，示例9-15的主題可以可選地包括:其中，所述N層和所述P層包括第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料均選自于包括IV族、m-v族和Π -VI族的組。
[0070]在示例17中，示例9-16的主題可以可選地包括:其中，所述N層和所述P層彼此晶格失配。
[0071]在示例18中，示例9-17的主題可以可選地包括:其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)包括有組織的單晶晶格，所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)的底表面直接接觸氧化物的頂表面，并且所述氧化物在所述襯底與所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)之間。
[0072]在示例19中，示例9-18的主題可以可選地包括:其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)被轉(zhuǎn)移到所述裝置，并且不在所述裝置上生長。
[0073]示例20包括:包括匪OS器件的N層，所述NMOS器件具有全都與平行于襯底的第一水平軸相交的N溝道、第一源極和第一漏極;包括PMOS器件的P層，所述PMOS器件具有全都與平行于襯底的第二水平軸相交的P溝道、第二源極和第二漏極；以及對應(yīng)于所述N溝道的第一柵極，所述第一柵極與垂直軸相交，所述垂直軸與對應(yīng)于所述P溝道的第二柵極相交；以及直接接觸所述第一漏極和所述第二漏極的第一接觸部。
[0074]在示例21中，示例20的主題可以可選地包括:直接接觸所述第一源極的第二接觸部以及直接接觸所述第二源極的第三接觸部。
[0075]在示例22中，示例20-21的主題可以可選地包括:正交于所述襯底、與所述第二接觸部和所述第三接觸部相交的垂直軸。
[0076]在示例23中，示例20-22的主題可以可選地包括:其中，所述第二接觸部和所述第三接觸部包括具有不相等功函數(shù)的材料。
[0077]在示例24中，示例20-23的主題可以可選地包括:其中，所述N層和所述P層彼此晶格失配。
[0078]在示例25中，示例20-24的主題可以可選地包括:其中，所述裝置是反相器。
[0079]已經(jīng)出于圖示和描述的目的給出了本發(fā)明實(shí)施例的以上描述。它并非意在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制到公開的精確形式。本說明書和后附權(quán)利要求包括諸如左、右、頂、底、上方、下方、上、下、第一、第二等術(shù)語，它們僅用于描述性目的，不應(yīng)被視為限制。例如，相對于垂直位置進(jìn)行指定的術(shù)語是指襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是該襯底的“頂”表面的狀況;該襯底實(shí)際上可以處于任何取向，使得在標(biāo)準(zhǔn)的陸地參照系中，襯底的“頂”側(cè)可以低于“底”側(cè)，并仍然落在術(shù)語“頂部”的含義之內(nèi)。本文(包括權(quán)利要求)中使用的術(shù)語“上”并非表示第二層“上”的第一層在第二層的正上方并與第二層直接接觸，除非進(jìn)行這樣的特定表述;在第一層和第一層上的第二層之間可以有第三層或其它結(jié)構(gòu)?？梢栽谌舾煞N位置和取向中制造、使用或裝運(yùn)本文描述的器件或物品的實(shí)施例。相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠認(rèn)識到，根據(jù)以上教導(dǎo)，許多修改和變化都是可能的。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到針對圖中所示各部件的各種等價(jià)組合和置換。因此，本發(fā)明的范圍意在不受到本詳細(xì)描述的限制，而僅受附于其后的權(quán)利要求的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種裝置，包括: 包括NMOS器件的N層，所述NMOS器件具有全都與平行于襯底的第一水平軸相交的N溝道、源極和漏極； 包括PMOS器件的P層，所述PMOS器件具有全都與平行于所述襯底的第二水平軸相交的P溝道、源極和漏極； 對應(yīng)于所述N溝道的第一柵極，所述第一柵極與所述第二水平軸相交；以及 對應(yīng)于所述P溝道的第二柵極，所述第二柵極與所述第一水平軸相交。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述N層和所述P層包括第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料均選自于包括IV族、m-V族和Π -VI族的組。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述N層和所述P層彼此晶格失配。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一柵極在所述N溝道的正上方和正下方，并且所述第二柵極在所述P溝道的正上方和正下方。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)包括有組織的單晶晶格，所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)的底表面直接接觸氧化物的頂表面，并且所述氧化物在所述襯底與所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)被轉(zhuǎn)移到所述裝置，并且不在所述裝置上生長。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，包括與所述襯底正交的第一垂直軸以及與所述襯底正交的第二垂直軸，所述第一垂直軸與所述第一柵極和所述N溝道相交，所述第二垂直軸與所述第二柵極和所述P溝道相交。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，絕緣體部分直接接觸所述N層和所述P層兩者。9.一種裝置，包括: 包括匪OS器件的N層，所述匪OS器件具有全都與正交于襯底的第一垂直軸相交的N溝道、第一源極和第一漏極； 包括PMOS器件的P層，所述PMOS器件具有全都與平行于襯底的第二垂直軸相交的P溝道、第二源極和第二漏極； 環(huán)繞所述N溝道、直接接觸第一絕緣層的第一柵極； 環(huán)繞所述P溝道、直接接觸第二絕緣層的第二柵極； 直接接觸所述第一絕緣層和所述P層的第一接觸部；以及 直接接觸所述第二絕緣層和所述N層的第二接觸部。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第一源極和所述第一漏極中的一個(gè)在所述第一絕緣層上方延伸，并且所述第一源極和所述第一漏極中的另一個(gè)在所述第一絕緣層下方延伸。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述第二源極和所述第二漏極中的一個(gè)在所述第二絕緣層上方延伸，并且所述第二源極和所述第二漏極中的另一個(gè)在所述第二絕緣層下方延伸。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，(a)所述N層和所述P層中的至少一個(gè)包括第一子層、第二子層和第三子層，所述第二子層直接接觸所述第一子層和所述第三子層，并且(b)所述第二子層與所述第一子層和所述第三子層中的至少一個(gè)被不相等地?fù)诫s。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述N溝道和所述P溝道中的至少一個(gè)包括所述第二子層的一部分，所述第一源極和所述第二源極中的至少一個(gè)包括所述第一子層的一部分，并且所述第一漏極和所述第二漏極中的至少一個(gè)包括所述第三子層的一部分。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，包括平行于所述襯底、與所述N溝道和所述第二接觸部相交的第一水平軸。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，包括平行于所述襯底、與所述P溝道和所述第一接觸部相交的第二水平軸。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述N層和所述P層包括第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料均選自于包括IV族、m-V族和n -Vi族的組。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述N層和所述P層彼此晶格失配。18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)包括有組織的單晶晶格，所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)的底表面直接接觸氧化物的頂表面，并且所述氧化物在所述襯底與所述N層和所述P層中的所述至少一個(gè)之間。19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述N層和所述P層中的至少一個(gè)被轉(zhuǎn)移到所述裝置，并且不在所述裝置上生長。20.—種裝置，包括: 包括NMOS器件的N層，所述NMOS器件具有全都與平行于襯底的第一水平軸相交的N溝道、第一源極和第一漏極； 包括PMOS器件的P層，所述PMOS器件具有全都與平行于襯底的第二水平軸相交的P溝道、第二源極和第二漏極；以及 對應(yīng)于所述N溝道的第一柵極，所述第一柵極與垂直軸相交，所述垂直軸與對應(yīng)于所述P溝道的第二柵極相交；以及 直接接觸所述第一漏極和所述第二漏極的第一接觸部。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，包括直接接觸所述第一源極的第二接觸部以及直接接觸所述第二源極的第三接觸部。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，包括正交于所述襯底、與所述第二接觸部和所述第三接觸部相交的垂直軸。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中，所述第二接觸部和所述第三接觸部包括具有不相等功函數(shù)的材料。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中，所述N層和所述P層彼此晶格失配。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中，所述裝置是反相器。
【專利摘要】實(shí)施例包括一種裝置，包括：包括NMOS器件的N層，所述NMOS器件具有全都與平行于襯底的第一水平軸相交的N溝道、源極和漏極；包括PMOS器件的P層，所述PMOS器件具有全都與平行于所述襯底的第二水平軸相交的P溝道、源極和漏極；對應(yīng)于N溝道、與所述第二水平軸相交的第一柵極；以及對應(yīng)于P溝道、與所述第一水平軸相交的第二柵極。本文描述了其它實(shí)施例。
【IPC分類】H01L21/336
【公開號】CN105723501
【申請?zhí)枴緾N201380080983
【發(fā)明人】K·俊, P·莫羅
【申請人】英特爾公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2013年12月18日
【公告號】WO2015094239A1