半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制不穩(wěn)定動(dòng)作、并且適合小型化的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置具有：輸入端子，其固定在封裝件；輸入預(yù)匹配基板，其設(shè)置在該封裝件之中；半導(dǎo)體元件，其設(shè)置在該封裝件之中，形成在與該輸入預(yù)匹配基板不同的基板；匹配電路，其具有形成在該輸入預(yù)匹配基板的電路元件、將該輸入端子與該電路元件連接的第1導(dǎo)線、以及將該電路元件與該半導(dǎo)體元件連接的第2導(dǎo)線；第1MIM電容器，其作為該電路元件的一部分而形成；以及第1穩(wěn)定化電路，其作為該電路元件的一部分而形成，對振蕩進(jìn)行抑制，該第1MIM電容器的下部電極通過設(shè)置在該輸入預(yù)匹配基板的通路孔與該封裝件連接。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種用于高頻放大等的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻(xiàn)I中，公開了一種與FET(場效應(yīng)晶體管)連接的輸入匹配電路。在該輸入匹配電路設(shè)置有構(gòu)成穩(wěn)定化電路的并聯(lián)電阻。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-103205號公報(bào)
[0004]為了對振蕩等不穩(wěn)定動(dòng)作進(jìn)行抑制，優(yōu)選在預(yù)匹配電路設(shè)置穩(wěn)定化電路。優(yōu)選提供一種能夠抑制不穩(wěn)定動(dòng)作、并且適合小型化的半導(dǎo)體裝置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明就是為了解決上述這樣的課題而提出的，其目的在于提供一種能夠抑制不穩(wěn)定動(dòng)作、并且適合小型化的半導(dǎo)體裝置。
[0006]本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有:輸入端子，其固定在該封裝件;輸入預(yù)匹配基板，其設(shè)置在該封裝件之中；半導(dǎo)體元件，其設(shè)置在該封裝件之中，形成在與該輸入預(yù)匹配基板不同的基板;匹配電路，其具有形成在該輸入預(yù)匹配基板的電路元件、將該輸入端子與該電路元件連接的第I導(dǎo)線、以及將該電路元件與該半導(dǎo)體元件連接的第2導(dǎo)線；第IMIM電容器，其作為該電路元件的一部分而形成；以及第I穩(wěn)定化電路，其作為該電路元件的一部分而形成，對振蕩進(jìn)行抑制，該第IMIM電容器的下部電極通過設(shè)置在該輸入預(yù)匹配基板的通路孔與該封裝件連接。
[0007]發(fā)明的效果
[0008]根據(jù)本發(fā)明，由于將穩(wěn)定化電路和連接于通路孔的分流電容形成在輸入預(yù)匹配基板，因此能夠提供一種能夠抑制不穩(wěn)定動(dòng)作、并且適合小型化的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0009]圖1是實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的整體圖。
[0010]圖2是圖1的A—A'線處的剖視圖。
[0011 ]圖3是表示封裝件的內(nèi)部的圖。
[0012]圖4是實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0013]圖5是實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0014]圖6是圖5的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0015]圖7是實(shí)施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0016]圖8是圖7的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0017]圖9是實(shí)施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0018]圖10是圖9的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0019]圖11是實(shí)施方式5涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0020]圖12是圖11的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0021 ]圖13是實(shí)施方式6涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0022]圖14是圖13的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0023]圖15是實(shí)施方式7涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0024]圖16是圖15的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0025]標(biāo)號的說明
[0026]1輸入端子，12封裝件，14輸出端子，20電路元件，30上部電極，32、34下部電極，C21第IMIM電容器，Rll第I電阻，Pl輸入預(yù)匹配基板，P2輸出預(yù)匹配基板，Tl半導(dǎo)體元件，Gl通路孔，1?21第2電阻，141連接電感器<31外部電容，151、152、153、154第1圖案
【具體實(shí)施方式】
[0027]參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。對相同或相應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，有時(shí)省略重復(fù)的說明。
[0028]實(shí)施方式1.
[0029]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的整體圖。該半導(dǎo)體裝置具有:輸入端子10、封裝件12以及輸出端子14。輸入端子10和輸出端子14固定在封裝件12。封裝件12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)從外部無法看到，但為了便于說明以虛線進(jìn)行了表示。在封裝件12之中設(shè)置有輸入預(yù)匹配基板P1。另外，在封裝件12之中設(shè)置有半導(dǎo)體元件Tl，該半導(dǎo)體元件Tl形成在與輸入預(yù)匹配基板Pl不同的基板。半導(dǎo)體元件Tl是由例如GaN等所形成的場效應(yīng)晶體管。
[0030]輸入端子10與輸入預(yù)匹配基板？1由第1導(dǎo)線胃11、￥12、￥13、胃14連接。輸入預(yù)匹配基板？1與半導(dǎo)體元件!'1由第2導(dǎo)線￥21、￥22、￥23、￥24連接。半導(dǎo)體元件1'1與輸出端子14由輸出導(dǎo)線 W31、W32、W33、W34 連接。
[0031]圖2是圖1的A—A'線處的剖視圖。封裝件12具有:金屬底座部分12a、側(cè)壁部分12b以及蓋部分12c。
[0032]圖3是表示封裝件12的內(nèi)部的圖。在輸入預(yù)匹配基板Pl形成有電路元件20。電路元件20、將輸入端子10與電路元件20(輸入預(yù)匹配基板？1)連接的第1導(dǎo)線胃11、￥12、胃13、￥14、以及將電路元件20與半導(dǎo)體元件11連接的第2導(dǎo)線￥21、￥22、￥23、￥24構(gòu)成了匹配電路。
[0033]電路元件20具有第lMIM(MetalInsulator Metal)電容器C21。第IMIM電容器C21具有上部電極30、下部電極32和它們之間的電介體。上部電極30與第I焊盤22連接。對下部電極32中的與上部電極30重疊的部分以虛線進(jìn)行了表示。下部電極32通過設(shè)置在輸入預(yù)匹配基板Pl的通路孔Gl與封裝件12連接。通路孔Gl例如通過在輸入預(yù)匹配基板Pl形成貫通孔，以金屬材料填埋該貫通孔而形成。有時(shí)也將這種通路孔稱為過孔。通路孔Gl也可以利用鍍敷形成。第IM頂電容器C21通過與通路孔Gl連接，從而成為構(gòu)成預(yù)匹配電路的分流電容。
[0034]在輸入預(yù)匹配基板Pl形成有第2MIM電容器Cll。第2MIM電容器Cl I具有上部電極30、下部電極34和它們之間的電介體。第IMIM電容器C21和第2MIM電容器Cll使用共通的上部電極30。第I電阻Rl I在左側(cè)連接于上部電極30，在右側(cè)連接于下部電極34，從而與第2MIM電容器Cll并聯(lián)連接。將第2M頂電容器Cll和第I電阻Rll稱為第I穩(wěn)定化電路。
[0035]下部電極34與焊盤24連接。第2導(dǎo)線￥21、￥22、￥23、￥24將焊盤24與半導(dǎo)體元件11的柵極連接。輸出導(dǎo)線131、132、133、134將半導(dǎo)體元件11的漏極與輸出端子14連接。
[0036]圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。電容C21'是電路元件20與封裝件12之間的寄生電容。
[0037]本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的第IM頂電容器C21通過通路孔Gl與封裝件12(接地)連接。因此，能夠在輸入預(yù)匹配基板Pl之上容易地形成分流電容(第IM頂電容器C21)。
[0038]第2M頂電容器Cll和第I電阻Rll構(gòu)成第I穩(wěn)定化電路。在半導(dǎo)體裝置內(nèi)傳輸?shù)男盘柕念l率越低，則通過第2MM電容器Cll的信號越少，通過第I電阻Rll的信號越是增加，因此損耗變大。即，整體的電路難以發(fā)生振蕩，變得穩(wěn)定。
[0039]通過將第IM頂電容器C21和第I穩(wěn)定化電路形成在同一基板，從而與形成在不同的基板的情況相比能夠?qū)雽?dǎo)體裝置小型化。另外，通過將第IMIM電容器C21和第I穩(wěn)定化電路形成在同一基板，從而能夠?qū)⒂傻贗M頂電容器C21和第I穩(wěn)定化電路形成的寄生電容C21'作為匹配電路的一部分而有效利用，因此能夠?qū)崿F(xiàn)匹配電路的寬頻帶化和小型化。
[0040]另外，需要與使用頻帶相配合地進(jìn)行第I穩(wěn)定化電路的常數(shù)的優(yōu)化。在本發(fā)明的實(shí)施方式I中，將第I穩(wěn)定化電路形成在與半導(dǎo)體元件Tl不同的基板即輸入預(yù)匹配基板P1。因此，每當(dāng)改變使用頻率時(shí)，能夠設(shè)置適合該使用頻率的第I穩(wěn)定化電路而不更換半導(dǎo)體元件Tl。即，能夠?qū)︻l帶不同的半導(dǎo)體裝置(放大器)使用相同的半導(dǎo)體元件Tl。
[0041 ]由于第IMIM電容器C21和第2MIM電容器Cl I具有MM構(gòu)造，因此能夠容易地得到所希望的電容值而不改變基板厚度等構(gòu)造。
[0042]本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置在不喪失其特征的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種各樣的變形。對于以下的實(shí)施方式也是同樣的。此外，對以下的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置主要以與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。
[0043]實(shí)施方式2.
[0044]圖5是實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。第I焊盤22是為了連接第I導(dǎo)線W11、W12、W13、W14而形成在輸入預(yù)匹配基板Pl的焊盤。與第I焊盤22連接有形成在輸入預(yù)匹配基板Pl的第2電阻R21。與第2電阻R21經(jīng)由連接電感器(導(dǎo)線)W41而連接有外部電容C31。
[0045]外部電容C31設(shè)置在封裝件12之中。外部電容C31的上部電極與連接電感器W41連接，下部電極與封裝件12連接。第2電阻R21、連接電感器W41以及外部電容C31構(gòu)成了第2穩(wěn)定化電路。第2穩(wěn)定化電路將第I焊盤22與封裝件12連接。
[0046]圖6是圖5的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。在具有第2MIM電容器Cll和第I電阻Rll的第I穩(wěn)定化電路的基礎(chǔ)上，還設(shè)置有具有第2電阻R21、連接電感器W41以及外部電容C31的第2穩(wěn)定化電路。
[0047]本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置具有第I穩(wěn)定化電路(CU和Rll)和第2穩(wěn)定化電路(1?21、胃41、031)。因此，通過以第1穩(wěn)定化電路的有效頻率不同于第2穩(wěn)定化電路的有效頻率的方式構(gòu)成，從而能夠得到在寬頻帶范圍穩(wěn)定的半導(dǎo)體裝置。
[0048]例如，將電路常數(shù)設(shè)定為由連接電感器W41和外部電容C31所形成的電路在低頻進(jìn)行共振。在共振頻率的附近，由外部電容C31和連接電感器W41形成的阻抗變小，僅第2電阻R21變得有效，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電路在低頻帶的穩(wěn)定化。
[0049]在希望使半導(dǎo)體裝置與圖5的結(jié)構(gòu)相比進(jìn)一步小型化的情況下，能夠?qū)⑼獠侩娙軨31形成在輸入預(yù)匹配基板Pl。
[0050]實(shí)施方式3.
[0051]圖7是實(shí)施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。在該半導(dǎo)體裝置設(shè)置有4個(gè)第IMIM電容器021、022、023、024。第1]\0]\1電容器021、022、023、024分別獨(dú)立地具有上部電極、電介體以及下部電極。
[0052]與這4個(gè)第謂]電容器021、022、023、024獨(dú)立地連接有第1穩(wěn)定化電路。即，存在4個(gè)第I穩(wěn)定化電路。具體地說，設(shè)置有:具有第I電阻Rl I和第2MM電容器C11的第I穩(wěn)定化電路、具有第I電阻R12和第2MM電容器C12的第I穩(wěn)定化電路、具有第I電阻R13和第2MM電容器C13的第I穩(wěn)定化電路、以及具有第I電阻R14和第2M頂電容器C14的第I穩(wěn)定化電路。
[0053]如上所述，實(shí)施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置相當(dāng)于將實(shí)施方式2的第IMIM電容器和第I穩(wěn)定化電路分割成了 4個(gè)。并且，4個(gè)第I穩(wěn)定化電路由第3電阻R31、R32、R33連接。具體地說，第2M頂電容器Cll的下部電極與第2M頂電容器C12的下部電極由第3電阻R31連接。另外，第2MM電容器C12的下部電極與第2MM電容器C13的下部電極由第3電阻R32連接。另外，第2M頂電容器C13的下部電極與第2M頂電容器C14的下部電極由第3電阻R33連接。
[0054]圖8是圖7的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。從圖7、8可知，針對半導(dǎo)體元件Tl的I個(gè)單元，分配有I個(gè)第IM頂電容器和I個(gè)第I穩(wěn)定化電路。
[0055]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置，信號在多個(gè)第IM頂電容器和多個(gè)第I穩(wěn)定化電路中進(jìn)行傳輸，對半導(dǎo)體元件Tl內(nèi)的各單元均等地分配信號。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體元件Tl的均一動(dòng)作。并且，由于在預(yù)匹配電路間設(shè)置了第3電阻R31、R32、R33，因此能夠?qū)τ捎趩卧g的不平衡而引起的不穩(wěn)定性進(jìn)行抑制。
[0056]由于第IMIM電容器的數(shù)量為多個(gè)即可，因此不限定于4個(gè)。由于第I穩(wěn)定化電路的數(shù)量也為多個(gè)即可，因此不限定于4個(gè)。第3電阻R31、R32、R33也可以省略。
[0057]實(shí)施方式4.
[0058]圖9是實(shí)施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。由于該半導(dǎo)體裝置與圖7所示的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的共通點(diǎn)多，因此以與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。
[0059]第I焊盤22設(shè)置有4個(gè)。4個(gè)第I焊盤22由第4電阻R41、R42、R43連接。4個(gè)第I焊盤22與4個(gè)第謂頂電容器021、022、023、024的各自的上部電極連接。
[0060]在輸入預(yù)匹配基板？1形成有多個(gè)第1圖案151、152、153、154。多個(gè)第1圖案￥51、冊2、胃53、胃54將第1焊盤22與第2電阻1?21連結(jié)。多個(gè)第1圖案￥51、￥52、￥53、￥54的長度均等。另外，第1圖案151、￥52、胃53、胃54在輸入預(yù)匹配基板?1之上的一處相結(jié)合。
[0061 ]圖10是圖9的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。第2穩(wěn)定化電路具有第I圖案W51、W52、W53、W54、第2電阻R21、連接電感器W41以及外部電容C31。
[0062]由于將第1圖案￥51、￥52、￥53、評54的電氣長度設(shè)得均等，因此從4個(gè)預(yù)匹配電路(第IM頂電容器)來看的第2穩(wěn)定化電路的阻抗變得均一。由此，能夠使半導(dǎo)體裝置均一動(dòng)作。另夕卜，由于第1圖案151、￥52、￥53、評54在輸入預(yù)匹配基板？1之上結(jié)合為1個(gè)，因此能夠?qū)⒀b配波動(dòng)的影響抑制得較小。即，連接電感器W41的長度雖然會(huì)與輸入預(yù)匹配基板Pl和外部電容?31的裝配波動(dòng)對應(yīng)地發(fā)生變動(dòng)，但第1圖案￥51、胃52、￥53、胃54不存在上述的變動(dòng)。
[0063]通過使第1圖案胃51、￥52、￥53、胃54的長度一定程度地變長，從而能夠使連接電感器W41的導(dǎo)線長度變短。因此，實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置為適合小型化的半導(dǎo)體裝置。
[0064]并且，通過設(shè)置了第4電阻1?41、1?42、1?43，從而能夠?qū)τ捎诎雽?dǎo)體元件1'1的單元間的不平衡而引起的不穩(wěn)定性進(jìn)行抑制。但是，在不需要的情況下，第4電阻R41、R42、R43也可以省略。
[0065]實(shí)施方式5
[0066]圖11是實(shí)施方式5涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。由于該半導(dǎo)體裝置與圖9所示的實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的共通點(diǎn)多，因此以與實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。
[0067]取代實(shí)施方式4的外部電容031而設(shè)置有外部電容041、042、043、044。外部電容〇41的上部電極與第I焊盤22連接，下部電極與第I圖案W51連接。同樣地，外部電容C42、C43、C44的上部電極與第I焊盤22連接，下部電極分別與第I圖案W52、W53、W54連接。
[0068]連接電感器W41為設(shè)置在輸入預(yù)匹配基板Pl的配線圖案。通過該連接電感器W41，第2電阻R21與通路孔Gl連接。
[0069]第2穩(wěn)定化電路具有:外部電容041、042、043、044、第1圖案151、152、153、154、第2電阻R21以及連接電感器W41。該第2穩(wěn)定化電路經(jīng)由通路孔Gl與封裝件12連接。此外，圖12是圖11的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0070]由于在輸入預(yù)匹配基板？1之上設(shè)置有第2穩(wěn)定化電路的外部電容041、042、043、C44，因此不需要將連接電感器向輸入預(yù)匹配基板Pl之外伸出并與位于輸入預(yù)匹配基板Pl之外的電容連接。因此，與實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置相比能夠削減部件數(shù)。另外，能夠減小由裝配波動(dòng)引起的特性波動(dòng)。
[0071]實(shí)施方式6
[0072]圖13是實(shí)施方式6涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。由于該半導(dǎo)體裝置與圖7所示的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的共通點(diǎn)多，因此以與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。
[0073]在封裝件之中設(shè)置有輸出預(yù)匹配基板P2。在輸出預(yù)匹配基板P2形成有第2焊盤40。并且，在輸出預(yù)匹配基板P2形成有輸出側(cè)電路元件。輸出側(cè)電路元件具有4個(gè)構(gòu)造。I個(gè)構(gòu)造具有:配線LI I，其一端與第2焊盤40連接；電阻R61，其位于配線LI I的中途；電容C51，其與配線Lll的另一端連接；以及輸出側(cè)通路孔G2，其與電容C51連接。電容C51為MM電容器，其具有:連接于配線Lll的上部電極、連接于輸出側(cè)通路孔G2的下部電極(斜線部分)、以及它們之間的電介體。輸出側(cè)通路孔G2是將電容C51與封裝件電連接的部分。
[0074]對輸出側(cè)電路元件的I個(gè)構(gòu)造進(jìn)行了說明，其他3個(gè)構(gòu)造也是與上述相同的構(gòu)造。其他3個(gè)構(gòu)造分別具有配線L12、L13、L14、電阻R62、R63、R64、電容C52、C53、C54以及輸出側(cè)通路孔。由此，輸出側(cè)電路元件通過形成在輸出預(yù)匹配基板P2的輸出側(cè)通路孔G2與封裝件12連接。
[0075]半導(dǎo)體元件1!的輸出(漏極)通過第3導(dǎo)線￥61、￥62、￥63、￥64與第2焊盤40連接。另夕卜，半導(dǎo)體元件1'1的漏極通過輸出導(dǎo)線131、132、133、134與輸出端子14連接。多個(gè)第2焊盤40間由電阻R51、R52、R53連接。在圖14中表示圖13的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。
[0076]第3導(dǎo)線161、162、163、164、配線1^11、1^12、1^13、1^14以及電容051、052、053、054的電路常數(shù)設(shè)定為在比所希望的頻帶(使用頻帶)低的頻帶進(jìn)行共振。在低頻帶，通過電阻R61、R62、R63、R64使損耗增大，半導(dǎo)體裝置變得穩(wěn)定。因此，能夠?qū)τ捎诼O側(cè)引起的不穩(wěn)定性進(jìn)行抑制。另外，由于第3導(dǎo)線W61、W62、W63、W64以及上述的輸出側(cè)電路元件在使用頻率作為分流的電感而發(fā)生效力，因此作為匹配電路的一部分而起作用。
[0077]實(shí)施方式7
[0078]圖15是實(shí)施方式7涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。由于該半導(dǎo)體裝置與圖7所示的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的共通點(diǎn)多，因此以與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。
[0079]在輸入預(yù)匹配基板？1形成有電容061、062、063、064。電容061、062、063、064的上部電極與焊盤42連接。焊盤42與半導(dǎo)體元件的輸入由導(dǎo)線胃71、￥72、￥73、胃74連接。電容061、C62、C63、C64的下部電極(斜線部分)與通路孔Gl連接。
[0080]圖16是圖15的半導(dǎo)體裝置的等價(jià)電路圖。電容061、062、063、064和導(dǎo)線171、￥72、W7 3、W74構(gòu)成了針對諧波的匹配電路即諧波電路。該諧波電路將半導(dǎo)體元件TI的輸入與通路孔Gl連接，作為針對諧波的匹配電路而起作用。從圖15可知，該諧波電路是針對半導(dǎo)體元件Tl的每個(gè)單元而形成的。
[0081 ] 通過將上述的諧波電路、第謂頂電容器021、022、023、024以及第1、第2穩(wěn)定化電路一體地形成在輸入預(yù)匹配基板P1，從而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化。另外，由于匹配電路與諧波電路實(shí)現(xiàn)了一體化，因此成為了難以受到由裝配波動(dòng)產(chǎn)生的影響的構(gòu)造。
[0082]通過將諧波電路與匹配電路(電路元件20等)在俯視觀察時(shí)交替地進(jìn)行配置，從而使各晶體管單元間的隔離增強(qiáng)。由此，預(yù)計(jì)會(huì)穩(wěn)定動(dòng)作。此外，也可以將至此為止進(jìn)行了說明的各實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的特征適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行組合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有: 封裝件； 輸入端子，其固定在所述封裝件； 輸入預(yù)匹配基板，其設(shè)置在所述封裝件之中； 半導(dǎo)體元件，其設(shè)置在所述封裝件之中，形成在與所述輸入預(yù)匹配基板不同的基板； 匹配電路，其具有形成在所述輸入預(yù)匹配基板的電路元件、將所述輸入端子與所述電路元件連接的第I導(dǎo)線、以及將所述電路元件與所述半導(dǎo)體元件連接的第2導(dǎo)線； 第IM頂電容器，其作為所述電路元件的一部分而形成；以及 第I穩(wěn)定化電路，其作為所述電路元件的一部分而形成，對振蕩進(jìn)行抑制， 所述第IMIM電容器的下部電極通過設(shè)置在所述輸入預(yù)匹配基板的通路孔與所述封裝件連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第I穩(wěn)定化電路具有: 第2M頂電容器，其形成在所述輸入預(yù)匹配基板，與所述第IM頂電容器共有上部電極；以及 第I電阻，其形成在所述輸入預(yù)匹配基板，與所述第2M頂電容器并聯(lián)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有: 第I焊盤，其形成在所述輸入預(yù)匹配基板，與所述第I導(dǎo)線連接；以及 第2穩(wěn)定化電路，其將所述第I焊盤與所述封裝件連接， 所述第2穩(wěn)定化電路具有: 第2電阻，其形成在所述輸入預(yù)匹配基板； 外部電容，其設(shè)置在所述封裝件之中；以及 連接電感器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第I穩(wěn)定化電路的有效頻率與所述第2穩(wěn)定化電路的有效頻率不同。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述輸入預(yù)匹配基板形成有所述外部電容。6.根據(jù)權(quán)利要求2?4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 多個(gè)所述第IM頂電容器； 多個(gè)所述第I穩(wěn)定化電路；以及 第3電阻，其將多個(gè)所述第I穩(wěn)定化電路連接。7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有: 多個(gè)所述第IM頂電容器； 多個(gè)所述第I穩(wěn)定化電路； 多個(gè)所述第I焊盤；以及 多個(gè)第I圖案，其形成在所述輸入預(yù)匹配基板，將所述第I焊盤與所述第2電阻連結(jié)， 所述多個(gè)第I圖案的長度均等。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有第4電阻，該第4電阻將多個(gè)所述第I焊盤連接。9.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第2穩(wěn)定化電路經(jīng)由所述通路孔與所述封裝件連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 多個(gè)所述第IM頂電容器； 多個(gè)所述第I穩(wěn)定化電路； 多個(gè)所述第I焊盤；以及 多個(gè)所述第2穩(wěn)定化電路。11.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有: 輸出預(yù)匹配基板，其設(shè)置在所述封裝件之中； 輸出端子，其固定在所述封裝件； 輸出導(dǎo)線，其將所述半導(dǎo)體元件的輸出與所述輸出端子連接； 輸出側(cè)電路元件，其形成在所述輸出預(yù)匹配基板；以及 第3導(dǎo)線，其將所述半導(dǎo)體元件的輸出與所述輸出側(cè)電路元件連接， 所述輸出側(cè)電路元件通過形成在所述輸出預(yù)匹配基板的輸出側(cè)通路孔與所述封裝件連接。12.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有針對諧波的匹配電路即諧波電路，該諧波電路具有形成在所述輸入預(yù)匹配基板的電容， 所述諧波電路將所述半導(dǎo)體元件的輸入與所述通路孔連接。
【文檔編號】H01P5/08GK105914440SQ201610104417
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月25日
【發(fā)明人】佐佐木善伸
【申請人】三菱電機(jī)株式會(huì)社