晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及石油機(jī)械領(lǐng)域，具體地，涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池板是通過吸收太陽(yáng)光，將太陽(yáng)輻射能通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接或間接轉(zhuǎn)換成電能的裝置，大部分太陽(yáng)能電池板的主要材料為“娃”，但因制作成本很大，以至于它還不能被大量廣泛和普遍地使用。相對(duì)于普通電池和可循環(huán)充電電池來說，太陽(yáng)能電池屬于更節(jié)能環(huán)保的綠色產(chǎn)品。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝復(fù)雜，導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高。
[0004]綜上所述，本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中發(fā)明技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，解決了現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，所述工藝包括:
步驟1:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備；
步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散；
步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié)；
步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷；
步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔。
[0007]其中，在所述步驟I之前還包括:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。
[0008]其中，所述將硅片進(jìn)行清洗具體包括:采用超聲波對(duì)硅片進(jìn)行清洗，然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30 — 50um。
[0009]其中，所述進(jìn)行絨面制備具體為:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
[0010]其中，所述進(jìn)行磷擴(kuò)散具體包括:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN十結(jié)，結(jié)深為0.3—0.5umo
[0011]其中，所述進(jìn)行周邊刻蝕具體為:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。
[0012]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn): 由于采用了將晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝設(shè)計(jì)為包括:步驟1:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備;步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散;步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié);步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷;步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔的技術(shù)方案，所以，有效解決了現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0013]圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例一中晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]本發(fā)明提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，解決了現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
[0015]本申請(qǐng)實(shí)施中的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題?？傮w思路如下:
采用了將晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝設(shè)計(jì)為包括:步驟1:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備;步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散;步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié)；步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷;步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔的技術(shù)方案，所以，有效解決了現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
[0016]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0017]實(shí)施例一:
在實(shí)施例一中，提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，請(qǐng)參考圖1，所述工藝包括: 步驟1:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備；
步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散；
步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié)；
步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷；
步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔。
[0018]其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，在所述步驟I之前還包括:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。
[0019]其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述將娃片進(jìn)行清洗具體包括:米用超聲波對(duì)娃片進(jìn)行清洗，然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30 - 50um。
[0020]其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述進(jìn)行絨面制備具體為:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
[0021]其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述進(jìn)行磷擴(kuò)散具體包括:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深為 0.3 —0.5um。
[0022]其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述進(jìn)行周邊刻蝕具體為:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。
[0023]具體的制造工藝技術(shù)說明如下:(I)切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。(2)清洗:用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30 — 50um。(3)制備絨面:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。(4)磷擴(kuò)散:采用涂布源(或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源)進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深一般為0.3 — 0.5um。(5)周邊刻蝕:擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會(huì)使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。(6)去除背面PN+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。(7)制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
(8)制作減反射膜:為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2，Si02，A1203 ,S1，Si3N4，Ti02，Ta205等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。(9)燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。(10)測(cè)試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測(cè)試分類。
[0024]上述本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
由于采用了將晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝設(shè)計(jì)為包括:步驟1:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備;步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散;步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié);步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷;步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔的技術(shù)方案，所以，有效解決了現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池板生產(chǎn)工藝存在工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高、電池板質(zhì)量較差的技術(shù)問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
[0025]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0026]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.晶體娃太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述工藝包括: 步驟I:將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備； 步驟2:進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散； 步驟3:進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié)； 步驟4:進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷； 步驟5:進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，在所述步驟I之前還包括:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述將硅片進(jìn)行清洗具體包括:采用超聲波對(duì)硅片進(jìn)行清洗，然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去 30 —50um。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述進(jìn)行絨面制備具體為:用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述進(jìn)行磷擴(kuò)散具體包括:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深為0.3 — 0.5um。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，其特征在于，所述進(jìn)行周邊刻蝕具體為:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了晶體硅太陽(yáng)能電池制造工藝，所述工藝包括：步驟1：將硅片進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行絨面制備；步驟2：進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，然后進(jìn)行磷擴(kuò)散；步驟3：進(jìn)行周邊刻蝕，然后去除背結(jié)；步驟4：進(jìn)行背電極印刷，然后進(jìn)行正反極印刷；步驟5：進(jìn)行減反射膜制備，然后燒結(jié)，最后進(jìn)行測(cè)試分檔，實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低、電池板質(zhì)量較好的技術(shù)效果。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號(hào)】CN105514221
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610096043
【發(fā)明人】陳懷之, 王剛, 聶海濤, 張仁友, 胡國(guó)波
【申請(qǐng)人】成都振中電氣有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2016年2月22日