]如圖1所示，本發(fā)明的一實施例的積層型半導體封裝體的制造方法用以制造第二半導體封裝體30以通過封裝體連接端子34而與第一半導體封裝體20電連接的方式積層到所述第一半導體封裝體20上而成的積層型半導體封裝體10。這種積層型半導體封裝體的制造方法可解決如下問題:在以往的高溫焊接制程中，因第一半導體封裝體或第二半導體封裝體的翹曲現(xiàn)象(warpage)而在兩個半導體封裝體的接合部發(fā)生接著不良；或在焊接制程后，在焊球等產(chǎn)生龜裂。
[0063]參照圖1，通過本實施例的積層型半導體封裝體的制造方法而制造的積層型半導體封裝體10包含第一半導體封裝體20、第二半導體封裝體30、及接著劑層(layer) 40。
[0064]第一半導體封裝體20包含第一封裝體基板21、第一芯片22、外部連接端子23、及第一密封材24。在第一封裝體基板21的上表面及下表面分別具備端子墊(terminalpad) 25、26。第一芯片22安裝到第一封裝體基板21，通過芯片連接端子27而與端子墊25電連接。外部連接端子23與第一封裝體基板21的端子墊26電連接。外部連接端子23用以與其他基板等電子器件實現(xiàn)電連接，可由焊球等構(gòu)成。在第一封裝體基板21的內(nèi)部，可具備將端子墊25與端子墊26電連接的電路配線未圖示。第一密封材24由絕緣性素材構(gòu)成，以覆蓋第一芯片22的方式具備在第一封裝體基板21的上側(cè)一面。
[0065]第二半導體封裝體30包含第二封裝體基板31、第二芯片32、33、封裝體連接端子34、及第二密封材35。在第二封裝體基板31的上表面及下表面分別具備端子墊36、37。第二芯片32、33安裝到第二封裝體基板31，通過芯片連接端子38而與端子墊36電連接。封裝體連接端子34與第二封裝體基板31的端子墊37電連接。封裝體連接端子34為電連接到第一半導體封裝體20的端子墊25的部分，可由焊球等構(gòu)成。第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30通過封裝體連接端子34而電連接。封裝體連接端子34通過焊接制程而將第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30電連接，同時將第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30固定成相互結(jié)合的狀態(tài)。在第二封裝體基板31的內(nèi)部，可具備將端子墊36與端子墊37電連接的電路配線(未圖示)。第二密封材35由絕緣性素材構(gòu)成，以覆蓋第二芯片32、33的方式配置到第二封裝體基板31的上側(cè)一面。
[0066]接著劑層40介置到第一半導體封裝體20的第一密封材24的上表面與第二半導體封裝體30的第二封裝體基板31之間而與封裝體連接端子34 —同使第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30相互接合。接著劑層40以如下方式形成:環(huán)氧樹脂(epoxy)等接著劑45以接著在第一半導體封裝體20及第二半導體封裝體30兩者的狀態(tài)硬化。接著劑層40最大能夠以與第一半導體封裝體20的第一密封材24上表面的寬度對應的寬度形成。
[0067]如上所述，封裝體連接端子34也通過焊接制程而使第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30相互接合，但由接著劑層40形成的第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30的接合面積大于由封裝體連接端子34形成的第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30的接合面積，且所述接著劑層40的接合力也大于封裝體連接端子34的接合力。因此，通過本發(fā)明的積層型半導體封裝體的制造方法而制造的積層型半導體封裝體10比僅利用封裝體連接端子結(jié)合第一半導體封裝體與第二半導體封裝體的以往的積層型半導體封裝體更堅固且在結(jié)構(gòu)上更優(yōu)異。
[0068]這種積層型半導體封裝體10可通過圖2所示的方法而制造。參照圖2至圖6，本實施例的積層型半導體封裝體的制造方法包含如下步驟:準備第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30上下積層而成的封裝體組裝體15的步驟((a)步驟，圖2?圖4);使封裝體組裝體15的接著劑45硬化的步驟b步驟，圖5 ;利用封裝體組裝體15的封裝體連接端子34焊接封裝體組裝體15的第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30的步驟((c)步驟，圖5);及檢查所形成的積層型半導體封裝體(10)的步驟(圖6)。
[0069]首先，準備封裝體組裝體15的步驟包含如下步驟:準備第一半導體封裝體20的步驟((a-Ι)步驟，圖2);準備第二半導體封裝體30的步驟((a-2)步驟)；在第一半導體封裝體20上涂布接著劑45的步驟((a-3)步驟，圖3);及將第二半導體封裝體30積層到第一半導體封裝體20上的步驟((a-4)步驟)，圖4)。
[0070]如圖2所示，第一半導體封裝體20包含:第一封裝體基板21 ;第一芯片22，其安裝到第一封裝體基板21 ;第一密封材24，其以覆蓋第一芯片22的方式具備在第一封裝體基板21的一面；及外部連接端子23，其以與第一芯片22電連接的方式具備在第一封裝體基板21的另一面。這種第一半導體封裝體20與之前說明的內(nèi)容相同，可通過通常的半導體制造制程而制造。第一半導體封裝體20可通過裝載器120等而搭載到滑車(jigger) 115后移送到制造制程位置，以便可利用自動化裝置連續(xù)地進行后續(xù)制造制程。
[0071]如圖4所示，第二半導體封裝體30包含:第二封裝體基板31 ;第二芯片32、33，其安裝到第二封裝體基板31 ;第二密封材35，其以覆蓋第二芯片32、33的方式具備在第二封裝體基板31的一面；及封裝體連接端子34，其以與第二芯片32、33電連接的方式具備在第二封裝體基板31的另一面。這種第一半導體封裝體20與之前說明的內(nèi)容相同，可像第一半導體封裝體20 —樣通過通常的半導體制造制程而制造。
[0072]參照圖3，在將第一半導體封裝體20搭載到滑車115后，在第一半導體封裝體20的第一密封材24上表面涂布接著劑45。作為接著劑45，可利用環(huán)氧樹脂等具有接著力的各種物質(zhì)。并且，在涂布接著劑45時，可利用各種結(jié)構(gòu)的接著劑分配器130。
[0073]如圖4所示，在第一半導體封裝體20上涂布接著劑45后，將第二半導體封裝體30積層到第一半導體封裝體20上而形成封裝體組裝體15。此時，第二半導體封裝體30的第二封裝體基板31與涂布在第一半導體封裝體20的第一密封材24上的接著劑45接觸。并且，第二半導體封裝體30的封裝體連接端子34與第二半導體封裝體30的端子墊(25 ;參照圖1)接觸，由此第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30通過封裝體連接端子34而電連接。如圖所示，在將第二半導體封裝體30積層到第一半導體封裝體20上而形成封裝體組裝體15時，可利用組裝用裝載器140。
[0074]在以此方式形成封裝體組裝體15后，像圖5所示一樣執(zhí)行對封裝體組裝體15的加熱制程(硬化制程及焊接制程)。封裝體組裝體15能夠以固定在滑車115的狀態(tài)移送至加熱制程位置。在對封裝體組裝體15進行加熱制程時，可利用如圖所示的加熱單元(heating unit)150。
[0075]加熱單元150包含接觸式加熱器151、加熱器冷卻單元158、升降機構(gòu)165、及控制器169。控制器169對接觸式加熱器151、加熱器冷卻單元158及升降機構(gòu)165進行控制。這種加熱單元150可在使接觸式加熱器151與封裝體組裝體15接觸的狀態(tài)下，連續(xù)執(zhí)行對封裝體組裝體15的硬化制程及焊接制程。
[0076]接觸式加熱器151以可升降的方式設(shè)置到封裝體組裝體15的上側(cè)，以便可與封裝體組裝體15的第二半導體封裝體30的一面接觸。接觸式加熱器151具有與第二半導體封裝體30的第二密封材35的上表面接觸的接觸面152。在接觸面152具備用以吸附第二半導體封裝體30的吸附孔(hole) 153。吸附孔153與具備在加熱器冷卻單元158的冷卻套(cooling jacket) 159的一側(cè)的氣孔(air hole) 154連接。在氣孔154連接用以向吸附孔153提供抽吸力的真空壓力供給器未圖示。當然，氣孔154也可形成到接觸式加熱器151的夕卜側(cè)面。
[0077]這種接觸式加熱器151以與第二半導體封裝體30的第二密封材35上表面接觸而吸附第二半導體封裝體30的狀態(tài)，通過第二半導體封裝體30對第一半導體封裝體20與第二半導體封裝體30之間的接著劑45及封裝體連接端子34進行加熱。在接觸式加熱器151設(shè)置溫度傳感器(temperature sensor) 155。溫度傳感器155以與接觸式加熱器151接觸的方式設(shè)置，檢測接觸式加熱器151的溫度并將這個檢測信息傳輸