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一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線的制作方法

文檔序號(hào):9845869閱讀:380來源:國(guó)知局
一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于天線技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著近些年衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的發(fā)展,其導(dǎo)航定位技術(shù)已經(jīng)深入到各個(gè)領(lǐng)域,現(xiàn)在的導(dǎo)航系統(tǒng)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)全球連續(xù)、實(shí)時(shí)、高精度導(dǎo)航,建立導(dǎo)航與通信、??战煌ü苤?、授時(shí)、搜索營(yíng)救、大地測(cè)量及氣象服務(wù)等多用途的綜合衛(wèi)星系統(tǒng)。我國(guó)北斗衛(wèi)星系統(tǒng)自2012年運(yùn)行以來,北斗系統(tǒng)的定位,導(dǎo)航,授時(shí)等服務(wù)性能不斷提升,應(yīng)用領(lǐng)域逐步拓展到交通運(yùn)輸,氣象,漁業(yè),林業(yè),測(cè)繪等領(lǐng)域。其應(yīng)用呈現(xiàn)全面推廣和產(chǎn)業(yè)化態(tài)勢(shì),已產(chǎn)生顯著的社會(huì),經(jīng)濟(jì)效益。
[0003]天線作為定位導(dǎo)航技術(shù)中關(guān)鍵部件之一,對(duì)系統(tǒng)起到關(guān)鍵的作用。因此系統(tǒng)對(duì)天線的性能要求越來越高,包括精確的定位精度,高抑制的抗多徑效應(yīng)等性能。當(dāng)前國(guó)內(nèi)外的高精度抗多徑天線,主要為傳統(tǒng)的金屬大圓盤扼流圈,其體積過大,重量重,成本高,不利于加工制作和推廣使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,以改善現(xiàn)有導(dǎo)航型天線體積與抗多徑效應(yīng)問題。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述的目的,本發(fā)明采用了以下的技術(shù)方案:
一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,該導(dǎo)航天線包括介質(zhì)基材,天線輻射體,通孔,底座和饋電針;所述的介質(zhì)基材設(shè)置在底座上,介質(zhì)基材底面金屬化,底部中心有圓柱形凹槽,圓柱形凹槽的中心與介質(zhì)基材的中心重合,圓柱形凹槽底部金屬化,在圓柱形凹槽外圈的介質(zhì)基材上分布有多個(gè)圓形通孔,各個(gè)通孔內(nèi)壁均金屬化,通孔在介質(zhì)基材上圍成多個(gè)同心圓圈;所述的天線輻射體設(shè)置在質(zhì)基材上層的正中間,3?6根饋電針從下部穿過介質(zhì)基材焊接在天線輻射體上,并以中心對(duì)稱均勻分布。
[0006]作為優(yōu)選,介質(zhì)基材為圓柱型,天線福射體為正方形。
[0007]作為優(yōu)選,饋電針為四根,饋電針饋電的相位依次相差90°,實(shí)現(xiàn)天線圓極化性能。
[0008]作為優(yōu)選,通孔在介質(zhì)基材上圍成3?5個(gè)同心圓圈,每個(gè)圓圈均由30?80個(gè)通孔組成,每圈的孔的數(shù)量無需相同。
[0009]作為優(yōu)選,天線輻射體為銀或銅材料。
[0010]作為優(yōu)選,金屬化的材質(zhì)為銀或銅材料。
[0011 ]作為優(yōu)選,底座為金屬材質(zhì),底座為圓形,直徑與圓形介質(zhì)基材相同或稍大,金屬底座中心處有孔,直徑與圓柱形凹槽相同。
[0012]本發(fā)明天線通過介質(zhì)基材上的四圈通孔實(shí)現(xiàn)天線抗多徑性能,并通過介質(zhì)基材的高介電常數(shù)性能,縮小天線體積,實(shí)現(xiàn)天線結(jié)構(gòu)的小型化。
【附圖說明】
[0013]圖1、圖2為本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本發(fā)明頂部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖4為圖3的A-A剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖更加清晰明了,結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0017]如圖1、圖2所示的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,該導(dǎo)航天線包括介質(zhì)基材I,天線輻射體2,通孔4,底座6和饋電針3。所述的介質(zhì)基材I為圓柱型,介質(zhì)基材I設(shè)置在底座6上,介質(zhì)基材I底面金屬化,金屬化的材質(zhì)為銀或銅材料。底部中心有圓柱形凹槽5,圓柱形凹槽5的中心與介質(zhì)基材I的中心重合,圓柱形凹槽5底部金屬化,金屬化的材質(zhì)為銀或銅材料。如圖3所示,在圓柱形凹槽5外圈的介質(zhì)基材I上分布有多個(gè)圓形通孔4,各個(gè)通孔4內(nèi)壁均金屬化,金屬化的材質(zhì)為銀或銅材料。通孔4在介質(zhì)基材I上圍成4個(gè)同心圓圈,每個(gè)圓圈均由40?60個(gè)通孔4組成,每圈的孔的數(shù)量無需相同。所述的天線輻射體2為正方形,為銀或銅材料,天線輻射體2設(shè)置在介質(zhì)基材I上層的正中間。如圖4所示,4根饋電針3從下部穿過介質(zhì)基材I焊接在天線輻射體2上,并以中心對(duì)稱均勻分布,饋電針3饋電的相位依次相差90°,實(shí)現(xiàn)天線圓極化性能。如圖2所示,底座6為金屬材質(zhì),底座6為圓形,直徑與圓形介質(zhì)基材I相同或稍大,金屬底座6中心處有孔,直徑與圓柱形凹槽5相同,便于天線后端部件的安裝與出線。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:該導(dǎo)航天線包括介質(zhì)基材(I),天線輻射體(2),通孔(4),底座(6)和饋電針(3);所述的介質(zhì)基材(I)設(shè)置在底座(6)上,介質(zhì)基材(I)底面金屬化,底部中心有圓柱形凹槽(5),圓柱形凹槽(5)的中心與介質(zhì)基材(I)的中心重合,圓柱形凹槽(5)底部金屬化,在圓柱形凹槽(5)外圈的介質(zhì)基材(I)上分布有多個(gè)圓形通孔(4),各個(gè)通孔(4)內(nèi)壁均金屬化,通孔(4)在介質(zhì)基材(I)上圍成多個(gè)同心圓圈;所述的天線輻射體(2)設(shè)置在介質(zhì)基材(I)上層的正中間,3?6根饋電針(3)從下部穿過介質(zhì)基材(I)焊接在天線輻射體(2)上,并以中心對(duì)稱均勻分布。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:介質(zhì)基材(1)為圓柱型,天線輻射體(2)為正方形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:饋電針(3)為四根,饋電針(3)饋電的相位依次相差90°,實(shí)現(xiàn)天線圓極化性能。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:通孔(4)在介質(zhì)基材(I)上圍成3?5個(gè)同心圓圈,每個(gè)圓圈均由30?80個(gè)通孔(4)組成,每圈的孔的數(shù)量無需相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:天線輻射體(2)為銀或銅材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:金屬化的材質(zhì)為銀或銅材料。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線,其特征在于:底座(6)為金屬材質(zhì),底座(6)為圓形,直徑與圓形介質(zhì)基材(I)相同或稍大,金屬底座(6)中心處有孔,直徑與圓柱形凹槽(5)相同。
【專利摘要】本發(fā)明屬于天線技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種小型化高精度抗多徑導(dǎo)航天線。該導(dǎo)航天線包括介質(zhì)基材,天線輻射體,通孔,底座和饋電針;介質(zhì)基材設(shè)置在底座上,介質(zhì)基材底面金屬化,底部中心有圓柱形凹槽,圓柱形凹槽的中心與介質(zhì)基材的中心重合,圓柱形凹槽底部金屬化,在圓柱形凹槽外圈的介質(zhì)基材上分布有多個(gè)圓形通孔,各個(gè)通孔內(nèi)壁均金屬化,通孔在介質(zhì)基材上圍成多個(gè)同心圓圈;天線輻射體設(shè)置在質(zhì)基材上層的正中間,3~6根饋電針從下部穿過介質(zhì)基材焊接在天線輻射體上,并以中心對(duì)稱均勻分布。本發(fā)明天線通過介質(zhì)基材上的四圈通孔實(shí)現(xiàn)天線抗多徑性能,并通過介質(zhì)基材的高介電常數(shù)性能,縮小天線體積,實(shí)現(xiàn)天線結(jié)構(gòu)的小型化。
【IPC分類】H01Q1/38
【公開號(hào)】CN105609946
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610120497
【發(fā)明人】任術(shù)剛, 李皓, 方明, 丁佳佳
【申請(qǐng)人】嘉興佳利電子有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日
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