供一種能夠防止電流集中的產(chǎn)生的橫向半導(dǎo)體裝置。
[0006]本實用新型提供一種橫向半導(dǎo)體裝置，其設(shè)置于具有相互面對的第I主面和第2主面的半導(dǎo)體襯底上，該橫向半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述橫向半導(dǎo)體裝置具有:第I導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的所述第I主面?zhèn)?所述第I導(dǎo)電型的漏區(qū)，其設(shè)置于所述漂移區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)?第2導(dǎo)電型的基區(qū)，其設(shè)置于所述漂移區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)?所述第I導(dǎo)電型的源區(qū)，其設(shè)置于所述基區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)?，并且以俯視時包圍所述漏區(qū)的方式設(shè)置;漏電極，其與所述漏區(qū)電連接;源電極，其與所述源區(qū)電連接；以及柵電極，其隔著柵絕緣膜設(shè)置于被所述漏區(qū)和所述源區(qū)夾著的所述基區(qū)上方，在俯視時所述源電極的內(nèi)緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區(qū)和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區(qū)。
[0007]根據(jù)本實用新型，能夠以低成本提供一種防止電流集中的產(chǎn)生的橫向半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0008]圖1是表示本實用新型的實施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0009]圖2是表示本實用新型的實施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0010]圖3是表示本實用新型的變形例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0011 ]圖4是表示本實用新型的變形例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0012]標(biāo)號說明
[0013]1:半導(dǎo)體襯底;2:漂移區(qū)；3:半導(dǎo)體區(qū)；4:漏區(qū)；5:基區(qū);6:源區(qū)；7:柵絕緣膜;8:絕緣膜;9:絕緣區(qū)；10:第I主面;11:第2主面;D:漏電極;S:源電極;G:柵電極。
【具體實施方式】
[0014]接著，參照附圖來說明本實用新型的實施方式。在以下的附圖的記載中，對相同或者類似的部分標(biāo)注相同或者類似的標(biāo)號。但是，應(yīng)該注意到附圖只是示意性的。另外，以下所示的實施方式是對用于使該實用新型的技術(shù)思想具體化的裝置或方法進行例示，該實用新型的實施方式不使構(gòu)成部件的結(jié)構(gòu)、配置等限定為以下示例。該實用新型的實施方式能夠在請求保護的范圍內(nèi)施加各種改變。
[0015]圖1?圖4是表示本實用新型的實施例的橫向半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。圖2是圖1的a_a截面圖，圖3是圖1的b_b截面圖，圖4是圖1的b_b截面圖。
[0016]本實施例的橫向半導(dǎo)體裝置是設(shè)置于半導(dǎo)體襯底I的橫向半導(dǎo)體裝置，該橫向半導(dǎo)體裝置具有漂移區(qū)2、漏區(qū)4、基區(qū)5、源區(qū)6、源電極S、漏電極D以及柵電極G。另外，本實施例的橫向半導(dǎo)體裝置在俯視時源電極的內(nèi)緣長度比漏電極的外緣長度長的部位，在源區(qū)6和源電極S之間具有絕緣區(qū)9。
[0017]在俯視時源電極S的內(nèi)緣和漏電極D的外緣為直線狀即二者長度相等的部位處，橫向半導(dǎo)體裝置如圖2所示那樣構(gòu)成。半導(dǎo)體襯底I具有相互面對的第I主面10和第2主面11。半導(dǎo)體襯底I具有漂移區(qū)2、半導(dǎo)體區(qū)3、漏區(qū)4、基區(qū)5以及源區(qū)6。漂移區(qū)2是以露出于半導(dǎo)體襯底I的第I主面10側(cè)的方式設(shè)置的η型的半導(dǎo)體區(qū)。半導(dǎo)體區(qū)3是以露出于半導(dǎo)體襯底I的第2主面11側(cè)的方式設(shè)置的P型的半導(dǎo)體區(qū)。漏區(qū)4是以露出于漂移區(qū)2內(nèi)的第I主面10側(cè)的方式設(shè)置的η型的半導(dǎo)體區(qū)。基區(qū)5是以露出于漂移區(qū)2內(nèi)的第I主面10側(cè)的方式設(shè)置的P型的半導(dǎo)體區(qū)。另外，基區(qū)5介于漏區(qū)4和源區(qū)6之間。源區(qū)6是以露出于基區(qū)5內(nèi)的第I主面10側(cè)，并且俯視時包圍漏區(qū)4的方式設(shè)置的η型的半導(dǎo)體區(qū)。
[0018]漏電極D是橫向半導(dǎo)體裝置的與漏區(qū)4電連接的主電極。源電極S是橫向半導(dǎo)體裝置的與基區(qū)5和源區(qū)6電連接的主電極。柵電極G是橫向半導(dǎo)體裝置的控制電極，其隔著柵絕緣膜7至少設(shè)置于被漏區(qū)4和源區(qū)6夾著的基區(qū)5上方。柵絕緣膜7至少設(shè)置于基區(qū)5的第I主面10上。漏電極D、源電極S以及柵電極G隔著絕緣膜8而相互絕緣。通過這樣的結(jié)構(gòu)，在對柵電極G施加規(guī)定的電壓后，橫向半導(dǎo)體裝置成為導(dǎo)通狀態(tài)，能夠從漏電極D向源電極S流過電流。
[0019]俯視時，在源電極S的內(nèi)緣和漏電極D的外緣為圓弧狀，即源電極S的內(nèi)緣長度比漏電極D的外緣長度長的部位，橫向半導(dǎo)體裝置如圖3所示那樣構(gòu)成。即，橫向半導(dǎo)體裝置具有由ρη結(jié)形成的絕緣區(qū)9，所述ρη結(jié)由基區(qū)5和源區(qū)6構(gòu)成。在該部位，源電極S不與源區(qū)6電連接，而是與基區(qū)5電連接。
[0020]通過這樣的結(jié)構(gòu)，在對柵電極G施加規(guī)定的電壓后，欲從漏電極D流向源電極S的電流被作為絕緣區(qū)9的ρη結(jié)阻止。另外，在橫向半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，可通過調(diào)整絕緣膜8和源電極S的圖案容易地形成絕緣區(qū)9。因此，本實施例的橫向半導(dǎo)體裝置能夠以低成本在容易發(fā)生電流集中的圓弧部分處，通過限制電流路徑來防止電流集中。
[0021]源電極S也可以如圖4那樣構(gòu)成為:與源區(qū)6和基區(qū)5的任意一個都不電連接。通過這樣的結(jié)構(gòu)，欲從漏電極D流向源電極S的電流被作為絕緣區(qū)9的絕緣膜8阻止。因此，能夠獲得與上述相同的作用效果。
[0022]如上，通過實施方式對本實用新型進行了說明，但應(yīng)理解到，構(gòu)成上述公開的一部分的論述和附圖并不對本實用新型進行限制。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，從該公開能夠得到各種替代的實施方式、實施例以及運用技術(shù)，這是顯而易見的。即，本實用新型當(dāng)然包括未在此記載的各種實施方式等。因此，本實用新型的技術(shù)范圍僅由基于上述說明而得到的適當(dāng)?shù)恼埱蟊Ｗo的范圍所涉及的實用新型特定事項來確定。
[0023]例如，也可以在半導(dǎo)體襯底I上設(shè)置橫向晶體管以外的元件(二極管、CMOS)。或者，俯視時，在源電極S的內(nèi)緣長度比漏電極D的外緣長度長的部位，可以整面地設(shè)置絕緣區(qū)9，也可以沿著源電極S的內(nèi)緣局部地設(shè)置絕緣區(qū)9。
【主權(quán)項】
1.一種橫向半導(dǎo)體裝置，其設(shè)置于具有相互面對的第I主面和第2主面的半導(dǎo)體襯底上，該橫向半導(dǎo)體裝置的特征在于， 所述橫向半導(dǎo)體裝置具有: 第I導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的所述第I主面?zhèn)龋?所述第I導(dǎo)電型的漏區(qū)，其設(shè)置于所述漂移區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)龋? 第2導(dǎo)電型的基區(qū)，其設(shè)置于所述漂移區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)龋?所述第I導(dǎo)電型的源區(qū)，其設(shè)置于所述基區(qū)內(nèi)的所述第I主面?zhèn)?，以俯視時包圍所述漏區(qū)的方式設(shè)置； 漏電極，其與所述漏區(qū)電連接； 源電極，其與所述源區(qū)電連接；以及 柵電極，其隔著柵絕緣膜設(shè)置于被所述源區(qū)和所述漏區(qū)夾著的所述基區(qū)上方， 在俯視時所述源電極的內(nèi)緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區(qū)和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述絕緣區(qū)由pn結(jié)構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橫向半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述pn結(jié)由所述基區(qū)和所述源區(qū)構(gòu)成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述絕緣區(qū)由絕緣膜的一部分構(gòu)成。
【文檔編號】H01L29/78GK205452290SQ201620214759
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】金井謙, 鹽津興, 鹽津興一
【申請人】三墾電氣株式會社