晶體硅太陽(yáng)電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電池，尤其涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，晶體硅太陽(yáng)電池在大型地面電站及分布式發(fā)電中的應(yīng)用已非常廣泛，并且其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)也十分成熟，但是與常規(guī)的化石能源相比較，還存在發(fā)電成本較高、光電轉(zhuǎn)換效率較低問(wèn)題。因此，研究如何降低光伏產(chǎn)品制造成本、提升光伏產(chǎn)品質(zhì)量及光電轉(zhuǎn)換效率具有深遠(yuǎn)而重要的意義。
[0003]晶體硅太陽(yáng)電池正面電極柵線圖形設(shè)計(jì)，是影響晶體硅太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率及組件使用壽命的眾多因素中的一個(gè)關(guān)鍵因素，正面電極柵線圖形設(shè)計(jì)是為了最大限度的收集和輸出電池所產(chǎn)生的光生電流?，F(xiàn)有的太陽(yáng)能電池正面電極，一般包括若干橫向設(shè)置的副柵線，副柵線上方還沿電池縱向方向設(shè)有2-3條主柵線，所述的主柵線與副柵線導(dǎo)通，主柵線寬度大于副柵線的寬度。
[0004]在電池加工階段，印刷正電極和燒結(jié)以后，電池經(jīng)電致發(fā)光測(cè)試儀(EL)檢測(cè)后，往往會(huì)出現(xiàn)明顯的“線狀”發(fā)光暗區(qū)域，即存在斷柵或虛印的問(wèn)題。在柵線斷點(diǎn)或虛印處往往會(huì)形成很高的接觸電阻，光生電流的傳輸路線將被阻斷，相當(dāng)于電路斷路，因此斷柵或者虛印位置的電子則需要通過(guò)其它副柵線將電流匯聚至主柵線上，傳輸電流會(huì)因輸送路程延長(zhǎng)而消耗一部分光生電流，導(dǎo)致電流收集率下降，從而降低了太陽(yáng)電池的效率。
[0005]如果將此斷柵、虛印電池片進(jìn)行封裝做成組件，長(zhǎng)期使用后斷柵、虛印處將出現(xiàn)局部嚴(yán)重發(fā)熱現(xiàn)象，造成熱斑隱患，降低組件使用壽命。
[0006]上述問(wèn)題，雖然可以通過(guò)增大電極副柵線的寬度、更換顆粒度更小且印刷效果及電性能較好的正銀導(dǎo)電漿料來(lái)達(dá)到減少斷柵或虛印的效果。但是，電極副柵線加寬后會(huì)造成單片電池銀導(dǎo)電漿料消耗增多、電池正面遮光面積增加等問(wèn)題，更換印刷效果及電性能更好的導(dǎo)電漿料還會(huì)增加電池生產(chǎn)成本。
[0007]在所述【背景技術(shù)】部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本實(shí)用新型的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種發(fā)電效率高、使用壽命長(zhǎng)的晶體硅太陽(yáng)電池。
[0009]本實(shí)用新型的額外方面和優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐而習(xí)得。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，一種晶體硅太陽(yáng)電池，包括硅片以及設(shè)置在所述硅片正面的多條主柵線、多條橫向副柵線和環(huán)繞在所述硅片正面邊緣處的邊框電極柵線，所述橫向副柵線與所述主柵線相垂直，所述主柵線兩端延伸至所述邊框電極柵線，所述硅片的正面還包括多條與所述主柵線相平行的縱向副柵線，多條所述橫向副柵線與多條所述縱向副柵線相連接。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，任意兩條相鄰所述主柵線之間以及所述邊框電極柵線與所述主柵線之間均設(shè)置有所述縱向副柵線，且兩條相鄰所述主柵線之間的縱向副柵線的數(shù)量多于所述邊框電極柵線與所述主柵線之間的縱向副柵線的數(shù)量。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，每條所述縱向副柵線由多個(gè)相互間隔的縱向柵線段組成，每個(gè)縱向柵線段連接兩個(gè)相鄰的橫向副柵線，兩個(gè)縱向柵線段之間的距離等于兩條橫向副柵線之間的距離。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述主柵線包括多個(gè)依次相接的鏤空段以及連接段，所述鏤空段的上表面設(shè)有多個(gè)延伸至所述硅片上表面的通孔，所述連接段包括兩條相互平行并連接兩個(gè)相鄰鏤空段的連接線。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述主柵線的兩端還設(shè)有寬度逐漸減小的尖端，所述尖端連接至所述邊框電極柵線。
[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述尖端為中間內(nèi)陷的V型。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述主柵線的數(shù)量為四條，所述橫向副柵線的數(shù)量為80-100條，所述邊框電極柵線與所述主柵線之間的縱向副柵線的數(shù)量為一條，兩條相鄰所述主柵線之間的縱向副柵線的數(shù)量為兩條。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述橫向副柵線的寬度為0.03-0.05mm，所述縱向副柵線的寬度為0.03-0.05_，所述主柵線的寬度為1-2_。
[0018]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述橫向副柵線與所述縱向副柵線的寬度相等。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，兩條相鄰的所述主柵線之間的多條所述縱向副柵線等距設(shè)置于兩所述主柵線之間，所述主柵線與所述邊框電極柵線之間的縱向副柵線距離所述主柵線與所述邊框電極柵線之間的距離相等。
[0020]由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于:
[0021]本實(shí)用新型晶體硅太陽(yáng)電池，通過(guò)設(shè)置與主柵線平行的縱向副柵線，使得當(dāng)橫向副柵線與主柵線之間發(fā)生斷柵時(shí)，橫向副柵線收集的光生電流能夠通過(guò)縱向副柵線先流向其他相鄰的橫向副柵線，再流向主柵線，減小了光生電流向主柵線傳送時(shí)的電阻，并且避免了晶體硅太陽(yáng)電池發(fā)生熱斑的問(wèn)題，提高了晶體硅太陽(yáng)電池的發(fā)電效率，延長(zhǎng)了晶體硅太陽(yáng)電池的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0022]通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施方式，本實(shí)用新型的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
[0023]圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的晶體硅太陽(yáng)電池的示意圖；
[0024]圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的主柵線的局部放大示意圖。
[0025]圖中:1、主柵線；11、鏤空段；12、連接段；13、尖端;2、縱向副柵線;3、橫向副柵線；
4、邊框電極柵線;5、硅片。
【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式;相反，提供這些實(shí)施方式使得本實(shí)用新型將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。
[0027]參見(jiàn)圖1及圖2，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)電池，包括一硅片5以及位于硅片5的正面的多條主柵線1、多條橫向副柵線3、一邊框電極柵線4以及多條縱向副柵線2。
[0028]硅片5用于接收陽(yáng)光照射。在本實(shí)施方式中，該硅片5大致呈正方形，并在其四個(gè)邊角處向內(nèi)收縮形成倒角。邊框電極柵線4為一個(gè)完整的環(huán)形柵線，該邊框電極柵線4環(huán)繞在該硅片5的正面的邊緣處，并且，其寬度大致為0.03-0.05mm，距離硅片5的距離可在Imm左右。應(yīng)當(dāng)指出的是，上述的硅片5的形狀僅為示例性的，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制，例如，硅片5的形狀也可為長(zhǎng)方形甚至是圓形等其他形狀。
[0029]多條橫向副柵線3之間相互平行，這些橫向副柵線3的寬度大致可為0.03-0.05mm，多條主柵線I之間同樣相互平行，并且，橫向副柵線3與主柵線I相互垂直。橫向副柵線3的數(shù)量大致在80-100條。主柵線I的寬度大致可在l-2mm，相鄰的主柵線之間的距離為32-42mm。在圖1中，主柵線I的延伸方向?yàn)榭v向，橫向副柵線3的延伸方向?yàn)闄M向。橫向副柵線I的兩端在橫向方向上連接至邊框電極柵線4，這些橫向副柵線3之間的距離相同。主柵線I的兩端在縱向方向上連接至邊框電極柵線4。橫向副柵線3與主柵線I連接，可以將硅片5產(chǎn)生的光生電流導(dǎo)入至主柵線I。
[0030]多條縱向副柵線2是與主柵線I相互平行的，因而這些縱向副柵線2與橫向副柵線3之間呈相互垂直的關(guān)系，縱向副柵線2的寬度大致可為0.03-0.05mm，進(jìn)一步而言，縱向副柵線2與橫向副柵線3的寬度可以相等，即縱向副柵線和橫向副柵線的寬度均為0.004mm。多條縱向副柵線2與多條橫向副柵線3相連接。如此一來(lái)，在縱向副柵線2與橫向副柵線3之間形成電流通路，硅片5產(chǎn)生的光生電流可在縱向副柵線2與橫向副柵線3之間流動(dòng)。如果某條橫向副柵線3與某條主柵線I之間的出現(xiàn)電極斷柵、虛印的情況而形成斷路，無(wú)法傳輸光生電流的情況，則該條橫向副柵線3收集的電流可縱向副柵線2而傳導(dǎo)至相鄰的其他橫向副柵線，再?gòu)钠渌麢M向副柵線流向主柵線