半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本實施方式的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面。絕緣部包圍半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周。加強部件配置在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周。第一保持部以及第二保持部從加強部件的上表面以及底面夾持加強部件。第一保持部以及第二保持部具有與加強部件的內(nèi)壁面對置的突出部。在將加強部件的與所述突出部對應(yīng)的部分的內(nèi)徑設(shè)為Φ1in、將加強部件的外徑設(shè)為Φ1out、將第一保持部或第二保持部的突出部的外徑設(shè)為Φ2、將絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足Φ1in－Φ2＜Φ3－Φ1out。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置
[0001]交叉串請的關(guān)聯(lián)引用
[0002]本申請基于并主張2014年9月16日提出的日本專利申請第2014-187951號的優(yōu)先權(quán)，通過參考而引用在先申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本申請涉及半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]壓接式半導(dǎo)體裝置為了對較大的電流進行開關(guān)而在內(nèi)部具有半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片對大電流進行開關(guān)，所以有時在破損時內(nèi)部的氣體伴隨著高熱而泄漏。在這種情況下，有時不僅半導(dǎo)體芯片破損，構(gòu)成壓接式半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片的周邊部件也同樣破損。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]實施方式提供能夠抑制半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體芯片的周邊部件破損的半導(dǎo)體裝置。
[0006]實施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，具備:
[0007]半導(dǎo)體芯片，包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面；
[0008]絕緣部，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周；
[0009]加強部件，配置在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與所述絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周；以及
[0010]第一保持部以及第二保持部，從所述加強部件的上表面以及底面夾持所述加強部件，
[0011]所述第一保持部以及所述第二保持部具有與所述加強部件的內(nèi)壁面對置的突出部，
[0012]在將所述加強部件的與所述突出部對置的部分的內(nèi)徑設(shè)為ΦΠη、將所述加強部件的外徑設(shè)為Φ lout、將所述第一保持部或所述第二保持部的所述突出部的外徑設(shè)為Φ2、將所述絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足如下的數(shù)學(xué)式1:
[0013]Φ Iin — Φ2 < Φ3 — Φ 1ut 數(shù)學(xué)式 I。
[0014]此外，實施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，具備:
[0015]半導(dǎo)體芯片，包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面；
[0016]絕緣部，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周；
[0017]絕緣保護部，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面，將所述第一端子面與所述第二端子面之間電絕緣；以及
[0018]加強部件，配置在所述絕緣保護部與所述絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周，
[0019]在將所述加強部件的與所述絕緣保護部對置的部分的內(nèi)徑設(shè)為ΦΠη、將所述加強部件的外徑設(shè)為Φ lout、將所述絕緣保護部的外徑設(shè)為Φ 12、并將所述絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足如下的數(shù)學(xué)式2:
[0020]Φ Iin — Φ 12 < Φ3 — Φ 1ut數(shù)學(xué)式 2。
[0021]根據(jù)實施方式的半導(dǎo)體裝置，能夠抑制半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體芯片的周邊部件破損。
【附圖說明】
[0022]圖1A、圖1B分別是對第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一例進行表示的剖視圖以及立體圖。
[0023]圖2A、圖2B、圖2C是對第一保持部71、加強部件80以及第二保持部72的構(gòu)成的一例進行表示的立體圖。
[0024]圖3是對第一保持部71以及第二保持部72、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60各自的直徑進行表示的概念圖。
[0025]圖4A、圖4B、圖4C、圖4D是對加強部件80進行了移動時的樣子進行表示的概念圖。
[0026]圖5A、圖5B分別是對第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200的構(gòu)成的一例進行表示的剖視圖以及立體圖。
[0027]圖6是對絕緣保護部90、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60各自的直徑進行表示的概念圖。
【具體實施方式】
[0028]現(xiàn)在參照附圖對實施方式進行說明。本發(fā)明并不限于實施方式。在實施方式中，為了方便，“上方向”或“下方向”是指電流方向。因此，術(shù)語“上方向”或“下方向”有時不同于基于重力加速度方向的上方向或下方向。
[0029]本實施方式的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面。絕緣部包圍半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周。
[0030]加強部件配置在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周。第一保持部以及第二保持部從加強部件的上表面以及底面夾持加強部件。第一保持部以及第二保持部具有與加強部件的內(nèi)壁面對置的突出部。在將加強部件的與所述突出部對應(yīng)的部分的內(nèi)徑設(shè)為ΦΠη、將加強部件的外徑設(shè)為Φ l0Ut、將第一保持部或第二保持部的突出部的外徑設(shè)為Φ2、將絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足以下的數(shù)學(xué)式I:
[0031]Φ Iin — Φ2 < Φ3 — Φ 1ut數(shù)學(xué)式 I
[0032](第一實施方式)
[0033]圖1A以及圖1B是對第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成的一例進行表示的剖視圖以及立體圖。半導(dǎo)體裝置100不特別限定，但例如是在變電設(shè)備或火車等中使用的壓接式半導(dǎo)體裝置，用于對大電流(例如，2000A以上)進行開關(guān)。
[0034]半導(dǎo)體裝置100具備:半導(dǎo)體芯片10、緩沖部21、22、電極部31、32、連接部41、42、密封部50、外側(cè)絕緣部60、第一保持部71、第二保持部72、加強部件80、以及絕緣保護部90 ο
[0035]半導(dǎo)體芯片10是對電流進行開關(guān)的元件，例如具備形成在硅基板上的晶體管(未圖示)。半導(dǎo)體芯片10的上表面以及背面形成端子對，從上表面?zhèn)认虮趁鎮(zhèn)攘鬟^電流或者從背面?zhèn)认蛏媳砻鎮(zhèn)攘鬟^電流。例如，半導(dǎo)體芯片10的上表面作為第一端子面，被施加高電壓。另一方面，半導(dǎo)體芯片10的背面作為第二端子面，被維持在接地電位。另外，關(guān)于半導(dǎo)體芯片10的柵極予以省略。此外，接地電位并不是指電路整體的基準(zhǔn)(OV)，而表示元件的基準(zhǔn)電位(柵極電位的基準(zhǔn))。
[0036]在半導(dǎo)體芯片10的上表面上設(shè)置有緩沖部21。半導(dǎo)體芯片10的背面上設(shè)置有緩沖部22。緩沖部21、22是為了緩和在對半導(dǎo)體裝置100的電極部31、32進行壓接時半導(dǎo)體芯片10從電極部31、32受到的熱應(yīng)力而設(shè)置的。為了將半導(dǎo)體芯片10與電極部31、32之間進行電連接，緩沖部21、22例如使用鉬等導(dǎo)電性金屬。
[0037]在緩沖部21上設(shè)置有電極部31。在緩沖部22之下設(shè)置有電極部32。電極部31隔著緩沖部21而與半導(dǎo)體芯片10的上表面(第一端子面)電連接。電極部32隔著緩沖部22而與半導(dǎo)體芯片10的背面(第二端子面)電連接。電極部31、32例如使用銅等導(dǎo)電性金屬。
[0038]在電極部31的周緣設(shè)置有連接部41。在電極部32的周緣設(shè)置有連接部42。連接部41設(shè)置在電極部31與密封部50或外側(cè)絕緣部60之間。連接部42設(shè)置在電極部32與外側(cè)絕緣部60之間。為了使電極部31、32的表面或背面露出到外部并且將由外側(cè)絕緣部60包圍的半導(dǎo)體芯片10等的內(nèi)部密閉，而設(shè)置連接部41、42。連接部41、42優(yōu)選的是機械強度高并且熔點高的導(dǎo)電性金屬。例如，連接部41使用銅。連接部42使用鐵以及鎳的
I=IO
[0039]在連接部41與連接部42之間，設(shè)置有作為絕緣部的外側(cè)絕緣部60。外側(cè)絕緣部60設(shè)置為包圍半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面的外周。
[0040]外側(cè)絕緣部60如圖1B所示那樣，具有圓筒形狀，例如使用陶瓷等絕緣材料。外側(cè)絕緣部60與連接部41、42—起將半導(dǎo)體芯片10等密閉。此外，外側(cè)絕緣部60是為了將連接部41與連接部42之間以及電極部31與電極部32之間絕緣而設(shè)置的。此外，外側(cè)絕緣部60是為了包圍半導(dǎo)體芯片10等的側(cè)面的外周而對半導(dǎo)體芯片10等的內(nèi)部零件進行保護而設(shè)置的。
[0041]加強部件80配置在覆蓋半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面的絕緣保護部90與外側(cè)絕緣部60的內(nèi)壁面65之間。加強部件80包圍半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面的外周。加強部件80抑制半導(dǎo)體芯片10破損時半導(dǎo)體芯片10的碎片與外側(cè)絕緣部60接觸而造成外側(cè)絕緣部60破損。即，加強部件80是為了保護外側(cè)絕緣部60而設(shè)置的。
[0042]加強部件80具有大致圓筒形，其上表面以及底面由第一保持部71以及第二保持部72夾持。加強部件80使用電絕緣材料形成。加強部件80使用例如玻璃纖維增強塑料、FRP(纖維強化塑料)、玻璃填料、PTFE(聚四氟乙烯)、陶瓷、硅氮化物、A1203(氧化鋁)、或氧化鋯中的任一種。另外，為了抑制外側(cè)絕緣部60的破損，加強部件80優(yōu)選使用強度(剛性)比外側(cè)絕緣部60高的材料。但是，加強部件80只要能夠吸收沖擊而抑制外側(cè)絕緣部60的破損即可，也可以使用強度(剛性)比外側(cè)絕緣部60低的材料。
[0043]第一保持部71以及第二保持部72從加強部件80的上表面以及底面夾持加強部件80。S卩，第一保持部71以及第二保持部72從上下方向(Dl方向)夾入加強部件80，而保持該加強部件80。加強部件80由第一保持部71以及第二保持部72夾持，但不是通過粘合劑、焊接等固定于第一保持部71以及第二保持部72。第一保持部以及第二保持部71、72例如使用硅橡膠等。
[0044]第一保持部71以及第二保持部72分別具有在加強部件80的內(nèi)壁側(cè)突出的突出部75、76。突出部75、76沿著加強部件80的內(nèi)周而形成。第一保持部71與加強部件80的上表面接觸，突出部75從加強部件80的上端朝向下方突出。由此，突出部75具有與加強部件80的上部內(nèi)壁面對置的對置面(圖2A的側(cè)面Fl)。第二保持部72與加強部件80的底面接觸，突出部76從加強部件80的下端朝向上方突出。由此，突出部76具有與加強部件80的下部內(nèi)壁面對置的對置面(圖2C的側(cè)面F2)。
[0045]突出部75、76在加強部件80的內(nèi)壁側(cè)突出，由此加強部件80某種程度地保持在外側(cè)絕緣部60的方向或突出部75、76的方向(D2方向)上。但是，加強部件80的內(nèi)壁面與突出部75、76并不是密接的，而是在加強部件80的內(nèi)壁面與突出部75、76之間存在間隙(間距)。此外，如上所述，加強部件80并不是與第一保持部以及第二保持部71、72粘合。因此，加強部件80能夠在第一保持部71與第二保持部72之間向D2方向稍微移動(偏移)。此時，加強部件80與外側(cè)絕緣部60的內(nèi)壁面65接觸之前，通過與突出部75或76接觸而停止。例如，當(dāng)加強部件80在圖1A的紙面上向左方向移動時，位于圖1A的紙面的右側(cè)的突出部75或76卡到加強部件80上。由此，加強部件80不進一步向左方向移動。另一方面，當(dāng)加強部件80在圖1A的紙面上向右方向移動時，位于圖1A的紙面的左側(cè)的突出部75或76卡到加強部件80上。由此，加強部件80不進一步向右方向移動。這樣，突出部75或76限制加強部件80向D2方向移動。關(guān)于加強部件80的D2方向的移動，在后面更詳細(xì)地說明。
[0046]絕緣保護部90設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面(外邊緣)以及緩沖部21、22的側(cè)面(外邊緣)。絕緣保護部90例如使用樹脂等的絕緣材料形成。絕緣保護部90保護半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面以及緩沖部21、22的側(cè)面。并且，絕緣保護部90抑制半導(dǎo)體芯片10的表面的端子面與背面的端子面之間的短路，抑制緩沖部21與緩沖部22之間的短路，并且抑制電極部31與電極部32之間的短路。
[0047]圖2A?圖2C分別是對第一保持部71、加強部件80以及第二保持部72的構(gòu)成的一例進行表示的立體圖。
[0048]如圖2A所示，第一保持部71具有圓環(huán)狀的形狀，并具有突出部75。S卩，第一保持部71如圖2A所示那樣形成為具有臺階ST1。該臺階STl (突出部75)嵌于加強部件80的上部，由此保持加強部件80。另外，臺階STl的側(cè)面Fl為與加強部件80的內(nèi)壁面對置的對置面。
[0049]如圖2C所示，第二保持部72具有圓環(huán)狀的形狀，并具有突出部76。S卩，第二保持部72如圖2C所示那樣形成為具有臺階ST2。該臺階ST2(突出部76)嵌于加強部件80的底部，由此保持加強部件80。另外，臺階ST2的側(cè)面F2為與加強部件80的內(nèi)壁面對置的對置面。
[0050]如圖2B所不，加強部件80形成為圓詢狀。加強部件80由弟一保持部71以及弟二保持部72從Dl方向夾持。此時，臺階STl (突出部75)以及臺階ST2 (突出部76)嵌于加強部件80，由此保持加強部件80。加強部件80、第一保持部71以及第二保持部72配置成與外側(cè)絕緣部60為大致同心圓。
[0051]圖3是對第一保持部71以及第二保持部72、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60各自的直徑進行表示的概念圖。另外，在圖3中，第一或第二保持部71、72與加強部件80之間的間隙、以及外側(cè)絕緣部60與加強部件80之間的間隙為了易于理解而夸張地進行圖示。
[0052]將加強部件80的內(nèi)徑設(shè)為Φ??η，并將加強部件80的外徑設(shè)為?lout。此外，將突出部75或76的外徑(臺階STl的側(cè)面Fl或臺階ST2的側(cè)面F2的徑)設(shè)為Φ2。并且，將外側(cè)絕緣部60的內(nèi)徑(內(nèi)側(cè)面65的徑)設(shè)為Φ3。在此情況下，第一保持部71、第二保持部72、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60形成為滿足數(shù)學(xué)式I。
[0053]Φ Iin — Φ2 < Φ3 — Φ 1ut 數(shù)學(xué)式 I
[0054]關(guān)于數(shù)學(xué)式I，參照圖4A?圖4D進行說明。圖4A?圖4D是對加強部件80進行了移動時的樣子進行表示的概念圖。
[0055]例如，如圖4A所示，在半導(dǎo)體芯片10的一部分局部破損的情況下，加強部件80由于破損DM而向箭頭A的方向移動。在此，加強部件80的與突出部75或76對置的部分的內(nèi)徑、與突出部75或76的外徑之差(Φ??η — Φ2)，比加強部件80的外徑與外側(cè)絕緣部60的內(nèi)徑之差(Φ3 — Olout)小。S卩，加強部件80與突出部75或76之間的間隙(例如，數(shù)10nm?0.5mm)，比加強部件80與外側(cè)絕緣部60之間的間隙(例如，數(shù)mm)小。因此，在加強部件80進行了移動時，加強部件80的外壁面不會與外側(cè)絕緣部60接觸，加強部件80的內(nèi)壁面與突出部75或76接觸。S卩，突出部75或76成為擋塊而限制加強部件80的移動。由此，能夠抑制加強部件80與外側(cè)絕緣部60接觸，并能夠抑制外側(cè)絕緣部60破損。作為其結(jié)果，能夠?qū)⑵茡pDM僅留在半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部。外側(cè)絕緣部60是設(shè)置在半導(dǎo)體裝置的最外側(cè)的部件，因此通過抑制外側(cè)絕緣部60的破損，半導(dǎo)體裝置的安全性提高。
[0056]另外，在加強部件80進行了移動時，加強部件80可以與突出部75、76這兩方接觸，但也可以與某一方接觸。即，既可以是突出部75、76的側(cè)面F1、F2這兩方的直徑滿足上述數(shù)學(xué)式1，也可以是某一方的直徑滿足上述數(shù)學(xué)式I。這是因為，即使加強部件80與突出部75、76的某一方接觸，也能夠限制加強部件80的移動。當(dāng)然，加強部件80也可以與突出部75、76的兩方接觸。由此，能夠可靠地限制加強部件80的移動。
[0057]外側(cè)絕緣部60以及加強部件80是圓筒形狀，第一保持部71以及第二保持部72是圓環(huán)狀。此外，外側(cè)絕緣部60、加強部件80、第一保持部71以及第二保持部72配置成大致同心圓狀。由此，如圖4A?圖4D所示，無論加強部件80向哪個方向移動，第一保持部71或第二保持部72都能夠限制加強部件80的移動，而抑制外側(cè)絕緣部60的破損。
[0058]這樣，根據(jù)本實施方式，通過將第一保持部71、加強部件80以及第二保持部72形成為滿足上述數(shù)學(xué)式1，從而在加強部件80的外壁面與外側(cè)絕緣部60接觸之前，加強部件80的內(nèi)壁面與突出部75或76接觸。這樣，突出部75、76限制加強部件80的移動，由此能夠抑制外側(cè)絕緣部60的破損，能夠使半導(dǎo)體裝置的安全性提高。
[0059]例如，即使是對壓接式半導(dǎo)體裝置等的大電流進行開關(guān)的這種半導(dǎo)體裝置，也能夠抑制外側(cè)絕緣部60的破損。由此，即使半導(dǎo)體芯片10由于龐大的能量而伴隨高熱熔解，也能夠抑制其熔解物向外側(cè)絕緣部60的外部泄漏。
[0060]只要是無論加強部件80向哪個方向移動都與突出部75、76接觸，則該突出部75、76也可以斷續(xù)地(一部分地、或者離散地)設(shè)置在第一保持部71以及第二保持部72的外周。這是因為，即使這樣，也能夠限制加強部件80的移動，能夠抑制外側(cè)絕緣部60的破損。
[0061](第二實施方式)
[0062]圖5A以及圖5B是對第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200的構(gòu)成的一例進行表示的剖視圖以及立體圖。在半導(dǎo)體裝置200中，與第一保持部71以及第二保持部72的突出部75、76相比，絕緣保護部90的外側(cè)面95更接近加強部件80。因此，在加強部件80進行了移動時，加強部件80的內(nèi)壁面與絕緣保護部90的外側(cè)面95接觸。這樣，在第二實施方式中，絕緣保護部90作為加強部件80的擋塊發(fā)揮功能，限制加強部件80的移動。第二實施方式的其他的構(gòu)成可以與第一實施方式的對應(yīng)的構(gòu)成相同。
[0063]圖6是對絕緣保護部90、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60各自的直徑進行表示的概念圖。在將絕緣保護部90的外徑(外壁面95的徑)設(shè)為Φ 12時，絕緣保護部90、加強部件80以及外側(cè)絕緣部60形成為滿足數(shù)學(xué)式2。
[0064]Φ Iin — Φ 12 < Φ3 — Φ 1ut 數(shù)學(xué)式 2
[0065]例如，如參照圖4A說明的那樣，當(dāng)半導(dǎo)體芯片10的一部分局部破損的情況下，加強部件80由于破損DM而向箭頭A的方向移動。在此，加強部件80的與外側(cè)面95對應(yīng)的部分的內(nèi)徑、與絕緣保護部90的外徑之差(Φ Iin — Φ 12)，比加強部件80的外徑與外側(cè)絕緣部60的內(nèi)徑之差(Φ3 — Φ lout)小。S卩，加強部件80與絕緣保護部90之間的間隙，比加強部件80與外側(cè)絕緣部60之間的間隙小。因此，在加強部件80進行了移動時，加強部件80的外壁面不與外側(cè)絕緣部60接觸，加強部件80的內(nèi)壁面與絕緣保護部90的外壁面95接觸。S卩，絕緣保護部90成為擋塊，卡到加強部件80上，限制加強部件80的移動。由此，能夠抑制加強部件80與外側(cè)絕緣部60接觸，能夠抑制外側(cè)絕緣部60破損。由此，第二實施方式能夠獲得與第一實施方式同樣的效果。
[0066]另外，絕緣保護部90設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10的外周整體。由此，無論加強部件80向哪個方向移動，絕緣保護部90都能夠限制加強部件80的移動，能夠抑制外側(cè)絕緣部60的破損。另一方面，只要是無論加強部件80向哪個方向移動都與絕緣保護部90接觸，則絕緣保護部90也可以斷續(xù)地(一部分地、或者離散地)設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10的外周。
[0067]在以上的實施方式中，外側(cè)絕緣部60、加強部件80、第一保持部71以及第二保持部72以及絕緣保護部90也可以不是圓形，而是橢圓或多邊形。
[0068]對本發(fā)明的幾個實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為例子提示的，意圖不在于限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種方式實施，能夠在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進行各種各樣的省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍及主旨，并且包含于專利請求的范圍所記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備: 半導(dǎo)體芯片，包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面； 絕緣部，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周； 加強部件，配置在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面與所述絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周；以及 第一保持部以及第二保持部，從所述加強部件的上表面以及底面夾持所述加強部件， 所述第一保持部以及所述第二保持部具有與所述加強部件的內(nèi)壁面對置的突出部， 在將所述加強部件的與所述突出部對置的部分的內(nèi)徑設(shè)為ΦΠη、將所述加強部件的外徑設(shè)為?lout、將所述第一保持部或所述第二保持部的所述突出部的外徑設(shè)為Φ2、將所述絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足如下的數(shù)學(xué)式1: Φ Iin — Φ2 < Φ3 — Φ 1ut 數(shù)學(xué)式 I。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述突出部的方向進行了移動時，所述加強部件的外壁面不與所述絕緣部接觸，所述加強部件的內(nèi)壁面與所述突出部接觸。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述突出部的方向進行了移動時，所述加強部件的移動受到所述突出部限制。4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述突出部的方向移動了時，所述加強部件的移動受到所述突出部限制。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形， 所述第一保持部以及所述第二保持部是環(huán)狀。6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形， 所述第一保持部以及所述第二保持部是環(huán)狀。7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形， 所述第一保持部以及所述第二保持部是環(huán)狀。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件使用電絕緣材料而形成。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件使用玻璃纖維增強塑料、纖維強化塑料、玻璃填料、聚四氟乙烯、陶瓷、硅氮化物、氧化鋁、或氧化鋯中的任一種而形成。10.一種半導(dǎo)體裝置，具備: 半導(dǎo)體芯片，包括第一端子面以及位于該第一端子面的相反側(cè)的第二端子面； 絕緣部，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周； 絕緣保護部，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面，將所述第一端子面與所述第二端子面之間電絕緣；以及 加強部件，配置在所述絕緣保護部與所述絕緣部的內(nèi)側(cè)面之間，包圍所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的外周， 在將所述加強部件的與所述絕緣保護部對置的部分的內(nèi)徑設(shè)為ΦΠη、將所述加強部件的外徑設(shè)為?lout、將所述絕緣保護部的外徑設(shè)為Φ12、并將所述絕緣部的內(nèi)徑設(shè)為Φ3的情況下，滿足如下的數(shù)學(xué)式2: Φ Iin — Φ 12 < Φ3 — Φ 1ut 數(shù)學(xué)式 2。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述絕緣保護部的方向進行了移動時，所述加強部件的外壁面不與所述絕緣部接觸，所述加強部件的內(nèi)壁面與所述絕緣保護部接觸。12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述絕緣保護部的方向進行了移動時，所述加強部件的移動受到所述絕緣保護部限制。13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置， 在使所述加強部件向所述絕緣部的方向或所述絕緣保護部的方向進行了移動時，所述加強部件的移動受到所述絕緣保護部限制。14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形。15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形。16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件是大致圓筒形。17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件使用電絕緣材料而形成。18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置， 所述加強部件使用玻璃纖維增強塑料、纖維強化塑料、玻璃填料、聚四氟乙烯、或陶瓷中的任一種而形成。
【文檔編號】H01L23/13GK105990256SQ201510072582
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月11日
【發(fā)明人】三宅英太郎, 北澤秀明
【申請人】株式會社東芝