一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領域。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de，LED)是一種能發(fā)光的半導體電子元件，具有體積小、能耗低、壽命長、環(huán)保耐用等優(yōu)點。隨著技術(shù)的不斷進步，發(fā)光二極管已被廣泛的應用于顯示器、電視機\采光裝飾和照明。近年來，對于大功率照明發(fā)光二極管的研宄已經(jīng)成為趨勢，然而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片存在電流擁擠、電壓過高和散熱難等缺點，影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。常用的提高發(fā)光效率的方法有在外延層的頂端再生長一厚層GaP，窗口層，由于GaP能隙大，對紅黃光透明，大部分的光能夠透射出去。對GaP表面進行粗化處理，可以抑制全反射現(xiàn)象，進一步降低二極管的發(fā)光損失。但是傳統(tǒng)的GaP窗口層仍不能有效解決電流擁擠、電壓過尚等缺點。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的電流擁擠、電壓過高的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓的發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案為一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，包括:砷化鎵基板，所述砷化鎵基板上設置有η型砷化鎵緩沖層，所述η型砷化鎵緩沖層上設置有η型磷化銦鋁限制層，所述η型磷化銦鋁限制層上設置有多重量子阱有源層，所述多重量子阱有源層上設置有P型磷化銦鋁限制層，P型磷化銦鋁限制層上設置有P型過渡層，所述P型過渡層的上設置有P型應變磷化銦鎵窗口層，所述應變磷化銦鎵窗口層上還設置有P型磷化鎵窗口層。
[0005]優(yōu)選的，所述η型砷化鎵緩沖層和η型磷化銦鋁限制層之間設置有布拉格反射層。
[0006]優(yōu)選的，所述P型過渡層為P型磷化鋁鎵銦(AlxGal-x) 0.5In0.5P材料。
[0007]優(yōu)選的，所述p型應變磷化銦鎵窗口層的厚度為100-600埃米。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下技術(shù)效果:本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，在磷化鎵窗口層內(nèi)加入一層很薄的應變磷化銦鎵窗口層，這樣可有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓，改善垂直及倒裝LED芯片的光電性能。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0010]為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0011]如圖1所示，一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，包括:砷化鎵基板1，所述砷化鎵基板I上設置有η型砷化鎵緩沖層2，所述η型砷化鎵緩沖層2上設置有η型磷化銦鋁限制層4，所述η型磷化銦鋁限制層4上設置有多重量子阱有源層5，所述多重量子阱有源層5上設置有P型磷化銦鋁限制層6，P型磷化銦鋁限制層6上設置有P型過渡層7，所述P型過渡層7的上設置有P型應變磷化銦鎵窗口層8，所述P型應變磷化銦鎵窗口層8上還設置有P型磷化鎵窗口層9，所述η型砷化鎵緩沖層2和η型磷化銦鋁限制層4之間設置有布拉格反射層3，所述P型過渡層6為P型磷化鋁鎵銦(AlxGal-x) 0.5In0.5P材料，所述p型應變磷化銦鎵窗口層7的厚度為100-600埃米。在過渡層-(AlXGal-X)0.5In0.5P后再生長一層100-600埃米的應變GaInP材料，即生長GaxInyP時減少In組分，使其組分小于0.45(y<0.45)，再生長一定厚度的GaP材料，這樣可有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓，改善垂直及倒裝LED芯片的光電性能。
[0012]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包在本實用新型范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括:砷化鎵基板(I)，所述砷化鎵基板(I)上設置有η型砷化鎵緩沖層(2 )，所述η型砷化鎵緩沖層(2 )上設置有η型磷化銦鋁限制層(4)，所述η型磷化銦鋁限制層(4)上設置有多重量子阱有源層(5)，所述多重量子阱有源層(5)上設置有P型磷化銦鋁限制層(6)，P型磷化銦鋁限制層(6)上設置有P型過渡層(7 )，所述P型過渡層(7 )的上設置有P型應變磷化銦鎵窗口層(8 )，所述應變磷化銦鎵窗口層(8)上還設置有P型磷化鎵窗口層(9)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述η型砷化鎵緩沖層(2)和η型磷化銦鋁限制層(4)之間設置有布拉格反射層(3)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述P型過渡層(6)為P型磷化鋁鎵銦(AlxGal-x)0.5In0.5P材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述P型應變磷化銦鎵窗口層(7)的厚度為100-600埃米。
【專利摘要】本實用新型涉及一種發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu)，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領域,為解決電流擁擠、電壓過高的技術(shù)問題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓的發(fā)光二極管的新型窗口層結(jié)構(gòu),所采用的技術(shù)方案為砷化鎵基板上設置有n型砷化鎵緩沖層，n型砷化鎵緩沖層上設置有n型磷化銦鋁限制層，n型磷化銦鋁限制層上設置有多重量子阱有源層，多重量子阱有源層上設置有p型磷化銦鋁限制層，p型磷化銦鋁限制層上設置有p型過渡層，p型過渡層的上設置有p型應變磷化銦鎵窗口層，應變磷化銦鎵窗口層上還設置有p型磷化鎵窗口層;本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，減少電流擁擠，降低電壓，廣泛用于發(fā)光二極管。
【IPC分類】H01L33/14
【公開號】CN204632793
【申請?zhí)枴緾N201520187994
【發(fā)明人】顏慧
【申請人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年3月31日