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閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組的制作方法

文檔序號(hào):9976158閱讀:268來源:國知局
閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種閃存盤,特別涉及一種針對(duì)不同類型主控芯片具有標(biāo)準(zhǔn)連接結(jié)構(gòu)的閃存盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,公知的USB閃存盤是由外殼和PCBA組成,而PCBA是由一塊PCB板(又稱母板)、USB主控芯片1、設(shè)置于PCB板頂視面層上且與該主控芯片I適配的電路(由貼片電阻、電容、電感構(gòu)成的電路)、USB接口、LED指示燈和封貼在PCB板底視面層上的flash芯片4(即閃存芯片)構(gòu)成。
[0003]如圖1、2、3所示,通常,構(gòu)成閃存盤的所述主控芯片I品牌多、類型雜、引腳5布局不統(tǒng)一,而其所用的flash芯片4較為單一(有時(shí),即使flash芯片4的類型不同,但其引腳5布局基本上相同),現(xiàn)在該行業(yè)所用的USB主控芯片I品牌有安國、芯邦、SM1、硅格、建榮、邁克微、博惟、銀燦等等。這些主控芯片I都有各自的封裝形式(LQFP48、S0P28、die),且都有各自不同的芯片引腳5定義。如此,即便使用相同類型的flash芯片4,其所用的PCBA也不盡相同,即是說,針對(duì)不同類型的主控芯片1,需在所述PCB頂視面層上設(shè)置不同的電路。這樣對(duì)將flash芯片4與PCB板封裝在一起的企業(yè)來講,針對(duì)其所用的主控芯片1,就需要準(zhǔn)備較多且具有不同電路的PCB板和電子料(即其他電子元件,如電阻、電容、電感等器件)。用的主控芯片I封裝形式越多,準(zhǔn)備的PCB和電子料也越多、越雜。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中閃存盤的結(jié)構(gòu)和制作方法存在如下不足:
[0005]I)備料越多、越雜,既會(huì)增加設(shè)備投資,也會(huì)增加企業(yè)管理成本,如增加與不同類型主控芯片I相匹配的封裝設(shè)備、增加管理材料所用的人力資源成本、大量備料所需的庫存占地成本增大等。
[0006]2)若管理不到位還極易產(chǎn)生因配料錯(cuò)誤導(dǎo)致的廢品,由此,大大降低了產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
[0007]3)由于構(gòu)成USB閃存盤的各部件缺乏標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu),因此,不論所用的主控芯片I對(duì)應(yīng)的閃存盤的批量大小,其均不適于現(xiàn)代化、集約化和規(guī)?;拇笊a(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種制造成本低、標(biāo)準(zhǔn)化程度高、能使閃存盤所用的各類主控芯片均可通過其安裝在一種規(guī)格的母板上的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組。
[0009]為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0010]本實(shí)用新型的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組,其由子板與可安裝在閃存盤USB接口上的母板組成,在所述子板與母板相對(duì)面上設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu),該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)為設(shè)置于子板上的觸點(diǎn)電極子陣列和設(shè)置于母板上的觸點(diǎn)電極母陣列,所述觸點(diǎn)電極子陣列與觸點(diǎn)電極母陣列中的觸點(diǎn)電極一一對(duì)應(yīng),當(dāng)子板安裝在母板上時(shí),觸點(diǎn)電極子陣列中的觸點(diǎn)電極與觸點(diǎn)電極母陣列中對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)電極電連接。
[0011]所述觸點(diǎn)電極為平面電極。
[0012]所述觸點(diǎn)電極為敷銅電極。
[0013]所述觸點(diǎn)電極為金屬鍍膜電極。
[0014]所述觸點(diǎn)電極子陣列中的觸點(diǎn)電極為針式電極,所述觸點(diǎn)電極母陣列中的觸點(diǎn)電極為可使所述針式電極插入且其間為緊配合的孔式電極。
[0015]所述觸點(diǎn)電極子陣列與觸點(diǎn)電極母陣列的幾何圖案布設(shè)形狀為矩形、圓形、橢圓形或腰形。
[0016]在所述子板上背對(duì)所述母板的一面上安裝閃存盤所用的主控芯片,該主控芯片的引腳布局可為安國、芯邦、SM1、硅格、建榮、邁克微、博惟或銀燦品牌的主控芯片對(duì)應(yīng)的弓I腳布局;在所述母板上背對(duì)所述子板的一面上安裝閃存盤所用的flash芯片,該flash芯片為NAND FLASH 芯片。
[0017]所述子板和母板均由硬質(zhì)雙面線路板所制。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型在閃存盤的主控芯片與flash芯片之間設(shè)置具有標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)的由子板與母板組成的標(biāo)準(zhǔn)模組,在子板的底視面層上設(shè)置觸點(diǎn)電極子陣列,在母板的頂視面層上設(shè)置與觸點(diǎn)電極子陣列的布局、結(jié)構(gòu)均相同的觸點(diǎn)電極母陣列,由此使得母板與flash芯片的封裝結(jié)構(gòu)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)化結(jié)構(gòu)的PCB板。在生產(chǎn)環(huán)節(jié),企業(yè)只需準(zhǔn)備一種母板及固定類型的電子料,即可大批量、集約化和自動(dòng)化地生產(chǎn)、出售標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)構(gòu)的閃存盤PCB板。之后再通過與所述母板為標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)的子板的封裝,即完成整個(gè)閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組的制作。
[0019]針對(duì)USB閃存盤制造行業(yè)來講,本實(shí)用新型中的所述標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)是一項(xiàng)革命性的改進(jìn),其可大大降低該行業(yè)生產(chǎn)過程中的人力和材料成本,提高其生產(chǎn)效率,使得勞動(dòng)密集型的閃存盤制造業(yè)朝著標(biāo)準(zhǔn)化、集約化和規(guī)?;默F(xiàn)代化的生產(chǎn)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。
【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組示意圖之一。
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組示意圖之二。
[0022]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組示意圖之三。
[0023]圖4為應(yīng)用本實(shí)用新型的標(biāo)準(zhǔn)模組的閃存盤模塊示意圖。
[0024]圖5為圖4中的母板與子板分離狀態(tài)示意圖之一。
[0025]圖6為圖5中A部放大平面示意圖。
[0026]圖7為圖4中B向示意圖。
[0027]圖8為圖4中的母板與子板分離狀態(tài)示意圖之二。
[0028]圖9為圖8中C部放大平面示意圖。
[0029]圖10為圖8中D部放大示意圖。
[0030]圖11為閃存盤所用的主控芯片外圍電路、引腳示意圖。
[0031]圖12為本實(shí)用新型的子板上的觸點(diǎn)電極子陣列引腳電路形式示意圖。
[0032]圖13為flash芯片引腳和觸點(diǎn)電極母陣列引腳電路形式示意圖。
[0033]附圖標(biāo)記如下:
[0034]主控芯片1、子板2、母板3、flash芯片4、引腳5、觸點(diǎn)電極子陣列6、觸點(diǎn)電極母陣列7、觸點(diǎn)電極8、USB接口 9。
【具體實(shí)施方式】
[0035]如圖4、7所示,本實(shí)用新型的閃存盤模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)模組是在閃存盤所用的主控芯片I與flash芯片4之間設(shè)置一對(duì)具有標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)且由子板2與母板3構(gòu)成的電連接組件。
[0036]將其中的母板安裝在常規(guī)通用的USB接口 9上,在子板的頂視面層上封裝所述的主控芯片,在母板的底視面層上封裝所述的flash芯片,之后再將子板與母板封焊在一起就構(gòu)成所述的閃存盤模塊。
[0037]如圖5、6、8、9、10、11、12、13所示,所述標(biāo)準(zhǔn)對(duì)接結(jié)構(gòu)為分別設(shè)置于子板2的底視面層和母板3的頂視面層上的觸點(diǎn)電極子陣列6和觸點(diǎn)電極母陣列7,觸點(diǎn)電極子陣列6與觸點(diǎn)電極母陣列7形狀結(jié)構(gòu)均相同,而且其中的觸點(diǎn)電極8 一一對(duì)應(yīng),當(dāng)將子板2與母板3焊接在一起時(shí),觸點(diǎn)電極子陣列6中的觸點(diǎn)電極8與觸點(diǎn)電極母陣列7中對(duì)應(yīng)的觸點(diǎn)電極8處于電連接導(dǎo)通狀態(tài)(圖12中J3為觸點(diǎn)電極子陣列6引腳的電路形式示意圖;圖13中的U3
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