交流接觸器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及可控開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。具體地說(shuō)，涉及一種交流接觸器。
【背景技術(shù)】
[0002]永磁式交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理，用永磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。安裝在接觸器聯(lián)動(dòng)機(jī)構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵，與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用，從而達(dá)到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過(guò)與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流，而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)需要，用控制電子模塊來(lái)控制設(shè)定的釋放電壓值，也可延遲一段時(shí)間再發(fā)出反向脈沖電流，以達(dá)到低電壓延時(shí)釋放或斷電延時(shí)釋放的目的，使其控制的電機(jī)免受電網(wǎng)晃電而跳停，從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。
[0003]公開(kāi)號(hào)為CN101226855的發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)了一種抗晃電外部可調(diào)延時(shí)時(shí)間型永磁式交流接觸器，其正向勵(lì)磁回路由正向勵(lì)磁可控硅DGl、線圈L和充放電電容C4和C5構(gòu)成，反向勵(lì)磁回路由充放電電容C4和C5、線圈L、二極管D7、電阻R4、二極管D8、電阻R5和R6、以及反向勵(lì)磁可控硅DG2構(gòu)成。當(dāng)控制電壓高于預(yù)定值時(shí)，正向勵(lì)磁可控硅DGl的觸發(fā)電流從整流電路的輸出端一二極管D5 —電阻R13 —壓敏電阻YRl —正向勵(lì)磁可控硅DGl的觸發(fā)極；正向勵(lì)磁電流從整流電路的輸出端一二極管D6 —線圈L —電容C4 —電容C5，線圈L得正向電流，交流接觸器吸合，此后正向勵(lì)磁可控硅DGl因充放電電容C4和C5充滿電而快速截止，從而保持穩(wěn)定的吸合狀態(tài)，并由于壓敏電阻YR2先擊穿，因此通過(guò)三極管Ql保證反向勵(lì)磁可控硅DG2可靠截止。當(dāng)控制電壓低于標(biāo)定值時(shí)，第二壓敏電阻YR2不擊穿，三極管Ql因無(wú)基極電流而迅速進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，充放電電容C4、C5兩端電壓加到反向勵(lì)磁可控硅DG2上，使反向勵(lì)磁可控硅DG2導(dǎo)通，反向勵(lì)磁電流從電容C4 —線圈L — 二極管D7 — 二極管D8 —電阻R5 —電阻R6 —反向勵(lì)磁可控硅DG2 —電容C5 —電容C4，線圈L獲得反向脈沖電流，交流接觸器分?jǐn)?，并且保持分?jǐn)鄷r(shí)的穩(wěn)定狀態(tài)。接觸器的延時(shí)釋放是電容C31和C32的放電來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而延時(shí)釋放時(shí)間是通過(guò)調(diào)節(jié)電阻RP的阻值來(lái)調(diào)節(jié)三極管Ql基極電壓，從而改變電容C31和C32的放電時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)的。
[0004]但是上述現(xiàn)有技術(shù)中存在以下問(wèn)題:
[0005]I)交流接觸器吸合過(guò)程中，可控硅DGl是通過(guò)電容C4和C5的充滿電而截止，同時(shí)需要通過(guò)三極管Ql來(lái)保證可控硅DG2的可靠截止。而反向勵(lì)磁電流由交流接觸器吸合過(guò)程中充滿電的電容C4和C5來(lái)提供。該技術(shù)方案提供的交流接觸器電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、可靠性低，同時(shí)控制方式單一。
[0006]2)延時(shí)釋放的時(shí)間是由電容C31和電容C32的放電時(shí)間來(lái)確定的，雖然可以通過(guò)調(diào)節(jié)電容C31和C32的大小以及調(diào)節(jié)電阻RP的阻值來(lái)調(diào)節(jié)，但是調(diào)節(jié)不方便，且并不能直觀地獲取調(diào)節(jié)后確切的延時(shí)時(shí)間。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]為此，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于現(xiàn)有技術(shù)中的交流接觸器器件繁多、電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、可靠性低以及控制方式單一，從而提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高并能實(shí)現(xiàn)多種控制的交流接觸器。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案:
[0009]一種交流接觸器，包括電源濾波模塊、與電源濾波模塊輸出端連接的整流模塊、分別與電源濾波模塊輸出端和整流模塊輸出端連接的動(dòng)作執(zhí)行模塊、以及用于控制動(dòng)作執(zhí)行模塊的控制模塊，動(dòng)作執(zhí)行模塊包括四個(gè)單向可控硅QD1、QD2、QD3、QD4以及電磁線圈L，單向可控硅QDI的陽(yáng)極與整流模塊的輸出端連接、陰極與電磁線圈L的第一端連接，單向可控硅QD4的陽(yáng)極與電磁線圈L的第二端連接、陰極接地，單向可控硅QD2的陽(yáng)極與電磁線圈L的第一端連接、陰極接地，單向可控硅QD3的陽(yáng)極與電源濾波模塊的輸出端連接、陰極與電磁線圈L的第二端連接。
[0010]優(yōu)選地，每個(gè)單向可控硅的控制極分別與控制模塊的一個(gè)控制信號(hào)輸出端連接。
[0011]優(yōu)選地，控制模塊的信號(hào)輸入端與整流模塊的輸出端連接。
[0012]優(yōu)選地，還包括延時(shí)釋放選擇模塊，延時(shí)釋放選擇模塊包括電阻R13-R19、撥碼開(kāi)關(guān)SI,電阻R13-R19依次串聯(lián)連接后，其一端作為延時(shí)釋放選擇模塊的電源輸入端與供電電源連接、另一端接地，電阻R13和電阻R14的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第一輸入端連接，電阻R14和電阻R15的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第二輸入端連接，電阻R15和電阻R16的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第三輸入端連接，電阻R16和電阻R17的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第四輸入端連接，電阻R17和電阻R18的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第五輸入端連接，電阻R18和電阻R19的連接處與撥碼開(kāi)關(guān)SI的第六輸入端連接，撥碼開(kāi)關(guān)SI的各個(gè)輸出端依次連接后與控制模塊的第一控制信號(hào)輸入端連接。
[0013]優(yōu)選地，還包括用于給控制模塊提供穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓模塊，穩(wěn)壓模塊的輸入端與直流電源連接或者通過(guò)整流二極管與交流電源連接、輸出端與控制模塊的電源輸入端連接。
[0014]優(yōu)選地，穩(wěn)壓模塊包括依次連接的第一級(jí)穩(wěn)壓電路和第二級(jí)穩(wěn)壓電路，其中，
[0015]第一級(jí)穩(wěn)壓電路包括三極管Q1、電阻R3、穩(wěn)壓二極管DWl和電容⑶3，三極管Ql的集電極與電阻R3的一端連接、基極與穩(wěn)壓二極管DWl的陰極和電阻R3的另一端分別連接、發(fā)射極與電容CD3的一端連接，穩(wěn)壓二極管DWl的陽(yáng)極和電容CD3的另一端分別接地，三極管Ql的集電極與電阻R3的連接處作為穩(wěn)壓模塊的輸入端，三極管Ql的發(fā)射極與電容CD3的連接處作為第一級(jí)穩(wěn)壓電路的輸出端；
[0016]第二級(jí)穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓芯片IC2和電容⑶4，穩(wěn)壓芯片IC2的輸入端與第一級(jí)穩(wěn)壓電路的輸出端連接、輸出端與電容CD4的一端連接、接地端接地，電容CD4的另一端接地，電容CD4與穩(wěn)壓芯片IC2輸出端的連接處作為穩(wěn)壓模塊的輸出端。
[0017]優(yōu)選地，還包括用于在電源斷電時(shí)給控制模塊和動(dòng)作執(zhí)行模塊供電的釋放儲(chǔ)能模塊。
[0018]優(yōu)選地，釋放儲(chǔ)能模塊包括二極管Dl、二極管D2、電容⑶I和電容⑶2，交流接觸器還包括熱敏電阻RTI和電阻R4，熱敏電阻RTI的一端與電源濾波模塊的輸出端連接、另一端與二極管Dl的陽(yáng)極連接，二極管Dl的陰極與單向可控硅QD3的陽(yáng)極連接，二極管D2的陽(yáng)極與二極管Dl的陽(yáng)極連接、陰極與電容CD2連接后接地，電容CDl的一端與二極管Dl的陰極連接、另一端與穩(wěn)壓模塊的輸入端連接，二極管D2的陰極還通過(guò)電阻R4與穩(wěn)壓模塊的輸入端連接。
[0019]優(yōu)選地，還包括手動(dòng)釋放模塊，手動(dòng)釋放模塊包括濾波電容Cl、分壓電阻Rl和分壓電阻R2，分壓電阻Rl的一端通過(guò)濾波電容Cl接地、另一端通過(guò)分壓電阻R2接地，分壓電阻Rl和分壓電阻R2的連接處與控制模塊的第二控制信號(hào)輸入端連接，分壓電阻Rl和濾波電容Cl的連接處作為手動(dòng)釋放模塊的電源輸入端可通過(guò)開(kāi)關(guān)器件與外接直流電源連接。
[0020]優(yōu)選地，還包括熱敏電阻RT2，熱敏電阻RT2設(shè)置在電磁線圈L的第一端與單向可控硅QD2的陽(yáng)極之間。
[0021]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]1.本實(shí)用新