一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型屬于集成電路封裝技術(shù)領域，具體涉及一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，封裝件的制作中，在凸點排布及I/O數(shù)不受框架設計及制作限制的前提下，一般通過電鍍銀之后倒裝上芯的方法，可以實現(xiàn)框架圖形設計可在框架制作時期就完成，這樣縮短了制作周期，更好得實現(xiàn)芯片與載體的互聯(lián)，丙炔使I/o更加密集，成本更低。
[0003]現(xiàn)有公開的技術(shù)中，一種基于框架采用鍍銀技術(shù)的封裝件(專利號:201320335457.9)和一種基于框架采用鍵合線連接技術(shù)的封裝件(專利號:201320335198.X)，是鍍銀技術(shù)的兩個案例。
[0004]但是，在封裝件鍍銀層之后，在焊接時候會出現(xiàn)焊料熔化銀層的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型提供了一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，其通過設置中間金屬層隔離鍍銀層，防止焊接時焊料將銀層熔化。
[0006]一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片、塑封體和鍍銀層，所述鍍銀層為相互獨立的鍍銀層段，所述鍍銀層與中間金屬層連接，中間金屬層再與另一層鍍銀層連接。
[0007]所述中間金屬層，是為了隔離鍍銀層和另一層鍍銀層的，解決了焊接時焊料將銀層共晶熔化的問題。
【附圖說明】
[0008]圖1為采用鍵合線連接技術(shù)的封裝件剖面圖；
[0009]圖2為采用金屬凸點技術(shù)的封裝件剖面圖；
[0010]圖3為帶有中間金屬層的采用鍵合線連接技術(shù)的封裝件剖面圖；
[0011]圖4為帶有中間金屬層的采用金屬凸點技術(shù)的封裝件剖面圖。
[0012]圖中，I為芯片、2為鍵合線、3為塑封體、4為鍍銀層，5為金屬凸點、6為中間金屬層、41為另一層鍍銀層。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步的說明。
[0014]實施例一:
[0015]如圖1所示，一種采用鍵合線連接技術(shù)的封裝件包括有芯片1、鍵合線2、塑封體3和鍍銀層4，所述鍍銀層4為相互獨立的鍍銀層段，部分鍍銀層4上有芯片I，所述芯片I和其上無芯片I的部分鍍銀層4通過鍵合線2連接，塑封體3包圍了芯片1、鍵合線2和鍍銀層4，芯片1、鍵合線2和鍍銀層4構(gòu)成了電路的電源和信號通道。
[0016]如圖3所示，所述鍍銀層4與中間金屬層6連接，中間金屬層6再與另一層鍍銀層41連接。
[0017]圖3中，所述鍍銀層4為0.1-1Oum;所述另一層鍍銀層41為0.l_10um，或者用0.0l-1Oum的惰性金屬層替代。所述中間金屬層6為銅、鎳、鎳鈀金、銅鎳銅或者不能被SMT熔化的其他金屬，是為了隔離鍍銀層4和另一層鍍銀層41的。本專利實現(xiàn)塑封體與鍍銀層良好結(jié)合的同時，隔離金屬將兩層銀合理隔開，解決了 SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題。
[0018]實施例二:
[0019]如圖2所示，一種采用金屬凸點技術(shù)的封裝件，所述封裝件包括有芯片1、塑封體3、鍍銀層4和金屬凸點5 ;所述鍍銀層4為相互獨立的鍍銀層段，所述芯片I上植有金屬凸點5，所述金屬凸點5與鍍銀層4連接；所述塑封體4包圍了芯片1、鍍銀層4和金屬凸點5，芯片1、鍍銀層4和金屬凸點5構(gòu)成了電路的電源和信號通道。
[0020]如圖4所示，所述鍍銀層4與中間金屬層6連接，中間金屬層6再與另一層鍍銀層41連接。
[0021]圖4中，所述鍍銀層4為0.1-1Oum;所述另一層鍍銀層41為0.l-10um，或者用0.0l-1Oumd的惰性金屬層替代。所述中間金屬層6為銅、镲、镲鈕金、銅镲銅或者不能被SMT熔化的其他金屬，是為了隔離鍍銀層4和另一層鍍銀層41的。本專利實現(xiàn)塑封體與鍍銀層良好結(jié)合的同時，隔離金屬將兩層銀合理隔開，解決了 SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題。
【主權(quán)項】
1.一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片(I)、塑封體(3)和鍍銀層(4)，所述鍍銀層(4)為相互獨立的鍍銀層段，其特征在于:所述鍍銀層(4)與中間金屬層(6)連接，中間金屬層(6)再與另一層鍍銀層(41)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，其特征在于:中間金屬層(6)為銅、鎳、鎳鈀金、銅鎳銅或者不能被SMT熔化的其他金屬。
【專利摘要】本實用新型公開了一種利用隔離金屬層防止鍍銀層熔化的封裝件，包括有芯片、塑封體和鍍銀層，所述鍍銀層為相互獨立的鍍銀層段，所述鍍銀層與中間金屬層連接，中間金屬層再與另一層鍍銀層連接。所述中間金屬層，是為了隔離鍍銀層和另一層鍍銀層的。本專利實現(xiàn)塑封體與鍍銀層良好結(jié)合的同時，隔離金屬將兩層銀合理隔開，解決了SMT時焊料將銀層共晶熔化的問題。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204332944
【申請?zhí)枴緾N201420845961
【發(fā)明人】孫青秀
【申請人】孫青秀
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2014年12月26日