有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法包括：在襯底基板上形成共用層；在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成紅光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴注入層的過(guò)程之中加載電場(chǎng)或磁場(chǎng)。本發(fā)明提供的技術(shù)方案在綠光器件與紅光器件的空穴注入層形成的過(guò)程之中，通過(guò)施加電場(chǎng)或者磁場(chǎng)改變空穴注入層的空穴注入特性，從而提高了綠光器件和紅光器件的性能，使得綠光器件和紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層中心，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命。另外，本發(fā)明提供的技術(shù)方案在給定的材料體系之下使得發(fā)光器件的性能達(dá)到最佳狀態(tài)，提高了材料的利用率，降低了成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode，0LED)具有自發(fā)光、低功耗、 可制作柔性、高對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)。由于紅光、綠光和藍(lán)光的波長(zhǎng)不同，導(dǎo)致現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā) 光器件的紅光器件、綠光器件和藍(lán)光器件對(duì)應(yīng)的光學(xué)膜厚不同，因此紅光器件、綠光器件和 藍(lán)光器件對(duì)應(yīng)的物理膜厚也不同，紅光器件的膜厚最大，藍(lán)光器件的膜厚最小?，F(xiàn)有技術(shù)可 以通過(guò)調(diào)整空穴注入層的厚度對(duì)膜厚進(jìn)行調(diào)整。有機(jī)電致發(fā)光器件的最佳膜厚由紅綠藍(lán)發(fā) 光材料決定，而且為了降低成本，現(xiàn)有的紅綠藍(lán)器件選用相同的空穴注入層材料。有機(jī)電致 發(fā)光器件的效率和壽命與激子復(fù)合中心的位置相關(guān)，現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件之中的綠光 器件與紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層偏向電子注入層的一側(cè)，降低了有機(jī)電致發(fā)光 器件的效率和壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，用于解決現(xiàn)有 的有機(jī)電致發(fā)光器件之中的綠光器件與紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層偏向電子的 一側(cè)，降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命的問(wèn)題。
[0004]為此，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括：
[0005] 在襯底基板上形成共用層；
[0006] 在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層 之上形成紅光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴注入層的過(guò) 程之中施加電場(chǎng)或磁場(chǎng)。
[0007] 可選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)方向平行于所述襯底基板。
[0008] 可選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括500V/m至1000V/m。
[0009] 可選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括600V/m至800V/m。
[00?0] 可選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度為700V/m。
[0011] 可選的，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向平行于所述襯底基板。
[0012] 可選的，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括500A/m至1000A/m。
[0013] 可選的，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括600A/m至800A/m。
[0014] 可選的，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度為700A/m。
[0015]可選的，所述共用層的厚度范圍包括40nm至80nm，所述綠光子空穴注入層的厚度 范圍包括20nm至50nm，所述紅光子空穴注入層的厚度范圍包括60nm至100nm 〇
[0016] 可選的，所述共用層的厚度為60nm，所述綠光子空穴注入層的厚度為35nm，所述紅 光子空穴注入層的厚度為80nm〇
[0017] 可選的，形成共用層的蒸鍍速率為lA/s，形成綠光子空穴注入層的蒸鍍速率為 0.5A/s，形成紅光子空穴注入層的蒸鍍速率為lA/s。
[0018] 本發(fā)明具有下述有益效果：
[0019] 本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法包括:在襯底基板上形成共用層;在 綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成紅 光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴注入層的過(guò)程之中加載 電場(chǎng)或磁場(chǎng)。本發(fā)明提供的技術(shù)方案在綠光器件與紅光器件的空穴注入層形成的過(guò)程之 中，通過(guò)施加電場(chǎng)或者磁場(chǎng)改變空穴注入層的空穴注入特性，從而提高了綠光器件和紅光 器件的性能，使得綠光器件和紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層中心，提高了有機(jī)電致 發(fā)光器件的效率和壽命。另外，本發(fā)明提供的技術(shù)方案沒(méi)有增加工序，而且能夠在給定的材 料體系之下使得紅光器件、綠光器件以及藍(lán)光器件的性能都達(dá)到最佳狀態(tài)，從而可以實(shí)現(xiàn) 使用相同的空穴注入層材料形成有機(jī)電致發(fā)光器件，提高了材料的利用率，降低了成本。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0021] 圖2為實(shí)施例一形成綠光子空穴注入層和紅光子空穴注入層的示意圖；
[0022] 圖3為實(shí)施例一提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提 供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024] 實(shí)施例一
[0025]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。如圖1 所示，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法包括：
[0026]步驟1001、在襯底基板上形成共用層。
[0027]圖2為實(shí)施例一形成綠光子空穴注入層和紅光子空穴注入層的示意圖。如圖2所 示，在襯底基板100上形成陽(yáng)極200,在所述陽(yáng)極200上形成緩沖層300,在所述緩沖層300上 形成共通層400。需要解釋的是，在實(shí)際工藝過(guò)程之中襯底基板確實(shí)是倒置的，圖2也是按照 實(shí)際工藝求出的，但是本實(shí)施例對(duì)工藝過(guò)程進(jìn)行描述時(shí)以基板正常放置的情況進(jìn)行描述。 對(duì)于藍(lán)光區(qū)域來(lái)說(shuō)，所述共通層400即為藍(lán)光空穴注入層，此時(shí)藍(lán)光器件的激子復(fù)合中心位 于發(fā)光層中心靠近空穴一側(cè)，器件具有最佳的效率和壽命。
[0028] 步驟1002、在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?應(yīng)的共用層之上形成紅光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴 注入層的過(guò)程之中施加電場(chǎng)或磁場(chǎng)。
[0029]本實(shí)施例中，施加磁場(chǎng)和電場(chǎng)具有相同的效果，因此下面的描述均以電場(chǎng)為例。施 加平行于襯底基板100的電場(chǎng)，可選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括500V/m至1000V/m。優(yōu) 選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度范圍包括600V/m至800V/m。更優(yōu)選的，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度為 700V/m。在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層400之上形成綠光子空穴注入層401，同時(shí)在紅光區(qū)域?qū)?應(yīng)的共用層400之上形成紅光子空穴注入層402。因此，本實(shí)施例提供的綠光空穴注入層由 綠光子空穴注入層401和共用層400構(gòu)成，紅光空穴注入層由紅光子空穴注入層402和共用 層400構(gòu)成。
[0030] 空穴注入層是由有機(jī)材料從蒸發(fā)源蒸鍍到共用層400形成的，這個(gè)過(guò)程可以看作 是分子厚度的超薄膜一層一層累積的結(jié)果。在這個(gè)過(guò)程之中，有機(jī)材料形態(tài)容易受到電場(chǎng) 或者磁場(chǎng)的影響，進(jìn)而改變空穴注入層的電學(xué)特性一一迀移率和能級(jí)等。這樣可以調(diào)節(jié)紅 光器件和綠光器件之中載流子(電子和空穴）的濃度和迀移率，從而改善有機(jī)發(fā)光器件的性 能，使得綠光器件和紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層中心，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件 的效率和壽命。另外，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案沒(méi)有增加工序，而且能夠在給定的材料體系 之下使得紅光器件、綠光器件以及藍(lán)光器件的性能都達(dá)到最佳狀態(tài)，從而可以實(shí)現(xiàn)使用相 同的空穴注入層材料形成有機(jī)電致發(fā)光器件，提高了材料的利用率，降低了成本。
[0031] 表 1
[0032]
[0033] 表1為有機(jī)發(fā)光器件的性能在電場(chǎng)作用前后的對(duì)比。如表1所示，在形成過(guò)程之中 沒(méi)有電場(chǎng)作用時(shí)，綠光器件的發(fā)光效率為80cd/A，發(fā)光壽命由100%變?yōu)?7%的時(shí)間為40h。 在形成過(guò)程之中有電場(chǎng)作用時(shí)，綠光器件的發(fā)光效率為87cd/A，發(fā)光壽命由100%變?yōu)?7% 的時(shí)間為56h。在形成過(guò)程之中沒(méi)有電場(chǎng)作用時(shí)，紅光器件的發(fā)光效率為27cd/A，發(fā)光壽命 由100 %變?yōu)?7 %的時(shí)間為102h。在形成過(guò)程之中有電場(chǎng)作用時(shí)，綠光器件的發(fā)光效率為 32cd/A，發(fā)光壽命由100%變?yōu)?7%的時(shí)間為150h?？梢钥闯?，施加電場(chǎng)之后綠光器件和紅 光器件的效率和壽命得到較大提升。
[0034] 本實(shí)施例中，形成共用層400的蒸鍍速率為lA/s，形成綠光子空穴注入層的蒸鍍速 率為0.5A/S，形成紅光子空穴注入層的蒸鍍速率為lA/s?？蛇x的，所述共用層的厚度范圍包 括40nm至80nm，所述綠光子空穴注入層的厚度范圍包括20nm至50nm，所述紅光子空穴注入 層的厚度范圍包括60nm至100nm。優(yōu)選的，所述共用層的厚度為60nm，所述綠光子空穴注入 層的厚度為35nm，所述紅光子空穴注入層的厚度為80nm〇
[0035] 圖3為實(shí)施例一提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖。如圖3所示，在空穴注入層上 形成空穴傳輸層500,在所述空穴傳輸層500上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層包括藍(lán)色發(fā)光層 601、綠色發(fā)光層602以及紅色發(fā)光層603,在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層700,在所述電子 傳輸層700上形成電子注入層800,所述電子注入層800上形成陰極900。本實(shí)施例提供的有 機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在所述陽(yáng)極與所述陰極之間的功能層。當(dāng)所述陽(yáng) 極與所述陰極之間施加電壓時(shí)，在外界電壓的驅(qū)動(dòng)下，由陽(yáng)極注入的空穴與由陰極注入的 電子進(jìn)入到所述功能層的復(fù)合區(qū)復(fù)合形成激子，所述激子輻射躍迀發(fā)射光子從而形成電致 發(fā)光。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案在綠光器件與紅光器件的空穴注入層形成的過(guò)程之中，通 過(guò)施加電場(chǎng)或者磁場(chǎng)改變空穴注入層的空穴注入特性，使得綠光器件和紅光器件的激子復(fù) 合中心位于發(fā)光層中心，而且藍(lán)光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層中心靠近空穴一側(cè)，從 而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命。
[0036]本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法包括:在襯底基板上形成共用層； 在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成 紅光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴注入層的過(guò)程之中加 載電場(chǎng)或磁場(chǎng)。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案在綠光器件與紅光器件的空穴注入層形成的過(guò)程 之中，通過(guò)施加電場(chǎng)或者磁場(chǎng)改變空穴注入層的空穴注入特性，從而提高了綠光器件和紅 光器件的性能，使得綠光器件和紅光器件的激子復(fù)合中心位于發(fā)光層中心，提高了有機(jī)電 致發(fā)光器件的效率和壽命。另外，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案沒(méi)有增加工序，而且能夠在給定 的材料體系之下使得紅光器件、綠光器件以及藍(lán)光器件的性能都達(dá)到最佳狀態(tài)，從而可以 實(shí)現(xiàn)使用相同的空穴注入層材料形成有機(jī)電致發(fā)光器件，提高了材料的利用率，降低了成 本。
[0037]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上形成共用層； 在綠光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上形成綠光子空穴注入層，在紅光區(qū)域?qū)?yīng)的共用層之上 形成紅光子空穴注入層，在形成所述綠光子空穴注入層和所述紅光子空穴注入層的過(guò)程之 中施加電場(chǎng)或磁場(chǎng)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電場(chǎng)的電場(chǎng) 方向平行于所述襯底基板。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電場(chǎng)的電場(chǎng) 強(qiáng)度范圍包括500V/m至I OOOV/m。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電場(chǎng)的電場(chǎng) 強(qiáng)度范圍包括600V/m至800V/m。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電場(chǎng)的電場(chǎng) 強(qiáng)度為700V/m。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng) 方向平行于所述襯底基板。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng) 強(qiáng)度范圍包括500A/m至1 ΟΟΟΑ/m。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng) 強(qiáng)度范圍包括600A/m至800A/m。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng) 強(qiáng)度為700A/m。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述共用層的 厚度范圍包括40nm至80nm，所述綠光子空穴注入層的厚度范圍包括20nm至50nm，所述紅光 子空穴注入層的厚度范圍包括60nm至I OOnm 〇11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述共用層的 厚度為60nm，所述綠光子空穴注入層的厚度為35nm，所述紅光子空穴注入層的厚度為80nm〇12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，形成共用層的 蒸鍍速率為lA/s，形成綠光子空穴注入層的蒸鍍速率為0.5A/s，形成紅光子空穴注入層的 蒸鍍速率為lA/s。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105932178SQ201610323709
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月16日
【發(fā)明人】高志揚(yáng), 邵賢杰, 呂京
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司