封裝玻璃上的對位標(biāo)記及其制造方法、oled及其生產(chǎn)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及OLED封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種封裝玻璃上的對位標(biāo)記及其制造方法、OLED及其生產(chǎn)方法。其中，封裝玻璃上對位標(biāo)記的制造方法，包括以下步驟：S1、在封裝玻璃上鍍金屬鉬，并使得鉬層覆蓋封裝玻璃；S2、在鉬層上涂覆一層光刻膠；S3、對光刻膠層進(jìn)行選擇性曝光；S4、采用顯影液對光刻膠進(jìn)行顯影，得到過渡對位標(biāo)記；S5、采用蝕刻工藝對過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕；S6、剝離過渡對位標(biāo)記，得到對位標(biāo)記。采用金屬鉬代替金屬鈦，其中鉬是灰色的過渡金屬，不存在反光，從而便于后續(xù)對位安裝；此外，采用鉬元素制造得到的對位標(biāo)記，其厚度沒有特殊要求，從而便于后續(xù)的刻蝕并不易在封裝基板上產(chǎn)生殘留，避免殘留導(dǎo)致的暗點不良的情況的發(fā)生。
【專利說明】
封裝玻璃上的對位標(biāo)記及其制造方法、OLED及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及0LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝玻璃上的對位標(biāo)記及其制造方 法、0LED及其生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 0LED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物，與電力的正極相 連，再加上另一個金屬陰極，包成如三明治的結(jié)構(gòu)。整個結(jié)構(gòu)層中包括了 ：空穴傳輸層 (HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時，正極空穴與陰極電荷就 會在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色，構(gòu)成基本色彩。 0LED的特性是自己發(fā)光，不像TFT LCD需要背光，因此可視度和亮度均高。其次是電壓需求 低且省電效率高，加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡單，成本低等特點。
[0003] 0LED技術(shù)主要包括EV和EN兩大技術(shù)關(guān)鍵。其中，EV即進(jìn)行蒸鍍工藝，EN即封裝工 〇
[0004] 在封裝工藝過程中，為了將干燥劑置于蓋板及順利將蓋板與基板黏合，需在真空 環(huán)境或?qū)⑶惑w充入不活潑氣體下進(jìn)行，例如氮氣。值得注意的是，如何讓蓋板與基板這兩部 分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時間以達(dá)最佳量產(chǎn)速率，已儼然成 為封裝工藝及設(shè)備技術(shù)發(fā)展的三大主要目標(biāo)。
[0005] 當(dāng)前封裝工藝過程中，需要在封裝玻璃上做鈦元素的對位標(biāo)記。具體地，現(xiàn)在封裝 玻璃上鍍鈦，一般鈦層的厚度為l〇〇〇*l(T 1()m;然后采用干法刻蝕工藝僅留下對位標(biāo)記區(qū)域 的鈦，其他區(qū)域鈦需要被全部刻蝕掉。
[0006] 上述對位標(biāo)記存在的問題是:首先，對上述0LED產(chǎn)品進(jìn)行E/T(探索測試)檢測發(fā)現(xiàn) 有一種發(fā)生率很高的暗點不良，主要原因是封裝玻璃在做鈦元素的對位標(biāo)記時，采用干法 刻蝕在大面積刻蝕區(qū)域容易有鈦殘留，進(jìn)而產(chǎn)生暗點不良，導(dǎo)致良率不易提升，請參見圖1。 其中，采用自動光學(xué)檢測儀設(shè)備可以檢出來封裝玻璃上的殘留鈦，請參見圖2,圖2中體現(xiàn)了 殘留鈦的各種形狀。
[0007] 其次，鈦外觀似鋼，具有銀灰光譯，會有反光，從而影響高倍顯微鏡的對位;最后， 為了對位，鈦層的厚度需要設(shè)計較高，但是與此同時會導(dǎo)致刻蝕工藝難度提高。
[0008] 并且，當(dāng)前0LED產(chǎn)品存在很大的不良急需解決，比如線、點、混色等等，而點不良占 很大一部分，幾乎達(dá)30%以上。其中點不良很大一部分原因和上述對位標(biāo)記的生產(chǎn)有關(guān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] (一)要解決的技術(shù)問題
[0010] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就是提供一種封裝玻璃上的對位標(biāo)記制造方法和0LED 生產(chǎn)方法，其不僅可以減少封裝玻璃上存在的暗點不良的情況，而且還可以避免鈦元素自 身特點帶來的不易對位和刻蝕的問題。此外，還提供一種根據(jù)上述方法得到的裝玻璃上的 對位標(biāo)記以及0LED。
[0011] (二)技術(shù)方案
[0012] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種封裝玻璃上對位標(biāo)記的制造方法，包 括以下步驟：
[0013] S1、在封裝玻璃上鍍上一層金屬鉬，并使得鉬層覆蓋所述封裝玻璃；
[0014] S2、在所述鉬層上涂覆一層光刻膠；
[0015] S3、對所述光刻膠層進(jìn)行選擇性曝光；
[0016] S4、采用顯影液對光刻膠進(jìn)行顯影，得到過渡對位標(biāo)記；
[0017] S5、采用蝕刻工藝對所述過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕；
[0018] S6、剝離所述過渡對位標(biāo)記，得到對位標(biāo)記。
[0019] 優(yōu)選地，還包括S7、在S6中得到的所述對位標(biāo)記上覆蓋一層保護層。
[0020] 優(yōu)選地，還包括S7、在S6中得到的所述對位標(biāo)記，以及位于所述對位標(biāo)記之間的封 裝玻璃上覆蓋一層保護層。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述S5中，采用濕法刻蝕工藝對所述過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕。 [0022] 優(yōu)選地，所述S2中，所述光刻膠為正性膠;所述S3中，對位于所述過渡對位標(biāo)記之 間的光刻膠進(jìn)行曝光。
[0023]優(yōu)選地，所述S3中，采用掩膜對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光。
[0024]優(yōu)選地，所述S1中，所述鉬層的厚度為500Xl(T1Qm。
[0025]優(yōu)選地，所述保護層為Si02保護層。
[0026]優(yōu)選地，所述Si02保護層的厚度為500X
[0027] 本發(fā)明還提供一種封裝玻璃上的對位標(biāo)記，所述對位標(biāo)記通過上述方法得到。 [0028]本發(fā)明還提供一種0LED生產(chǎn)方法，包括：
[0029] S1、采用上述的方法在封裝玻璃上設(shè)定位置制造出對位標(biāo)記；
[0030] S2、在安裝玻璃上安裝LED驅(qū)動集成電路和發(fā)光層；
[0031] S3、在所述LED驅(qū)動集成電路和所述發(fā)光層上設(shè)置RGB顏色通道；
[0032] S4、對所述封裝玻璃和所述安裝玻璃進(jìn)行對位；
[0033] S5、在所述對位標(biāo)記與所述封裝玻璃，以及所述對位標(biāo)記與所述安裝玻璃之間均 注入封框膠。
[0034] 本發(fā)明還提供一種0LED，通過上述0LED生產(chǎn)方法生產(chǎn)得到。
[0035](三)有益效果
[0036] 本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：本發(fā)明的一種封裝玻璃上對位標(biāo)記的制造方 法，采用金屬鉬代替金屬鈦，其中鉬是灰色的過渡金屬，不存在反光，從而便于后續(xù)對位安 裝;此外，采用鉬元素制造得到的對位標(biāo)記，其厚度沒有特殊要求，從而便于后續(xù)的刻蝕并 不易在封裝基板上產(chǎn)生殘留，避免殘留導(dǎo)致的暗點不良的情況的發(fā)生。
【附圖說明】
[0037] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中殘留鈦導(dǎo)致暗點不良發(fā)生的機理示意圖；
[0039] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中殘留欽的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0040] 圖3是本申請的封裝玻璃上對位標(biāo)記的制造方法的流程示意圖；
[0041] 圖4是本申請的封裝玻璃上透光率測試取樣點的分布示意圖；
[0042] 圖5是本申請的沒有Si02保護層白玻璃和鍍有Si02保護層的封裝玻璃的對比參照 示意圖；
[0043]圖中：1、封裝玻璃;2、安裝玻璃;3、LED驅(qū)動集成電路和發(fā)光層;4、RGB顏色通道;5、 殘留鈦;6、對位標(biāo)記;7、鉬層;8、蝕刻液;9、Si02保護層。
【具體實施方式】
[0044] 下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于 說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。
[0045] 在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語"中心"、"縱向"、"橫向"、"上"、"下"、 "前"、"后"、"左"、"右"、"豎直"、"水平"、"頂"、"底"、"內(nèi)"、"外"等指示的方位或位置關(guān)系為 基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗 示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對 本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗 示相對重要性。
[0046] 在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語"相連"、"連 接"應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機 械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對于本領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0047]本實施例的封裝玻璃1上對位標(biāo)記6的制造方法，包括以下步驟：
[0048] S1、在封裝玻璃1上鍍上一層金屬鉬，并使得鉬層7覆蓋所述封裝玻璃1;
[0049] S2、在所述鉬層7上涂覆一層光刻膠；
[0050] S3、對所述光刻膠層進(jìn)行選擇性曝光；
[0051] S4、采用顯影液對光刻膠進(jìn)行顯影，得到過渡對位標(biāo)記；
[0052] S5、采用蝕刻工藝對所述過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕；
[0053] S6、剝離所述過渡對位標(biāo)記，得到對位標(biāo)記6。
[0054]本實施例的封裝玻璃1上對位標(biāo)記6的制造方法，采用金屬鉬代替金屬鈦，其中鉬 是灰色的過渡金屬，不存在反光，從而便于后續(xù)對位安裝;此外，采用鉬元素制造得到的對 位標(biāo)記6,其厚度沒有特殊要求，從而便于后續(xù)的刻蝕并不易在封裝基板上產(chǎn)生殘留，避免 殘留導(dǎo)致的暗點不良的情況的發(fā)生。
[0055] 其中通過S6得到的對位標(biāo)記6已經(jīng)具有指導(dǎo)對位的作用。具體對位過程中，一般需 要采用高位顯微鏡進(jìn)行對位，從而保證對位的準(zhǔn)確性。并且，為了保證對位標(biāo)記6的對位指 導(dǎo)作用，鉬層7的高度一般維持在500 X 左右。和傳統(tǒng)技術(shù)中1000 X 的鈦層相比， 顯然采用鉬元素制造得到對位標(biāo)記6更加容易些。具體地，S5中蝕刻的鉬層7相對傳統(tǒng)鈦層 厚度降低，從而更容易將位于對位標(biāo)記6之間的鉬層7蝕刻掉。
[0056] 此外，封裝玻璃1上對位標(biāo)記6的制造過程中，對位標(biāo)記6生成位置是確定的。但是 生產(chǎn)過程中，對位標(biāo)記6又沒法一次生成。因此，需要借助過渡對位標(biāo)記輔助對位標(biāo)記6的制 造。其中，對位過渡標(biāo)記的位置顯然和最終生成的對位標(biāo)記6的位置是對應(yīng)的。并且，在過渡 對位標(biāo)記輔助價值完成之后，則需要去掉該輔助過渡對位標(biāo)記。
[0057]本實施例中，顯影掉對位標(biāo)記6之外的光刻膠后，得到和對位標(biāo)記6相對應(yīng)的光刻 膠形成過渡對位標(biāo)記。
[0058] 在此基礎(chǔ)上，為了保護對位標(biāo)記6，防止對位過程中對位標(biāo)記6被破壞，優(yōu)選在對位 標(biāo)記6上再加上一層保護層。
[0059]本實施例中，保護層優(yōu)選但是不必須為Si02保護層9。得到的封裝玻璃1上對位標(biāo) 記6的制造方法請參見圖3。
[0060] 其中，可以將Si02保護層9僅僅覆蓋在對位標(biāo)記6上，但是，該種情況受到工藝限制 不容易實現(xiàn)。有鑒于此，本實施例中也可以將Si02保護層9覆蓋在對位標(biāo)記6以及位于所述 對位標(biāo)記6之間的封裝玻璃1上，請進(jìn)一步參見圖3。
[0061] Si02保護層9的厚度優(yōu)選但是不必須為SOOXlO^nuSiO〗保護層9的厚度可以使得 對位標(biāo)記6的高度得到延伸，從而進(jìn)一步保證對位準(zhǔn)確。
[0062] 為了證明Si02保護層9不會對光透光率產(chǎn)生負(fù)面影響，本實施例對沒有設(shè)置Si02 保護層9的封裝玻璃1，以及設(shè)置有Si02保護層9的封裝玻璃1的透過率分別進(jìn)行測量。
[0063] 請參見圖4,該圖中顯示了玻璃上取樣點的分布。對沒有設(shè)置Si02保護層9的白玻 璃，以及設(shè)置有Si02保護層9的封裝玻璃1的透過率進(jìn)行分析，得到對照結(jié)果如圖5所示。圖5 中，左邊的曲線圖表示的是沒有設(shè)置Si02保護層9的白玻璃對不同波長的光的透射率，右邊 的表示的是設(shè)置有Si02保護層9的封裝玻璃1對不同波長的光的透射率。且圖5中，橫坐標(biāo)代 表光波長，縱坐標(biāo)代表光透射率。此外，圖5中曲線編號和圖4中取樣點的編號對應(yīng)。
[0064] 從圖5中可知，鍍Si02保護層9的封裝玻璃1的透射率高于沒有Si02保護層9的白玻 璃，因此可知設(shè)置Si02保護層9不僅可以提高對位精度，而且還可以稍微提升封裝玻璃1的 透射率。
[0065] 在此基礎(chǔ)上，對設(shè)置有鉬層7和Si02保護層9的封裝玻璃1做檢測，具體檢測標(biāo)準(zhǔn)為 信賴性檢測，得到評價結(jié)果請參見表1:
[0067]表 1
[0068] 上述表1中，test item指代的是測試項目；condition指的是條件，包括test也即 測試環(huán)境，和process即工藝條件；issue指的是問題。測試項目包括了31'、1^3、冊3、1'批。其 中，TST指的是高低溫循環(huán)試驗;LTS是低溫存儲試驗;HTS是高溫存儲試驗;THS是高溫高濕 存儲試驗。在上述每個試驗中投入樣品10片，測試240小時后，結(jié)果都是0K;所以，這種新的 OLED生產(chǎn)方法生產(chǎn)得到的OLED可以通過信賴性測試。
[0069] 通過該評價結(jié)果可知通過本實施例的封裝玻璃1上對位標(biāo)記6的制造方法制得的 對位標(biāo)記6符合要求。
[0070] 進(jìn)一步參見圖3,本實施例中優(yōu)選采用濕法刻蝕工藝對所述過渡對位標(biāo)記之間的 鉬進(jìn)行刻蝕，也即通過采用蝕刻液8刻蝕特定的鉬，進(jìn)一步保證刻蝕效果，避免在封裝玻璃1 上殘留鉬。
[0071] 需要說明的是，S2中，所述光刻膠可以采用正性膠或者是負(fù)性膠。由于正性膠在顯 影液中溶解度很高，且具有很好的對比度，因此本實施例中，優(yōu)選采用正性膠。在此基礎(chǔ)上， S3中，對位于所述過渡對位標(biāo)記之間的光刻膠進(jìn)行曝光。
[0072] 本實施例中最終要在設(shè)定位置生成對位標(biāo)記6,因此對位標(biāo)記6的位置首先是確定 的。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)對位標(biāo)記6的位置，對與對位標(biāo)記6對應(yīng)的光刻膠不進(jìn)行曝光，而對其 它位置的光刻膠進(jìn)行曝光。優(yōu)選但是不必須S3中，采用掩膜對光刻膠進(jìn)行選擇性曝光。
[0073] 本實施例還提供一種封裝玻璃1上的對位標(biāo)記6,通過上述提到的封裝玻璃1上對 位標(biāo)記6的制造方法制造得到。
[0074] 此外，本實施例還通一種0LED生產(chǎn)方法，包括：
[0075] S1、采用上述方法在封裝玻璃1上設(shè)定位置制造出對位標(biāo)記6;
[0076] S2、在安裝玻璃2上安裝LED驅(qū)動集成電路和發(fā)光層3;
[0077] S3、在所述LED驅(qū)動集成電路和所述發(fā)光層上設(shè)置RGB顏色通道4;
[0078] S4、對所述封裝玻璃1和所述安裝玻璃2進(jìn)行對位；
[0079] S5、在所述對位標(biāo)記6與所述封裝玻璃1，以及所述對位標(biāo)記6與所述安裝玻璃2之 間均注入封框膠。
[0080] 其中，安裝玻璃2指的是用于安裝LED驅(qū)動集成電路和發(fā)光層3的玻璃。
[00811在此基礎(chǔ)上，本實施例還提供一種根據(jù)上述0LED生產(chǎn)方法生產(chǎn)得到的0LED。顯然， 該0LED包括封裝玻璃1和安裝玻璃2，還包括位于封裝玻璃1上的對位標(biāo)記6。
[0082]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限制。盡管參照實施例對本發(fā) 明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、 修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要 求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項】
1. 一種封裝玻璃上對位標(biāo)記的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 51、 在封裝玻璃上鍍上一層金屬鉬，并使得鉬層覆蓋所述封裝玻璃； 52、 在所述鉬層上涂覆一層光刻膠； 53、 對所述光刻膠層進(jìn)行選擇性曝光； 54、 采用顯影液對光刻膠進(jìn)行顯影，得到過渡對位標(biāo)記； 55、 采用蝕刻工藝對所述過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕； 56、 剝離所述過渡對位標(biāo)記，得到對位標(biāo)記。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括S7、在S6中得到的所述對位標(biāo)記上 覆蓋一層保護層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括S7、在S6中得到的所述對位標(biāo)記，以 及位于所述對位標(biāo)記之間的封裝玻璃上覆蓋一層保護層。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，所述S5中，采用濕法刻蝕工藝 對所述過渡對位標(biāo)記之間的鉬進(jìn)行刻蝕。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，所述S2中，所述光刻膠為正性 膠;所述S3中，對位于所述過渡對位標(biāo)記之間的光刻膠進(jìn)行曝光。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，所述S3中，采用掩膜對光刻膠 進(jìn)行選擇性曝光。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，所述S1中，所述鉬層的厚度為 500X10_10m〇8. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述保護層為Si02保護層。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述Si02保護層的厚度為500 X ΚΓ%!。10. -種封裝玻璃上的對位標(biāo)記，其特征在于，所述對位標(biāo)記通過權(quán)利要求1至9任意一 項所述的方法得到。11. 一種OLED生產(chǎn)方法，其特征在于，包括： 51、 采用權(quán)利要求1至9任意一項所述的方法在封裝玻璃上設(shè)定位置制造出對位標(biāo)記； 52、 在安裝玻璃上安裝LED驅(qū)動集成電路和發(fā)光層； 53、 在所述LED驅(qū)動集成電路和所述發(fā)光層上設(shè)置RGB顏色通道； 54、 對所述封裝玻璃和所述安裝玻璃進(jìn)行對位； 55、 在所述對位標(biāo)記與所述封裝玻璃，以及所述對位標(biāo)記與所述安裝玻璃之間均注入 封框膠。12. -種OLED，其特征在于，通過權(quán)利要求11所述的方法生產(chǎn)得到。
【文檔編號】H01L51/56GK106025094SQ201610291110
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】陳飛, 王彥青
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司