半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含硅基板、保護(hù)層、焊墊、絕緣層、布線層、導(dǎo)電層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。硅基板具有鏤空區(qū)、階梯結(jié)構(gòu)、尖角結(jié)構(gòu)與相對的第一表面與第二表面。階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞鏤空區(qū)。階梯結(jié)構(gòu)具有朝向鏤空區(qū)且依續(xù)連接的第一斜面、第三表面與第二斜面。保護(hù)層位于硅基板的第一表面上。焊墊位于保護(hù)層中，且從鏤空區(qū)裸露。絕緣層位于階梯結(jié)構(gòu)的第一斜面、第三表面、第二斜面與第二表面上及尖角結(jié)構(gòu)上。布線層位于絕緣層上與焊墊上。導(dǎo)電層位于布線層上。阻隔層覆蓋階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于阻隔層的開口中的導(dǎo)電層上。本發(fā)明能提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率，且能提高材料選用的便利性。
【專利說明】
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包含晶片(chip)、焊墊、介電層(例如二氧化硅)、布線層 (Redistribut1n Layer ;RDL)、導(dǎo)電層、阻隔層與錫球。一般而言，在制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時，會先于尚未切割成晶片的硅基板(wafer)上覆蓋介電層，以保護(hù)硅基板上的電子元件(例如感光元件)。接著，可利用光微影與蝕刻制程將介電層中的焊墊上方的硅基板與介電層去除，使硅基板與介電層形成通孔(via)，而焊墊通過此通孔露出。
[0003]之后，可將絕緣層覆蓋于硅基板背對介電層的表面上與硅基板環(huán)繞通孔的表面上。待絕緣層形成后，可于絕緣層上與焊墊上依序形成布線層與導(dǎo)電層。待導(dǎo)電層形成后， 阻隔層可覆蓋于導(dǎo)電層上，并于阻隔層形成開口供錫球設(shè)置。
[0004]然而，由于娃基板環(huán)繞通孔的表面坡度陡，也就是通孔的深寬比(via aspect rat1)大，因此布線層與導(dǎo)電層易于硅基板緊鄰?fù)椎霓D(zhuǎn)折處發(fā)生斷裂，使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率難以提升。此外，為了降低通孔的深寬比，雖可使用較薄的硅基，但較厚的硅基板便無法使用，造成設(shè)計者的不便。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含硅基板、保護(hù)層、焊墊、絕緣層、布線層、導(dǎo)電層、阻隔層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。硅基板具有鏤空區(qū)、階梯結(jié)構(gòu)、尖角結(jié)構(gòu)與相對的第一表面與第二表面。階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞鏤空區(qū)。階梯結(jié)構(gòu)具有朝向鏤空區(qū)且依續(xù)連接的第一斜面、第三表面與第二斜面。保護(hù)層位于硅基板的第一表面上。焊墊位于保護(hù)層中，且從鏤空區(qū)裸露。絕緣層位于階梯結(jié)構(gòu)的第一斜面、第三表面、第二斜面與第二表面上及尖角結(jié)構(gòu)上。布線層位于絕緣層上與焊墊上。導(dǎo)電層位于布線層上。阻隔層覆蓋階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)，且阻隔層具有開口，使導(dǎo)電層裸露。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該開口中的導(dǎo)電層上。
[0007]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一實施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟:提供具有硅基板、焊墊與保護(hù)層的晶圓結(jié)構(gòu)，其中硅基板具有相對的第一表面與第二表面，保護(hù)層位于第一表面上，焊墊位于保護(hù)層中；蝕刻硅基板以形成切割道與對齊焊墊的穿孔，其中硅基板具有環(huán)繞穿孔的第一部分與第二部分，且第二部分位于切割道與穿孔之間；于硅基板的第一部分的第二表面上形成光阻層；蝕刻硅基板的第一部分與第二部分，使第一部分形成階梯結(jié)構(gòu)、第二部分形成尖角結(jié)構(gòu)、穿孔形成在被階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞的鏤空區(qū)，其中階梯結(jié)構(gòu)具有朝向鏤空區(qū)且依續(xù)連接的第一斜面、第三表面與第二斜面；以及去除光阻層。
[0009]在本發(fā)明上述實施方式中，當(dāng)硅基板形成切割道與對齊焊墊的穿孔后，光阻層形成于硅基板的第一部分的第二表面上。如此一來，在后續(xù)蝕刻硅基板的第一部分時，由于第一部分靠近硅基板第二表面的位置因受光阻層保護(hù)，因此被側(cè)向蝕刻后會形成階梯結(jié)構(gòu)。階梯結(jié)構(gòu)具有依續(xù)連接的第一斜面、第三表面與第二斜面，且硅基板第一表面與第三表面之間的距離小于第一表面與第二表面之間的距離，可有效降低鏤空區(qū)的深寬比(via aspect rat1)，可避免布線層與導(dǎo)電層于硅基板緊鄰鏤空區(qū)的轉(zhuǎn)折處發(fā)生斷裂，能提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法可使用較厚的硅基板制作，提高材料選用的便利性?！靖綀D說明】
[0010]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0011]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0012]圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
[0013]圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的硅基板形成切割道與穿孔后的剖面圖。
[0014]圖5繪示圖4的硅基板的第一部分與第二部分蝕刻后的剖面圖。
[0015]圖6繪示圖5的階梯結(jié)構(gòu)上的光阻層去除后的剖面圖。
[0016]圖7繪示圖6的鏤空區(qū)與切割道的俯視圖。
[0017]圖8繪示圖6的硅基板形成絕緣層、布線層與導(dǎo)電層后的剖面圖。
[0018]其中，附圖中符號的簡單說明如下:
[0019]200a、200b:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0020]202:透光元件
[0021]204:支撐層
[0022]206:彩色濾光片
[0023]210:娃基板
[0024]210a:硅基板
[0025]211:第一表面
[0026]213:第二表面
[0027]216a:第一斜面
[0028]216b:第三表面
[0029]216c:第二斜面
[0030]218:尖角結(jié)構(gòu)
[0031]218a:第二部分
[0032]219:階梯結(jié)構(gòu)
[0033]219a:第一部分
[0034]220:保護(hù)層
[0035]222:切割道
[0036]223:穿孔
[0037]224:鏤空區(qū)
[0038]230:焊墊
[0039]240:絕緣層
[0040]25〇:布線層
[0041]260:阻隔層
[0042]261:空穴
[0043]262:開口
[0044]270:導(dǎo)電層
[0045]280:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)[0〇46]302:光阻層
[0047]D1 ?D3:距離
[0048]L1、L2:線段
[0049]P:頂端
[0050]S1 ?S5:步驟。【具體實施方式】
[0051]以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。
[0052]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a的剖面圖。如圖所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a包含硅基板210、保護(hù)層220、焊墊230、絕緣層240、布線層250、導(dǎo)電層270、阻隔層260與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280。硅基板210具有鏤空區(qū)224、階梯結(jié)構(gòu)219、尖角結(jié)構(gòu)218與相對的第一表面211與第二表面213。階梯結(jié)構(gòu)219與尖角結(jié)構(gòu)218環(huán)繞鏤空區(qū)224。在本實施方式中，階梯結(jié)構(gòu)219的高度大于尖角結(jié)構(gòu)218的高度。尖角結(jié)構(gòu)218的頂端P可以為尖形、圓形或平坦形。
[0053]階梯結(jié)構(gòu)219具有依續(xù)連接的第一斜面216a、第三表面216b與第二斜面216c，且第一斜面216a、第三表面216b與第二斜面216c朝向鏤空區(qū)224。在本實施方式中，第一表面211、第二表面213與第三表面216b可以為水平面，但并不用以限制本發(fā)明。硅基板210 的第一表面211與第三表面216b之間的距離D1小于第一表面211與第二表面213之間的距離D2。也就是說，第三表面216b的高度低于第二表面213的高度。
[0054]此外，保護(hù)層220位于硅基板210的第一表面211上。焊墊230位于保護(hù)層220 中，且焊墊230從鏤空區(qū)224裸露。鏤空區(qū)224的口徑朝焊墊230的方向逐漸減小。絕緣層240位于階梯結(jié)構(gòu)219的第一斜面216a、第三表面216b、第二斜面216c與第二表面213 上及尖角結(jié)構(gòu)218上。布線層250位于絕緣層240上與焊墊230上。導(dǎo)電層270位于布線層250上。阻隔層260覆蓋階梯結(jié)構(gòu)219與尖角結(jié)構(gòu)218,且阻隔層260具有開口 262,使導(dǎo)電層270從開口 262裸露。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280位于阻隔層260的開口 262中的導(dǎo)電層270上。 在本實施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280是位于在階梯結(jié)構(gòu)219的第二表面213的導(dǎo)電層270上，可通過布線層250、導(dǎo)電層270電性連接焊墊230。
[0055]由于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a的硅基板210具有階梯結(jié)構(gòu)219,而階梯結(jié)構(gòu)219具有依續(xù)連接的第一斜面216a、第三表面216b與第二斜面216c，因此硅基板210的第一表面211與第三表面216b之間的距離D1會小于第一表面211與第二表面213之間的距離D2,可有效降低鏤空區(qū)224的深寬比(via aspect rat1)。舉例來說，距離D1可以為85 ym，距離D2可以為110 ym，尖角結(jié)構(gòu)218與階梯結(jié)構(gòu)219相隔的距離D3為50 ym，則鏤空區(qū)224的深寬比可從2.2(即110/50)降低至1.7(85/50即)。階梯結(jié)構(gòu)219可避免布線層250與導(dǎo)電層270于硅基板210緊鄰鏤空區(qū)224的轉(zhuǎn)折處發(fā)生斷裂，能提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a的良率。 此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a因具有階梯結(jié)構(gòu)219,因此可使用較厚的硅基板210制作， 提尚材料選用的便利性。
[0056]在本實施方式中，娃基板210可以為晶圓(wafer)經(jīng)切割(dicing)制程后所形成多個晶片中的一片，可用來制作影像感測元件、指紋辯識元件、微機(jī)電(MEMS)系統(tǒng)元件、運算處理元件等。保護(hù)層220與絕緣層240可以為硅的氧化物，例如二氧化硅。保護(hù)層220 可包含金屬間介電層(IMD)與鈍化層(passivat1n)。阻隔層260可以為包含環(huán)氧樹脂 (epoxy)的綠漆，可阻隔水氣與灰塵進(jìn)入半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a。布線層250的材質(zhì)可以包含鋁， 而導(dǎo)電層270的材質(zhì)可以包含鎳與金。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280可以為球柵陣列(BGA)的錫球或?qū)щ娡箟K。
[0057]此外，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a還可包含透光元件202、支撐層204與彩色濾光片206。其中，支撐層204位于透光元件202與保護(hù)層220之間，使透光元件202與保護(hù)層220間相隔一間距。彩色濾光片206設(shè)置于保護(hù)層220背對硅基板210的表面上。透光元件202可以為玻璃板，支撐層204的材質(zhì)可以包含環(huán)氧樹脂，但上述材料并不用以限制本發(fā)明。
[0058]應(yīng)了解到，在以上敘述中，已敘述過的元件連接關(guān)系與材料將不再重復(fù)贅述，合先敘明。
[0059]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200b的剖面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200b 包含硅基板210、保護(hù)層220、焊墊230、絕緣層240、布線層250、導(dǎo)電層270、阻隔層260與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280。與圖1實施方式不同的地方在于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200b還具有空穴261 (void)， 且空穴261位于阻隔層260、階梯結(jié)構(gòu)219、尖角結(jié)構(gòu)218與焊墊230之間。
[0060]在以下敘述中，將說明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a、200b的制造方法。
[0061]圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。在步驟S1 中，提供具有硅基板、焊墊與保護(hù)層的晶圓結(jié)構(gòu)，其中硅基板具有相對的第一表面與第二表面，保護(hù)層位于第一表面上，焊墊位于保護(hù)層中。接著在步驟S2中，蝕刻硅基板以形成切割道與對齊焊墊的穿孔，其中硅基板具有環(huán)繞穿孔的第一部分與第二部分，且第二部分位于切割道與穿孔之間。之后在步驟S3中，于硅基板的第一部分的第二表面上形成光阻層。接著在步驟S4中，蝕刻硅基板的第一部分與第二部分，使第一部分形成階梯結(jié)構(gòu)、第二部分形成尖角結(jié)構(gòu)、穿孔形成在被階梯結(jié)構(gòu)與尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞的鏤空區(qū)，其中階梯結(jié)構(gòu)具有朝向鏤空區(qū)且依續(xù)連接的第一斜面、第三表面與第二斜面。最后在步驟S5中，去除光阻層。
[0062]在以下敘述中，將敘述上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟，并以硅基板210a表示尚未經(jīng)切割制程的晶圓(waf er)。
[0063]圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的硅基板210a形成切割道222與穿孔223后的剖面圖。首先，提供具有硅基板210a、焊墊230與保護(hù)層220的晶圓結(jié)構(gòu)。硅基板210a具有相對的第一表面211與第二表面213,保護(hù)層220位于第一表面211上，焊墊230位于保護(hù)層220中。在本實施方式中，此晶圓結(jié)構(gòu)還具有透光元件202與位于透光元件202與保護(hù)層220之間的支撐層204。接著，可蝕刻硅基板210a以形成切割道222與對齊焊墊230 的穿孔223,使硅基板210a具有環(huán)繞穿孔223的第一部分219a與第二部分218a，且第二部分218a位于切割道222與穿孔223之間。
[0064]圖5繪不圖4的娃基板210a的第一部分219a與第二部分218a蝕刻后的剖面圖。 同時參閱圖4與圖5,待切割道222與穿孔223形成后，可形成光阻層302于硅基板210a的第一部分219a的第二表面213上。接著，可蝕刻娃基板210a的第一部分219a與第二部分 218a。由于硅基板210a的第一部分219a靠近第二表面213的位置會受光阻層302保護(hù)， 因此第一部分219a被側(cè)向蝕刻后會形成階梯結(jié)構(gòu)219。此外，第二部分218a會形成尖角結(jié)構(gòu)218。穿孔223形成被階梯結(jié)構(gòu)219與尖角結(jié)構(gòu)218環(huán)繞的鏤空區(qū)224。階梯結(jié)構(gòu)219 具有朝向鏤空區(qū)224且依續(xù)連接的第一斜面216a、第三表面216b與第二斜面216c。
[0065]圖6繪示圖5的階梯結(jié)構(gòu)219上的光阻層302去除后的剖面圖。同時參閱圖5與圖6,待階梯結(jié)構(gòu)219與尖角結(jié)構(gòu)218形成后，便可去除光阻層302。在圖6中，階梯結(jié)構(gòu) 219的高度大于尖角結(jié)構(gòu)218的高度。硅基板210a的第一表面211與第三表面216b之間的距離D1小于第一表面211與第二表面213之間的距離D2。也就是說，第三表面216b的高度低于第二表面213的高度，使鏤空區(qū)224的深寬比可從D2/D3降低至D1/D3。
[0066]圖7繪示圖6的鏤空區(qū)224與切割道222的俯視圖。同時參閱圖6與圖7,尖角結(jié)構(gòu)218位于鏤空區(qū)224右側(cè)，階梯結(jié)構(gòu)219位于鏤空區(qū)224左側(cè)。線段L1左側(cè)的硅基板 210a厚度為第一表面211與第二表面213之間的距離D2,線段L1右側(cè)的硅基板210a厚度為第一表面211與第三表面216b之間的距離D1。
[0067]圖8繪示圖6的硅基板210a形成絕緣層240、布線層250與導(dǎo)電層270后的剖面圖。同時參閱圖6與圖8,待去除光阻層302(見圖5)后，可于尖角結(jié)構(gòu)218、階梯結(jié)構(gòu)219 與保護(hù)層220上形成絕緣層240。接著圖案化絕緣層240,使焊墊230從鏤空區(qū)224裸露。 絕緣層240可采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n ;CVD)的方式形成，但并不以此為限。此外，圖案化制程可包含曝光、顯影與蝕刻等光微影技術(shù)。
[0068]待圖案化的絕緣層240形成后，便可于絕緣層240上與焊墊230上形成布線層 250。接著，可于布線層250上形成導(dǎo)電層270。由于布線層250的材質(zhì)為金屬(例如鋁)， 因此導(dǎo)電層270能以化鍍(chemical plating)的方式形成于布線層250上。導(dǎo)電層270 的材質(zhì)可為鎳與金，在制作導(dǎo)電層270時，可將布線層250浸泡于鎳槽中再浸泡于金槽中， 使布線層250上可形成具鎳與金的導(dǎo)電層270。
[0069]待導(dǎo)電層270形成后，可形成阻隔層260覆蓋階梯結(jié)構(gòu)219與尖角結(jié)構(gòu)218,并圖案化阻隔層260,使階梯結(jié)構(gòu)219的第二表面213上的阻隔層260具有開口 262。導(dǎo)電層 270從開口 262裸露。
[0070]同時參閱圖1與圖8,待阻隔層260的開口 262形成后，可設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280于開口 262中的導(dǎo)電層270上，使導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280通過布線層250與導(dǎo)電層270而電性連接焊墊 230。待設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)280后，便可沿切割道222 (即沿線段L2)切割阻隔層260、保護(hù)層220、 支撐層204與透光元件202,而得到圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200a或圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200b。
[0071]以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:一硅基板，具有一鏤空區(qū)、一階梯結(jié)構(gòu)、一尖角結(jié)構(gòu)與相對的一第一表面與一第二表 面，其中該階梯結(jié)構(gòu)與該尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞該鏤空區(qū)，該階梯結(jié)構(gòu)具有朝向該鏤空區(qū)且依續(xù)連 接的一第一斜面、一第三表面與一第二斜面；一保護(hù)層，位于該硅基板的該第一表面上；一焊墊，位于該保護(hù)層中，且從該鏤空區(qū)裸露；一絕緣層，位于該階梯結(jié)構(gòu)的該第一斜面、該第三表面、該第二斜面與該第二表面上及 該尖角結(jié)構(gòu)上；一布線層，位于該絕緣層上與該焊墊上；一導(dǎo)電層，位于該布線層上；一阻隔層，覆蓋該階梯結(jié)構(gòu)與該尖角結(jié)構(gòu)，且該阻隔層具有一開口，使該導(dǎo)電層裸露；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于該開口中的該導(dǎo)電層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還具有一空穴，且該空穴位于該阻 隔層、該階梯結(jié)構(gòu)、該尖角結(jié)構(gòu)與該焊墊之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鏤空區(qū)的口徑朝該焊墊的方向 逐漸減小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一表面與該第三表面之間的 距離小于該第一表面與該第二表面之間的距離。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該階梯結(jié)構(gòu)的高度大于該尖角結(jié) 構(gòu)的高度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該尖角結(jié)構(gòu)的頂端為尖形、圓形或 平坦形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于在該階梯結(jié)構(gòu)的 該第二表面的該導(dǎo)電層上。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該布線層的材質(zhì)包含鋁。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層的材質(zhì)包含鎳與金。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為錫球或?qū)щ娡箟K。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含:一透光元件；以及一支撐層，位于該透光元件與該保護(hù)層之間。12.—種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包含下列步驟:提供具有一硅基板、一焊墊與一保護(hù)層的一晶圓結(jié)構(gòu)，其中該硅基板具有相對的一第 一表面與一第二表面，該保護(hù)層位于該第一表面上，該焊墊位于該保護(hù)層中；蝕刻該硅基板以形成一切割道與對齊該焊墊的一穿孔，其中該硅基板具有環(huán)繞該穿孔 的一第一部分與一第二部分，且該第二部分位于該切割道與該穿孔之間；于該娃基板的該第一部分的該第二表面上形成一光阻層；蝕刻該娃基板的該第一部分與該第二部分，使該第一部分形成一階梯結(jié)構(gòu)、該第二部 分形成一尖角結(jié)構(gòu)、該穿孔形成在被該階梯結(jié)構(gòu)與該尖角結(jié)構(gòu)環(huán)繞的一鏤空區(qū)，其中該階梯結(jié)構(gòu)具有朝向該鏤空區(qū)且依續(xù)連接的一第一斜面、一第三表面與一第二斜面；以及 去除該光阻層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包含:于該尖角結(jié)構(gòu)、該階梯結(jié)構(gòu)與該保護(hù)層上形成一絕緣層；以及圖案化該絕緣層，使該焊墊從該鏤空區(qū)裸露。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包含:于該絕緣層上與該焊墊上形成一布線層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包含:于該布線層上形成一導(dǎo)電層。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包含:形成一阻隔層覆蓋該階梯結(jié)構(gòu)與該尖角結(jié)構(gòu)；以及圖案化該阻隔層，使該第二表面上的該阻隔層具有一開口，其中該導(dǎo)電層從該開口裸露。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包含:于該開口中的該導(dǎo)電層上設(shè)置一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該絕緣層以化學(xué)氣 相沉積的方式形成于該尖角結(jié)構(gòu)、該階梯結(jié)構(gòu)與該保護(hù)層上。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電層以化鍍的 方式形成于該布線層上。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該晶圓結(jié)構(gòu)具有一 透光元件與位于該透光元件與該保護(hù)層之間的一支撐層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包 含:沿該切割道切割該阻隔層、該保護(hù)層、該支撐層與該透光元件。
【文檔編號】H01L23/498GK105990305SQ201510098467
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月6日
【發(fā)明人】孫唯倫, 簡瑋銘, 李柏漢, 劉滄宇, 何彥仕
【申請人】精材科技股份有限公司