Oled顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置及其制作方法，通過將磁性材料層設(shè)置于封裝蓋板中，在發(fā)光層中添加具有三線態(tài)?三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料，使磁性材料層產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用于OLED器件的發(fā)光層，增強(qiáng)發(fā)光層中的三線態(tài)?三線態(tài)湮滅效應(yīng)從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率，提高OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
【專利說(shuō)明】
OLED顯示裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 0LED(0rganic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管）顯示器，也稱為有機(jī)電 致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗低、發(fā) 光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕 顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，已成為一種極具發(fā)展 前景的平板顯示技術(shù)，并得到了各大顯示器廠家的青睞，成為繼CRT(Cathode Ray Tube)顯 示器與液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)之后的第三代顯示器。
[0003] 然而，雖然OLED顯示器已經(jīng)成功商業(yè)化生產(chǎn)，其發(fā)光效率還有待進(jìn)一步提高，特別 是藍(lán)光OLED的效率。
[0004] 目前提高OLED效率的方法主要集中在兩個(gè)方面，一方面是從器件結(jié)構(gòu)著手，優(yōu)化 器件結(jié)構(gòu)，使其達(dá)到最優(yōu)的電學(xué)性質(zhì)，提高效率，同時(shí)還可以優(yōu)化光學(xué)效應(yīng)，使器件內(nèi)部光 子盡可能多的發(fā)射到外部；另一方面是從材料入手，開發(fā)高發(fā)光效率的材料，例如磷光材 料，它可以實(shí)現(xiàn)100 %的內(nèi)量子效率。然而，藍(lán)色磷光OLED的壽命很短，并不具有實(shí)用性。為 解決藍(lán)光OLED顯示器效率低壽命短的問題，人們開始采用具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅 (triplet-triplet annihilation，TTA)效應(yīng)的焚光材料用于藍(lán)光OLED，TTA可以使兩個(gè)三 線態(tài)湮滅形成一個(gè)單線態(tài)激子，從而提高器件的效率。理論上，采用具有TTA效應(yīng)的熒光材 料的OLED的內(nèi)量子效率可以達(dá)到40%~62.5%。
[0005] 另外，研究表明，適當(dāng)大小的磁場(chǎng)可以增加器件中TTA產(chǎn)生單線態(tài)激子的概率，并 且它并不會(huì)減弱磷光材料的發(fā)光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示裝置，能夠提高發(fā)光層的發(fā)光效率，提高 OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示裝置的制造方法，能夠提高發(fā)光層的發(fā)光 效率，提高OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0008] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的襯底基板與封 裝蓋板、設(shè)于所述襯底基板朝向所述封裝蓋板一側(cè)上的OLED器件、以及設(shè)于所述OLED器件 外圍用于密封連接所述襯底基板與封裝蓋板的封裝膠；
[0009] 所述OLED器件包括至少一發(fā)光層，所述OLED器件的至少一發(fā)光層包含具有三線 態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料；
[0010] 所述封裝蓋板包括蓋板及設(shè)于所述蓋板朝向OLED器件一側(cè)上的磁性材料層。
[0011] 所述磁性材料層包含鎳、鈷、鐵、錳、鉍、氧化亞鐵-氧化鐵復(fù)合物、一氧化鎳-氧化 鐵復(fù)合物、錳鉍合金、一氧化錳-氧化鐵復(fù)合物、及釹鐵硼合金中的至少一種；
[0012] 所述封裝蓋板還包括覆蓋于所述磁性材料層上的聚合物層。
[0013] 所述磁性材料層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述OLED器件在所述襯底基板 上的正投影；
[0014]所述磁性材料層產(chǎn)生的磁場(chǎng)在OLED器件處的大小為5~500mT。
[0015] 所述OLED器件包括在所述襯底基板上從下到上依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入 層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷生成層、第二空穴傳輸層、黃光發(fā) 光層、第二電子傳輸層、電子注入層、以及陰極;所述藍(lán)光發(fā)光層包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮 滅效應(yīng)的熒光材料。
[0016] 所述具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料為2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽，所 述2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽的結(jié)構(gòu)式為
[0017]本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：
[0018]步驟1、提供一襯底基板，在襯底基板上制作OLED器件，所述OLED器件包括至少一 發(fā)光層，所述OLED器件的至少一發(fā)光層包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料；
[0019 ]步驟2、提供一蓋板，在所述蓋板上制作磁性材料層，得到封裝蓋板；
[0020]步驟3、在封裝蓋板上對(duì)應(yīng)OLED器件的周圍涂布封裝膠，將所述襯底基板上設(shè)有 OLED器件的一側(cè)與封裝蓋板上設(shè)有磁性材料層的一側(cè)對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)封裝膠進(jìn)行固化后，得 到一OLED顯示裝置。
[0021 ]所述磁性材料層包含鎳、鈷、鐵、錳、鉍、氧化亞鐵-氧化鐵復(fù)合物、一氧化鎳-氧化 鐵復(fù)合物、錳鉍合金、一氧化錳-氧化鐵復(fù)合物、及釹鐵硼合金中的至少一種；
[0022]所述步驟2還包括:在所述磁性材料層上制作覆蓋所述磁性材料層的聚合物層。 [0023]所述步驟3得到的OLED顯示裝置中，所述磁性材料層在所述襯底基板上的正投影 覆蓋所述OLED器件在所述襯底基板上的正投影；
[0024]所述磁性材料層產(chǎn)生的磁場(chǎng)在OLED器件處的大小為5~500mT。
[0025]所述OLED器件包括在所述襯底基板上從下到上依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入 層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷生成層、第二空穴傳輸層、黃光發(fā) 光層、第二電子傳輸層、電子注入層、以及陰極;所述藍(lán)光發(fā)光層包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮 滅效應(yīng)的熒光材料。
[0026] 所述具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料為2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽，所 述2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽的結(jié)構(gòu)式為
[0027]本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED顯示裝置及其制作方法，通過將磁性 材料層設(shè)置于封裝蓋板中，在發(fā)光層中添加具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料，使磁 性材料層產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用于OLED器件的發(fā)光層，增強(qiáng)發(fā)光層中的三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng) 從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率，提高OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽 命。
[0028] 為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0029] 下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0030] 附圖中，
[0031] 圖1為本發(fā)明的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制備方法的流程圖；
[0033]圖3-4為本發(fā)明的OLED顯示裝置的制備方法的步驟2的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0035]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置，包括襯底基板10、與襯底基板10相對(duì) 設(shè)置的封裝蓋板20、設(shè)于所述襯底基板10朝向所述封裝蓋板20-側(cè)上的OLED器件30、以及 設(shè)于所述OLED器件30外圍用于密封連接所述襯底基板10與封裝蓋板20的封裝膠40;
[0036] 所述OLED器件30包括至少一發(fā)光層，所述OLED器件30的至少一發(fā)光層包含具有三 線態(tài)-三線態(tài)湮滅（triplet-triplet annihilation，TTA)效應(yīng)的發(fā)光材料；
[0037]所述封裝蓋板20包括蓋板21及設(shè)于所述蓋板21朝向OLED器件30-側(cè)上的磁性材 料層22。
[0038]本發(fā)明利用適當(dāng)大小的磁場(chǎng)可以提高三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)產(chǎn)生單線態(tài)激子的 概率的特點(diǎn)，將磁性材料層22添加于封裝蓋板20中，在發(fā)光層中添加具有三線態(tài)-三線態(tài)湮 滅效應(yīng)的熒光材料，從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率，進(jìn)而提高OLED顯示裝置的顯示效果及使 用壽命。
[0039]具體的，所述磁性材料層22包含鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉍(Bi)、氧化亞 鐵-氧化鐵復(fù)合物(Fe〇-Fe2〇3)、一氧化鎳-氧化鐵復(fù)合物(Ni〇-Fe2〇3)、猛祕(mì)合金(MnBi)、一 氧化錳-氧化鐵復(fù)合物(MnO-Fe 2O3)、及釹鐵硼合金(NdFeB)中的至少一種。
[0040]具體的，所述磁性材料層22可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0041]優(yōu)選的，所述磁性材料層22在所述襯底基板10上的正投影覆蓋所述OLED器件30在 所述襯底基板10上的正投影，從而使所述磁性材料層22的磁場(chǎng)覆蓋所述OLED器件30,保證 所述OLED器件30的發(fā)光層不同區(qū)域的發(fā)光效率的均一性。
[0042]具體的，所述磁性材料層22產(chǎn)生的磁場(chǎng)在OLED器件30處的大小為5~500mT。
[0043]具體的，所述蓋板21為透明硬質(zhì)基板或者透明柔性基板，優(yōu)選為透明硬質(zhì)基板，所 述透明硬質(zhì)基板優(yōu)選為透明玻璃基板。可選的，所述蓋板21具有弱磁性。
[0044] 優(yōu)選的，所述封裝蓋板20還包括覆蓋于所述磁性材料層22上的聚合物層23,所述 聚合物層23可對(duì)磁性材料層22進(jìn)行保護(hù)，使其不受水氧腐蝕。
[0045] 優(yōu)選的，所述聚合物層23的材料為聚酰亞胺。
[0046] 優(yōu)選的，如圖1所示，所述OLED器件30包括在所述襯底基板10上從下到上依次層疊 設(shè)置的陽(yáng)極31、空穴注入層32、第一空穴傳輸層33、藍(lán)光發(fā)光層34、第一電子傳輸層35、電荷 生成層36、第二空穴傳輸層37、黃光發(fā)光層38、第二電子傳輸層39、電子注入層61、以及陰極 62;所述藍(lán)光發(fā)光層34包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料。
[0047] 優(yōu)選的，所述具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料為2-甲基-9,10-雙（萘-2- 基）蒽（2-Methyl_9，10_bis (naphthalen-2-yl)anthracene，MADN)，所述2_甲基_9，10-雙 (萘-2-基)蒽的結(jié)構(gòu)式）
[0048]具體的，所述藍(lán)光發(fā)光層34還包含TBPe(2,5，8,11-tetra-tert-butylperylene)， 所述TBPe的結(jié)構(gòu)式：
[0049] 優(yōu)選的，所述藍(lán)光發(fā)光層34包含95wt %的2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽以及5wt % 的TBPe。
[0050] 具體的，所述黃光發(fā)光層38包含4,4'_雙（N-咔唑聯(lián)苯（4,4'^以. carbazoIyl)_1，I'-biphenyl，CBP)與P0-01(Bis(4-phenyl_thieno[3，2_c]pyridinat〇-C2，N)(acetylacetonato)Iridium(III))〇
[0051 ] 所述4，4 ' -雙(N-咔唑)-1，Γ -聯(lián)苯的結(jié)構(gòu)式，
[0052] 所述P0-01的結(jié)構(gòu)式夕
[0053]優(yōu)選的，所述黃光發(fā)光層38中，所述4,4'_雙（N-咔唑聯(lián)苯的含量為 95wt%，所述Ρ0-01的含量為5wt%。
[0054]具體的，所述陽(yáng)極31包含透明導(dǎo)電金屬氧化物，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物優(yōu)選為 氧化銦錫（ITO)。
[0055] 具體的，所述空穴注入層32包含2，3，6，7，10，11-六氰基-I，4，5，8，9，12-六氮雜三 亞苯（Dipyrazino[2，3_f: 2 '，3 '-h]quinoxaline_2，3，6，7，10，I l-hexacarbonitrile， 以代1〇，所述2,3,6,7，10，11-六氰基-1，4,5,8,9，12-六氮雜三亞苯的結(jié)構(gòu)式為
[0056] 具體的，所述第一空穴傳輸層33包含I，1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(4， 4'-yclohexylidenebis[N，N_bis(p-tolyl )aniline]，TAPC)，所述I，1-雙[(二_4_甲苯基氨 基)苯基]環(huán)己烷的結(jié)構(gòu)式為
[0057]具體的，所述第一電子傳輸層35包含1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯（1， 3，5_tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl )benzene，TPBi)，所述1，3，5-三（1-苯基-IH-苯并 咪唑-2-基)苯的結(jié)構(gòu)式：
[0058]具體的，所述電荷生成層36包括兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層包含96wt %的1，3，5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑_2_基）苯（1，3，5-tris (N-phenylbenzimidazole-2-yl )benzene， TPBi)與 4wt%的鋰(Lithium，Li)，另一結(jié)構(gòu)層包含2,3,6,7，10，ll-六氰基-l，4,5,8,9，12-六氮雜三亞苯（Dipyrazino[2,3-f:2'，3'-h]quinoxaline-2,3,6,7，10，ll-hexacarbonitrile,HATCN)〇
[0059] 具體的，所述第二空穴傳輸層37包含I，1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(4， 4'-yclohexylidenebis[N，N_bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)〇
[0060] 具體的，所述第二電子傳輸層39包含I，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯（I， 3,5-tris(N-phenyIbenzimidazole-2-yI)benzene,TPBi)〇
[0061 ] 具體的，所述電子注入層61包含氟化鋰(Lithium Fluoride，LiF)。
[0062]具體的，所述陰極62包含銀(Ag)。
[0063]優(yōu)選的，所述陽(yáng)極31的厚度為75nm，所述空穴注入層32的厚度為25nm，所述第一空 穴傳輸層33的厚度為60nm，所述藍(lán)光發(fā)光層34的厚度為25nm，所述第一電子傳輸層35的厚 度為20nm，所述電荷生成層36的厚度為20nm，所述第二空穴傳輸層37的厚度為35nm，所述黃 光發(fā)光層38的厚度為25nm，所述第二電子傳輸層39的厚度為50nm，所述電子注入層61的厚 度為lnm，所述陰極62的厚度為200nm〇
[0064] 具體的，所述襯底基板10包括襯底11、設(shè)于所述襯底11上的薄膜晶體管陣列層12、 設(shè)于所述薄膜晶體管陣列層12上的彩色濾光片13、以及設(shè)于所述彩色濾光片13上的平坦層 14〇
[0065] 具體的，所述彩色濾光片13包括紅色濾光片、綠色濾光片、及藍(lán)色濾光片。
[0066] 具體的，所述襯底11為透明硬質(zhì)基板或者透明柔性基板，優(yōu)選為透明硬質(zhì)基板，所 述透明硬質(zhì)基板優(yōu)選為透明玻璃基板。
[0067]所述OLED器件30中，所述藍(lán)光發(fā)光層34發(fā)出的藍(lán)光與所述黃光發(fā)光層38發(fā)出的黃 光混合在一起形成白光，所述白光透過所述彩色濾光片13形成紅、綠、藍(lán)光，從而實(shí)現(xiàn)彩色 顯不O
[0068]具體的，所述封裝膠40包括UV膠、及熔融玻璃粉中的至少一種。
[0069]優(yōu)選的，所述UV膠含有環(huán)氧樹脂。
[0070]進(jìn)一步的，所述OLED顯示裝置還包括填充于所述襯底基板10與封裝蓋板20之間被 封裝膠40圍成的空間內(nèi)的干燥劑50，從而進(jìn)一步提高OLED器件30的封裝效果。
[0071] 上述OLED顯示裝置，通過將磁性材料層22添加于封裝蓋板20中，在發(fā)光層中添加 具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料，使磁性材料層22產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用于OLED器件30 的發(fā)光層，增強(qiáng)發(fā)光層中的三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)從而提高發(fā)光層的發(fā)光效率，提高OLED 顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0072] 請(qǐng)參閱圖2,同時(shí)參閱圖1及圖3-4,本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置的制造方法， 包括如下步驟：
[0073]步驟1、提供一襯底基板10,在襯底基板10上制作OLED器件30,所述OLED器件30包 括至少一發(fā)光層，所述OLED器件30的至少一發(fā)光層包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅(triplet-triplet annihilation ，TTA) 效應(yīng)的發(fā)光材料。
[0074]優(yōu)選的，如圖1所示，所述OLED器件30包括在所述襯底基板10上從下到上依次層疊 設(shè)置的陽(yáng)極31、空穴注入層32、第一空穴傳輸層33、藍(lán)光發(fā)光層34、第一電子傳輸層35、電荷 生成層36、第二空穴傳輸層37、黃光發(fā)光層38、第二電子傳輸層39、電子注入層61、以及陰極 62;所述藍(lán)光發(fā)光層34包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料。
[0075] 優(yōu)選的，所述具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料為2-甲基-9,10-雙（萘-2-基）蒽（2-Methyl_9，10_bis (naphthalen-2-yl)anthracene，MADN)，所述2_甲基_9，10-雙 (萘-2-基)蒽的結(jié)構(gòu)式：
[0076]具體的，所述藍(lán)光發(fā)光層34還包含TBPe(2,5，8,11-tetra-tert-butylperylene)， 所述TBPe的結(jié)構(gòu)式
[0077] 優(yōu)選的，所述藍(lán)光發(fā)光層34包含95wt %的2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽以及5wt % 的TBPe。
[0078] 具體的，所述黃光發(fā)光層38包含4,4'_雙（N-咔唑聯(lián)苯（4,4'^以.
' 〇 carbazoIyl)_1，I'-biphenyl，CBP)與P0-01(Bis(4-phenyl_thieno[3，2_c]pyridinat〇-C2，N)(acetylacetonato)Iridium(III))〇
[0079] 所述4，4 ' -雙(N-咔唑)-1，Γ -聯(lián)苯的結(jié)構(gòu)式
[0080] 所述P0-01的結(jié)構(gòu)式）
[0081 ]優(yōu)選的，所述黃光發(fā)光層38中，所述4,4'_雙（N-咔唑聯(lián)苯的含量為 95wt%，所述Ρ0-01的含量為5wt%。
[0082]具體的，所述陽(yáng)極31包含透明導(dǎo)電金屬氧化物，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物優(yōu)選為 氧化銦錫（ITO)。
[0083]具體的，所述空穴注入層32包含2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮雜三 亞苯（Dipyrazino[2，3_f: 2 '，3 '-h]quinoxaline_2，3，6，7，10，I l-hexacarbonitrile， 以代1〇，所述2,3,6,7，10，11-六氰基-1，4,5,8,9，12-六氮雜三亞苯的結(jié)構(gòu)式為
[0084]具體的，所述第一空穴傳輸層33包含I，1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(4， 4'-yclohexylidenebis[N，N_bis(p-tolyl )aniline]，TAPC)，所述I，1-雙[(二_4_甲苯基氨 基)苯基]環(huán)己烷的結(jié)構(gòu)式為. 咪唑-2-基)苯的結(jié)構(gòu)式為
[0085]具體的，所述第一電子傳輸層35包含1，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯（1， 3，5_tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl )benzene，TPBi)，所述1，3，5-三（1-苯基-IH-苯并
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[0086]具體的，所述電荷生成層36包括兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層包含96wt %的1，3，5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑_2_基）苯（1，3，5-tris (N-phenylbenzimidazole-2-yl )benzene， TPBi)與 4wt%的鋰(Lithium，Li)，另一結(jié)構(gòu)層包含2,3,6,7，10，ll-六氰基-l，4,5,8,9，12-六氮雜三亞苯（Dipyrazino[2,3-f:2'，3'-h]quinoxaline-2,3,6,7，10，ll-hexacarbonitrile,HATCN)〇
[0087] 具體的，所述第二空穴傳輸層37包含I，1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(4， 4'-yclohexylidenebis[N，N_bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)〇
[0088] 具體的，所述第二電子傳輸層39包含I，3,5_三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基)苯（I， 3,5-tris(N-phenyIbenzimidazole-2-yI)benzene,TPBi)〇
[0089] 具體的，所述電子注入層61包含氟化鋰(Lithium Fluoride，LiF)。
[0090] 具體的，所述陰極62包含銀(Ag)。
[0091]優(yōu)選的，所述陽(yáng)極31的厚度為75nm，所述空穴注入層32的厚度為25nm，所述第一空 穴傳輸層33的厚度為60nm，所述藍(lán)光發(fā)光層34的厚度為25nm，所述第一電子傳輸層35的厚 度為20nm，所述電荷生成層36的厚度為20nm，所述第二空穴傳輸層37的厚度為35nm，所述黃 光發(fā)光層38的厚度為25nm，所述第二電子傳輸層39的厚度為50nm，所述電子注入層61的厚 度為lnm，所述陰極62的厚度為200nm〇
[0092]具體的，所述OLED器件30中，所述陽(yáng)極31采用濺射的方法制備，所述空穴注入層 32、第一空穴傳輸層33、藍(lán)光發(fā)光層34、第一電子傳輸層35、電荷生成層36、第二空穴傳輸層 37、黃光發(fā)光層38、第二電子傳輸層39、電子注入層61、及陰極62均采用真空蒸鍍的方法制 備。
[0093]具體的，所述襯底基板10包括襯底11、設(shè)于所述襯底11上的薄膜晶體管陣列層12、 設(shè)于所述薄膜晶體管陣列層12上的彩色濾光片13、以及設(shè)于所述彩色濾光片13上的平坦層 14〇
[0094] 具體的，所述彩色濾光片13包括紅色濾光片、綠色濾光片、及藍(lán)色濾光片。
[0095] 具體的，所述襯底11為透明硬質(zhì)基板或者透明柔性基板，優(yōu)選為透明硬質(zhì)基板，所 述透明硬質(zhì)基板優(yōu)選為透明玻璃基板。
[0096]所述OLED器件30中，所述藍(lán)光發(fā)光層34發(fā)出的藍(lán)光與所述黃光發(fā)光層38發(fā)出的黃 光混合在一起形成白光，所述白光透過所述彩色濾光片13形成紅、綠、藍(lán)光，從而實(shí)現(xiàn)彩色 顯不O
[0097] 步驟2、如圖3-4所示，提供一蓋板21，在所述蓋板21上制作磁性材料層22,得到封 裝蓋板20。
[0098] 具體的，所述磁性材料層22可以采用濺射工藝或者電沉積工藝直接在蓋板21上制 備，也可以采用貼片的方式將磁性材料薄膜貼附于蓋板21上。
[0099]具體的，所述磁性材料層22包含鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉍(Bi)、氧化亞 鐵-氧化鐵復(fù)合物(Fe〇-Fe2〇3)、一氧化鎳-氧化鐵復(fù)合物(Ni〇-Fe2〇3)、猛祕(mì)合金(MnBi)、一 氧化錳-氧化鐵復(fù)合物(MnO-Fe 2O3)、及釹鐵硼合金(NdFeB)中的至少一種。
[0100]具體的，所述磁性材料層22可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0101]優(yōu)選的，所述磁性材料層22在所述襯底基板10上的正投影覆蓋所述OLED器件30在 所述襯底基板10上的正投影，從而使所述磁性材料層22的磁場(chǎng)覆蓋所述OLED器件30,保證 所述OLED器件30的發(fā)光層不同區(qū)域的發(fā)光效率的均一性。
[0102]具體的，所述磁性材料層22產(chǎn)生的磁場(chǎng)在OLED器件30處的大小為5~500mT。
[0103] 具體的，所述蓋板21為透明硬質(zhì)基板或者透明柔性基板，優(yōu)選為透明硬質(zhì)基板，所 述透明硬質(zhì)基板優(yōu)選為透明玻璃基板?？蛇x的，所述蓋板21具有弱磁性。
[0104] 優(yōu)選的，所述步驟2還包括:在所述磁性材料層22上制作覆蓋所述磁性材料層22的 聚合物層23,對(duì)磁性材料層22進(jìn)行保護(hù)，使其不受水氧腐蝕。
[0105] 優(yōu)選的，所述聚合物層23的材料為聚酰亞胺。
[0106]步驟3、在封裝蓋板20上對(duì)應(yīng)OLED器件30的周圍涂布封裝膠40，將所述襯底基板10 上設(shè)有OLED器件30的一側(cè)與封裝蓋板20上設(shè)有磁性材料層22的一側(cè)對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)封裝膠40 進(jìn)行固化后，得到一 OLED顯示裝置。
[0107]優(yōu)選的，所述步驟3還包括:在所述襯底基板10與封裝蓋板20對(duì)位貼合前，在所述 封裝蓋板20上對(duì)應(yīng)所述封裝膠40的內(nèi)側(cè)涂布干燥劑50，從而進(jìn)一步提高OLED器件30的封裝 效果。
[0108]具體的，所述封裝膠40包括UV膠、及熔融玻璃粉中的至少一種。
[0109]優(yōu)選的，所述UV膠含有環(huán)氧樹脂。
[0110] 當(dāng)所述封裝膠40為UV膠時(shí)，采用紫外照射的方法對(duì)封裝膠40進(jìn)行固化。
[0111] 當(dāng)所述封裝膠40為熔融玻璃粉時(shí)，采用激光照射的方法對(duì)封裝膠40進(jìn)行固化。
[0112] 上述OLED顯示裝置的制造方法，通過將磁性材料層22添加于封裝蓋板20中，在發(fā) 光層中添加具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料，使磁性材料層22產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用于 OLED器件30的發(fā)光層，增強(qiáng)發(fā)光層中的三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)從而提高發(fā)光層的發(fā)光效 率，提高OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0113]綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置及其制作方法，通過將磁性材料層設(shè)置 于封裝蓋板中，在發(fā)光層中添加具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料，使磁性材料層產(chǎn) 生的磁場(chǎng)作用于OLED器件的發(fā)光層，增強(qiáng)發(fā)光層中的三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)從而提高發(fā) 光層的發(fā)光效率，提高OLED顯示裝置的顯示效果，延長(zhǎng)OLED顯示裝置的使用壽命。
[0114]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的襯底基板（10)與封裝蓋板(20)、設(shè) 于所述襯底基板（10)朝向所述封裝蓋板(20)-側(cè)上的0LED器件(30)、以及設(shè)于所述0LED器 件(30)外圍用于密封連接所述襯底基板(10)與封裝蓋板(20)的封裝膠(40); 所述0LED器件(30)包括至少一發(fā)光層，所述0LED器件(30)的至少一發(fā)光層包含具有三 線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料； 所述封裝蓋板(20)包括蓋板(21)及設(shè)于所述蓋板(21)朝向0LED器件（30)-側(cè)上的磁 性材料層(22)。2. 如權(quán)利要求1所述的0LED顯示裝置，其特征在于，所述磁性材料層（22)包含鎳、鈷、 鐵、錳、鉍、氧化亞鐵-氧化鐵復(fù)合物、一氧化鎳-氧化鐵復(fù)合物、錳鉍合金、一氧化錳-氧化鐵 復(fù)合物、及釹鐵硼合金中的至少一種； 所述封裝蓋板(20)還包括覆蓋于所述磁性材料層(22)上的聚合物層(23)。3. 如權(quán)利要求1所述的0LED顯示裝置，其特征在于，所述磁性材料層(22)在所述襯底基 板(10)上的正投影覆蓋所述0LED器件(30)在所述襯底基板(10)上的正投影； 所述磁性材料層(22)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在0LED器件(30)處的大小為5~500mT。4. 如權(quán)利要求1所述的0LED顯示裝置，其特征在于，所述0LED器件（30)包括在所述襯底 基板（10)上從下到上依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極(31)、空穴注入層(32)、第一空穴傳輸層(33)、藍(lán) 光發(fā)光層(34)、第一電子傳輸層(35)、電荷生成層(36)、第二空穴傳輸層(37)、黃光發(fā)光層 (38)、第二電子傳輸層（39)、電子注入層(61)、以及陰極(62);所述藍(lán)光發(fā)光層(34)包含具 有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料。5. 如權(quán)利要求1所述的0LED顯示裝置，其特征在于，所述具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng) 的熒光材料為2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽的結(jié)構(gòu)式為6. -種0LED顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一襯底基板（10)，在襯底基板（1 〇)上制作0LED器件（30)，所述0LED器件 (30)包括至少一發(fā)光層，所述0LED器件(30)的至少一發(fā)光層包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅 效應(yīng)的熒光材料； 步驟2、提供一蓋板(21)，在所述蓋板(21)上制作磁性材料層(22)，得到封裝蓋板(20); 步驟3、在封裝蓋板(20)上對(duì)應(yīng)0LED器件(30)的周圍涂布封裝膠(40)，將所述襯底基板 (10)上設(shè)有0LED器件(30)的一側(cè)與封裝蓋板(20)上設(shè)有磁性材料層(22)的一側(cè)對(duì)應(yīng)貼合， 對(duì)封裝膠(40)進(jìn)行固化后，得到一 0LED顯示裝置。7. 如權(quán)利要求6所述的0LED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述磁性材料層(22)包 含鎳、鈷、鐵、錳、鉍、氧化亞鐵-氧化鐵復(fù)合物、一氧化鎳-氧化鐵復(fù)合物、錳鉍合金、一氧化 錳-氧化鐵復(fù)合物、及釹鐵硼合金中的至少一種； 所述步驟2還包括:在所述磁性材料層（22)上制作覆蓋所述磁性材料層（22)的聚合物 層(23)。8. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟3得到的OLED 顯示裝置中，所述磁性材料層(22)在所述襯底基板（10)上的正投影覆蓋所述0LED器件(30) 在所述襯底基板(10)上的正投影； 所述磁性材料層(22)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在OLED器件(30)處的大小為5~500mT。9. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述OLED器件(30)包括 在所述襯底基板（10)上從下到上依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極(31)、空穴注入層(32)、第一空穴傳 輸層(33)、藍(lán)光發(fā)光層(34)、第一電子傳輸層(35)、電荷生成層(36)、第二空穴傳輸層(37)、 黃光發(fā)光層(38)、第二電子傳輸層(39)、電子注入層(61)、以及陰極(62);所述藍(lán)光發(fā)光層 (34)包含具有三線態(tài)-三線態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料。10. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述具有三線態(tài)-三線 態(tài)湮滅效應(yīng)的熒光材料為2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9，10-雙(萘-2-基)蒽
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK106057860SQ201610643931
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月8日 公開號(hào)201610643931.2, CN 106057860 A, CN 106057860A, CN 201610643931, CN-A-106057860, CN106057860 A, CN106057860A, CN201610643931, CN201610643931.2
【發(fā)明人】彭其明, 劉亞偉
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司