擴散舟的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本實用新型涉及一種擴散舟，尤其涉及一種在擴散時，晶片與擴散氣流平行的擴散舟。
【背景技術】
[0002]目前使用氣態(tài)/液態(tài)源擴散的產(chǎn)品，需單槽插于擴散舟插槽中作業(yè)，由于晶片為與氣流垂直放置，擴散時由于晶片阻礙氣流流動，可能造成擴散均勻度差的問題出現(xiàn)。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型針對以上問題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，并使擴散源擴散均勻的擴散舟。
[0004]本實用新型的技術方案是:包括底板和一對側(cè)板，所述一對側(cè)板相互平行，設于所述底板的兩邊，并垂直于所述底板；
[0005]所述底板上均勻設有若干相互平行的插槽，所述插槽與所述側(cè)板的夾角為-45?
45。。
[0006]所述側(cè)板上設有導流板，所述導流板垂直于所述插槽和所述底板。
[0007]還包括前端板和后端板，所述前端板和后端板分別設于一對側(cè)板的兩端，所述前端板和后端板為均流板。
[0008]所述前端板和后端板上分別設有一個圓弧形的舟頭，所述舟頭上設有拉孔。
[0009]所述插槽平行于所述側(cè)板。
[0010]本實用新型的有益效果是:晶片立放且與側(cè)板成-45?45°的夾角，氣態(tài)或液態(tài)源擴散時，晶片排列有一定間隔，流過晶片之間的氣流為層流，在晶片表面附近形成穩(wěn)定的附面層，不存在渦流，擴散源在源-硅界面均勻分布，擴散均勻性好。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型的主視圖，
[0012]圖2是圖1的俯視圖，
[0013]圖3是圖1的左視圖；
[0014]圖中1是底板，2是側(cè)板，3是前端板，4是后端板，5是插槽，6是晶片，7是舟頭，8是拉孔，9是導流板。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型作具體說明。
[0016]如圖1-3所示，本實用新型包括底板1和一對側(cè)板2，所述一對側(cè)板2相互平行，設于所述底板1的兩邊，并垂直于所述底板1;
[0017]所述底板15勻設有若干相互平行的插槽，所述插槽5所述側(cè)板2夾角為-45?45°。工作時，所述插槽5內(nèi)插有晶片6。
[0018]所述側(cè)板3上設有導流板9，所述導流板9垂直于所述插槽5和所述底板1，工作時，氣流流動到導流板9，經(jīng)導流板9反射后進入到晶片之間，這樣，擴散效果會更好。
[0019]本實用新型還包括前端3板和后端板4，所述前端板3和后端板4分別設于一對側(cè)板2的兩端，所述前端板3和后端板4為均流板，起到均勻分配氣流的作用。
[0020]所述前端板3和后端板4上分別設有一個圓弧形的舟頭7，所述舟頭7上設有拉孔8，方便拉動整個擴散舟。
[0021]本實用新型的優(yōu)選方式為，所述插槽5平行于所述側(cè)板2，這樣，氣態(tài)或液態(tài)擴散源在擴散時，無阻礙，在晶片附近形成穩(wěn)定的附面層，不存在渦流，擴散均勻性好。
[0022]氣態(tài)或液態(tài)源擴散時，先通過均流板均流，然后進入舟體，晶片排列有一定間隔，流過晶片之間的氣流為層流，在晶片表面附近形成穩(wěn)定的附面層，不存在渦流，擴散源在源-硅界面均勻分布，擴散均勻性好。
【主權項】
1.擴散舟，其特征在于，包括底板和一對側(cè)板，所述一對側(cè)板相互平行，設于所述底板的兩邊，并垂直于所述底板； 所述底板上均勻設有若干相互平行的插槽，所述插槽與所述側(cè)板的夾角為-45?45°。2.根據(jù)權利要求1所述的擴散舟，其特征在于，所述側(cè)板上設有導流板，所述導流板垂直于所述插槽和所述底板。3.根據(jù)權利要求1所述的擴散舟，其特征在于，還包括前端板和后端板，所述前端板和后端板分別設于一對側(cè)板的兩端，所述前端板和后端板為均流板。4.根據(jù)權利要求3所述的擴散舟，其特征在于，所述前端板和后端板上分別設有一個圓弧形的舟頭，所述舟頭上設有拉孔。5.根據(jù)權利要求1所述的擴散舟，其特征在于，所述插槽平行于所述側(cè)板。
【專利摘要】擴散舟。涉及一種擴散舟，尤其涉及一種在擴散時，晶片與擴散氣流平行的擴散舟。結(jié)構(gòu)簡單，并使擴散源擴散均勻。所述一對側(cè)板相互平行，設于所述底板的兩邊，并垂直于所述底板；所述底板上均勻設有若干相互平行的插槽，所述插槽與所述側(cè)板的夾角為-45~45°；所述側(cè)板上設有導流板，所述導流板垂直于所述插槽和所述底板；所述前端板和后端板分別設于一對側(cè)板的兩端，所述前端板和后端板為均流板。氣態(tài)或液態(tài)源擴散時，晶片排列有一定間隔，流過晶片之間的氣流為層流，在晶片表面附近形成穩(wěn)定的附面層，不存在渦流，擴散源在源-硅界面均勻分布，擴散均勻性好。
【IPC分類】H01L21/228, H01L21/223, H01L21/673
【公開號】CN205092228
【申請?zhí)枴緾N201520901681
【發(fā)明人】游佩武, 裘立強, 王毅
【申請人】揚州杰利半導體有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年11月12日