積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法，更詳細(xì)而言，涉及一種用以制造多個半導(dǎo)體封裝體沿上下方向依序積層而成的積層型半導(dǎo)體封裝體的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體元件為了擴(kuò)大其電容及功能，在晶片(wafer)制造制程中集成度逐漸增加。如果欲在晶片上擴(kuò)大半導(dǎo)體元件的電容及功能，則需在晶片制造制程中投入大量的設(shè)備且需要較多的費用。
[0003]與此相反，如果在晶片上制作半導(dǎo)體芯片(chip)后組裝成封裝體的過程中利用將兩個以上的半導(dǎo)體芯片或兩個以上的半導(dǎo)體封裝體整合成一體的方法，則能夠以較少的設(shè)備投入及費用來擴(kuò)大半導(dǎo)體元件的電容及功能。因此，在半導(dǎo)體制造中，封裝(packaging)技術(shù)作為最終決定器件(device)的電性能、可靠性、生產(chǎn)性及電子系統(tǒng)(electronic system)的小型化的核心技術(shù)而其重要性日益增加。
[0004]最近，許多半導(dǎo)體企業(yè)為了在封裝制程中進(jìn)一步提高單位體積的安裝效率，應(yīng)用整合型半導(dǎo)體封裝體技術(shù)。作為代表性的整合型半導(dǎo)體封裝體，有系統(tǒng)級封裝體(SystemIn Package，SIP)、多芯片封裝體(Multi Chip Package，MCP)、積層型封裝體(Package OnPackage，POP;以下稱為“積層型半導(dǎo)體封裝體”)等。在這些整合型半導(dǎo)體封裝體中，積層型半導(dǎo)體封裝體是將完成封裝制程及電檢查制程的多個單一半導(dǎo)體封裝體整合成一體的封裝體。因此，以對單一半導(dǎo)體封裝體充分地檢查電功能而去除不良的狀態(tài)實現(xiàn)組裝，故而具有如下優(yōu)點:在組裝成積層型封裝體(Package On Package)結(jié)構(gòu)后發(fā)生的電性不良減少，可將執(zhí)行不同功能的單一半導(dǎo)體封裝體制成一個半導(dǎo)體封裝體。
[0005]這種積層型半導(dǎo)體封裝體經(jīng)由焊接(soldering)制程而制成，所述焊接制程是在積層有多個單一半導(dǎo)體封裝體的狀態(tài)下，加熱至將所述多個單一半導(dǎo)體封裝體電連接的焊球(solder ball)的熔點以上。然而，存在如下問題:在高溫焊接制程中，因配置在上部的半導(dǎo)體封裝體或配置在下部的封裝體的翹曲現(xiàn)象(warpage)而在兩個半導(dǎo)體封裝體的接合部發(fā)生接著不良；或在焊接制程后，焊球產(chǎn)生龜裂(crack)。
[0006][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)]
[0008]韓國公開專利公報第2010-0121231 號(2010.11.17.)
[0009]韓國公開專利公報第2013-0116100 號(2013.10.23.)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010][發(fā)明欲解決的課題]
[0011]本發(fā)明是為了解決如上所述的必要性而提出，目的在于提供一種可減少因第二半導(dǎo)體封裝體或第一半導(dǎo)體封裝體的翹曲現(xiàn)象引起的第二半導(dǎo)體封裝體與第一半導(dǎo)體封裝體的接合部的接著不良或產(chǎn)生龜裂的問題的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法。
[0012][解決課題的手段]
[0013]用以達(dá)成所述目的的本發(fā)明的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法用以制造第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體以通過所述第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體之間的封裝體連接端子電連接的方式上下積層而成的積層型半導(dǎo)體封裝體，所述積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法的特征在于包含如下步驟:(a)準(zhǔn)備封裝體組裝體的步驟，所述封裝體組裝體是以在所述第一半導(dǎo)體封裝體與所述第二半導(dǎo)體封裝體之間介置有用以將所述第一半導(dǎo)體封裝體與所述第二半導(dǎo)體封裝體接合的接著劑及所述封裝體連接端子的狀態(tài)下，將所述第一半導(dǎo)體封裝體與所述第二半導(dǎo)體封裝體結(jié)合而成；(b)使接觸式加熱器與所述封裝體組裝體的第二半導(dǎo)體封裝體的一面接觸，將所述接觸式加熱器以固定時間保持為使所述接著劑硬化的硬化溫度而使所述接著劑硬化；及(C)在使所述接觸式加熱器與所述第二半導(dǎo)體封裝體的一面接觸的狀態(tài)下，將所述接觸式加熱器以固定時間保持為使所述封裝體連接端子熔融的焊接溫度而利用所述封裝體連接端子焊接所述第一半導(dǎo)體封裝體與所述第二半導(dǎo)體封裝體。
[0014][發(fā)明的效果]
[0015]本發(fā)明的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法利用介置在第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體之間的封裝體連接端子焊接第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體，同時利用第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體之間的接著劑將第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體接合。因此，可制造比僅利用封裝體連接端子將第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體接合的以往的積層型半導(dǎo)體封裝體更堅固且在結(jié)構(gòu)上更優(yōu)異的積層型半導(dǎo)體封裝體。
[0016]另外，本發(fā)明的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法利用接觸式加熱器按壓第二半導(dǎo)體封裝體使第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體之間的接著劑硬化而牢固地接合第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體，因此可減少如下問題:像以往一樣，在高溫焊接制程中，因第一半導(dǎo)體封裝體或第二半導(dǎo)體封裝體的翹曲現(xiàn)象(warpage)而在兩個半導(dǎo)體封裝體的接合部發(fā)生接著不良；或在焊接制程后，在封裝體連接端子等產(chǎn)生龜裂。
[0017]另外，本發(fā)明的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法在使接觸式加熱器與封裝體組裝體的上表面接觸的狀態(tài)下，高速控制接觸式加熱器的溫度，由此可迅速且連續(xù)地執(zhí)行對介置在第一半導(dǎo)體封裝體與第二半導(dǎo)體封裝體之間的接著劑及封裝體連接端子的硬化制程及焊接制程。因此，可縮短制造時間，提高制造效率。
【附圖說明】
[0018]圖1是表示通過本發(fā)明的一實施例的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法而制造的積層型半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖。
[0019]圖2至圖6是按照各步驟表示本發(fā)明的一實施例的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法的圖。
[0020]圖7是在圖2所示的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造過程中的硬化制程及焊接制程中，表示接觸式加熱器的溫度及壓力變化的曲線圖(graph)。
[0021]附圖標(biāo)記說明:
[0022]10:積層型半導(dǎo)體封裝體；
[0023]15:封裝體組裝體；
[0024]20:第一半導(dǎo)體封裝體；
[0025]21:第一封裝體基板；
[0026]22:第一芯片；
[0027]23:外部連接端子；
[0028]24:第一密封材；
[0029]25、26、36、37:端子墊；
[0030]27、38:芯片連接端子；
[0031]30:第二半導(dǎo)體封裝體；
[0032]31:第二封裝體基板；
[0033]32、33:第二芯片；
[0034]34:封裝體連接端子；
[0035]35:第二密封材；
[0036]40:接著劑層；
[0037]45:接著劑；
[0038]115:滑車；
[0039]120:裝載器；
[0040]130:接著劑分配器；
[0041]140:組裝用裝載器；
[0042]150:加熱單元；
[0043]151:接觸式加熱器；
[0044]152:接觸面；
[0045]153:吸附孔；
[0046]154:氣孔；
[0047]155:溫度傳感器；
[0048]156:電源裝置；
[0049]158:加熱器冷卻單元；
[0050]159:冷卻套；
[0051]160:冷卻流路；
[0052]161:流入口；
[0053]162:排出口；
[0054]163:冷卻介質(zhì)供給器；
[0055]165:升降機(jī)構(gòu)；
[0056]167:壓力傳感器；
[0057]169:控制器；
[0058]170:檢查單元；
[0059]Tl、T2、T3、T4、T5、T6、T7、tl、t2、t3、t4、t5:時間。
【具體實施方式】
[0060]以下，參照附圖，詳細(xì)地對本發(fā)明的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法進(jìn)行說明。
[0061]圖1是表示通過本發(fā)明的一實施例的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法而制造的積層型半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖，圖2至圖6是按照各步驟表示本發(fā)明的一實施例的積層型半導(dǎo)體封裝體的制造方法的圖。
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