一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟：硅片的檢測、表面制絨、清洗、擴散制結、去磷硅玻璃、等離子刻蝕、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結和鍍反射膜，本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴散制結的生產(chǎn)工藝，從而增加了太陽能電池片的光能利用率；本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝，從而使透過太陽能電池片的光線，重新被二次利用，進而增加了太陽能電池片的光能利用率。
【專利說明】
一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池的領域，特別是一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝的技術領域。
【【背景技術】】
[0002]太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源，也是清潔能源，不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用當中；大陽能光電利用是近些年來發(fā)展最快，最具活力的研究領域，是其中最受矚目的項目之一。為此，人們研制和開發(fā)了太陽能電池。制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉換反應，太陽電池是將太陽光能直接轉換為電能的半導體器件，太陽能電池片的是太陽能電池的重要組成部分，太陽能電池片一般分為單晶電池片和多晶電池片兩種，由于太陽能電池片的生產(chǎn)工藝的不足，現(xiàn)有太陽能電池片一般光能利用率都較差。
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【發(fā)明內容】
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[0003]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術存在的上述不足，本發(fā)明提出了一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，本發(fā)明通過采用特殊的生產(chǎn)工藝，從而大大提高了太陽能電池片的光能利用率。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟:
[0005]a)硅片的檢測:首先來料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進行檢測；
[0006]b)表面制絨:將步驟a)檢測合格的硅片放入制絨溶液中，進行表面腐蝕制絨；
[0007]c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進行清洗；
[0008]d)擴散制結:將步驟c)清洗后的硅片放入擴散爐中進行擴散制結；
[0009]e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴散制結后的硅片，放入HF酸中浸泡，以去除擴散制結后在娃片表面形成的一層磷娃玻璃；
[0010]f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片，進行等離子刻蝕處理，以去除硅片邊緣的PN結；
[0011]g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片，在PECVD設備上，鍍一層減反射膜；
[0012]h)絲網(wǎng)印刷:將步驟g)做鍍減反射膜處理后的硅片，在絲網(wǎng)印刷上制備正負電機；
[0013]i)燒結:將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片，放入燒結爐中做燒結處理，從而得到粗制太陽能電池片；
[0014]j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽能電池片的背面電極的一面，鍍一層銀反射膜，并淋層保護漆，從而得到太陽能電池片。
[0015]作為優(yōu)選，所述步驟b)的制絨溶液，在制造單晶太陽能電池片時，采用的是NaOH、Na2Si03、IPA的混合溶液，在制造多晶太陽能電池片時，采用的是HN03和HF的混合溶液。
[0016]作為優(yōu)選，所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70°C-80°C，所述步驟d)擴散制結時的溫度為850°C-900°C。
[0017]作為優(yōu)選，所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm，所述步驟d)擴散制結中，采用的擴散源為P0C13。
[0018]本發(fā)明的有益結果:本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴散制結的生產(chǎn)工藝，從而增加了太陽能電池片的光能利用率;本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝，從而使透過太陽能電池片的光線，重新被二次利用，進而增加了太陽能電池片的光能利用率。
【【具體實施方式】】
[0019]本發(fā)明提出了一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟:
[0020]a)硅片的檢測:首先來料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進行檢測;b)表面制絨:將步驟a)檢測合格的硅片放入制絨溶液中，進行表面腐蝕制絨;c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進行清洗;d)擴散制結:將步驟c)清洗后的硅片放入擴散爐中進行擴散制結;e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴散制結后的硅片，放入HF酸中浸泡，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃;f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片，進行等離子刻蝕處理，以去除硅片邊緣的PN結;g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片，在PECVD設備上，鍍一層減反射膜;h)絲網(wǎng)印刷:將步驟
g)做鍍減反射膜處理后的硅片，在絲網(wǎng)印刷上制備正負電機；i)燒結:將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片，放入燒結爐中做燒結處理，從而得到粗制太陽能電池片；j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽能電池片的背面電極的一面，鍍一層銀反射膜，并淋層保護漆，從而得到太陽能電池片，所述步驟b)的制絨溶液，在制造單晶太陽能電池片時，采用的是Na0H、Na2Si03、IPA的混合溶液，在制造多晶太陽能電池片時，采用的是HN03和HF的混合溶液，所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70 0C-80 0C，所述步驟d)擴散制結時的溫度為850 V-900 V，所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm，所述步驟d)擴散制結中，采用的擴散源為P0C13。
[0021]本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴散制結的生產(chǎn)工藝，從而增加了太陽能電池片的光能利用率;本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝，從而使透過太陽能電池片的光線，重新被二次利用，進而增加了太陽能電池片的光能利用率。
[0022]上述實施例是對本發(fā)明的說明，不是對本發(fā)明的限定，任何對本發(fā)明簡單變換后的方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟: a)硅片的檢測:首先來料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進行檢測； b)表面制絨:將步驟a)檢測合格的硅片放入制絨溶液中，進行表面腐蝕制絨； c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進行清洗； d)擴散制結:將步驟c)清洗后的硅片放入擴散爐中進行擴散制結； e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴散制結后的硅片，放入HF酸中浸泡，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷娃玻璃； f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片，進行等離子刻蝕處理，以去除硅片邊緣的PN結； g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片，在PECVD設備上，鍍一層減反射膜； h)絲網(wǎng)印刷:將步驟g)做鍍減反射膜處理后的硅片，在絲網(wǎng)印刷上制備正負電機； i)燒結:將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片，放入燒結爐中做燒結處理，從而得到粗制太陽能電池片； j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽能電池片的背面電極的一面，鍍一層銀反射膜，并淋層保護漆，從而得到太陽能電池片。2.權利要求1所述一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述步驟b)的制絨溶液，在制造單晶太陽能電池片時，采用的是Na0H、Na2Si03、IPA的混合溶液，在制造多晶太陽能電池片時，采用的是HN03和HF的混合溶液。3.權利要求1所述一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70°C_80°C，所述步驟d)擴散制結時的溫度為850°C-900°C。4.權利要求1所述一種太陽能電池片的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm，所述步驟d)擴散制結中，采用的擴散源為P0C13。
【文檔編號】H01L31/056GK106098860SQ201610739116
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月27日
【發(fā)明人】趙華飛
【申請人】浙江中晶新能源有限公司