一種ttl芯片過壓保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，具體是一種TTL芯片過壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會的發(fā)展，集成電路已經(jīng)深入工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域，而對于集成電路來說，主控芯片的安全性至關(guān)重要，而TTL芯片作為很多工程師喜愛使用的芯片，應(yīng)用范圍尤其廣泛，然而TTL芯片對于電壓的反應(yīng)尤其激烈，給TTL芯片供電必須防止過電壓，它可以非常迅速摧毀TTL芯片，任何常規(guī)的過壓保護(hù)手段都無法有效保護(hù)TTL芯片。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種安全有效的TTL芯片過壓保護(hù)電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]一種TTL芯片過壓保護(hù)電路，包括熔斷器FU、變壓器T、三端穩(wěn)壓器U1、二極管Dl和單向可控硅VS，變壓器T初級線圈兩端連接220V交流電，變壓器T次級線圈兩端分別連接整流橋Q引腳I和整流橋Q引腳3，整流橋Q引腳2分別連接電阻Rl、電容Cl、電容C2和三端穩(wěn)壓器Ul引腳1，整流橋Q引腳4分別連接電阻Rl另一端、電容Cl另一端、電容C2另一端、三端穩(wěn)壓器Ul引腳2、電容C3、電容C4、電阻R2和單向可控硅VS的A極，電容C4另一端分別連接電阻R2另一端、二極管Dl正極和單向可控硅VS的G極，二極管Dl負(fù)極分別連接三端穩(wěn)壓器Ul引腳3、電容C3另一端和熔斷器FU，熔斷器FU另一端分別連接單向可控硅VS的K極和TTL芯片供電端。
[0006]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述二極管Dl為穩(wěn)壓二極管。
[0007]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述單向可控硅VS型號為TL431。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型TTL芯片過壓保護(hù)電路通過使用熔斷器FU、單向可控硅VS和二極管Dl配合，對過電壓的反應(yīng)非常迅速，很好的起到了對TTL芯片的過壓保護(hù)作用，非常適合推廣使用。
【附圖說明】
[0009]圖1為TTL芯片過壓保護(hù)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0011 ] 請參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種TTL芯片過壓保護(hù)電路，包括熔斷器FU、變壓器T、三端穩(wěn)壓器U1、二極管Dl和單向可控硅VS，變壓器T初級線圈兩端連接220V交流電，變壓器T次級線圈兩端分別連接整流橋Q引腳I和整流橋Q引腳3，整流橋Q引腳2分別連接電阻Rl、電容Cl、電容C2和三端穩(wěn)壓器Ul引腳I，整流橋Q引腳4分別連接電阻Rl另一端、電容Cl另一端、電容C2另一端、三端穩(wěn)壓器Ul引腳2、電容C3、電容C4、電阻R2和單向可控硅VS的A極，電容C4另一端分別連接電阻R2另一端、二極管Dl正極和單向可控硅VS的G極，二極管Dl負(fù)極分別連接三端穩(wěn)壓器Ul引腳3、電容C3另一端和熔斷器FU，熔斷器FU另一端分別連接單向可控硅VS的K極和TTL芯片供電端。
[0012]二極管Dl為穩(wěn)壓二極管。
[0013]單向可控硅VS型號為TL431。
[0014]本實(shí)用新型的工作原理是:請參閱圖1，三端穩(wěn)壓器Ul的型號可通過TTL芯片的供電電壓來確定，不同型號的TTL芯片配合不同的三端穩(wěn)壓器U1，當(dāng)三端穩(wěn)壓器Ul引腳3的電壓上升到高于TTL芯片的額定供電電壓時(shí)，二極管Dl被擊穿，觸發(fā)單向可控硅VS導(dǎo)通，從而迅速短路迫使熔斷器FU熔斷，保護(hù)TTL芯片安全，電路中的電容C1~C4均用于抑制振蕩，保證電路電壓穩(wěn)定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種TTL芯片過壓保護(hù)電路，包括熔斷器FU、變壓器T、三端穩(wěn)壓器Ul、二極管Dl和單向可控硅VS，其特征在于，變壓器T初級線圈兩端連接220V交流電，變壓器T次級線圈兩端分別連接整流橋Q引腳I和整流橋Q引腳3，整流橋Q引腳2分別連接電阻R1、電容Cl、電容C2和三端穩(wěn)壓器Ul引腳1，整流橋Q引腳4分別連接電阻Rl另一端、電容Cl另一端、電容C2另一端、三端穩(wěn)壓器Ul引腳2、電容C3、電容C4、電阻R2和單向可控硅VS的A極，電容C4另一端分別連接電阻R2另一端、二極管Dl正極和單向可控硅VS的G極，二極管Dl負(fù)極分別連接三端穩(wěn)壓器Ul引腳3、電容C3另一端和熔斷器FU，熔斷器FU另一端分別連接單向可控硅VS的K極和TTL芯片供電端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TTL芯片過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述二極管Dl為穩(wěn)壓二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TTL芯片過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述單向可控硅VS型號為TL431。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種TTL芯片過壓保護(hù)電路，包括熔斷器FU、變壓器T、三端穩(wěn)壓器U1、二極管D1和單向可控硅VS。本實(shí)用新型TTL芯片過壓保護(hù)電路通過使用熔斷器FU、單向可控硅VS和二極管D1配合，對過電壓的反應(yīng)非常迅速，很好的起到了對TTL芯片的過壓保護(hù)作用，非常適合推廣使用。
【IPC分類】H01L23-62
【公開號】CN204558460
【申請?zhí)枴緾N201520288380
【發(fā)明人】俎阿倩, 張帆, 沈騰蛟
【申請人】俎阿倩
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月6日